2027届高三化学一轮复习选择题专项训练晶体的结构与性质及相关计算

**基本信息** 聚焦晶体结构与计算，通过真题与变式训练系统整合均摊法、分数坐标分析等方法，构建“结构-性质-计算”逻辑链，培养科学思维与空间想象能力。 **专项设计** |模块|题量/典例|方法提炼|知识逻辑| |----|-----------|----------|----------| |真题演练|4题（2023-2026河北高考真题）|均摊法确定化学式、分数坐标与距离计算、晶胞密度公式应用|从晶胞结构分析到性质计算的递进，覆盖立方/六方晶胞核心考法| |变式训练|26题（模拟题）|配位数判断、投影图分析、晶体类型与空隙填充率计算|结合LiF、GaAs等典型晶体，强化方法迁移与易错点突破|

2027届高三化学一轮复习选择题专项训练 晶体的结构与性质及相关计算 一、真题演练 1．（2026·河北·高考真题）是由我国科学家理论预测并合成的具有高温超导电性的材料，其立方晶胞如图所示，晶胞棱长为。晶体中氢原子与铍原子构成立方体单元()，铍原子位于体心。氢原子Y和Z的分数坐标分别为和。 下列说法错误的是 A．La原子周围最紧邻的氢原子有12个 B．晶胞沿体对角线的投影图为 C．X、Y两原子之间的距离为 D．晶胞中含有4个单元 2．（2025·河北·高考真题）是一种具有优异磁性能的稀土永磁材料，在航空航天等领域中获得重要应用。的六方晶胞示意图如下，晶胞参数、，M、N原子的分数坐标分别为、。设是阿伏加德罗常数的值。 下列说法错误的是 A．该物质的化学式为 B．体心原子的分数坐标为 C．晶体的密度为 D．原子Q到体心的距离为 3．（2024·河北·高考真题）金属铋及其化合物广泛应用于电子设备、医药等领域。如图是铋的一种氟化物的立方晶胞及晶胞中MNPQ点的截面图，晶胞的边长为为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．该铋氟化物的化学式为 B．粒子S、T之间的距离为 C．该晶体的密度为 D．晶体中与铋离子最近且等距的氟离子有6个 4．（2023·河北·高考真题）锆是重要的战略金属，可从其氧化物中提取。下图是某种锆的氧化物晶体的立方晶胞，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．该氧化物的化学式为 B．该氧化物的密度为 C．原子之间的最短距离为 D．若坐标取向不变，将p点原子平移至原点，则q点原子位于晶胞面的面心 二、变式训练 5．（2026·河北沧州·一模）Cr与F形成的化合物的某种立方晶胞结构如图所示，A、B、E原子的分数坐标分别为、、。设为阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是 A．该化合物的化学式为 B．D原子的分数坐标为 C． D．该晶体密度 6．（2026·河北邢台·模拟预测）氟化氪光刻机属于深紫外光刻机，是我国在光刻机领域取得的重要突破。氟化氪的四方晶胞及对应原子的分数坐标如图所示，设阿伏加德罗常数的值为NA，氟化氪的摩尔质量为Mg·mol-1。下列叙述正确的是 A．该晶体的化学式为KrF4 B．Kr—F的键长为d pm C．C的分数坐标为（0，0，） D．晶胞密度 7．（2026·河北·模拟预测）晶体具有高绝缘性和热稳定性，可用于电子器件的介质层或封装材料，晶胞结构如图，可由高纯度MgO和磨细后装入坩埚在高温下反应生成。设阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．离子键成分百分率： B．基态Ge简化电子排布式： C．O原子若沿z轴向xy平面投影，则其投影图为 D．该晶体的密度为 8．（2026·河北沧州·三模）磷化硼具有高硬度、高热稳定性和优异的化学惰性，是一种半导体，在多个高科技领域有重要应用，其晶胞如图所示。