2027届高三化学一轮复习选择题专项晶体的结构与性质

2026-08-16
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摘要:

**基本信息** 聚焦晶体结构与性质,通过真题与变式训练系统整合晶胞计算、配位数分析等方法,构建“结构-性质-计算”逻辑链,培养空间想象与科学思维。 **专项设计** |模块|题量/典例|方法提炼|知识逻辑| |----|-----------|----------|----------| |真题演练|2题|均摊法、微粒间距计算|晶体结构→原子位置→性质判断| |变式训练|26题|密度公式应用、分数坐标分析|晶胞参数→化学式推导→晶体密度|

内容正文:

2027届高三化学一轮复习选择题专项 晶体的结构与性质 一、真题演练 1.(2025·广西·高考真题)型晶态半导体材料由与碳族元素形成,其立方晶胞结构如图。已知:晶胞参数。下列说法正确的是 A.与Z紧邻的有4个 B.晶胞内之间最近的距离为 C.晶胞密度: D.若晶胞顶点替换为,则 2.(2024·广西·高考真题)一定条件下,存在缺陷位的LiH晶体能吸附使其分解为N,随后N占据缺陷位(如图)。下列说法错误的是 A. B.半径: C. D.LiH晶体为离子晶体 二、变式训练 3.(2026·广西玉林·三模)锆(Zr)是重要的战略金属,可从其氧化物中提取。下图是某种锆的氧化物晶体的晶胞,为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A.该氧化物的化学式为,其中O的配位数为4 B.该氧化物的密度为 C.Zr原子之间的最短距离为 D.若坐标取向不变,将p点Zr原子平移至原点,则q点Zr原子位于晶胞面的面心 4.(2026·广西南宁·模拟预测)一种镁硅化合物是常见轻质热电材料,其晶胞结构如图所示,已知晶胞参数为a pm。该结构A处Mg原子被La取代后产生空位可以有效增强材料的延展性和导电性。已知该化合物中Mg为+2价,La为+3价,下列说法错误的是 A.取代前与Si等距且紧邻的Mg有8个 B.Si和Mg之间的最短距离为 C.取代后该化合物的化学式为 D.晶胞对角面上的原子数目有10个 5.(2026·广西南宁·二模)某富锂超离子导体的晶体结构如图1所示,用Mg2+取代部分Li+,得到一种高性能锂离子导体,其晶体结构如图2所示,呈立方体形状,棱长为a pm。下列关于图2晶体结构说法正确的是 A.化学式为LiMgOCl B.距离最近的两个Li+之间的核间距为a pm C.Mg2+取代部分Li+会产生空位,有利于Li+传导 D.晶体密度为 6.(2026·广西桂林·二模)硫化锌(ZnS)是一种重要的半导体发光材料。研究表明,ZnS晶胞中掺入CuCl后,会出现能量不同的“正电”区域和“负电”区域,光照时会发出不同波长的光。(已知:ZnS晶胞参数为a pm,为阿伏加德罗常数的值)。 下列说法错误的是 A.ZnS晶体中离最近且等距的有12个 B.ZnS晶胞沿体对角线的投影为: C.区域A中“”掺入的是,区域B整体带“正电” D.ZnS晶胞的密度为: 7.(2026·广西南宁·二模)Li、Fe、Se可形成一种新型超导材料,其晶胞是一个长方体,结构如图所示。下列叙述错误的是 A.该超导材料的化学式为 B.距离Se最近的Fe的个数为8 C.该晶胞的俯视图为 D.晶体密度为 8.(2026·广西百色·二模)是一种常用的半导体材料,的晶胞结构如图所示,晶胞参数为,为阿伏加德罗常数的值,下列说法正确的是 A.的配位数是4 B.距离最近的有12个 C.与的最近距离为 D.晶胞的密度为 9.(2026·广西南宁·模拟预测)钾三氟锌酸盐在化学工业中常用作制备其他金属氟化物的重要中间体和催化剂。钾三氟锌酸盐由钾、氟、锌三种元素组成,分别以和为顶点绘制出的立方晶胞结构如图1和图2所示。设为阿伏加德罗常数的值。 下列说法错误的是 A.图1所示晶胞中,的配位数为6 B.图2所示晶胞中“”位置的粒子为 C.图1和图2中的晶胞参数: D.钾三氟锌酸盐晶体的密度为 10.(2026·广西河池·一模)硒化锌主要用于制造红外线光学仪器,其晶胞结构如图1所示,图2为晶胞的俯视图。已知晶胞参数为,a点离子的分数坐标为。设阿伏加德罗常数的值为,下列说法正确的是 A.b点离子的分数坐标为 B.与距离最近且相等的有2个 C.硒化锌晶体密度为 D.