内容正文:
专题02 晶体结构与性质
目 录
第一部分 知识体系·导图构型
第二部分 重难剖析·方法技巧
重点01 晶体类型的判断
重点02 晶体熔、沸点的比较
重点03 晶体化学式及粒子配位数的确定
重点04 晶胞参数的计算
第三部分 典例精析·迁移应用
第四部分 考场练兵·分层实战
夯实基础·综合应用·思维拔高
重点一 晶体类型的判断
晶体类型的判断
(1)依据组成晶体的微观粒子和粒子间的作用判断
①分子间通过 分子间作用力形成的晶体属于分子晶体;
②由原子通过共价键形成的晶体属于共价晶体;
③由阴、阳离子通过离子键形成的晶体属于离子晶体;
④由金属阳离子和自由电子通过金属键形成的晶体属于金属晶体。
(2)依据物质的分类判断
①活泼金属的氧化物(如Na2O、MgO等)、强碱[如KOH、Ba(OH)2等]和绝大多数的盐类是离子晶体。
②大多数非金属单质(除金刚石、石墨、晶体硼、晶体硅等外)、气态氢化物、非金属氧化物 (除SiO2)外)、酸、绝大多数有机物(除有机盐外)是分子晶体。
③常见的共价晶体单质有金刚石、晶体硼、晶体硅等;常见的共价晶体化合物有碳化硅、SiO2等。
④金属单质(除汞外)与合金均属于金属晶体。
(3)依据晶体的熔点判断
①离子晶体的熔点较高,常在数百至几千摄氏度;共价晶体的熔点高,常在一千至几千摄氏度;
②分子晶体的熔点较低,常在数百摄氏度以下至很低温度;
③金属晶体多数熔点高,但也有熔点相当低的。
(4)依据导电性判断
①离子晶体在水溶液中和熔融状态下都导电;
②共价晶体一般为非导体,但晶体硅能导电;
③分子晶体为非导体,而分子晶体中的电解质(主要是酸和非金属氢化物)溶于水,使分子内的化学键断裂形成自由离子,也能导电;
④金属晶体是电的良导体。
(5)依据硬度和机械性能判断
①离子晶体硬度较大或略硬而脆;
②共价晶体硬度大;
③分子晶体硬度小且较脆;
④金属晶体多数硬度大,但也有硬度较小的,且具有延展性。
重点二 晶体熔、沸点的比较
1.根据物质的聚集状态
常温常压下,一般情况下,熔、沸点:固体>液体>气体。
2.根据晶体的类型
一般来说,熔、沸点:共价晶体>离子晶体>分子晶体。金属晶体的熔、沸点比较特殊,有的很高,如钨、铂等;有的很低,如铯等。
3.同种类型晶体熔、沸点的比较规律
(1)共价晶体
比较共价晶体熔、沸点高低的关键是比较共价键的强弱。对于结构相似的共价晶体来说,成键原子半径越小,键长越短,键能越大,共价键越牢固,晶体的熔、沸点越高。如:金刚石>碳化硅>晶体硅。
(2)离子晶体
离子晶体熔、沸点的高低取决于晶格能大小。一般来说,离子所带电荷数越多,阴、阳离子核间距越小,晶格能越大,则离子键越牢固,晶体的熔、沸点一般越高。如熔:MgO>MgCl2,NaCl>CsCl。
(3)分子晶体
a.具有氢键的分子晶体熔、沸点反常高。例:H2O>H2S。
b.组成和结构相似的分子晶体,相对分子质量越大,熔、沸点越高。例:SnH4>GeH4>SiH4>CH4。
c.组成和结构不相似的分子晶体(相对分子质量接近),分子的极性越大,熔、沸点越高。例:CO>N2。
d.同分异构体支链越多,熔、沸点越低。例:正戊烷>异戊烷>新戊烷。
(4)金属晶体
金属晶体熔、沸点的高低取决于金属键的强弱。一般金属原子的价电子数越多,原子半径越小,金属阳离子与自由电子之间的静电作用越强,金属键越强,熔、沸点越高。如熔、沸点:Na<Mg<Al。
重点三 晶体化学式及粒子配位数的确定
1.晶体化学式的确定
晶胞中微粒数的计算方法——均摊法
(1)原则
晶胞任意位置上的一个原子如果是被n个晶胞所共有,那么,每个晶胞对这个原子分得的份额就是。
(2)正方体(长方体)晶胞中不同位置的粒子数的计算
①处于顶点上的粒子,同时为8个晶胞所共有,每个粒子有属于该晶胞
②处于棱边上的粒子,同时为4个晶胞所共有,每个粒子有属于该晶胞
③处于晶面上的粒子,同时为2个晶胞所共有,每个粒子有属于该晶胞
④处于晶胞内部的粒子,则完全属于该晶胞
(3)正三棱柱结构中不同位置的粒子数的计算
(4)六棱柱结构中不同位置的粒子数的计算
(5)平面型——石墨
对于非平行六面体形晶胞中微粒数目的计算同样可用“均摊法”,其关键仍是确定1个微粒为几个晶胞所共有,例如,石墨晶胞(如图1)中每一层内碳原子排成六边形,其顶点(1个碳原子)对六边形的贡献为,那么1个六边形实际有6×个碳原子。
找晶胞中的微粒数时,要找到这个晶胞中处于不同位置(顶定、棱上、面上、体内)的粒子数,然后确定这些不同位置的粒子(以该粒子为中心)确定周围有多少个晶胞来分摊它,从而确定这些不同位置上的粒子所需要乘的分摊系数,最后把这些乘了分摊系数的不同位置的粒子数加起来。
2.晶胞中粒子配位数的计算
一个粒子周围最邻近的粒子的数目称为配位数,它反映了晶体中粒子排列的紧密程度。
(1)晶体中原子(或分子)的配位数:若晶体中的微粒为同种原子或同种分子,则某原子(或分子)的配位数指的是该原子(或分子)最接近且等距离的原子(或分子)的数目。常见晶胞的配位数如下:
简单立方:配位数为6
面心立方:配位数为12
体心立方:配位数为8
(2)离子晶体的配位数:指一个离子周围最接近且等距离的异种电性离子的数目。
以NaCl晶体为例
①找一个与其离子连接情况最清晰的离子,如图中心的灰球(Cl-)。
②数一下与该离子周围距离最近的异种电性离子数,如图标数字的面心白球(Na+)。确定Cl-的配位数为6,同样方法可确定Na+的配位数也为6.
重点四 晶胞参数的计算
1.晶体的相关计算
(1)利用如下等式进行相关数据计算(以立方晶胞为例):a3ρNA=nM(a:棱长,ρ:密度;NA:阿伏加德罗常数的值,n:1 mol晶胞所含基本粒子或特定组合的物质的量,M:组成物质的摩尔质量)。注:若是长方体,V晶胞=abc,若是六棱柱,V晶胞=S底×h。
(2)晶胞长度的计算
金属晶体中体心立方堆积、面心立方堆积中的几组计算公式(设棱长为a)
①面对角线长=a。
②体对角线长=a。
③体心立方堆积4r=a(r为原子半径)。
④面心立方堆积4r=a(r为原子半径)。
金刚石晶胞的关系
晶胞参数(边长)为a,原子球半径为r,则有8r=a。(体对角线上五球相切,其中有两个假想球)
2.晶胞投影图
(1)简单立方模型投影图
x、y平面上的投影图:
(2)体心立方模型投影图
x、y平面上的投影图:
(3)面心立方模型投影图
x、y平面上的投影图:
(4)金刚石晶胞模型投影图
x、y平面上的投影图:
(5)沿体对角线投影(以体心立方和面心立方为例)
①体心立方堆积
②面心立方最密堆积
3.晶胞原子分数坐标的确定
原子分数坐标的确定方法
(1)依据已知原子的分数坐标确定坐标系取向。
(2)一般以坐标轴所在正方体的棱长为1个单位。
(3)从原子所在位置分别向x、y、z轴作垂线,所得坐标轴上的截距即为该原子的分数坐标。
常见的晶体模型粒子坐标如下表所示。
晶体模型
粒子坐标
简单立方晶胞结构模型
若1(0,0,0),2(0,1,0),则确定3(1,1,0),7(1,1,1)
体心晶胞结构模型
若1(0,0,0),3(1,1,0),5(0,0,1),则确定6(0,1,1),7(1,1,1),9 ()
面心立方晶胞结构
若1(0,0,0),3(),2(),则确定5(),7 ()
若a(0,0,0),1(),则确定2(),3(),4 ()
4.晶体空间利用率的计算
空间利用率是指构成晶体的原子、离子或分子在整个晶体空间中所占有的体积百分比。其具体的计算公式为:空间利用率=×100%。其中需要掌握以下几种典型的金属晶体的空间利用率。
(1)简单立方堆积(如图)
设原子半径为r,由于原子在晶胞棱的方向上相切,可以计算出晶胞参数:a=b=c=2r,α=β=γ=90°。每个晶胞中包含1个原子。
η=×100%=×100%≈52.36%。
(2)体心立方堆积(如图)
设原子半径为r,由于原子在晶胞体对角线方向上相切,可以计算出晶胞参数:a=b=c=r,α=β=γ=90°。每个晶胞中包含2个原子。
η=×100%=×100%≈68.02%。
(3)面心立方最密堆积(如图)
设原子半径为r,由于原子在晶胞面对角线方向上相切,可以计算出晶胞参数:a=b=c=2r,α=β=γ=90°。每个晶胞中包含4个原子。
η=×100%=×100%≈74.05%。
常见晶体类型及其结构
【典例1】(25-26高二上·黑龙江哈尔滨·期末)下列物质在固态时,所属晶体类型的分类正确的是
选项
金属晶体
共价晶体
分子晶体
离子晶体
A.
钢
石墨
干冰
重铬酸钾
B.
钙
金刚石
乙醇
氯化铝
C.
铅
晶体硼
硝酸铵
硫氰化铁
D.