已知晶体密度为，M、N原子的分数坐标分别为、，设是阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．磷原子和硼原子均为杂化 B．沿晶胞体对角线方向可能存在的投影图为 C．X原子的分数坐标为 D．硼原子和磷原子的原子核间的最短距离为 9．（2026·河北邯郸·三模）GaAs是一种制造芯片半导体材料，晶胞结构如图甲所示，晶胞棱长为。将Mn掺杂到GaAs的晶体中得到稀磁性半导体材料，如图乙所示。下列说法错误的是 A．图甲中，与As原子等距离的As原子个数为12 B．稀磁性半导体材料中、的原子个数比为5∶27 C．图甲中a原子与b原子的距离为 D．GaAs晶体的密度为 10．（2026·河北保定·三模）Li2Se是锂硒电池的核心正极材料。Li2Se的立方晶胞结构如图所示。晶胞参数为a nm，NA为阿伏加德罗常数的值。1、2号原子坐标分别为、。可视作填充入构成的正四面体“空隙”中。下列叙述正确的是 A．在该晶胞“空隙”中的填充率为 B．3号原子坐标为 C．2个最近距离为 D．该晶体密度为 11．（2026·河北保定·三模）Mn氧化物具有较大应用价值。Mn的某种氧化物MnOx的四方晶胞及其在xy平面的投影如图所示，当MnOx晶体有O原子脱出时，出现O空位，O空位的产生使晶体具有半导体的性质。下列说法错误的是 A．该氧化物的化学式为MnO2 B．在yz平面的投影如图所示 C．该晶体中Mn原子与O原子的配位数之比为1∶2 D．V2O5晶体也可以通过脱出O原子形成O空位获得半导体性质 12．（2026·河北保定·三模）是一种常见的有机催化剂，其晶胞结构如图所示，晶胞参数为，晶体密度为，下列说法错误的是 A．基态原子核外电子有29种运动状态 B．用和表示的为(为阿伏加德罗常数的值) C．该晶胞沿轴方向的平面投影示意图为 D．已知点的原子分数坐标为，则点的原子分数坐标为 13．（2026·河北保定·二模）某种锡基钙钛矿材料(结构如图1所示，晶胞参数为)具有良好的光电性质，缺位后某些性能增强(缺位后的结构如图2所示，晶胞参数为)。设为阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是 A．图1表示的化学式为 B．图1中与Cs等距且最近的Br的个数为6 C．图2中Sn和Cs的最近距离为 D．图2所示晶体的密度为 14．（2026·河北衡水·模拟预测）金(Au)和铜(Cu)可以形成任意比例的合金。如图所示的晶胞甲、乙均为立方晶胞。 下列说法错误的是 A．晶胞甲的化学式为 B．晶胞乙中与Cu最近且等距的Au有8个 C．晶胞乙中最小核间距 D．晶胞乙中含金量约为90.2% 15．（2026·河北沧州·二模）LiF常用于制备特种光学玻璃、紫外光学镜片，其立方晶胞如图所示。已知：该晶胞参数为，为阿伏加德罗常数的值。1、2号原子的分数坐标分别为、。下列说法错误的是 A．3号原子的分数坐标为 B．阴离子、阳离子的配位数都是6 C．与等距离且最近的有12个 D．该晶体的密度为 16．（2026·河北沧州·三模）由Al、Mn、Cu三种金属组成的合金的晶胞结构如图，Al、Mn位于Cu形成的立方体的体心，晶胞参数为a pm。下列说法错误的是 A．该晶体中存在金属键 B．沿晶胞对角面切面图可能为 C．基态的最外层电子排布式为 D．该晶胞中距O点最近的Al原子的分数坐标可能为或 17．（2026·河北雄安·三模）新型半导体芯片材料——硒氧化铋(，摩尔质量为)是下一代高性能芯片的核心候选材料，其晶胞投影如图，设为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．每个Bi周围紧邻且等距的O有6个 B．晶胞中O均位于面上 C．电负性： D．该晶体的密度为 18．（2026·河北雄安·三模）研究物质结构是研制新物质的基础。