晶胞中b原子和d原子的距离为 11.(2026·广西桂林·一模)晶体因x变化形成空位而导致颜色各异,当时,其立方晶胞结构如图,设为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A.W的平均价态随空位数减少而升高 B.与W最近且等距离的O有6个 C.当时,晶胞密度为 D.晶体呈现不同颜色是因为空位数不同,吸收的可见光波长不一样 12.(2026·广西柳州·模拟预测)萤石()是自然界中常见的含氟矿物,其立方晶胞结构如图所示,、代表组成的离子,晶胞参数为,为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A.与紧邻的有8个 B.晶胞中,填充在形成的四面体空隙中 C.晶胞内之间最近的距离为 D.的晶体密度为 13.(2026·广西梧州·模拟预测)六氯合铂酸铵[](摩尔质量为)晶体属于立方晶系,晶体结构如图所示,该立方晶胞参数为,为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A.晶胞中,填充在形成的四面体空隙中 B.与紧邻的有8个 C.该晶胞的密度为 D.晶胞内之间最近的距离为 14.(2026·广西南宁·二模)某种重要的材料由Pb、O、Ti元素组成,其立方晶胞结构如图所示,已知晶胞边长为,设阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A.晶胞中距离最近的的个数为6 B.晶胞中与之间的最短距离为 C.若以为晶胞的顶点,则位于晶胞的面心 D.该晶体的密度为 15.(2026·广西玉林·模拟预测)金属有机框架(MOFs)具有很高的结构稳定性和热稳定性,一定条件下,存在空隙的MOF-5晶体吸附了,其立方晶胞结构如图所示。已知:和的摩尔质量分别为和,设为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A.与紧邻的有12个 B.晶胞内和的最短距离为 C.位于形成的四面体空隙中 D.该晶胞密度 16.(2026·广西柳州·二模)具有优异的光电性能,其立方晶胞结构如图所示。晶胞参数为,阿伏加德罗常数的值为,A点原子坐标参数为,B点为,C点为,下列说法错误的是 A.晶胞内锰原子之间最近的距离为 B.D点原子的坐标参数为 C.该晶体的密度为 D.与原子等距离最近的原子有4个 17.(2026·广西南宁·一模)北京大学和中国科学院的化学工作者成功研制出碱金属与形成的球碳盐,实验测知该类物质在熔融状态下能导电,具有良好的超导性。其中与金属K、Rb形成的化合物晶胞结构如图1,该晶胞在xy平面的投影如图2。已知:晶胞边长,,。下列说法错误的是。 A.晶胞中含有12个碱金属阳离子 B.相邻两个的最短距离为 C.与碱金属阳离子距离最近且相等的有6个 D.晶胞密度: 18.(2025·广西·模拟预测)硒化钠常用于制备光敏材料和半导体材料,其立方晶体结构如下图,硫化钠的晶体结构与其相似。已知硒化钠晶体晶胞参数为a pm,表示阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A.熔点:硫化钠<硒化钠 B.每个周围距离最近的Na+数目为4 C.离子b的分数坐标参数为 D.硒化钠晶胞的密度为 19.(2025·广西·模拟预测)一种铜铟镓硒(化学式可表示为,其摩尔质量为)的晶胞结构如图所示,设为阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是 A.该晶体中,距离最近且等距的的个数为4 B.若该晶体中与的个数比为,则 C.T原子分数坐标为,则R原子分数坐标为 D.该晶体密度为 20.(2025·广西南宁·模拟预测)镍酸镧是一种良好的光电催化材料,通过光催化作用能有效地降解废水中的有机污染物,镍酸镧的一种晶胞如图所示,晶胞参数为,其中具有催化活性的是Ni,图(1)和图(2)是晶胞的不同切面。下列说法错误的是 A.镍酸镧的化学式为 B.不同切面的催化活性大小: C.与La最近且等距的Ni原子数为12 D.O与La的最短距离为: 21.(2025·广西·模拟预测)氢化铝钠是一种新型轻质储氢材料,可燃,遇水可放出氢气,其晶胞为长方体,晶胞参数如图所示,下列说法错误的是 A.晶体中,与紧邻且等距的有6个 B.