锂
石英
硫酸
氢氧化钡
A.A B.B C.C D.D
【答案】D
【详解】A.石墨层内原子依靠共价键连接,但层间依靠范德华力维系,因此,石墨属于混合晶体,而非共价晶体,A错误;
B.氯化铝是分子晶体,而非离子晶体,B错误;
C.硝酸铵属于离子晶体,而非分子晶体,C错误;
D.选项中的各物质分类正确,D正确;
故答案选D。
【总结归纳】晶体类别的判断方法
(1)依据构成晶体的微粒和微粒间作用力判断
由阴、阳离子形成离子键构成的晶体为离子晶体;由原子形成的共价键构成的晶体为原子晶体;由分子依靠分子间作用力形成的晶体为分子晶体;由金属阳离子、自由电子以金属键形成的晶体为金属晶体
(2)依据物质的分类判断
①活泼金属氧化物和过氧化物(如K2O、Na2O2等),强碱(如NaOH、KOH等),绝大多数的盐是离子晶体
②部分非金属单质、所有非金属氢化物、部分非金属氧化物、几乎所有的酸、绝大多数有机物的晶体是分子晶体
③常见的单质类原子晶体有金刚石、晶体硅、晶体硼等,常见的化合物类原子晶体有SiC、SiO2、AlN、BP、CaAs等
④金属单质、合金是金属晶体
(3)依据晶体的熔点判断
不同类型晶体熔点大小的一般规律:原子晶体>离子晶体>分子晶体。金属晶体的熔点差别很大,如钨、铂等熔点很高,铯等熔点很低
(4)依据导电性判断
①离子晶体溶于水及熔融状态时均能导电
②原子晶体一般为非导体
③分子晶体为非导体,但分子晶体中的电解质(主要是酸和强极性非金属氢化物)溶于水时,分子内的化学键断裂形成自由移动的离子,也能导电
④金属晶体是电的良导体
(5)依据硬度和机械性能判断
一般情况下,硬度:原子晶体>离子晶体>分子晶体。金属晶体多数硬度大,但也有较小的,且具有延展性
【迁移应用1】(25-26高二下·福建泉州·月考)的立方晶胞结构如图所示,已知晶胞参数为a pm,下列说法正确的是
A.该晶体属于共价晶体
B.该晶体存在共价键、离子键和配位键
C.另一种晶胞表示:处于晶胞顶点位置,则处于面心
D.与之间最短的距离为a pm
【答案】B
【详解】A.由阴、阳离子构成,该晶体属于离子晶体,A错误;
B.阴、阳离子间存在离子键,中存在共价键,中还存在配位键(分子中氮原子提供孤电子对,氢离子提供空轨道),B正确;
C.晶胞沿体对角线平移,若处于晶胞顶点位置,则处于棱心,C错误;
D.根据晶胞结构,碘离子位于面心,与之间最短的距离为晶胞面对角线的一半,为a pm,D错误;
故选B。
【迁移应用2】(25-26高二上·河北石家庄·期末)锌与硫所形成化合物晶体的晶胞如图所示。下列判断不正确的是
A.氧化锌的熔点高于硫化锌
B.该晶胞中Zn2+和S2-数目相等
C.晶胞中Zn2+周围距离相等且最近的S2-共有4个
D.该晶体属于分子晶体
【答案】D
【详解】A.氧化锌和硫化锌中阴、阳离子所带电荷数相等,但氧离子半径小于硫离子,因此氧化锌的熔点高于硫化锌,A项正确;
B.该晶胞中,Zn2+位于顶点和面心,个数为,S2-位于晶胞内部,个数为4,Zn2+和S2-数目相等,B项正确;
C.由晶胞图可知,晶胞中S2-位于Zn2+构成的正四面体的中心,则晶胞中硫离子周围最近的锌离子共4个,同理晶胞中锌离子周围最近的硫离子共4个,C项正确;
D.硫化锌是由锌离子和硫离子构成的离子化合物,属于离子晶体,D项错误;
答案选D。
晶体熔、沸点的比较
【典例2】(25-26高二上·吉林长春·期末)下列有关性质的比较,正确的是
①硬度:BaO>CaO>MgO;②沸点:HCl>HF;③离子键强度:NaCl>MgO;④分子或离子中键角:H2O<H3O+,;⑤熔点:NaF>MgF2>AlF3;⑥沸点:H2O>HF>NH3;⑦熔点:金刚石>生铁>纯铁>钠;⑧熔点:二氧化硅>NaCl>I2>冰
A.①②⑥⑧ B.①④⑥⑧ C.④⑤⑥ D.④⑥⑧
【答案】D
【详解】①三种化合物所带离子电荷相同,离子半径Ba2+ > Ca2+ > Mg2+,晶格能随半径减小而增大,硬度应为MgO > CaO > BaO,①错误;
②HF分子间存在氢键,沸点高于HCl,②错误;
③MgO中离子电荷为+2和-2,NaCl中为+1和-1。电荷越高,晶格能越大,故MgO的晶格能远大于NaCl,顺序应为MgO > NaCl,③错误;
④H2O、H3O+的价层电子对数均为4,VSEPR模型为四面体,但H2O有2对孤电子对、H3O+有1对孤电子对,NH3、NH的价层电子对数均为4,VSEPR模型为四面体,NH3有1对孤电子对,NH无孤电子对,由于孤电子对间排斥力>孤电子对和成对电子对间的排斥力>成对电子对间的排斥力,分子或离子中键角:H2O<H3O+,NH3<NH,④正确;
⑤离子电荷Al3+> Mg2+ > Na+,晶格能增大,熔点应为NaF<MgF2<AlF3,⑤错误;
⑥H2O、HF、NH3均能形成氢键,但H2O氢键数量最多,常温下为液体,沸点最高,沸点高低顺序为H2O>HF>NH3,⑥正确;
⑦金刚石是共价晶体,熔点最高,生铁是合金,熔点小于纯铁的熔点,钠熔点最低,故熔点为金刚石>纯铁>生铁>钠,⑦错误;
⑧二氧化硅为共价晶体熔点最高,NaCl为离子晶体次之,碘与冰为分子晶体,常温下碘为固体,水为液体,所以熔点:二氧化硅>NaCl>I2>冰,⑧正确;
正确的是:④、⑥、⑧,答案选D。
【迁移应用1】(25-26高二下·福建泉州·月考)下列关于物质熔、沸点的比较正确的是
A.Na、Mg、Al的熔点依次降低
B.晶体硅、SiC、金刚石的沸点依次升高
C.MgO、NaCl、KCl的熔点依次升高
D.NH3、PH3、AsH3的沸点依次降低
【答案】B
【详解】A.Na、Mg、Al都是金属晶体,熔沸点的强弱与金属键的强弱有关,原子半径,对应的离子电荷增大,半径减小,金属键增强,则熔沸点,A错误;
B.晶体硅、SiC、金刚石均为原子晶体,熔沸点的强弱与共价键的强弱有关,共价键越强,熔沸点越高,共价键键长C-C<Si-C<Si-Si,所以沸点高低的顺序为:金刚石>SiC>Si,B正确;
C.MgO、NaCl、KCl均为离子晶体,熔点由晶格能决定,离子电荷高、半径小,晶格能就越大,熔点越高,和,电荷高、半径小,熔沸点很高;由于半径小于,NaCl的晶格能大于KCl,因此的熔点高于,故熔点:,C错误;
D.、、均为分子晶体,沸点取决于分子间作用力与氢键,分子间有氢键,沸点反常高,和无氢键,随分子量增大,范德华力增强,沸点升高,因此,故三者沸点的关系:,D错误;
故答案选B。
【迁移应用2】(25-26高二上·河北石家庄·期末)下列关于物质熔、沸点的比较正确的是
A.CCl4、MgCl2、SiC的熔点依次升高
B.Rb、K、Na、Li的沸点依次降低
C.NaCl、KCl、CsCl的熔点依次升高
D.HF、HCl、HBr的沸点依次降低
【答案】A
【详解】A.CCl4为分子晶体,熔点最低;MgCl2为离子晶体,熔点较高;SiC为共价晶体,熔点最高,因此熔点依次升高,A正确;
B.碱金属单质的沸点随原子序数增大而降低,故Rb、K、Na、Li的沸点应依次升高,而非降低,B错误;
C.离子晶体熔点取决于离子键强度,Na+、K+、Cs+离子半径依次增大,离子键减弱,熔点依次降低,而非升高,C错误;
D.HF分子间存在氢键,沸点最高;HCl和HBr无氢键,沸点随分子量增大而升高,故沸点顺序为HF > HBr > HCl,不是依次降低,D错误;
故选A。
晶体化学式及粒子配位数的确定
【典例1】(25-26高二下·黑龙江哈尔滨·月考)钛酸钴是一种重要的无机材料,在环境治理、能源转化等领域展现出广阔的应用潜力,其晶胞结构如图所示,该立方晶胞的参数为a pm。下列说法错误的是
A.元素O位于元素周期表P区
B.在晶胞中,若Ti处于各顶点位置,则O处于棱心位置
C.晶胞中O与O的最短距离为
D.该晶体的化学式为
【答案】C
【详解】A.O元素是第VIA元素,位于元素周期表P区,故A正确;
B.O原子位于立方晶胞的面心,Ti位于体心,若Ti处于各顶点位置,根据Ti与O的相对位置,则O处于棱心位置,故B正确;
C.晶胞中O与O的最短距离等于面对角线的一半,即为,故C错误;
D.Co位于顶点,个数;Ti位于体心,个数;O位于面心,个数,因此化学式为,故D正确;
答案选C。
【迁移应用1】(2027·全国·一模)的化合物种类繁多,在人类的生产、生活中有着广泛的应用,实验测得一种与形成的化合物沸点为,晶胞结构如图所示(黑球代表铜,晶胞的密度为,设为阿伏加德罗常数的值),下列说法不正确的是
A.晶体的化学式为
B.晶体中与最近且距离相等的有6个
C.与之间的最短距离为
D.该化合物为离子晶体
【答案】B
【详解】A.根据均摊法可知,晶胞中白球和黑球的数目均为4,故化学式为,A正确;
B.由图可知,晶胞中Br原子(白球)位于晶胞的顶点和面心,Cu原子(黑球)位于晶胞内部。以位于顶点的Br原子为例,其周围最近且距离相等的Br原子位于相邻晶胞的顶点和面心,共有12个,B错误;
C.晶胞的质量为,设晶胞参数为,则晶体的密度为,,原子与原子之间的最短距离为体对角线的,即原子与原子之间的最短距离为,C正确;
D.溴化亚铜为离子晶体,D正确;
故答案选B。
【迁移应用2】(25-26高二下·河南驻马店·月考)由V、Sb、Cs组成的一种超导体材料的晶胞结构如图1,其中Sb位于晶胞内和棱上,晶胞高度处水平截面如图2。设为阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是
A.该晶体的化学式为 B.该晶体的密度为
C.每个V原子与4个Sb原子紧邻 D.该晶体具有良好的延展性和导电性
【答案】C