已知X、Y、Z、W是原子序数依次增大的短周期主族元素，且分布于三个不同周期，基态W原子的核外电子总数是其单电子数的5倍，Y、W同主族。研究发现化合物在气态和固态时结构明显不同，固态时的晶胞结构如图。下列说法错误的是 A．Y的最高价氧化物对应的水化物为一元强酸 B．固态时，的晶体类型为离子晶体 C．由X、Y、Z三种元素组成的化合物均能抑制水的电离 D．简单氢化物的键角： 19．（2026·河北保定·二模）氢气的安全贮存和运输是氢能应用的关键。铁镁合金是目前已发现的储氢密度较高的储氢材料之一，其晶胞结构如图所示；该合金储氢时，分子在晶胞的体心和棱心位置。下列说法正确的是 A．储存则至少需要该储氢合金中含 B．距离Mg原子最近的Fe原子个数是6 C．该合金属于金属晶体，存在金属键和自由离子 D．若该晶胞的晶胞参数为，则该合金密度为 20．（2026·河北唐山·二模）某离子型铁的氧化物晶胞如图所示，它由A、B单元组成。通过在晶胞的棱心和体心嵌入或脱嵌，该晶体可作为锂电池的正极材料。 已知：嵌入率。下列说法错误的是 A．该锂电池充电时，从正极材料中脱嵌 B．嵌入率时，该正极材料的化学式为 C．若该正极材料中，则嵌入率为 D．铁氧化物晶胞完全嵌入，平均每个晶胞需转移电子数为3 21．（2026·河北保定·二模）是重要的光催化材料，是重要的电极材料，二者的晶胞结构(如图所示)相似、体积近似相等。下列说法错误的是 A．晶胞中“○”表示氧原子 B．白球代表原子的配位数为3 C．和的密度之比约为 D．作为电极材料，出现空位时元素化合价降低 22．（2026·河北沧州·一模）M是一种锂离子电池的电极材料，由Cu、S组成，其晶胞如图甲所示。已知。为阿伏加德罗常数的值，晶胞参数为a pm、c pm，且。下列说法错误的是 A．M中Cu、S的质量比为2：1 B．Cu的配位数为4 C．图乙是晶胞沿z轴的投影 D．M的密度为 23．（2026·河北张家口·二模）高温超导性最初是在由堆叠的平面构成的铜酸盐中发现的，某铜酸盐高温超导体的晶胞结构如图所示，已知表示阿伏加德罗常数的值，图中A原子的分数坐标为。下列说法错误的是 A．Cu的配位数为6 B．B原子的分数坐标为 C．A、B原子之间的距离为 D．该晶体密度为 24．（2026·河北邯郸·二模）金属铋及其化合物广泛应用于电子设备、医药等领域。如图是铋的一种氟化物的立方晶胞，点坐标为，点坐标为。下列说法错误的是 A．该晶胞中T点坐标为 B．铋离子在氟离子围成的正八面体空隙中 C．晶胞沿MNPQ点的截面如图： D．该晶胞中，S点氟离子的配位数为4 25．（2026·河北沧州·二模）普鲁士黄、普鲁士蓝和普鲁士白在光照条件下晶胞可发生如下转化，已知普鲁士蓝晶体的密度为为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．表示 B．CN-有剧毒，但普鲁士白无毒，是因为CN-与Fe元素形成的配位键稳定 C．普鲁士白中与K+等距且最近的K+有6个 D．普鲁士蓝晶体中和的最短距离为 26．（2026·河北沧州·二模）钴有多种氧化物，两种常见氧化物的晶胞结构如图Ⅰ、Ⅱ所示，晶胞参数分别为a pm、b pm，已知1号原子的分数坐标为，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．两种氧化物的化学式分别为CoO、 B．晶胞Ⅱ中，距离3号Co最近的O有12个 C．2号原子的分数坐标为 D．晶体Ⅰ和晶体Ⅱ的密度之比为 27．（2026·河北衡水·模拟预测）制备ZnS光学材料的过程如图所示，ZnS晶体中掺入少量CuCl后，会出现能量不同的“正电”区域与“负电”区域，光照下发出特定波长的光。已知：ZnS晶体中的半径为a pm，的半径为b pm，晶胞参数为c pm；空间利用率指构成晶体的原子、离子或分子总体积在整个晶体空间中所占有的体积百分比。 下列说法错误的是 A．区域A的中的离子为 B．区域B带正电 C．