专题5 专题压轴归纳(精讲册)-【实战高考】2026年高考化学总复习(山东专版)

2026-06-03
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资源信息

学段 高中
学科 化学
教材版本 -
年级 高三
章节 -
类型 教案-讲义
知识点 物质结构与性质
使用场景 高考复习
学年 2026-2027
地区(省份) 山东省
地区(市) -
地区(区县) -
文件格式 PDF
文件大小 1.74 MB
发布时间 2026-06-03
更新时间 2026-06-03
作者 山东本真图书有限公司
品牌系列 -
审核时间 2026-06-03
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来源 学科网

内容正文:

讲解 实战高考·化学 题型六晶体熔、沸点高低的规律 题型解读本题型为物质结构性质的必考点, 经常在选择题中出现,非选择题中以问答题形 式出现,难度中等,有时候需要结合题目信息 迁移分析。 不同类型晶体的熔、沸点高低的一般规律:共 价晶体>离子晶体>分子晶体。 典例6硅、储(Ge)及其化合物广泛应用于光 电材料领域。回答下列问题: (1)晶体硅和碳化硅熔点较高的是 (填化学式)。 (2)硅和卤素单质反应可以得到SX4。 SiX的熔、沸点 SiF SiCl SiBr SiL 熔点/K 183.0 203.2 278.6 393.7 沸点/K 187.2 330.8 427.2 560.7 ⊙ 怎么学 考查内容 能力点一 晶胞中微粒配位数及晶胞参数的 计算 1.晶体中原子(或分子)的配位数 若晶体中的微粒为同种原子或同种分子,则 某原子(或分子)的配位数指的是该原子(或 分子)最接近且等距离的原子(或分子)的数 目,常见晶胞的配位数如下: 简单立方: 面心立方: 体心立方: 配位数为6 配位数为12 配位数为8 2.离子晶体的配位数:指一个离子周围最接近 且等距离的异种电性离子的数目。 以NaCl晶体为例: 276 0℃时,SiF4、SiCL、SiBr4、SiL呈液态的是 (填化学式),沸点依次升高的原 因是 解析:(1)晶体硅和碳化硅均为共价晶体,碳原 子半径比硅原子半径小,则C一Si键键长比 Si一Si键键长短,故碳化硅的熔点较高。 (2)0℃相当于273K,由题表中的数据可知, 只有SiCL4的熔点低于273K,沸点高于 273K,则SiCL4在0℃时为液态。SiF4、SiCL4、 SiBr4、SiL均为分子晶体,结构相似,相对分子 质量依次增大,则分子间作用力依次增大,沸 点逐渐升高。 )答案(1)SiC (2)SiCL4SiF4、SiCL4、SiBr4、SiL都是分子晶 体,相对分子质量依次增大,分子间作用力依 次增大 轴归纳 Na NaCl晶胞 (1)找一个与其他粒子连接情况最清晰的粒 子,如上图中心的黑球(C1)。 (2)数一下与该粒子周围距离最近的粒子 数,如上图标数字的面心白球(Na+)。确定 CI的配位数为6,同样方法可确定Na+的 配位数也为6。 3.晶体结构的相关计算 (1)空间利用率=晶胞占有的微粒体积 晶胞体积 ×100%。 (2)金属晶体中体心立方堆积、面心立方堆 积中的几组计算公式(设棱长为a) ①面对角线长=√2a。 ②体对角线长=√3a。 ③体心立方堆积4r=√3a(r为原子半径)。 ④面心立方堆积4r=√2a(r为原子半径)。 4.宏观晶体密度与微观晶胞参数的关系 一个晶胞所含 的粒子数目N 一个晶胞的 摩尔质量M 质量m=Mh N 阿伏加德罗 p=役 晶胞的密 常数N 度p=Wu aNA 立方晶胞的 晶胞的 棱长a 体积V=a 能力点二原子分数坐标、投影图 1.原子分数坐标 晶胞中的任一个原子的中心位置均可用3 个分别小于1的数在立体坐标系中表示出 来,如位于晶胞原点A(顶角)的原子的坐标 为(0,0,0); B点原子分数坐标为(2,2,2): C点原子分数坐标为(2,0,2)】: D点原子分数坐标为20,0。 体心 a 面心 9 棱中 2a 2.原子分数坐标参数 (1)含义:表示晶胞内部各原子的相对位置。 (2)原子分数坐标的确定方法 ①依据已知原子的坐标确定坐标系取向。 ②一般以坐标轴所在正方体的棱长为1个 单位。 ③从原子所在位置分别向x、y、之轴作垂线, Q专题5物质结构与性质 所得坐标轴上的截距即为该原子的分数。 3.