【详解】A.根据均摊法,由晶胞结构可知,Cs位于顶点,其个数为;V位于面上和体心,其个数为;Sb位于晶胞内部和棱上,晶胞中的个数为; 因此化学式为,A正确;
B.晶胞质量; 晶胞的底面为夹角、边长的平行菱形,底面积,晶胞高度为,故体积,密度:,B正确;
C.每个原子除了图2平面上的紧邻,晶胞中的上下还各有2个紧邻,总紧邻数目为6,C错误;
D.该物质是超导体材料,具有良好导电性,属于金属型晶体,具有良好延展性,D正确;
故选C。
晶胞参数的计算
【典例1】(25-26高二上·吉林长春·期末)半导体材料硒化锌的立方晶胞如图所示。测得晶胞中,面心上硒与顶点硒之间距离为a nm,代表阿伏加德罗常数的值。以晶胞参数为单位长度建立坐标系,在晶胞坐标系中,A点硒原子坐标为,B点锌原子坐标为。下列说法错误的是(Zn的相对原子质量取65,Se的相对原子质量取79)
A.该半导体材料中锌原子与硒原子个数比为1:1
B.晶胞中与Se等距离且距离最近的Se原子有12个
C.硒化锌晶体密度为
D.C的原子坐标参数为
【答案】D
【详解】A.根据均摊法可知,该半导体材料中有锌原子4个,硒原子个,个数比为1:1,A正确;
B.晶胞中与Se等距离且距离最近的Se即顶点的Se与面心Se原子一共有12个,B正确;
C.硒化锌晶体密度为,C正确;
D.由于B点锌原子坐标为,C的原子坐标参数为, D错误;
答案选D。
【迁移应用1】(25-26高二上·辽宁沈阳·期末)砷化镓是一种立方晶系如图甲所示,将Mn掺杂到晶体中得到稀磁半导体材料如图乙所示,砷化镓的晶体密度为。下列说法错误的是
A.甲图中距离Ga原子最近的As原子个数是4
B.掺入Mn的晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为5:26:32
C.沿体对角线ab方向投影图如丙,若c在11处,则As的位置为7、9、11、13
D.该晶体中距离最近的两个镓原子之间的距离为
【答案】B
【详解】A.由图甲可知,Ga位于面心和顶角上,砷位于体内,砷和镓的配位数均为4,即距离Ga原子最近的As原子个数是4,A正确;
B.掺入Mn的晶体(图乙)中Ga有7个位于顶点,5个位于面心,个数为:;As有4个位于体内,Mn有1个位于顶点,1个位于面心,个数为:;Mn、Ga、As的原子个数比为,B错误;
C.由砷化镓晶胞结构可知,c位于侧面的面心,沿体对角线a→b方向投影图如丙,沿体对角线投影时,立方晶系的四面体空隙(As 的位置)会投影到图丙的六边形的对称位置(7、9、11、13),与 c(11 处)的位置对应,C正确;
D.由晶胞结构可知,晶胞中含4个Ga和4个As,晶胞中含4个GaAs,设晶胞参数为x pm,,则,距离最近的两个镓原子之间的距离为面对角线的一半,即,D正确;
故选B。
【迁移应用2】(25-26高二下·湖北黄石·月考)、和三种元素组成化合物的晶胞如图所示(晶胞参数),该晶体可视为金刚石晶体中的原子被、和取代后形成。设为阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是
A.位于元素周期表的区
B.最近的两个原子间的距离为
C.晶体中与Si距离最近且相等P的数目为7
D.晶体的密度为
【答案】C
【详解】A.Zn是30号元素,核外电子排布为,位于元素周期表区,A正确;
B.晶胞参数,最近的两个P原子在同一水平面内,坐标差分别为、,z坐标相同,因此距离为,B正确;
C.该晶体由金刚石结构衍生而来,金刚石中每个C原子的配位数为4,因此晶体中与Si距离最近且相等的P原子数目为4,C错误;
D.用均摊法计算晶胞中原子数,该晶胞拥有的Zn原子数为,Si原子数为,P原子数为,晶胞总质量,晶胞体积,密度,D正确;
答案选C。
夯实基础
1.(25-26高二下·福建泉州·月考)有关晶体的结构如图所示,下列说法错误的是
A.在晶体中,距某个最近的围成正八面体
B.CaF2晶体中,Ca2+的配位数为4
C.干冰晶胞中每个CO2分子周围有12个紧邻的CO2分子
D.碘晶体中,存在非极性共价键和范德华力,I2晶胞中分子存在两种不同空间取向
【答案】B
【详解】A.在NaCl晶体中,距Cl-最近的Na+有6个,距Na+最近的Cl-有6个,这6个离子构成一个正八面体,故A正确;
B.CaF2晶胞中,每个Ca2+周围等距离且最近的F-有8个,因此Ca2+的配位数为8,故B错误;
C.在CO2晶体中,CO2为面心立方堆积,1个CO2分子周围有12个CO2分子紧邻,故C正确;
D.在碘晶体中,在I2分子内存在I-I非极性共价键,在I2分子之间存在范德华力,因此该晶体中存在的作用力有非极性共价键和范德华力,由图可知I2晶胞中分子存在两种不同空间取向,故D正确;
故答案为B。
2.(25-26高二下·黑龙江哈尔滨·月考)MgO晶体的晶胞结构如下图,密度为ρ g∙cm-3,设NA为阿伏加德罗常数的值,下列说法中错误的是
A.晶体中与O2-最近且等距的Mg2+有6个 B.晶胞的边长为×1010pm
C.若a为晶胞顶点,则c位于棱心 D.MgO与NaCl晶体的晶胞类型不同
【答案】D
【详解】A.MgO是NaCl型晶体,阴阳离子配位数均为6,因此与最近且等距的有6个,A正确;
B.用均摊法计算晶胞中粒子数:位于顶点和面心,个数为;位于棱心和体心,个数为,晶胞中共4个;的摩尔质量为40 g/mol,晶胞质量,由密度公式得晶胞体积,晶胞为立方体,则边长,单位换算得,B正确;
C.原晶胞顶点为,(a)原本位于棱心;若将a放在晶胞顶点,原顶点位置的(c)就会位于棱心,C正确;
D.MgO晶体和NaCl晶体均为离子晶体,且均为型晶胞,晶胞结构类型相同,D错误;
故选D。
3.(25-26高二下·黑龙江哈尔滨·月考)下列物质的熔点高低顺序正确的是
A.金刚石>晶体硅>碳化硅 B.
C. D.
【答案】B
【详解】A.金刚石、碳化硅、晶体硅都是原子晶体,熔点由共价键键能决定,键长越短键能越大。键长:,因此熔点顺序应为金刚石>碳化硅>晶体硅,A错误;
B.四种物质都是组成结构相似的分子晶体,相对分子质量越大,范德华力越大,熔点越高,相对分子质量:,因此熔点顺序正确,B正确;
C.是离子晶体,熔点最高;和都是分子晶体,常温为液态、且存在氢键,熔点高于气态的,因此熔点顺序应为 ,C错误;
D.碱金属都是金属晶体,同主族从上到下原子半径增大,金属键减弱,熔点降低,因此熔点顺序应为 ,D错误;
故选B。
4.(25-26高二上·浙江温州·期末)硼、铝、镓等第ⅢA族元素及其化合物在生产生活中具有广泛的应用。请回答:
(1)基态铝原子价层电子排布式为______。
(2)是合成聚丙烯的一种催化剂,可通过反应制备。
①KF的晶体类型为______;
②的空间构型为______;
③键角比较:______(填“>”或“<”);
④已知熔点,从结构角度解释原因______。
【答案】(1)
(2) 离子晶体 平面正三角形或平面三角形 > 离子半径大于的离子半径,离子键强度(或的阴离子半径较大,离子键强度较小,熔点较低
【详解】(1)铝是13号元素,主族元素的价电子为最外层电子,因此基态铝原子价层电子排布式为。
(2)① 是活泼金属钾与活泼非金属氟形成的盐,由阴、阳离子通过离子键结合,晶体类型为离子晶体。
② 中B原子价层电子对数为,无孤对电子,采取杂化,空间构型为平面正三角形。
③ 空间构型为平面正三角形键角为120°,中B原子价层电子对数为,无孤对电子,采取杂化,空间构型为正四面体形,键角约为109°28′,因此的F-B-F键角更大。
④ 二者均为离子晶体,离子晶体熔点由离子键强度决定:离子电荷相同时,离子半径越大,离子键强度越小,熔点越低。半径远大于,离子键强度,熔点。
5.(25-26高二下·甘肃酒泉·月考)有下列几种晶体:
A.无色水晶 B.冰 C.白磷 D.金刚石 E.晶体氢 F.干冰。
(1)属于分子晶体的是_______(填字母,下同)。
(2)属于共价晶体的化合物是_______。
(3)受热熔化时化学键不发生变化的晶体是_______,受热熔化时需克服共价键的晶体是_______。
(4)晶体中存在氢键的是_______。
(5)金刚砂(SiC)的摩氏硬度为9.5,其晶胞结构如图所示。
①该晶体中C原子的杂化类型为_______。该晶体的类型为_______(填“分子”或“共价”)晶体。
②在SiC中,每个C原子周围最近的C原子数目为_______;若晶胞的边长为a pm,阿伏加德罗常数的值为,则金刚砂的密度表达式为_______。
【答案】(1)BCEF
(2)A
(3) BCEF AD
(4)B
(5) 共价 12
【详解】(1)分子晶体由分子通过分子间作用力结合而成,冰、白磷、晶体氢、干冰都属于分子晶体,因此答案为BCEF。
(2)共价晶体是原子间通过共价键形成空间网状结构的晶体,无色水晶()是共价晶体且属于化合物,金刚石是共价晶体但为单质,因此答案为A。
(3)分子晶体熔化只破坏分子间作用力,化学键不断裂,因此化学键不发生变化的是分子晶体BCEF;共价晶体熔化需要克服共价键,共价晶体为和金刚石,因此需克服共价键的是AD。
(4)水分子间存在氢键,因此存在氢键的晶体是冰(B)。
(5) ① 每个C原子形成4个键,无孤电子对,因此C原子杂化类型为杂化;SiC硬度大,原子间以共价键结合,属于共价晶体。
②SiC晶体中C原子构成面心立方堆积,对于任一C原子,其周围等距离且最近的C原子有12个;晶胞中C原子数为,Si原子数为4,即晶胞含4个,晶胞质量为,晶胞边长,体积为,因此密度。