ZnS晶体中填充在形成的四面体空隙中 D．ZnS晶体的空间利用率为 28．（2026·河北沧州·一模）NaCl的晶胞如图甲所示，晶胞参数为a nm；CsCl的晶胞如图乙所示，晶胞参数为b nm。是阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．离子键百分数： B．、的配位数不同，主要原因是离子半径： C．CsCl晶胞中，与的最近距离为 D．NaCl的摩尔体积为 29．（2026·河北邢台·二模）“碳化钼催化剂上水的低温活化和制氢过程”项目获国家自然科学二等奖。其中两种立方相晶胞-碳化钼（Mo原子均在晶胞内）和-碳化钼如图所示，其中-碳化钼的晶胞参数为a pm，-碳化钼的晶胞参数为b pm。已知Mo与Cr位于元素周期表同一族且相邻，两者的基态原子也具有类似的价电子排布。下列有关说法正确的是 A．-碳化钼和-碳化钼的化学式完全相同 B．基态Mo原子的价电子排布式为 C．-碳化钼晶胞中碳原子位于Mo形成的六面体空隙中 D．-碳化钼晶胞与-碳化钼晶胞的相对密度为 30．（2026·河北保定·一模）某含Pb化合物是一种被广泛应用于太阳能电池领域的晶体材料，该化合物晶胞如图，晶胞参数，B原子的分数坐标为，坐标夹角均为，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．Cs与Pb之间的距离为 B．晶体中，与铯离子最近且等距的溴离子有12个 C．此晶胞密度为 D．晶胞中C原子的分数坐标为 试卷第1页（共3页） 试卷第1页（共3页） 学科网（北京）股份有限公司 《2027届高三化学一轮复习选择题专项训练晶体的结构与性质及相关计算》参考答案 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 A D D B C D D D D D 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案 C C C B D B A C A D 题号 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 答案 C B B B D D B D D B 1．A 【详解】A．从晶胞图可以看出，La原子（黑球）位于立方晶胞的顶点和面心，位于棱心和体心，以位于面心的La原子为研究对象，周围最紧邻的有6个，每个单元中有4个H原子与La原子紧邻，则La原子周围最紧邻的氢原子有24个，A错误； B．立方晶胞沿体对角线投影后结构为正六边形结构，位于体对角线上的原子会投影到图像中心，面心原子会投影到中心周围，则该晶胞沿体对角线的投影图为：，B正确； C．氢原子Y和Z的分数坐标分别为和，则单元正方体的边长为0.65a pm-0.35a pm=0.3a pm，X、Y两原子之间的距离为单元正方体体对角线的一半，为，C正确 D．单元位于棱心和体心，数目为，因此晶胞含4个单元，D正确； 故答案选A。 2．D 【详解】A．由晶胞图知，白球位于体心，晶胞中数目为1，黑球位于顶角、棱心、体内，六方晶胞上下表面中一个角60°， 一个角为120°，晶胞中数目为，结合题意知，白球为Sm、黑球为Co，该物质化学式为，A正确； B．体心原子位于晶胞的中心，其分数坐标为，B正确； C．每个晶胞中含有1个“”，晶胞底面为菱形，晶胞体积为，则晶体密度为，C正确； D．原子Q的分数坐标为，由体心原子向上底面作垂线，垂足为上底面面心，连接该面心与原子Q、体心与原子Q可得直角三角形，则原子Q到体心的距离，D错误； 故选D。 3．D 【详解】A．根据题给晶胞结构，由均摊法可知，每个晶胞中含有个，含有个F-，故该铋氟化物的化学式为，故A正确； B．将晶胞均分为8个小立方体，由晶胞中MNPQ点的截面图可知，晶胞体内的8个F-位于8个小立方体的体心，以M为原点建立坐标系，令N的原子分数坐标为，与Q、M均在同一条棱上的F-的原子分数坐标分别为，，则T的原子分数坐标为， S的原子分数坐标为，所以粒子S、T之间的距离为，故B正确； C．