典型晶胞结构模型的原子坐标参数与投 影图 (1)简单立方体模型粒子坐标 粒子坐标:若1(0,0,0),2(0,1,0),则确定3 (1,1,0),7(1,1,1)。 (2)体心立方晶胞结构模型的原子坐标 粒子坐标:若1(0,0,0),3(1,1,0),5(0,0,1), 则60,1,D,711,1D,92,22): (3)面心立方晶胞结构模型的原子坐标 11 15 1094 13 粒子坐标:若1(0,00),13(分,20,12 1,2,2)则15(分1,2)11(,,1)。 (4)金刚石晶胞结构模型的原子坐标 若a原子为坐标原点,晶胞棱长的单位为 1,则原子1,2,3,4的坐标分别为 (合(任以(层( 277 讲解 实战高考·化学 . 4.晶胞投影图 (1)晶胞沿x、y平面上的投影图 晶胞结构 沿体对角线的投影图 (2)晶胞沿体对角线的投影图 晶胞结构 沿体对角线的投影图 典例氮化硼是一种性能优异的新型材料,主 要结构有六方氨化硼(图甲)和立方氨化硼(图 278 乙)。前者与石墨结构类似。 ● 、0 ON OB .090 甲 乙 (1)50.0g六方氮化硼晶体中含有六元环的数 目为 (2)立方氮化硼中N的配位数为 已知立方氮化硼密度为dg·cm3,Na代表 阿伏加德罗常数的值,立方氨化硼晶胞中面心 上6个N原子相连构成正八面体,该正八面 体的棱长为 pm(列式即可)。 解析:(1)根据均摊法,一个六方氨化硼晶体的 六元环含有一个N、一个B,50.0g六方氮化 氮品体中含有六元环的数日为职9×N 2NA。(2)由图乙可知,立方氨化硼中N的配 位数为4;面心上6个N原子构成正八面体, 该正八面体的棱长等于面对角线的一半,设 BN晶胞棱长为acm,1个晶胞中含有4个B 原子,含有N原子数为8X日十6X合=4,则1 个晶胞中含有4个BN,所以d&,解得a 此运入两依的糙为号×震× 1010pm。 答案①2N(2)4号×Q0X0 典例2超高热导率半导体材料一砷化硼 (BAs)的晶胞结构如图所示,则1号砷原子的 坐标为 。已知阿伏加德罗常数的值 为NA,若晶胞中As原子到B原子最近距离 为apm,则该晶体的密度为 g·cm-3 (列出含a、Na的计算式即可). 0,1,1) 0,0,0) 解析:根据晶胞结构可知,1号砷原子距离坐 标原,点的距离为晶胞体对角线的,所以坐标 为(仔,寻,):根据晶胞结构可知,距离最近 的As原子和B原子即为1号As原子距离坐 标原点B原子的距离,晶胞体对角线的长度为 4aPm,则晶胞的棱长为4y。pm,则品胞的休 积V= 433 pm3= 433 3 a 3 a X10-30cm3; 根据均摊法该晶胞中As原子个数为4,B原 子个数为8×日+6× 1 =4,所以晶胞的质量 86×4 NA g, 所以密度为 86×4 g·cm-3。 4√3 3a XNA×10-30 )答案 86×4 3 4√3 3 a XNAX10-30 归纳总结 原子分数坐标的确定方法 (1)依据已知原子的分数坐标确定坐标系取向。 (2)一般以坐标轴所在正方体的棱长为1个 单位。 (3)从原子所在位置分别向x、y、之轴作垂线, 所得坐标轴上的截距即为该原子的分数坐标。 典例3分别用o、·表示H2PO4和K+, KH2PO4晶体的四方晶胞如图a所示,图b、图 Q专题5物质结构与性质 c分别显示的是H2PO4、K+在晶胞x之面、yz 面上的位置: (a) (b) (c) (I)若晶胞底边的棱长均为apm、高为cpm, 阿伏加德罗常数的值为NA,晶体的密度为 g·cm-3(写出表达式)。 (2)晶胞在x轴方向的投影图为 (填 标号)。 部用 解析:(1)由题给KH2PO4晶体的四方晶胞图 可知,每个晶胞中,K+个数为6×号+4× 4,lP0个数为8X8+4×2+1=4,则1 个KH2PO4晶体的四方晶胞中有4个 KH2PO4,晶胞体积为acX10-30cm3,晶胞的 质量为436g,所以晶体的密度为 NA 4×136 a2cNaX100g·cm3。(2)由题图a可知, 晶胞在x轴方向的投影图,应为B选项中 的图。 4×136 )答案(1)a"cNxX100 (2)B 归纳总结(1)画或判断投影图时,一定要注 意x、y、之轴的方向。 (2)上面结构模型中的原子也可以换为不同的 原子,但在投影图中的位置不变。 279

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