6.(25-26高二下·浙江·月考)金属钛被誉为“二十一世纪金属”,有“生物金属、海洋金属、太空金属”的美称,具有广泛的应用前景。回答下列问题:
(1)基态Ti原子的价层电子排布式为________,Ti在元素周期表中位于______区
(2)磷酸钛铝锂可用作锂离子电池的正极材料,的空间结构是_________,中心原子P采取______杂化。
(3)某含钛物质的晶胞如图所示,该物质的化学式为______;该晶体中每个周围与它最近且相等距离的的数目是__________。
(4)Ti的四卤化物的熔点如下表所示。熔点高于其他三种卤化物,则可能是__________晶体(填“离子”或“分子”);、、的熔点依次升高的原因是__________。
化合物
熔点/℃
377
-24.12
38.3
155
(5)Ti能够形成化学式为的配合物。该配合物中四种元素的电负性由大到小的顺序为__________;在1 mol该配合物中加入足量溶液,可以得到__________mol AgCl沉淀;若要确定该物质是晶体还是非晶体,最科学的方法是对它进行__________实验。
【答案】(1) d
(2) 正四面体形
(3) 6
(4) 离子 、、均为分子晶体,、、分子组成与结构相似,相对分子质量越大,分子间作用力越大,熔沸点越高
(5) O>Cl>H>Ti 2 X射线衍射
【详解】(1)Ti是22号元素,基态原子核外电子排布为,价层电子排布式为,Ti位于元素周期表d区。
(2)中应根据VSEPR理论,中心P原子与4个O原子形成4个键,无孤对电子,价层电子对数为4,P采取杂化。
(3)Ti位于顶点,数目;O位于棱上,数目;根据图示,Ca位于体心,晶胞中Ca数目为1,该物质的化学式为以顶点为研究对象,其周围最近且等距离的位于6个相连的棱心,配位数为6。
(4)熔点远高于其他三种卤化物,离子晶体熔点远高于分子晶体,因此为离子晶体;、、均为分子晶体,分子晶体熔点随相对分子质量增大而升高,因为相对分子质量越大,分子间范德华力越强,因此熔点依次升高。
(5)非金属性越强电负性越大,金属电负性小于非金属,因此电负性顺序为;配合物中只有外界的会电离,与反应,1mol该配合物外界有2mol ,因此生成2mol AgCl沉淀;区分晶体和非晶体最科学的方法是X射线衍射实验。
7.(25-26高二下·湖南长沙·月考)由K、I、O三种元素组成的某种晶体是一种性能良好的非线性光学材料,其立方晶胞结构如图所示,规定A 处原子坐标为(0,0,0)。下列说法正确的是
A.B 处原子坐标为
B.与K距离最近且相等的O的个数为6
C.该晶胞中 K 与O间的最短距离为
D.该晶体的密度为
【答案】D
【详解】A.A处坐标为,晶胞边长为a,坐标范围为,B处原子位于右面面心,坐标应为,A错误;
B.K位于顶点,与K距离最近且相等的O位于相邻晶胞的面心,该晶胞中3个相邻面上的O和该顶点的K等距且最近,一个顶点被8个晶胞共用,相邻晶胞共用一个面,共个,B错误;
C.K与O的最短距离是顶点到面心的距离,晶胞边长为,最短距离为 ,C错误;
D.K位于晶胞顶点,得 个; I位于晶胞体心,共1个; O位于晶胞面心,得 个; 晶体化学式为 ,摩尔质量 ,晶胞质量,晶胞边长,体积,密度 ,D正确;
故选D。
8.(25-26高二上·重庆·期末)立方氮化硼是一种用于航空航天的热绝缘体纳米材料,与金刚石结构相似,其晶胞结构如图,晶胞棱长为anm。下列说法错误的是
A.立方氮化硼具有熔点高、硬度大的特点
B.该晶胞中B和N的配位数均为4
C.B和N的最近距离为anm
D.固体储氢材料氮硼烷(NH3BH3)中,B原子的杂化轨道类型为sp2
【答案】D
【详解】A.立方氮化硼与金刚石结构相似,均为共价晶体,原子间通过共价键结合,共价键键能大,因此具有熔点高、硬度大的特点,故A正确;
B.金刚石中每个碳原子配位数为4,立方氮化硼结构相似,B和N交替排列,故B和N的配位数均为4,故B正确;
C.晶胞棱长为a nm,体对角线长为a nm,B和N的最近距离为体对角线的,即 a nm,故C正确;
D.NH3BH3中B原子与3个H、1个N形成4个σ键(含1个配位键),价层电子对数为4,杂化轨道类型为sp3,故D错误;
故答案为D。
9.(25-26高二下·福建泉州·月考)金刚石的晶胞如图1所示,图1中原子坐标参数A为,B为,C为,晶胞参数为a pm。在立方晶胞中,与晶胞体对角线垂直的面,在晶体学中称为晶面,如图2所示。下列说法错误的是
A.金刚石晶体中碳原子数与碳碳键数之比为1:2
B.图1中原子坐标参数D为
C.图1晶胞中两个碳原子之间的最短距离为cm
D.图2晶胞中可以称为晶面的面共有8个
【答案】C
【详解】A.金刚石晶体中,1个C原子形成4个碳碳键,根据均摊可知碳原子数与碳碳键数之比为1:2,故A正确;
B.晶胞中D原子位于“左下前”正方体中心,原点位于A点,因此原子坐标参数D为,故B正确;
C.该晶胞中含有5层碳原子,层间原子相切,即,因此两个碳原子之间的最短距离为,故C错误;
D.图2晶胞中共有8个顶点,4条体对角线,由(1,1,1)晶面定义可知,晶胞中可以称为(1,1,1)晶面的面共有8个,即3个顶点形成的(1,1,1)晶面有4个,将该晶面沿面对角线平移,过面心的(1,1,1)晶面有4个,共8个,故D正确;
故答案为C。
综合运用
10.(25-26高二下·湖北武汉·月考)我国科研团队,利用人工智能筛选出的充电补锂试剂,能使失活的电池再生、延长寿命,且保持电池原结构。某镍钴锰酸锂正极材料在补充(打针)前后晶胞变化如图所示,转化为气体离去。打针前晶胞参数分别为、、(如图所示,),R的相对原子质量用代替,设为阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是
A.打针前,晶胞密度为
B.注入过程中,过渡金属R(R代表、和)的化合价不变
C.打针后,晶胞的化学式为
D.打针后,在阳极失去电子
【答案】B
【详解】A.该晶胞为六方晶胞,x与y夹角,晶胞底面积,晶胞体积,根据均摊法,打针前晶胞中:Li有个、R有个、O有个,晶胞总质量,密度,A正确;
B.化合物整体呈电中性,O化合价为−2不变,补锂后晶胞中数目增加,正电荷总量增加,因此过渡金属R的总化合价必然降低,化合价发生改变,B错误;
C.打针后,晶胞中Li有个、R有个、O有个,原子最简比Li:R:O=3:3:6=1:1:2,化学式为,C正确;
D.充电过程中,阳极发生氧化反应,转化为气体氟代烃CF3-CF3离去,发生氧化反应,在阳极失去电子,D正确;
故答案为B。
11.(25-26高二下·湖南长沙·月考)I.过渡金属元素及其化合物在生产、生活和科研中应用广泛。回答下列问题:
(1)Cr元素在元素周期表中的位置是___________;下列状态的 Ni中,电离最外层一个电子所需能量最大的是___________(填标号)。
A. B. C. D.
(2)的H-N-H键角___________(填“>”、“=”或“<”) NH3的H-N-H,原因是___________。
(3)某物质的晶胞投影如下图,其化学式为___________。
(4)一种水性电解液 离子选择双隔膜电池如图所示。电池放电时, 电极反应式为___________。
Ⅱ.将3.4g的X 完全燃烧生成1.8g 的 H2O 和4.48L(标准状况)的 CO2。X 的核磁共振氢谱有4个峰且面积之比为3:2:2:1,X分子中只含一个苯环且苯环上只有一个取代基,其质谱图、核磁共振氢谱与红外光谱如图。
(5)X的分子式为___________,结构简式为___________。
【答案】(1) 第四周期ⅥB族 C
(2) > 、NH3中N原子价电子对数均为4,中N原子无孤电子对,NH3中N原子有1个孤电子对,孤电子对对成键电子对具有排斥作用
(3)LiOH
(4)
(5) C8H8O2
【详解】(1)Cr是24号元素,在元素周期表中的位置是第四周期ⅥB族;
A.为基态Ni原子,电离最外层一个电子所需能量为Ni的第一电离能;
B. 为激发态Ni原子,电离最外层一个电子所需能量小于Ni的第一电离能;
C.为基态Ni+原子,电离最外层一个电子所需能量为Ni的第二电离能;
D. 为激发态Ni+原子,电离最外层一个电子所需能量小于Ni的第二电离能;
电离最外层一个电子所需能量最大的是,选C。
(2)、NH3中N原子价电子对数均为4,中N原子无孤电子对,NH3中N原子有1个孤电子对,孤电子对对成键电子对具有排斥作用,所以的H-N-H键角> NH3的H-N-H。
(3)根据某物质的晶胞投影可知,Li原子位于晶胞8个顶点、2个面心,Li原子数为 ;O位于4个面上,氧原子数 、H位于4个面上,H原子数 ,则化学式为LiOH。
(4)根据图示,放电时,Zn失电子发生氧化反应,Zn是负极;得电子生成硫酸锰,是正极,电池放电时,电极反应式为。
(5)
n(CO2)= ;n(H2O)=,根据元素守恒3.4g X中含氧元素的物质的量为n(O)=,n(C): n(H): n(O)=4:4:1,根据质谱图可知其相对分子质量为136,设分子式为(C4H4O)n,,n=2, X的分子式为C8H8O2; X 的核磁共振氢谱有4个峰且面积之比为3:2:2:1,X分子中只含一个苯环且苯环上只有一个取代基,则X结构简式为 。
12.(25-26高二上·湖南长沙·期末)铈的某种氧化物是汽车尾气净化催化剂的关键成分,其晶体结构如图1所示,下列说法错误的是
A.该晶胞中的配位数为8
B.该氧化物中铈元素的化合价为
C.若沿z轴向xy平面投影,则其投影图如图2所示
D.若晶胞中甲原子的分数坐标为,则乙原子的分数坐标为