由A项分析可知，每个晶胞中有4个Bi3+、12个F-，晶胞体积为，则晶体密度为=，故C正确； D．以晶胞体心处铋离子为分析对象，距离其最近且等距的氟离子位于晶胞体内，为将晶胞均分为8个小立方体后，每个小立方体的体心的F-，即有8个，故D错误； 故答案为：D。 4．B 【详解】A．根据“均摊法”，晶胞中含4个Zr、个O，则立方氧化锆的化学式为ZrO2，A正确； B．结合A分析可知，晶体密度为，B错误； C．原子之间的最短距离为面对角线的一半，即，C正确； D．根据晶胞的位置可知，若坐标取向不变，将p点原子平移至原点，则垂直向下，q点原子位于晶胞面的面心，D正确； 答案选B。 5．C 【详解】A．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点和体心的铬原子个数为：8×+1=2，位于面上和体内的氟原子个数为：4×+2=4， 则化合物的化学式为CrF2，A错误； B．由晶胞结构可知，A、D之间的距离与B、C之间的距离相等，由题意可知，位于顶点的A原子、位于面上的B原子、位于体内的E原子的分数坐标分别为、、，则位于面上的D原子的分数坐标为，B错误； C．由原子的分数坐标可知，B到相邻两条直角边的距离都为0.31a nm，则BC间的距离为：d== nm，C正确； D．设晶体的密度为ρ g/cm3，由晶胞的质量公式可得：=(a×10-7)2×(c×10-7)×ρ，解得：ρ=，D错误； 故选C。 6．D 【详解】A．由均摊法可知，Kr原子个数=8×+1=2，F原子个数=8×+2=4，则晶体的化学式为KrF2，A项错误； B．设Kr—F的键长为L pm，结合分数坐标可知，z-0.5=，解得L=，B项错误； C．C的z轴分数坐标为，因此C的分数坐标为（0，0，），C项错误； D．由均摊法可知晶胞中含有2个KrF2分子，晶胞高为（d+2L）pm=（）pm=（）pm，则晶胞的体积，晶胞的密度，D项正确； 因此答案选D。 7．D 【详解】A．元素电负性差值越大，离子键成分百分率越高，Mg与O的电负性差值大于Al与O的电负性差值，故离子键成分百分率，A正确； B．Ge是32号元素，位于第四周期第ⅣA族，基态简化电子排布式为，B正确； C．O原子沿z轴向xy平面投影时，z坐标不同但x、y坐标相同的O原子投影重合，最终投影图与题干给出的图示一致，C正确； D．晶胞中Ge位于面心和内部，个数为，即晶胞含4个，的摩尔质量约为，晶胞质量为，晶胞体积为，计算得密度为，D错误； 故选D。 8．D 【分析】根据均摊法，该晶胞中，B（黑球）：个，P（白球）全部在晶胞内部，共4个，晶胞化学式为，晶胞总质量为。 【详解】A．每个P原子连接4个B原子，每个B原子也连接4个P原子，均为四面体构型，因此均为杂化，A正确； B．该晶胞为闪锌矿型结构，沿体对角线投影时，晶胞6个面心的B原子投影为正六边形顶点，体对角线两端的B一个投影在中心，内部的P和中间的B投影匹配，与给出投影图一致，B正确； C．已知M坐标为，N坐标为，X原子在“前右上”方向小立方体的体心(把整个晶胞视为8个小立方体)，其坐标为，C正确； D．由密度公式，得晶胞边长， 硼原子和磷原子核的最短距离为体对角线的，即，D错误； 故选D。 9．D 【分析】图甲GaAs晶胞中Ga位于顶点和面心，As位于晶胞内部，均摊法得每个晶胞含4个Ga、4个As；图乙中Mn替换2个Ga原子，分别处于1个顶点、1个面心。 【详解】A．图甲中As与Ga的占位可互换，以顶点As为研究对象，与其等距离且最近的As原子位于相邻面心，共12个，A正确； B．图乙晶胞中，Mn的个数为，Ga的个数为，Mn与Ga的原子个数比为，B正确； C．设晶胞棱长为nm，a位于晶胞原点，b在x轴方向距离为，y轴方向距离为，z轴方向距离为，两点距离为nm，C正确； D．