与之间的最短距离为 C.电负性: D.若晶胞上下面心处的被取代,得到的晶体的化学式为 22.(2025·广西南宁·模拟预测)NbO的立方晶胞如图,晶胞参数为的分数坐标为,下列说法正确的是 A.O的配位数是6 B.Nb和O的最短距离为 C.晶体密度 D.M点的分数坐标为 23.(2025·广西贵港·模拟预测)氯化亚铜常用作催化剂、杀菌剂、媒染剂、脱色剂。其晶胞结构如图所示(黑点代表),晶胞参数为a pm,设为阿伏加德罗常数的值,1号原子的坐标为,3号原子的坐标为。下列说法错误的是 A.的配位数为4 B.2号原子的坐标为 C.离最近且等距离的有12个 D.晶体的密度为 24.(2025·广西南宁·一模)氧化铈()常用作玻璃工业添加剂,在其立方晶胞中掺杂占据原来的位置,可以得到更稳定的结构,如图所示。晶胞的参数为a nm。下列说法错误的是 A.晶胞中的配位数是8 B.晶胞中与最近的核间距为 nm C.当掺杂晶体的化学式为时,若m=2,则n=6 D.若M点的原子坐标为(0,0,0),则N点的原子坐标为 25.(2025·广西南宁·三模)的立方晶胞结构如图所示,晶胞参数为anm。下列说法错误的是 A.可用X射线衍射仪测定的晶体结构 B.距离最近且等距的阴离子有6个 C.中硫原子间形成单键 D.该晶体的密度为 26.(2025·广西柳州·三模)某种新型储氢材料的晶胞如图,八面体中心为,顶点均为配体;四面体中心为硼原子,顶点均为氢原子,该晶胞边长为apm,下列说法错误的是 A.该材料中的原子个数比 B.晶体中与B最近且等距的有8个 C.和之间的最短距离为 D.该化合物中存在离子键、极性键和配位键 27.(2025·广西南宁·模拟预测)理论计算预测,新物质X是由汞(Hg)、锗(Ge)、锑(Sb)形成的一种潜在的拓扑绝缘材料。X的晶体可视为Ge晶体中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成,图a为Ge的晶胞,图b为X的晶胞,X的晶胞参数,夹角均为90°。下列说法错误的是 A.X晶体的化学式为 B.基态Ge原子核外有32种不同运动状态的电子 C.X晶胞中Ge与Sb原子间最近距离约为 D.若1号Ge原子分数坐标为,则2号Sb原子分数坐标为 28.(2025·广西·三模)黄铜矿的晶胞结构如图,轴的夹角均为,设晶胞边长为为阿伏加德罗常数的值,已知黄铜矿的摩尔质量为点原子的分数坐标为。下列说法错误的是 A.黄铜矿晶体的化学式为 B.Fe原子的配位数为4 C.分数坐标为的原子为Fe原子 D.黄铜矿晶体的密度为 试卷第1页,共3页 试卷第1页,共3页 学科网(北京)股份有限公司 《2027届高三化学一轮复习选择题专项晶体的结构与性质》参考答案 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 C C B C C C B B C D 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案 A D C B B A C D D C 题号 21 22 23 24 25 26 27 28 答案 A B D C D B C C 1.C 【知识点】晶胞的有关计算 【详解】A.假设Z形成面心立方结构,每个Z原子周围有8个四面体空隙(填充Mg),故与Z紧邻的Mg有8个,A错误; B.Mg位于四面体空隙,最近Mg-Mg距离为晶胞边长的,晶胞内之间最近的距离为,B错误; C.密度公式,Mg-Ge中M(Z)=73、a=639 pm,计算出ρ(Mg-Ge)=,Mg-Si中M(Z)=28、a=634 pm,计算出ρ(Mg−Si)=,故ρ(Mg−Ge)>ρ(Mg−Si),C正确; D.Z(Sn)在晶胞中顶点(8个)和面心(6个),仅替换顶点时,Sn在晶胞中的个数为,Ge在晶胞中的个数为,则,D错误; 故选C。 2.C 【知识点】微粒半径大小的比较方法、晶胞、晶体类型判断、离子晶体 【详解】 A.根据LiH立方晶胞的该部分结构以及晶胞参数为a可得,因此,故A正确; B.H原子和的电子层数均为1,但比氢原子多一个电子,电子的运动轨道不重合,内核对电子的束缚相对较弱,电子活动的范围更广,因此的半径较大,故B正确; C.根据LiH立方晶胞可知,b的长度如图,但当N占据了空缺位后,由于其与的半径不同,因此,故C错误; D.LiH晶体中含有Li+和,相互间作用是离子键,因此LiH晶体为离子晶体,故D正确; 故答案选C。 