【答案】C
【详解】A.通过均摊法计算,一个晶胞中Ce(白球)数目为,O(黑球)个数为8,个数比为1:2,由图示可知黑球周围最近的白球个数为4,则 (白球)周围最邻近的(黑球)个数为8,即该晶胞中的配位数为8,A正确;
B.通过均摊法计算,一个晶胞中Ce(白球)数目为,O(黑球)个数为8,个数比为1:2,所以氧化物的化学式为,Ce元素化合价为,B正确;
C.沿z轴向xy平面投影时,图2未正确反映所有Ce的投影位置(图2中心处应还有Ce的投影),应该为,C错误;
D.原子分数坐标以晶胞参数为单位,甲为,乙为四面体空隙中的O原子,其坐标应为,D正确;
故选C。
13.(25-26高二上·辽宁葫芦岛·期末)砷(As)和镍(Ni)形成某种晶体的晶胞结构如下图所示,距离As最近的Ni构成正三棱柱,为阿伏加德罗常数的值。下列说法不正确的是
A.该晶体的化学式为NiAs
B.晶体中Ni的配位数为6
C.(ⅰ)和(ⅱ)两个Ni之间的距离为
D.晶胞密度为
【答案】C
【详解】A.一个晶胞中Ni个数为=2,As位于内部,有2个,则该晶体的化学式为NiAs,故A正确;
B.距离As最近的Ni构成正三棱柱,结合图示可知,As的配位数为6,又Ni、As配位数比为1:1,则Ni的配位数为6,故B正确;
C.如图可知,该三棱柱底面为正三角形,晶胞底面夹角为60°和120°,(i)和(ii)两个Ni之间的距离为底边对角线长度,根据几何关系,(i)和(ii)两个Ni之间的距离为,故C错误;
D.一个晶胞中Ni个数为=2,As有2个,则晶胞质量为,晶胞体积为,则晶胞密度为,故D正确;
故答案为C。
14.(25-26高二下·陕西榆林·开学考试)立方氮化硼晶体被认为是已知的最硬的物质。立方氮化硼晶胞如图所示,其晶体结构与金刚石相似。回答下列问题:
(1)下列关于B、N的说法正确的是___________(填字母)。
A.均位于元素周期表的p区 B.最高能级电子云的形状相同
C.两者未成对电子数相等 D.最高价氧化物对应水化物均为强酸
(2)立方氮化硼属于___________(填晶体类型)晶体。晶胞中硼、氮原子个数比为___________,的键角为___________,B周围距离最近且相等的N原子有___________个。
(3)以晶胞参数为单位长度建立坐标系,可以表示晶胞中各原子的位置,称为原子坐标。已知a点硼原子坐标为,c点硼原子坐标为,则b点氮原子坐标为___________。设晶胞参数为1,则a、b之间的距离为___________。
(4)已知:立方氮化硼晶体的摩尔质量为,晶体的晶胞边长为b nm,为阿伏加德罗常数的值,则该晶体的密度为___________(用含a、b的代数式表示)。
【答案】(1)AB
(2) 共价 (或) 4
(3)
(4)
【详解】(1)A.B(电子排布)和N(电子排布)的价电子均填充在p轨道,均属于p 区元素,A正确;
B.B和N的最高能级均为2p,p轨道电子云形状为哑铃形(纺锤形),形状相同,B正确;
C.B的未成对电子数为 1(),N的未成对电子数为 3(),不相等,C错误;
D.B的最高价氧化物对应水化物为H3BO3,属于弱酸,N的最高价氧化物对应水化物为HNO3,属于强酸,并非均为强酸,D错误;
故选AB;
(2)立方氮化硼结构与金刚石相似,属于共价晶体;如图,B原子位于顶点和面心,有个,N原子位于晶胞内部,共4个,故晶胞中硼、氮原子个数比为1:1;B、N 均为杂化,空间构型为正四面体,键角为(或);如图,B位于面心,N位于晶胞内,故B周围距离最近且相等的N原子有4个(正四面体配位);
(3)已知a点硼原子坐标为,c点硼原子坐标为,则b点氮原子坐标为;由图知,a、b之间的距离为体对角线的,晶胞的参数为1,则,a、b之间的距离为;
(4)立方氮化硼晶体的摩尔质量为,晶体的晶胞边长为b nm,为阿伏加德罗常数的值,立方氮化硼晶中,B原子位于顶点和面心,有个,N原子位于晶胞内部,共4个,则该晶体的密度为。
15.(25-26高二上·吉林·期末)硒化锌(ZnSe)是一种重要的半导体材料,其晶胞结构如图甲所示,乙图为该晶胞沿z轴在xy平面的投影,已知晶胞面心上硒与顶点硒之间距离为a nm,为阿伏加德罗常数的值,以晶胞参数为单位长度建立坐标系。下列说法错误的是
A.Se与Zn原子之间的最近距离为
B.周围最近的的个数为12
C.A点原子分数坐标为,则B点原子分数坐标为
D.硒化锌晶体密度为
【答案】D
【详解】A.设晶胞边长为。由题意,顶点与相邻面心距离为,即,解得L=a nm。Se与Zn原子之间的最近距离为晶胞体对角线的,即。A正确;
B.在此晶胞中,Zn原子占据了部分四面体空隙,将这些Zn原子连接并平移,可以构成一个面心立方结构,其配位数为12,因此每个周围最近的个数为12。B正确;
C.A点原子坐标为,由图乙可知,B点原子分数坐标为。C正确;
D.硒位于晶胞顶点和面心,由均摊法可得该晶胞中硒有个,锌在晶胞内、有4个,硒化锌晶体密度为。D错误;
故选D。
16.(25-26高二上·辽宁沈阳·期末)请回答下列问题。
(1)在[Ni(NH3)6]2+中Ni2+与NH3之间形成的化学键称为_______,提供孤电子对的成键原子是________(填元素符号)。配体的空间构型是_______。
(2)Li2O为离子晶体,具有反萤石结构,晶胞如下图所示。则O2- 配位数为:_______,若晶胞参数为b nm,阿伏加德罗常数的值为NA,则Li2O的密度为_______g·cm-3,O2-和Li+的最短距离等于_______nm (用含b的代数式表示)。
(3)一种铜金合金晶体具有面心立方最密堆积结构,在晶胞中Cu原子处于面心,Au原子处于晶胞顶点,该晶体中与每个金原子等距离且最近的铜原子有_______个。该晶体具有储氢功能,氢原子可进入到由Cu原子与Au原子构成的四面体空隙中。该晶体储氢后的化学式应为_______。
【答案】(1) 配位键 N 三角锥形
(2) 8
(3) 12 Cu3AuH8
【详解】(1)在中,有空轨道,中原子有孤电子对,二者形成的化学键为配位键,提供孤电子对的成键原子是;为配体,的价层电子对数为4,孤电子对数为1,空间构型是三角锥形;
(2)在的反萤石结构中,以为中心,周围最近且等距离的有个,所以配位数为;晶胞中个数为,个数为,晶胞参数为,根据密度公式,,,则密度;和的最短距离为晶胞体对角线长度的,晶胞体对角线长度为,所以最短距离为;
(3)面心立方最密堆积结构中,原子处于面心,原子处于晶胞顶点,每个顶点的原子周围等距离且最近的原子有个;晶胞中原子个数为,原子个数为,氢原子进入由原子与原子构成的四面体空隙,因为四面体空隙数与晶胞中原子数有关,面心立方中四面体空隙数为,如图所示:,所以一个晶胞中氢原子个数为8,所以该晶体储氢后的化学式为。
17.(25-26高三下·河北邯郸·月考)二氧化铈()是一种应用广泛的功能催化剂材料。的立方晶胞中掺杂,占据原来的位置,可以得到更稳定的结构(如图)。下列叙述错误的是
已知:晶胞的边长为a pm,的空缺率。
A.晶胞中的配位数为8
B.晶体的密度为
C.晶胞的俯视图为
D.掺杂后,的空缺率为20%,则
【答案】D
【详解】A.晶胞中,位于顶点和面心,位于晶胞内部,以面心的为例,其周围等距离且最近的有8个,故的配位数为8,A正确;
B.晶胞中,位于顶点和面心,位于晶胞内部,利用均摊法计算,的个数为,个数为8,含有4个,晶胞边长为,晶胞体积,晶胞质量,密度,B正确;
C.晶胞中,位于顶点和面心,位于晶胞内部,从上向下俯视,顶点在正方形四个顶点,面心在正方形各边中点,在晶胞内部,俯视图与选项一致,C正确;
D.设,根据电荷守恒,晶胞中的数目为。在该晶胞中,阳离子与氧离子的位点数之比为,故氧位点总数为,氧空位数为,根据题干公式,的空缺率为,解得,即,D错误;
故选D。
18.(2026·湖南长沙·一模)某超导半导体材料的立方晶胞结构如图所示。
已知该晶胞中与之间的最短距离为,为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是
A.该晶胞的化学式为 B.2号原子的分数坐标为
C.距离B最近的B的个数是4 D.该晶胞的密度为
【答案】D
【详解】A.晶胞中B的个数为,As的个数为4,所以该晶胞的化学式为BAs,A错误;
B.2号原子的分数坐标为,B错误;
C.以晶胞中顶角位置的B为对象,该B与三个面的面心的B距离最近,顶角位置的共有8个晶胞共用,且面心位置的有2个晶胞共用,故距离最近的的个数为,C错误;
D.B与之间的最短距离为,其等于体对角线长度的,所以棱长为,晶胞的密度为,D正确;
故选D。
19.(25-26高三下·河南郑州·月考)(铁氰化钾)可用于检验,产生特征蓝色沉淀(滕氏蓝),滕氏蓝可作蓝色颜料。滕氏蓝晶体的晶胞结构如图(正方体结构,省略了),晶胞边长为d nm,P原子坐标为。已知:的摩尔质量为。下列说法错误的是
A.中,配体为CN-
B.Q处坐标为
C.和的最近距离为0.25d nm
D.滕氏蓝晶体的密度为
【答案】C
【详解】A.是配位离子,中心离子为,提供空轨道,配体为,提供孤电子对,A正确;
B.P原子坐标为,设晶胞边长为1个单位,Q处在晶胞内的位置对应,因此坐标为,B正确;
C.与最近的分数坐标差为,根据空间距离公式,最近距离为 ,C错误;
D.该晶胞中含个,晶胞质量;晶胞边长,晶胞体积,因此密度: ,D正确;
故选C。
20.(2026·陕西商洛·模拟预测)是一种新型轻质储氢材料,其晶胞的结构如图所示,下列有关说法中错误的是
A.晶体中的配位数为12
B.与之间的最短距离为