1个GaAs晶胞质量为g，晶胞体积为，晶体密度为，选项单位转换错误，D错误； 故选D。 10．D 【详解】A．为面心立方堆积，面心立方晶胞中，四面体空隙共有8个（顶点与面心形成的空隙），由晶胞结构可知，晶胞内有4个，对应有8个（即所有四面体空隙均被填充），故填充率为100%，A错误； B．观察图形可知，3号坐标为，B错误； C．观察图形可知，两个最近距离为，C错误； D．由可知，该晶体含4个，密度为，D正确； 故答案为：D。 11．C 【详解】A．据“均摊法”，晶胞中含个Mn、个O，则该氧化物的化学式为MnO2，A正确；    B．在yz平面的投影，则Mn位于顶点和中心，O位于长方形的长边上及长方形内部，图示为，B正确； C．以体心Mn分析，Mn原子周围有6个氧原子，Mn的配位数为6，以体内的O为例，O的配位数3，Mn原子与O原子的配位数之比为2:1，C错误； D．O空位的产生使晶体具有半导体的性质，V2O5中V化合价可以由+5降为低价，则V2O5晶体也可以通过脱出O原子形成O空位获得半导体性质，D正确； 故选C。 12．C 【详解】A．基态原子核电荷数为29，核外共有29个电子，每个电子的运动状态均不相同，核外电子有29种运动状态，A正确； B．根据均摊法，1个晶胞含8×+6×=4个Cu、4个Br，晶胞质量为，晶胞体积为，代入密度公式得，整理得，B正确； C．该晶胞沿z轴方向投影时，顶点Cu原子投影在正方形四个顶点，面心Cu原子投影在正方形各边中点和中心，缺少了投影在四条边中点和中心的Cu原子，该晶胞沿z轴方向的平面投影示意图为，C错误； D．M点原子分数坐标为，结合晶胞结构中N点的相对位置，N点的原子分数坐标为，D正确； 故选C。 13．C 【详解】A．用均摊法计算图1晶胞中各原子数目：Cs位于晶胞内部，数目为1；Sn位于晶胞顶点，数目为；Br位于面心，数目为，则化学式为，A错误； B．图1中Cs位于体心，周围等距且最近的Br共12个，B错误； C．图2晶胞参数为，体对角线长度为，Sn位于顶点、Cs位于体心，二者最近距离为体对角线的一半，即，C正确； D．图2为缺位结构，晶胞中Br的数目小于3，晶胞总质量小于，密度计算式中质量数值错误，D错误； 故选 C。 14．B 【分析】图甲中，金原子个数是，铜原子个数是；图乙中，金原子个数是，铜原子个数是，结合晶胞结构分析作答。 【详解】A．结合分析可知，图甲中，金原子个数是，铜原子个数是，所以晶胞甲的化学式为，A正确； B．晶胞乙中Cu位于顶点，Au位于面心，则与Cu最近且等距的Au有=12个，B错误； C．设图乙中的晶胞参数为a，面对角线距离为：，Au-Cu的核间距为，Au-Au的最小核间距也为，所以最小核间距为，C正确； D．晶胞乙中金铜个数比为3:1，则含金量=，D正确。 15．D 【分析】该晶胞为NaCl型结构，位于顶点和面心，共个；位于棱心和体心，共个。一个晶胞中含4个，的摩尔质量为。 【详解】A．已知1号原子坐标为，2号原子坐标为，坐标系原点为晶胞顶点，3号原子位于晶胞体心，三个方向的分数坐标均为，因此3号原子分数坐标为，A正确； B．LiF为NaCl型结构，NaCl型晶体中阴阳离子配位数均为6，因此阴离子、阳离子的配位数都是6，B正确； C．与等距离且最近的，距离为晶胞面对角线长度的一半，沿x、y、z三个方向，共个，C正确； D．晶胞参数，晶胞体积，晶胞质量，密度 ，D错误； 故选D。 16．B 【详解】A．该晶体为合金，晶体中存在金属键，A正确； B．，沿穿过A、C的对角面切开晶胞，刚好经过上面的2个Al和下面的2个Mn，得到切面图如图，沿穿过E、F的对角面切开晶胞，得到切面图如图，，B错误； C．基态Mn原子核外电子排布为1s22s22p63s23p63d54s2，失去4个电子形成，基态的最外层电子排布式为，C正确； D．