3.B 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A.根据“均摊法”,晶胞中含4个Zr、8个O,则立方氧化锆的化学式为,每个氧周围有4个Zr,所以氧的配位数为4,A正确; B.结合A分析可知,晶体密度为,B错误; C.Zr原子之间的最短距离为面对角线的一半,即为,C正确; D.根据晶胞的位置可知,若坐标取向不变,将p点Zr原子平移至原点,根据p和q的相对位置,q点原子位于晶胞面的面心,D正确; 故选B。 4.C 【知识点】晶胞概念及判断、晶胞的有关计算、离子配位数 【详解】A. 根据晶胞结构能够看出,右侧侧面面心的硅原子直接与4个镁原子相连,因晶胞为无隙并置,则右面晶胞中依然有四个镁原子与硅相连,所以取代前与Si等距且紧邻的Mg有8个,A正确; B. Mg原子和Si原子的最近距离为体对角线长度的,则最近距离为,B正确; C.化合物为电中性,设晶胞中数目为,已知,,Mg为+2价、La为+3价、Si为-4价,根据电荷守恒: ,解得,因此三种原子的最简比为,由于替换后需要电荷平衡会产生空位,不是直接替换1个得到,C错误; D.晶胞对角面上的原子数目:4个顶点,2个面心,共6个Si,体内四个Mg,共有10个原子,D正确; 故答案选C。 5.C 【知识点】晶胞的有关计算、常见离子晶体的结构 【分析】根据题中图2所给晶胞图,由均摊法可知,晶胞中各离子数目:,,,,的个数比,最简整数比为4∶1∶2∶2;取代部分后,会产生空位,空位可以允许传导,据此分析解答。 【详解】A.由分析可知,图2晶体的化学式为,A错误; B.最近的为两条相邻棱上的,它们之间的核间距为面对角线的一半,即,B错误; C.带+2电荷,带+1电荷,用取代时,为保持电荷平衡,会产生空位,空位为的迁移提供通道,有利于的传导,C正确; D.该晶体的密度:,D错误; 故选C。 6.C 【知识点】晶胞概念及判断、晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A.ZnS晶胞为面心立方结构,其配位数为12,因此离最近且等距的有12个,A正确; B.ZnS晶胞为面心立方结构,位于顶点和面心,位于四面体空隙。沿体对角线投影时,顶点和面心的会投影成六边形顶点和内部,四面体空隙中的会投影成内部的对称点,与题目给出的投影图一致,B正确; C.区域A中,由代替,该区域相对于原晶格带一个单位正电荷,形成正电区域。为保持电中性,必然有被替换,该区域相对于原晶格带一个单位负电荷,形成负电区域。若替换发生在区域B,则区域B整体带负电,C错误; D.ZnS晶胞中,的数目:;的数目为4,因此晶胞的质量为。晶胞参数为a pm=,体积为。密度:,D正确; 故答案选C。 7.B 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A.该超导材料中,Li原子有8个位于顶点,1个位于体心,Li原子个数为:;Se原子有8个位于棱上,2个位于晶胞内,Se原子个数为:;Fe原子有8个位于面上,Fe原子个数为:;则得到该超导材料的化学式为,A正确; B.以体内Se为观察对象,距离Se原子最近的Fe原子的个数为4,B错误; C.Li原子有8个位于顶点,1个位于体心,Se原子有8个位于棱上,2个位于晶胞内,俯视图中顶点Li原子和棱上Se原子重合,内部的Li原子和Se原子重合,结合Fe原子有8个位于面上,该晶胞的俯视图为,C正确; D.结合晶胞参数,该晶体密度为,D正确; 故选B。 8.B 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【分析】根据晶胞结构,黑球位于晶胞顶点和面心,个数为;白球位于晶胞内部,个数为8,黑球与白球个数比为4:8=1:2,根据化学式,可知黑球为S2-、白球为Cu+,一个晶胞中含4个,据此解答。 【详解】A.配位数之比与离子个数比成反比,,配位数为4,则配位数为8,A错误; B.位于顶点和面心,构成面心立方堆积,以顶点为例,与其距离最近的位于面心,12个面共用一个顶点,故距离最近的有12个,B正确; C.与的最近距离是晶胞体对角线的​,即,C错误; D.晶胞中含4个,晶胞质量为,晶胞体积为,则密度为,D错误; 故选B。 