C.晶胞中含有4个
D.晶体的密度为(为阿伏加德罗常数的值)
【答案】A
【分析】晶胞阴离子位于晶胞的8个顶点、体心、及侧面交错位置,而Na+位于4根侧棱上、上下两面及侧面的交错位置,据此回答。
【详解】A.以晶胞顶面中心钠离子为研究对象,距离最近的阴离子分别在平面占4个及四个侧面各占2个,故Na+的配位数为8,A错误;
B.以晶胞底面为研究对象,与之间的最短距离为面对角线的一半,故与之间的最短距离为,B正确;
C.根据均摊法,在晶胞的顶角、体心、和侧面一半的面心上且属于交错位置,故共有,晶胞中含有4个,C正确;
D.晶体中含4个,晶胞密度==,D正确;
故选A。
思维拔高
21.(2026·湖南怀化·一模)锆的某种氧化物是重要的催化与能源材料,其晶胞结构如图1所示,该立方晶胞的参数为a pm,阿伏加德罗常数的值为。在高温或氧分压较低时,图1中的部分被还原为,同时产生氧空位以维持电中性,在这个过程中得到的某一产物的晶胞结构如图2所示。下列说法错误的是
A.图1晶胞中两个O原子间的最短距离为
B.图1晶胞中每个Zr原子的配位数为8
C.图2晶胞中与的个数比为
D.图1晶体的密度为
【答案】D
【详解】A.,图1晶胞中两个O原子间的最短距离为晶胞边长的一半,即,故A正确;
B.图1晶胞中O原子填充Zr原子围成的四面体的空隙,O原子的配位数是4,根据化学式ZrO2,可知图1晶胞中每个Zr原子的配位数为8,故B正确;
C.设晶胞中与的个数分别为x、y,图2晶胞中Zr原子数为4,则有,O原子数为5,根据化合价代数和为0,则有,计算可得、,所以图2晶胞中与的个数比为,故C正确;
D.晶体密度,根据均摊法计算,图1晶胞中Zr原子个数为,O原子个数为8,则,故D错误;
选D。
22.(2026·江西九江·一模)晶体具有六方型结构,原子填在由原子围成的四面体空隙中,其晶胞结构如图所示。该六方晶胞参数为,;已知1、2号原子的分数坐标分别为、。下列说法正确的是
A.晶体中键的键长为
B.3号原子分数坐标为
C.C原子周围等距且最近的C原子个数为6
D.该晶胞含有2个SiC分子
【答案】A
【详解】A.晶体中键的键长可以理解为3号硅原子和坐标为的3号碳上的C原子之间的距离,则晶体中键的键长,A正确;
B.结合晶胞结构和题中信息可知,1、2号原子的分数坐标分别为、,则3号原子分数坐标为,B错误;
C.结合题给信息可知,该晶体为六方最密堆积,则其中碳的配位数为12,如图所示,C错误;
D.是共价晶体,其中不包含分子,D错误;
故选A。
23.(25-26高三上·黑龙江哈尔滨·期末)硫化汞的立方晶系型晶胞如图所示,晶胞参数为,P原子的分数坐标为,阿伏加德罗常数的值用表示。下列说法正确的是
A.S原子的配位数是12 B.M原子的分数坐标为
C.晶体密度 D.S与之间的最短距离为
【答案】D
【详解】A.从晶胞图可以看出,每个S原子周围紧邻且等距的Hg原子有4个,S原子配位数是4,A错误;
B.根据题干信息,P原子分数坐标为,将晶胞图和投影图结合可以看出,M原子的分数坐标为,B错误;
C.从晶胞图可以看出,每个晶胞中包含的Hg原子个数个,包含的S原子个数为4个。晶体密度,其中是一个晶胞中的单元数,对该晶体为4,是晶胞中单元的摩尔质量,对于该晶体,是晶体的体积,对该晶体。代入上式可得,C错误;
D.从晶胞图可以看出,S与Hg之间的最短距离为体对角线的四分之一,则二者的最短距离为,D正确;
故答案选D。
24.(2026·黑龙江辽宁·二模)NaCl晶体在高压下与Na或反应可以形成不同组成不同结构的晶体,如图是其中部分晶体结构,是阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是
A.结构①对应晶体的化学式为
B.结构①中Cl的配位数为4
C.只有③是NaCl晶体在高压下与Na反应形成的晶体
D.若②中晶胞参数分别为a pm,a pm,c pm,则其晶胞密度可表示为
【答案】C
【详解】A.结构①用均摊法计算,Na数目为,Cl总个数为,化学式为,A正确;
B.结构①中每个周围紧邻的共12个,即配位数为12。根据配位数规律:配位数之比等于对应原子数反比,,得Cl的配位数为4,B正确;
C.NaCl晶体在高压下与Na反应形成的晶体中,②的晶胞中Na数目为,Cl数目为,②的化学式为、③中Na与Cl的比例也大于1,二者都是与Na反应的产物,并非只有③,C错误;
D.②的晶胞质量为,体积为,代入密度公式可得密度为,D正确;
故选C。
25.(2026·山东临沂·一模)赤血盐和黄血盐是铁的重要配合物。
(1)K位于元素周期表______区;基态与基态未成对电子数之比为______。
(2)制备黄血盐的反应原理为。
①的空间构型为______。
②中含键的物质的量为______。
(3)赤血盐和黄血盐可分别作为检验和的试剂,均生成蓝色沉淀。研究蓝色沉淀发现,其晶体中阴离子的结构相同,最小的单元结构如图所示。
已知:该立方体的中心可以容纳阳离子;的半径与相近。
①若晶胞参数为,则该晶体密度______。
②阴离子中氮原子与配位,则每个与______个碳原子配位,距离最近的有______个。
③在空间的排布方式与下列哪种粒子相同______(填标号)。
A.晶体中的 B.金刚石晶体中的C C.晶体中的
④该蓝色沉淀可作为的解毒剂,原因是______。
【答案】(1) s
(2) 直线形 12
(3) 6 4 ac 取代填入间隙,被阴离子固定,避免其在体内扩散
【详解】(1)钾元素的原子序数为19,基态原子的价电子排布式为4s1,则钾元素位于元素周期表s区;铁元素的原子序数为26,基态铁离子的价电子排布式为3d5,基态亚铁离子的价电子排布式为3d6,则两者的未成对电子数之比为5:4;
(2)①HCN的结构式为:H-C≡N,分子中三键碳原子的杂化方式为sp杂化,则分子的空间结构为直线形;
②黄血盐的阴离子中配位键属于σ键,配体氰根离子中碳氮三键中含有1个σ键,则化合物中含有12个σ键,所以1 mol化合物中含有σ键的数目为:1 mol×12×NA mol-1=12NA;
(3)由图可知,位于立方体顶点的铁离子和亚铁离子总数为:8×=1,位于棱上的氰根离子个数为:12×=3,由题意可知,蓝色沉淀的化学式为:K[Fe2(CN)6],则最小的单元结构是晶胞结构的;钾离子位于立方体的体心,晶胞中钾离子的填充率为50%;铁离子和亚铁离子位于晶胞的顶点和面心,离子在空间的排布方式为面心立方堆积;
①由分析可知,晶胞中K[Fe2(CN)6]的个数为4,设晶体的密度为ρg/cm3,由晶胞的质量公式可得:=( a×10—10)3ρ,解得ρ=;
②由图可知,位于顶点的铁离子与位于棱上的氮原子距离最近,则铁离子的配位数为6;由分析可知,钾离子位于立方体的体心,晶胞中钾离子的填充率为50%,则距离位于顶点的亚铁离子最近的钾离子个数为4;
③a.氯化钠中氯离子位于晶胞的顶点和面心,在空间的排布方式为面心立方堆积,a符合题意;
b.金刚石晶体中的碳原子在空间的排布方式为正四面体,不可能为面心立方堆积,b不符合题意;
c.KFe[Fe(CN)6]晶体中的亚铁离子位于晶胞的体心和面心,在空间的排布方式为面心立方堆积,c符合题意;
故选ac;
④由题给信息可知,Tl+离子的离子半径与钾离子相近,所以Tl+离子可取代钾离子填入晶胞的间隙中被阴离子固定,避免其在体内扩散,所以蓝色沉淀可作为Tl+离子的解毒剂。
26.(25-26高三上·江苏宿迁·期中)废旧钴酸锂电池经机械破碎、筛分后得到正极混合粉末(主要含LiCoO2、炭黑、Al及微量Ni、Fe等),通过如下工艺可回收其中的金属元素。
已知:①抗坏血酸(C6H8O6)具有强还原性;
②浸出液中含Ni2+、Co2+,其氢氧化物溶度积分别为、。
(1)“浸出”时可提高浸出效率的措施有(任写两种)___________:若用盐酸替代H2SO4和抗坏血酸,也可以得到含有Li+、Co2+溶液,但缺点是___________。
(2)在“除铁”步骤中,溶液中生成黄钠铁矾沉淀化学式为Na2Fe6(SO4)4(OH)12,H2O2的作用是___________;生成黄钠铁矾沉淀时有气体生成,写出生成黄钠铁矾沉淀的离子方程式___________。
(3)“沉铝”需调节溶液pH,常温下溶液中Co2+浓度为0.30mol·L-1,通过计算判断pH调至5.0时Co是否损失?___________(列出算式并给出结论)
(4)“沉锂”步骤完成后的滤液中主要含有的无机溶质为___________(写化学式)。
(5)Li2CO3受热分解可生成氧化锂(Li2O)。氧化锂晶体属于立方晶系,晶胞结构图如下图。O2-周围距离相等且最近的Li+有___________个。
【答案】(1) 搅拌(或适当升高温度、适当增大酸浓度、延长浸出时间等) 会产生氯气,造成环境污染且可能腐蚀设备等
(2) 将亚铁离子氧化为铁离子 、
(3)pH调至5.0时,pOH=9.0,,则不会造成钴元素的损失
(4)(NH4)2SO4或Na2SO4
(5)8
【分析】正极混合粉末加硫酸溶解,使得Ni、Fe、Al形成Ni2+、Fe2+、Al3+进入浸出液,抗坏血酸把LiCoO2还原为Co2+,浸出渣主要以炭黑为主;浸出液中加入过氧化氢将亚铁离子氧化为铁离子,并与碳酸钠溶液反应形成黄钠铁矾渣实现除铁;后加入碳酸氢铵形成氢氧化铝沉淀实现除铝;加入丁二酮肟实现沉镍;再加入草酸铵溶液除钴,形成二水合草酸钴沉淀;最后加入碳酸钠溶液,与Li+形成碳酸锂沉淀;