该晶胞中距O点最近的Al原子为图中红圈中的Al原子：，其分数坐标为或，D正确； 故选B。 17．A 【分析】根据投影图，得出晶胞结构为，据此解答。 【详解】A．如图所示，每个Bi周围紧邻且等距的O实际为4个，而非6个，A错误； B．O原子均位于晶胞的侧面上，每个O被2个晶胞共用，晶胞中O数目为，Bi原子数目为，Se原子数目为，符合化学式比例，B正确； C．同主族元素电负性从上到下递减，因此电负性O>Se，Bi为金属，电负性小于非金属Se，故电负性，C正确； D．晶胞中含有2个结构单元，总质量为，晶胞体积为，密度为，D正确； 故选A。 18．C 【分析】四种短周期元素分布在三个周期，原子序数依次增大，故X为H；基态W原子的核外电子总数是其单电子数的5倍，W为P（电子数15，单电子数3，）；Y与W同主族，故Y为N；结合化合物可知Z为O。 【详解】A．Y为N，最高价氧化物对应的水化物为，属于一元强酸，A正确； B．固态由和构成，晶体类型为离子晶体，B正确； C．H、N、O组成的化合物如，铵根离子水解会促进水的电离，并非均能抑制水的电离，C错误； D．Y的简单氢化物为，W的简单氢化物为，N电负性大于P，中成键电子对排斥力更大，键角，D正确；　 故选C。 19．A 【分析】根据均摊原则，1个晶胞中含Fe原子数为 、Mg原子数为8；该合金储氢时，分子在晶胞的体心和棱心位置，则1个晶胞中储存分子数为。 【详解】A．根据以上分析，储存H2分子数、Mg原子数比为1:2，储存至少需要该储氢合金中含4molMg，Mg的质量为96g，故A正确； B．Mg原子位于铁原子围成的四面体体心，距离Mg原子最近的Fe原子个数是4，故B错误； C．合金属于金属晶体，存在金属键和自由电子，故C错误； D．若该晶胞的晶胞参数为，则该合金密度为 ，故D错误； 选A。 20．D 【详解】A．该锂电池充电时为电解池，根据电解池原理，阳离子向阴极移动，所以从正极材料中脱嵌，故A正确；　 B．由晶胞结构可知，当嵌入率为100%时，占据棱心和体心，贡献为：，A单元和B单元放到晶胞中，占据顶点和面心，内部还有4个，贡献为：，在晶胞内部，贡献为：，在晶胞内部，贡献为：，该铁氧化物化学式为，即；当嵌入率为100%时，个数为个，此时化学式为，即；B正确； C．若该正极材料中，Fe总数为24，则为9个，为15个，根据化合物中各元素化合价代数和为0，可得个数为，嵌入率为，故C正确； D．铁氧化物晶胞完全嵌入时，个数为4，Fe总共得电子数为4，所以平均每个晶胞需转移电子数为4，故D错误； 故选D。 21．C 【分析】根据均摊原则，晶胞中黑球数目为 ，白球数目为。 【详解】A．晶胞中白球数、黑球数比为1:2，根据、的化学式，“○”表示氧原子，故A正确； B．根据图示，黑球的配位数是6，白球数、黑球数比为1:2，所以白球代表原子的配位数为3，故B正确； C．设晶胞的体积为V，的密度为 g/cm3， 的密度为g/cm3，密度之比约为，故C错误； D．作为电极材料，出现空位时，负电荷减少，根据化合价代数和等于0，元素化合价降低，故D正确； 选C。 22．B 【分析】晶胞并非90度，Cu位于晶胞内，一个晶胞中含有6个Cu，含S的个数是，据此解答。 【详解】A．晶胞中Cu、S的数目均为6，物质的量之比为1:1，质量比为，A正确； B．由晶胞结构可观察到每个Cu周围紧邻6个S原子，Cu的配位数为6，B错误； C．晶胞沿z轴的投影中S位于顶点，Cu位于内部，投影图正确，C正确； D．晶胞质量为，底面为夹角120°的菱形，底面积为，晶胞体积为，代入密度公式可得表达式正确，D正确； 答案选B。 23．B 【详解】A．观察晶胞结构，以顶点的Cu原子为研究对象，每个Cu原子周围距离最近的O原子共6个，因此Cu的配位数为6，A正确； B．已知图中A原子的分数坐标为，位置在中间立方体左侧面的面心，B原子的位置为A原子所在中间立方体后面的面心，因此B原子的分数坐标应为，B错误； C．