9.C 【知识点】物质结构基础与NA相关推算、晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【分析】钾三氟锌酸盐化学式为KZnF3​,结合晶胞结构分析选项. 【详解】A.图1晶胞中Zn2+位于体心,周围有6个F-位于晶胞面心,因此Zn2+配位数为6,A正确; B.图2晶胞顶点为Zn2+,体心为K+,虚线框位置位于棱心,12个棱心的粒子数目为=3,正好符合KZnF3​中3个F-的比例,因此虚线框位置为F-,B正确; C.图1和图2是同一晶体,只是选取顶点离子不同,本质是同一个立方晶胞,因此晶胞参数a=b,C错误; D.KZnF3​的摩尔质量M=39+65+3×19=161 g/mol,1个晶胞含1个KZnF3,晶胞质量;晶胞参数a nm=a×10−7 cm,体积为 ,密度ρ==,D正确; 故选C。 10.D 【知识点】物质结构基础与NA相关推算、晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A.b为晶胞内部的,a点分数坐标为,位于晶胞的左上后方,结合图2可知,其对应的分数坐标为,A错误; B.由图1可知,每一个周围距离最近且相等的有4个(构成正四面体结构),B错误; C.该晶胞中个数是,个数为4,一个晶胞中含4个,晶胞质量为,晶胞参数为,体积为,密度为,C错误; D.b与d二者距离为晶胞面对角线的,即,D正确; 答案选D。 11.A 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A.Na与W显正价,O为负价,空位数越少,越多,W的化合价越低,故A错误; B.以顶点的W原子为例,离其最近的O位于棱上有6个,故B正确; C.该晶胞中W原子个数为,O原子个数为,所以时,该晶胞的化学式为,晶胞密度为,故C正确; D.晶体因为空位数不同,导致对可见光的吸收波长不同,所以晶体呈现不同颜色,故D正确; 选A。 12.D 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A.X位于顶点和面心,有个,Y位于晶胞内部,有8个,萤石的化学式为CaF2,则X为Ca2+,Y为F-,面心Ca2+属于2个晶胞共有,故与紧邻的有8个,A正确; B.由晶胞结构图可知,Ca2+为面心立方堆积,位于顶点和面心的构成8个四面体空隙,填充在形成的四面体空隙中,B正确; C.由晶胞结构图可知,F-位于晶胞划分出的8个小立方体的体心,相邻之间最近的距离为晶胞边长的一半,为,C正确; D.结合A项分析,的晶体密度,D错误; 答案选D。 13.C 【知识点】晶胞概念及判断、晶胞的有关计算、离子配位数 【分析】首先用均摊法计算晶胞中粒子数目: 位于晶胞顶点(8个)和面心(6个),均摊得总个数:个;全部在晶胞内,共8个,,符合化学式,据此分析。 【详解】A.做面心立方堆积,面心立方堆积中四面体空隙数目为堆积粒子数的2倍,4个对应8个四面体空隙,正好容纳8个,说明填充在四面体空隙中,A正确; B.每个周围紧邻的共8个,B正确; C.根据分析可知,一个晶胞由含4个[],则1个晶胞的质量,晶胞体积,密度,选项中式子里缺少系数4,C错误; D.根据晶胞结构,晶胞内最近的两个的距离为,D正确; 故选C。 14.B 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A.位于体心,距离其最近的位于六个面心,故最近的的个数为6,A正确; B.位于六个面心,之间最短距离为,B错误; C.如图,若以A为坐标原点,b处的坐标分数为,C处的坐标分数为,若将B处的坐标移动为,则C处在新坐标系中的位置为,该位置是新晶胞的一个面心,C正确; D.该物质的化学式为,晶胞的密度,,,整理得,D正确; 故选B。 15.B 【知识点】物质结构基础与NA相关推算、晶胞的有关计算 【详解】A.在晶胞棱上,被4个晶胞共用,与一个紧邻的有4个,A项错误; B.晶胞内和的最短距离为晶胞面对角线长度的一半,B项正确; C.位于形成的正八面体空隙内,C项错误; D.由均摊法可知,1个晶胞中含有1个个和1个,且,因此,D项错误。 16.A 【知识点】晶胞概念及判断、晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A.