【详解】(1)“浸出”时可采取的优化措施是搅拌(或适当升高温度、适当增大酸浓度、延长浸出时间等);若用盐酸替代和抗坏血酸,抗坏血酸体现还原性,若盐酸体现还原性,会获得氧化产物氯气,所以盐酸替代和抗坏血酸的缺点是会产生氯气,造成环境污染且可能腐蚀设备等。
(2)过氧化氢将亚铁离子氧化为铁离子,并与碳酸钠溶液反应形成黄钠铁矾沉淀:Na2Fe6(SO4)4(OH)12,同时伴随气体逸出,结合质量守恒该气体为二氧化碳,故离子方程式为:、。
(3)pH调至5.0时,pOH=9.0,,则不会造成钴元素的损失。
(4)溶液中存在酸浸时引入的硫酸根离子,沉铝、沉钴过程中引入的铵根离子,以及最后沉锂引入的钠离子,所以“沉锂”步骤完成后的滤液中主要含有的无机溶质为(NH4)2SO4或Na2SO4(或其他合理答案)。
(5)据“均摊法”,晶胞中含个黑球、8个白球,结合化学式,则白球为Li+、黑球为O2-,以顶面面心氧离子为例,O2-周围距离相等且最近的Li+在上下层各4个,共8个。
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专题02 晶体结构与性质
目 录
第一部分 知识体系·导图构型
第二部分 重难剖析·方法技巧
重点01 晶体类型的判断
重点02 晶体熔、沸点的比较
重点03 晶体化学式及粒子配位数的确定
重点04 晶胞参数的计算
第三部分 典例精析·迁移应用
第四部分 考场练兵·分层实战
夯实基础·综合应用·思维拔高
重点一 晶体类型的判断
晶体类型的判断
(1)依据组成晶体的微观粒子和粒子间的作用判断
①分子间通过 分子间作用力形成的晶体属于分子晶体;
②由原子通过共价键形成的晶体属于共价晶体;
③由阴、阳离子通过离子键形成的晶体属于离子晶体;
④由金属阳离子和自由电子通过金属键形成的晶体属于金属晶体。
(2)依据物质的分类判断
①活泼金属的氧化物(如Na2O、MgO等)、强碱[如KOH、Ba(OH)2等]和绝大多数的盐类是离子晶体。
②大多数非金属单质(除金刚石、石墨、晶体硼、晶体硅等外)、气态氢化物、非金属氧化物 (除SiO2)外)、酸、绝大多数有机物(除有机盐外)是分子晶体。
③常见的共价晶体单质有金刚石、晶体硼、晶体硅等;常见的共价晶体化合物有碳化硅、SiO2等。
④金属单质(除汞外)与合金均属于金属晶体。
(3)依据晶体的熔点判断
①离子晶体的熔点较高,常在数百至几千摄氏度;共价晶体的熔点高,常在一千至几千摄氏度;
②分子晶体的熔点较低,常在数百摄氏度以下至很低温度;
③金属晶体多数熔点高,但也有熔点相当低的。
(4)依据导电性判断
①离子晶体在水溶液中和熔融状态下都导电;
②共价晶体一般为非导体,但晶体硅能导电;
③分子晶体为非导体,而分子晶体中的电解质(主要是酸和非金属氢化物)溶于水,使分子内的化学键断裂形成自由离子,也能导电;
④金属晶体是电的良导体。
(5)依据硬度和机械性能判断
①离子晶体硬度较大或略硬而脆;
②共价晶体硬度大;
③分子晶体硬度小且较脆;
④金属晶体多数硬度大,但也有硬度较小的,且具有延展性。
重点二 晶体熔、沸点的比较
1.根据物质的聚集状态
常温常压下,一般情况下,熔、沸点:固体>液体>气体。
2.根据晶体的类型
一般来说,熔、沸点:共价晶体>离子晶体>分子晶体。金属晶体的熔、沸点比较特殊,有的很高,如钨、铂等;有的很低,如铯等。
3.同种类型晶体熔、沸点的比较规律
(1)共价晶体
比较共价晶体熔、沸点高低的关键是比较共价键的强弱。对于结构相似的共价晶体来说,成键原子半径越小,键长越短,键能越大,共价键越牢固,晶体的熔、沸点越高。如:金刚石>碳化硅>晶体硅。
(2)离子晶体
离子晶体熔、沸点的高低取决于晶格能大小。一般来说,离子所带电荷数越多,阴、阳离子核间距越小,晶格能越大,则离子键越牢固,晶体的熔、沸点一般越高。如熔:MgO>MgCl2,NaCl>CsCl。
(3)分子晶体
a.具有氢键的分子晶体熔、沸点反常高。例:H2O>H2S。
b.组成和结构相似的分子晶体,相对分子质量越大,熔、沸点越高。例:SnH4>GeH4>SiH4>CH4。
c.组成和结构不相似的分子晶体(相对分子质量接近),分子的极性越大,熔、沸点越高。例:CO>N2。
d.同分异构体支链越多,熔、沸点越低。例:正戊烷>异戊烷>新戊烷。
(4)金属晶体
金属晶体熔、沸点的高低取决于金属键的强弱。一般金属原子的价电子数越多,原子半径越小,金属阳离子与自由电子之间的静电作用越强,金属键越强,熔、沸点越高。如熔、沸点:Na<Mg<Al。
重点三 晶体化学式及粒子配位数的确定
1.晶体化学式的确定
晶胞中微粒数的计算方法——均摊法
(1)原则
晶胞任意位置上的一个原子如果是被n个晶胞所共有,那么,每个晶胞对这个原子分得的份额就是。
(2)正方体(长方体)晶胞中不同位置的粒子数的计算
①处于顶点上的粒子,同时为8个晶胞所共有,每个粒子有属于该晶胞
②处于棱边上的粒子,同时为4个晶胞所共有,每个粒子有属于该晶胞
③处于晶面上的粒子,同时为2个晶胞所共有,每个粒子有属于该晶胞
④处于晶胞内部的粒子,则完全属于该晶胞
(3)正三棱柱结构中不同位置的粒子数的计算
(4)六棱柱结构中不同位置的粒子数的计算
(5)平面型——石墨
对于非平行六面体形晶胞中微粒数目的计算同样可用“均摊法”,其关键仍是确定1个微粒为几个晶胞所共有,例如,石墨晶胞(如图1)中每一层内碳原子排成六边形,其顶点(1个碳原子)对六边形的贡献为,那么1个六边形实际有6×个碳原子。
找晶胞中的微粒数时,要找到这个晶胞中处于不同位置(顶定、棱上、面上、体内)的粒子数,然后确定这些不同位置的粒子(以该粒子为中心)确定周围有多少个晶胞来分摊它,从而确定这些不同位置上的粒子所需要乘的分摊系数,最后把这些乘了分摊系数的不同位置的粒子数加起来。
2.晶胞中粒子配位数的计算
一个粒子周围最邻近的粒子的数目称为配位数,它反映了晶体中粒子排列的紧密程度。
(1)晶体中原子(或分子)的配位数:若晶体中的微粒为同种原子或同种分子,则某原子(或分子)的配位数指的是该原子(或分子)最接近且等距离的原子(或分子)的数目。常见晶胞的配位数如下:
简单立方:配位数为6
面心立方:配位数为12
体心立方:配位数为8
(2)离子晶体的配位数:指一个离子周围最接近且等距离的异种电性离子的数目。
以NaCl晶体为例
①找一个与其离子连接情况最清晰的离子,如图中心的灰球(Cl-)。
②数一下与该离子周围距离最近的异种电性离子数,如图标数字的面心白球(Na+)。确定Cl-的配位数为6,同样方法可确定Na+的配位数也为6.
重点四 晶胞参数的计算
1.晶体的相关计算
(1)利用如下等式进行相关数据计算(以立方晶胞为例):a3ρNA=nM(a:棱长,ρ:密度;NA:阿伏加德罗常数的值,n:1 mol晶胞所含基本粒子或特定组合的物质的量,M:组成物质的摩尔质量)。注:若是长方体,V晶胞=abc,若是六棱柱,V晶胞=S底×h。
(2)晶胞长度的计算
金属晶体中体心立方堆积、面心立方堆积中的几组计算公式(设棱长为a)
①面对角线长=a。
②体对角线长=a。
③体心立方堆积4r=a(r为原子半径)。
④面心立方堆积4r=a(r为原子半径)。
金刚石晶胞的关系
晶胞参数(边长)为a,原子球半径为r,则有8r=a。(体对角线上五球相切,其中有两个假想球)
2.晶胞投影图
(1)简单立方模型投影图
x、y平面上的投影图:
(2)体心立方模型投影图
x、y平面上的投影图:
(3)面心立方模型投影图
x、y平面上的投影图:
(4)金刚石晶胞模型投影图
x、y平面上的投影图:
(5)沿体对角线投影(以体心立方和面心立方为例)
①体心立方堆积
②面心立方最密堆积
3.晶胞原子分数坐标的确定
原子分数坐标的确定方法
(1)依据已知原子的分数坐标确定坐标系取向。
(2)一般以坐标轴所在正方体的棱长为1个单位。
(3)从原子所在位置分别向x、y、z轴作垂线,所得坐标轴上的截距即为该原子的分数坐标。
常见的晶体模型粒子坐标如下表所示。
晶体模型
粒子坐标
简单立方晶胞结构模型
若1(0,0,0),2(0,1,0),则确定3(1,1,0),7(1,1,1)
体心晶胞结构模型
若1(0,0,0),3(1,1,0),5(0,0,1),则确定6(0,1,1),7(1,1,1),9 ()
面心立方晶胞结构
若1(0,0,0),3(),2(),则确定5(),7 ()
若a(0,0,0),1(),则确定2(),3(),4 ()
4.晶体空间利用率的计算
空间利用率是指构成晶体的原子、离子或分子在整个晶体空间中所占有的体积百分比。其具体的计算公式为:空间利用率=×100%。其中需要掌握以下几种典型的金属晶体的空间利用率。
(1)简单立方堆积(如图)
设原子半径为r,由于原子在晶胞棱的方向上相切,可以计算出晶胞参数:a=b=c=2r,α=β=γ=90°。每个晶胞中包含1个原子。
η=×100%=×100%≈52.36%。
(2)体心立方堆积(如图)
设原子半径为r,由于原子在晶胞体对角线方向上相切,可以计算出晶胞参数:a=b=c=r,α=β=γ=90°。每个晶胞中包含2个原子。
η=×100%=×100%≈68.02%。
(3)面心立方最密堆积(如图)
设原子半径为r,由于原子在晶胞面对角线方向上相切,可以计算出晶胞参数:a=b=c=2r,α=β=γ=90°。每个晶胞中包含4个原子。
η=×100%=×100%≈74.05%。
常见晶体类型及其结构
【典例1】(25-26高二上·黑龙江哈尔滨·期末)下列物质在固态时,所属晶体类型的分类正确的是
选项
金属晶体
共价晶体
分子晶体
离子晶体
A.
钢
石墨
干冰
重铬酸钾
B.
钙
金刚石
乙醇
氯化铝
C.
铅
晶体硼
硝酸铵
硫氰化铁
D.