A坐标为，B坐标为，二者z坐标相同，距离为： ，C正确； D．用均摊法计算晶胞内原子个数： La（白球）棱上8个，每个分摊，体内2个，共个，Cu（大黑球）顶点8个，每个分摊，体内1个，共个，O（小黑球）棱上16个，每个分摊，面心4个，每个分摊，体内2个，共个， 晶胞的质量为=g， 晶胞体积，故密度为 ，D正确； 故选B。 24．B 【详解】A．根据晶胞对称性，T点与S点，关于晶胞中心对称，可计算出T点坐标为 ，A正确； B．铋离子周围最近的氟离子共8个，构成立方体空隙，并非氟离子围成的正八面体空隙，B错误； C．晶胞沿MNPQ点切开，4个顶点与上下两边中点均有F离子，左右两边中点及切面中心有Bi离子，结果与图示相同，C正确； D．该晶胞中与S点的F离子最近且距离相等的Bi离子有4个，如图：，其配位数为4，D正确； 故答案选B。 25．D 【详解】 A．普鲁士黄普鲁士蓝普鲁士白过程中，CN-(白球)位置和数目不变，晶胞内部逐渐填入，小白球逐渐被代替，晶胞整体为电中性，铁元素的化合价降低，则小白球表示，表示，A项正确； B．普鲁士白无毒，是因为与元素形成的配位键稳定，难以解离，B项正确； C．结合晶胞分析，普鲁士白中与等距且最近的有6个，C项正确； D．普鲁士蓝的化学式为，晶胞中含4个该单元。与的最短距离为晶胞棱长a的一半，由密度公式可得棱长，最短距离应为，D项错误。 故选D。 26．D 【详解】A．根据“均摊法”，Ⅰ中Co的个数为、O的个数为，化学式为CoO，Ⅱ中Co的个数为、O的个数为，化学式为，A项正确； B．晶胞Ⅱ中，距离3号Co最近的O有位于与之相邻的3个面的面心，顶点被8个晶胞共用，面心被2个晶胞共用，共有个，B项正确； C．1号原子的分数坐标为，则2号原子的分数坐标为，C项正确； D．晶胞密度，晶体Ⅰ和晶体Ⅱ的密度之比，D项错误； 故选D。 27．B 【详解】 A．区域A中“◯”代表，晶胞掺杂过程中同种电荷进行替换，则区域A的中的离子为，A项正确； B．区域B中“●”代表，其中一个“●”被CuCl中代替，整个晶胞中的正电荷减少，则区域B带负电，B项错误； C．在ZnS晶体中，占据的位置是由形成的四面体空隙，C项正确； D． 晶胞中个数为4个，个数为个，离子总体积为，晶胞体积为，则ZnS晶体的空间利用率为，D项正确； 故选B。 28．D 【详解】A．同周期从左往右，元素的电负性逐渐增大，同主族从上往下，元素的电负性逐渐减小；故电负性：，CsCl中两元素的电负性差值更大，离子键百分数大，A项正确； B．离子键无方向性和饱和性，离子半径，半径越大，可容纳更多Cl-配位，导致、的配位数分别为6、8，B项正确； C．CsCl晶胞中，与的最近距离为晶胞体对角线长度的一半，即，C项正确； D．由NaCl的晶胞结构图可知，白球位于顶点和面心，有个，黑球位于棱心和体心，有个，则NaCl的摩尔体积为，D项错误； 故选D。 29．D 【详解】A．据“均摊法”， -碳化钼晶胞中含个C、8个Mo，化学式为Mo2C，-碳化钼晶胞中含个C、个Mo，化学式为MoC，A错误；      B．与同族且相邻，则基态原子价电子排布式为，B错误； C．由图，以体心碳原子为例，-碳化钼晶胞中碳原子位于形成的正八面体空隙中，不是六面体空隙，C错误； D．结合A分析，-碳化钼晶胞与-碳化钼晶胞的相对密度为，D正确； 故选D。 30．B 【详解】A．由图可知，Cs和Pb之间的距离为晶胞体心到顶点的距离，为体对角线的一半，A正确； B．已知，Br分三组位于12条棱的中点，三组Br到Cs的距离分别为、、，三组距离不相等，最近且等距的Br只有4个，B错误； C．由图可知，Cs位于晶胞的体心，有1个；Pb位于晶胞的顶点，有个；Br位于晶胞的棱的中点，有个；则晶胞质量，晶胞体积，密度，C正确； D．原点B为，C原子在、、处，分数坐标为，D正确； 答案选B。 答案第1页（共2页） 答案第1页（共2页） 学科网（北京）股份有限公司 $