根据图示,锰原子之间最近的距离为晶胞面对角线的,晶胞的面对角线长度为,所以锰原子之间最近的距离为,A符合题意; B.A点原子坐标为,B点为,C点为,D点坐标参数为,B不符合题意; C.晶胞中Se原子数目为,Mn原子数目为4,晶胞质量,晶胞体积,故晶体密度,C不符合题意; D.Se原子位于晶胞顶点和面心,以顶点Se原子为例,与其等距离最近的Mn原子位于晶胞内部,共4个,D不符合题意; 故选A。 17.C 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A.晶胞中位于顶点和面心,总数为个,即含有4个,碱金属阳离子为,根据化合价代数和为零可知,晶胞中含有12个碱金属阳离子,A正确; B.由晶胞图可知,相邻两个的最短距离为面对角线的一半,即,B正确; C.由晶胞图可知,位于体心、棱心的碱金属阳离子周围有6个与碱金属阳离子距离最近且相等,而处于四面体空隙的碱金属阳离子与4个距离最近且相等,C错误; D.根据密度公式:,对于和,每个晶胞中均含有4个和12个碱金属阳离子,则与的比值为,所以,D正确; 故选C。 18.D 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A.硫化钠和硒化钠都是离子晶体,硫离子的离子半径小于硒离子,则硫化钠晶体中离子键强于硒化钠晶体,熔点高于硒化钠晶体,A错误; B.由晶胞结构可知,晶胞中位于顶点的硒离子与位于体对角线上的钠离子距离最近,则每个硒离子周围距离最近的钠离子数目为8,B错误; C.由晶胞中顶点的原子坐标为(0,0,0)和(1,1,1)可知,晶胞的边长为1,则位于体对角线处离子b的分数坐标参数为,C错误; D.硒化钠晶胞的质量为,体积,则晶胞的密度为,D正确; 故选D。 19.D 【知识点】晶胞概念及判断、晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【分析】白球为Cu,灰球为Se,黑球为Ga或In。由晶胞中原子的相对位置判断配位数和分数坐标,再根据In、Ga占据同类位置确定下标关系,最后用晶胞质量与晶胞体积计算密度。 【详解】A.由晶胞图可见,Cu周围最近且等距的Se位于四面体方向,距离Cu最近且等距的Se有4个,A正确; B.In和Ga占据同类位置,化学式中二者的下标满足,若In与Ga的个数比为3:2,则Ga所占比例为,即,B正确; C.以T原子为坐标原点,按题图所示x、y、z轴方向读取R原子的位置,R在x、y方向均位于处,在z方向位于处,所以R原子的分数坐标为,C正确; D.由晶胞图可知,一个晶胞中含4个化学式单元,晶胞体积为,所以该晶体密度应为, D错误; 故选D。 20.C 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A.晶胞中,位于体心,数目为;位于顶点,数目为;位于棱心,数目为,因此化学式为,A正确; B.题干说明具有催化活性,切面(1)含个,切面(2)不含,因此催化活性,B正确; C.以位于体心的La为研究对象,与La最近且等距的Ni原子数为8,均位于晶胞的顶点,C错误; D.由晶胞结构可知,La位于体心,O位于棱心,O与La的最短距离为面对角线的一半,为,D正确; 故选C。 21.A 【知识点】元素性质与电负性的关系、晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A.在的长方体晶胞中,以面心处的为例,其紧邻且等距的不仅在同层有4个,在上下层也各有2个,总共是8个,A错误; B.与的最短距离为晶胞面对角线的一半,晶胞底面为边长的正方形,面对角线长为,因此最短距离为,B正确; C.电负性的变化规律为:同周期从左到右递增,同主族从上到下递减。为非金属元素,电负性更大,与处于同周期,的核电荷数更大,因此电负性:,C正确; D.原晶胞中的个数为个。若上下底面心处的被取代,则晶胞中含为3个,为1个,为4个,因此晶体的化学式为,D正确; 故答案选A。 22.B 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A.由图可知,NbO的立方晶胞中距离O原子最近且距离相等的Nb原子有4个,O的配位数是4,故A错误; B.由图可知,Nb和O最短距离为边长的 ,晶胞参数为  a nm ,Nb 和O 最短距离为 ,故B正确; C.根据均摊法计算可知,Nb的个数为,O的个数为 ,即晶胞中含有3个NbO,晶胞密度为 ,故C错误; D.P的分数坐标为位于正方体的面心,M的分数坐标为,故D错误; 故选B。 23.D 【知识点】物质结构基础与NA相关推算、晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A.由晶胞结构可知,与(黑点)距离最近且相等的有 4 个,所以的配位数为 4,A正确; B.已知1号原子的坐标为,3号原子的坐标为,则 2 号原子的坐标应为,B正确; C.以顶点的为例,与之最近且等距离的位于面心,每个顶点的被 8 个晶胞共用,每个面心的被 2 个晶胞共用,所以个数为3×8÷2=12,C正确; D.晶胞中的个数为 4,的个数为,则晶胞质量为,晶胞体积为,所以密度为,D错误; 故答案选D。 24.C 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数 【详解】A.由图可知,晶胞中的配位数是8,A正确; B.由题干晶胞示意图可知,晶胞边长为a nm,则体对角线为a nm,晶胞中与最近的核间距为体对角线的,为 nm,B正确; C.在晶胞中,若有2个代替2个,则根据电荷守恒应有5个,C错误; D.由题干晶胞结构可知,图甲中M点的原子坐标为(0,0,0),则N点的原子坐标为,D正确; 故答案为:C。 25.D 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A.X 射线衍射仪可以用于测定晶体的结构,所以可用 X 射线衍射仪测定的晶体结构,A正确; B.以晶胞结构中心的可以看出,距离最近且等距的阴离子有6个,B正确; C.中两个硫原子之间形成的是单键(类似),C正确; D.根据均摊法,晶胞中的个数为4,的个数为4,则晶胞的质量,晶胞的体积,根据密度公式,可得该晶体的密度,D错误; 故选D。 26.B 【知识点】配位键、晶胞的有关计算 【详解】A.八面体中心为亚铁离子,顶点为NH3配体,则一个八面体表示为[Fe(NH3)6]2+,根据均摊法,黑球位于顶点和面心,则黑球个数为=4,白球位于晶胞内,其个数为8,白球表示为,则该物质的化学式为[Fe(NH3)6](BH4)2,则Fe:B=4:8=1:2,A正确; B.B原子位于四面体空隙,每个四面体空隙中的B原子周围最近且等距的Fe2+为四面体的4个顶点,即4个,B错误; C.Fe2+在面心立方结构的面心位置,相邻面心Fe2+的距离为面对角线的一半,即,C正确; D.该化合物中[Fe(NH3)6]2+与之间形成离子键,NH3内部存在极性键,亚铁离子和NH3形成配位键,D正确; 故选B。 27.C 【知识点】电子排布式、晶胞的有关计算 【详解】A.X晶体中Ge个数为,Sb个数为8,Hg个数为,其化学式为,A正确; B.基态Ge原子核外有32个电子,每个电子的运动状态都不相同,故有32种不同运动状态的电子,B正确; C.因为X的晶体可视为Ge晶体中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成,X晶胞中Ge与Sb原子间的最近距离,与Ge晶胞中两个Ge原子之间的最近距离相等,而Ge晶胞中两个Ge原子之间的最近距离为Ge晶胞体对角线的,约为,故X晶胞中Ge与Sb原子间最近距离亦约为,C错误; D.以X晶体1号Ge分析,2号Sb原子在x轴上处于位置,在y轴上处于位置,在z轴上处于位置,D正确; 故答案选C。 28.C 【知识点】晶胞的有关计算 【详解】A.黄铜矿晶胞中Cu的数目为,Fe的数目为、S的数目为8,Cu、Fe、S个数比为1:1:2,化学式为,A正确; B.Fe原子周围有4个S原子形成四面体配位,配位数为4,B正确; C.S原子和Fe原子的最近距离为半个晶胞体对角线的,则的原子为S原子,位于,C错误; D.该晶胞中S原子的个数为8,由化学式可知,Fe和Cu原子的个数均为4,设晶胞边长为、,为阿伏加德罗常数的值,则黄铜矿晶体的密度为,D正确; 故选C。 答案第1页,共2页 答案第1页,共2页 学科网(北京)股份有限公司 $

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2027届高三化学一轮复习选择题专项晶体的结构与性质
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