锂
石英
硫酸
氢氧化钡
A.A B.B C.C D.D
【总结归纳】晶体类别的判断方法
(1)依据构成晶体的微粒和微粒间作用力判断
由阴、阳离子形成离子键构成的晶体为离子晶体;由原子形成的共价键构成的晶体为原子晶体;由分子依靠分子间作用力形成的晶体为分子晶体;由金属阳离子、自由电子以金属键形成的晶体为金属晶体
(2)依据物质的分类判断
①活泼金属氧化物和过氧化物(如K2O、Na2O2等),强碱(如NaOH、KOH等),绝大多数的盐是离子晶体
②部分非金属单质、所有非金属氢化物、部分非金属氧化物、几乎所有的酸、绝大多数有机物的晶体是分子晶体
③常见的单质类原子晶体有金刚石、晶体硅、晶体硼等,常见的化合物类原子晶体有SiC、SiO2、AlN、BP、CaAs等
④金属单质、合金是金属晶体
(3)依据晶体的熔点判断
不同类型晶体熔点大小的一般规律:原子晶体>离子晶体>分子晶体。金属晶体的熔点差别很大,如钨、铂等熔点很高,铯等熔点很低
(4)依据导电性判断
①离子晶体溶于水及熔融状态时均能导电
②原子晶体一般为非导体
③分子晶体为非导体,但分子晶体中的电解质(主要是酸和强极性非金属氢化物)溶于水时,分子内的化学键断裂形成自由移动的离子,也能导电
④金属晶体是电的良导体
(5)依据硬度和机械性能判断
一般情况下,硬度:原子晶体>离子晶体>分子晶体。金属晶体多数硬度大,但也有较小的,且具有延展性
【迁移应用1】(25-26高二下·福建泉州·月考)的立方晶胞结构如图所示,已知晶胞参数为a pm,下列说法正确的是
A.该晶体属于共价晶体
B.该晶体存在共价键、离子键和配位键
C.另一种晶胞表示:处于晶胞顶点位置,则处于面心
D.与之间最短的距离为a pm
【迁移应用2】(25-26高二上·河北石家庄·期末)锌与硫所形成化合物晶体的晶胞如图所示。下列判断不正确的是
A.氧化锌的熔点高于硫化锌
B.该晶胞中Zn2+和S2-数目相等
C.晶胞中Zn2+周围距离相等且最近的S2-共有4个
D.该晶体属于分子晶体
晶体熔、沸点的比较
【典例2】(25-26高二上·吉林长春·期末)下列有关性质的比较,正确的是
①硬度:BaO>CaO>MgO;②沸点:HCl>HF;③离子键强度:NaCl>MgO;④分子或离子中键角:H2O<H3O+,;⑤熔点:NaF>MgF2>AlF3;⑥沸点:H2O>HF>NH3;⑦熔点:金刚石>生铁>纯铁>钠;⑧熔点:二氧化硅>NaCl>I2>冰
A.①②⑥⑧ B.①④⑥⑧ C.④⑤⑥ D.④⑥⑧
【迁移应用1】(25-26高二下·福建泉州·月考)下列关于物质熔、沸点的比较正确的是
A.Na、Mg、Al的熔点依次降低
B.晶体硅、SiC、金刚石的沸点依次升高
C.MgO、NaCl、KCl的熔点依次升高
D.NH3、PH3、AsH3的沸点依次降低
【迁移应用2】(25-26高二上·河北石家庄·期末)下列关于物质熔、沸点的比较正确的是
A.CCl4、MgCl2、SiC的熔点依次升高
B.Rb、K、Na、Li的沸点依次降低
C.NaCl、KCl、CsCl的熔点依次升高
D.HF、HCl、HBr的沸点依次降低
晶体化学式及粒子配位数的确定
【典例1】(25-26高二下·黑龙江哈尔滨·月考)钛酸钴是一种重要的无机材料,在环境治理、能源转化等领域展现出广阔的应用潜力,其晶胞结构如图所示,该立方晶胞的参数为a pm。下列说法错误的是
A.元素O位于元素周期表P区
B.在晶胞中,若Ti处于各顶点位置,则O处于棱心位置
C.晶胞中O与O的最短距离为
D.该晶体的化学式为
【迁移应用1】(2027·全国·一模)的化合物种类繁多,在人类的生产、生活中有着广泛的应用,实验测得一种与形成的化合物沸点为,晶胞结构如图所示(黑球代表铜,晶胞的密度为,设为阿伏加德罗常数的值),下列说法不正确的是
A.晶体的化学式为
B.晶体中与最近且距离相等的有6个
C.与之间的最短距离为
D.该化合物为离子晶体
【迁移应用2】(25-26高二下·河南驻马店·月考)由V、Sb、Cs组成的一种超导体材料的晶胞结构如图1,其中Sb位于晶胞内和棱上,晶胞高度处水平截面如图2。设为阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是
A.该晶体的化学式为 B.该晶体的密度为
C.每个V原子与4个Sb原子紧邻 D.该晶体具有良好的延展性和导电性
晶胞参数的计算
【典例1】(25-26高二上·吉林长春·期末)半导体材料硒化锌的立方晶胞如图所示。测得晶胞中,面心上硒与顶点硒之间距离为a nm,代表阿伏加德罗常数的值。以晶胞参数为单位长度建立坐标系,在晶胞坐标系中,A点硒原子坐标为,B点锌原子坐标为。下列说法错误的是(Zn的相对原子质量取65,Se的相对原子质量取79)
A.该半导体材料中锌原子与硒原子个数比为1:1
B.晶胞中与Se等距离且距离最近的Se原子有12个
C.硒化锌晶体密度为
D.C的原子坐标参数为
【迁移应用1】(25-26高二上·辽宁沈阳·期末)砷化镓是一种立方晶系如图甲所示,将Mn掺杂到晶体中得到稀磁半导体材料如图乙所示,砷化镓的晶体密度为。下列说法错误的是
A.甲图中距离Ga原子最近的As原子个数是4
B.掺入Mn的晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为5:26:32
C.沿体对角线ab方向投影图如丙,若c在11处,则As的位置为7、9、11、13
D.该晶体中距离最近的两个镓原子之间的距离为
【迁移应用2】(25-26高二下·湖北黄石·月考)、和三种元素组成化合物的晶胞如图所示(晶胞参数),该晶体可视为金刚石晶体中的原子被、和取代后形成。设为阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是
A.位于元素周期表的区
B.最近的两个原子间的距离为
C.晶体中与Si距离最近且相等P的数目为7
D.晶体的密度为
夯实基础
1.(25-26高二下·福建泉州·月考)有关晶体的结构如图所示,下列说法错误的是
A.在晶体中,距某个最近的围成正八面体
B.CaF2晶体中,Ca2+的配位数为4
C.干冰晶胞中每个CO2分子周围有12个紧邻的CO2分子
D.碘晶体中,存在非极性共价键和范德华力,I2晶胞中分子存在两种不同空间取向
2.(25-26高二下·黑龙江哈尔滨·月考)MgO晶体的晶胞结构如下图,密度为ρ g∙cm-3,设NA为阿伏加德罗常数的值,下列说法中错误的是
A.晶体中与O2-最近且等距的Mg2+有6个 B.晶胞的边长为×1010pm
C.若a为晶胞顶点,则c位于棱心 D.MgO与NaCl晶体的晶胞类型不同
3.(25-26高二下·黑龙江哈尔滨·月考)下列物质的熔点高低顺序正确的是
A.金刚石>晶体硅>碳化硅 B.
C. D.
4.(25-26高二上·浙江温州·期末)硼、铝、镓等第ⅢA族元素及其化合物在生产生活中具有广泛的应用。请回答:
(1)基态铝原子价层电子排布式为______。
(2)是合成聚丙烯的一种催化剂,可通过反应制备。
①KF的晶体类型为______;
②的空间构型为______;
③键角比较:______(填“>”或“<”);
④已知熔点,从结构角度解释原因______。
5.(25-26高二下·甘肃酒泉·月考)有下列几种晶体:
A.无色水晶 B.冰 C.白磷 D.金刚石 E.晶体氢 F.干冰。
(1)属于分子晶体的是_______(填字母,下同)。
(2)属于共价晶体的化合物是_______。
(3)受热熔化时化学键不发生变化的晶体是_______,受热熔化时需克服共价键的晶体是_______。
(4)晶体中存在氢键的是_______。
(5)金刚砂(SiC)的摩氏硬度为9.5,其晶胞结构如图所示。
①该晶体中C原子的杂化类型为_______。该晶体的类型为_______(填“分子”或“共价”)晶体。
②在SiC中,每个C原子周围最近的C原子数目为_______;若晶胞的边长为a pm,阿伏加德罗常数的值为,则金刚砂的密度表达式为_______。
6.(25-26高二下·浙江·月考)金属钛被誉为“二十一世纪金属”,有“生物金属、海洋金属、太空金属”的美称,具有广泛的应用前景。回答下列问题:
(1)基态Ti原子的价层电子排布式为________,Ti在元素周期表中位于______区
(2)磷酸钛铝锂可用作锂离子电池的正极材料,的空间结构是_________,中心原子P采取______杂化。
(3)某含钛物质的晶胞如图所示,该物质的化学式为______;该晶体中每个周围与它最近且相等距离的的数目是__________。
(4)Ti的四卤化物的熔点如下表所示。熔点高于其他三种卤化物,则可能是__________晶体(填“离子”或“分子”);、、的熔点依次升高的原因是__________。
化合物
熔点/℃
377
-24.12
38.3
155
(5)Ti能够形成化学式为的配合物。该配合物中四种元素的电负性由大到小的顺序为__________;在1 mol该配合物中加入足量溶液,可以得到__________mol AgCl沉淀;若要确定该物质是晶体还是非晶体,最科学的方法是对它进行__________实验。
7.(25-26高二下·湖南长沙·月考)由K、I、O三种元素组成的某种晶体是一种性能良好的非线性光学材料,其立方晶胞结构如图所示,规定A 处原子坐标为(0,0,0)。下列说法正确的是
A.B 处原子坐标为
B.与K距离最近且相等的O的个数为6
C.该晶胞中 K 与O间的最短距离为
D.该晶体的密度为
8.(25-26高二上·重庆·期末)立方氮化硼是一种用于航空航天的热绝缘体纳米材料,与金刚石结构相似,其晶胞结构如图,晶胞棱长为anm。下列说法错误的是
A.立方氮化硼具有熔点高、硬度大的特点
B.该晶胞中B和N的配位数均为4
C.B和N的最近距离为anm
D.固体储氢材料氮硼烷(NH3BH3)中,B原子的杂化轨道类型为sp2
9.(25-26高二下·福建泉州·月考)金刚石的晶胞如图1所示,图1中原子坐标参数A为,B为,C为,晶胞参数为a pm。在立方晶胞中,与晶胞体对角线垂直的面,在晶体学中称为晶面,如图2所示。下列说法错误的是
A.金刚石晶体中碳原子数与碳碳键数之比为1:2
B.图1中原子坐标参数D为
C.图1晶胞中两个碳原子之间的最短距离为cm
D.图2晶胞中可以称为晶面的面共有8个
综合运用
10.(25-26高二下·湖北武汉·月考)我国科研团队,利用人工智能筛选出的充电补锂试剂,能使失活的电池再生、延长寿命,且保持电池原结构。某镍钴锰酸锂正极材料在补充(打针)前后晶胞变化如图所示,转化为气体离去。打针前晶胞参数分别为、、(如图所示,),R的相对原子质量用代替,设为阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是
A.打针前,晶胞密度为
B.注入过程中,过渡金属R(R代表、和)的化合价不变
C.打针后,晶胞的化学式为
D.打针后,在阳极失去电子
11.(25-26高二下·湖南长沙·月考)I.过渡金属元素及其化合物在生产、生活和科研中应用广泛。回答下列问题:
(1)Cr元素在元素周期表中的位置是___________;下列状态的 Ni中,电离最外层一个电子所需能量最大的是___________(填标号)。
A. B. C. D.
(2)的H-N-H键角___________(填“>”、“=”或“<”) NH3的H-N-H,原因是___________。
(3)某物质的晶胞投影如下图,其化学式为___________。
(4)一种水性电解液 离子选择双隔膜电池如图所示。电池放电时, 电极反应式为___________。
Ⅱ.将3.4g的X 完全燃烧生成1.8g 的 H2O 和4.48L(标准状况)的 CO2。X 的核磁共振氢谱有4个峰且面积之比为3:2:2:1,X分子中只含一个苯环且苯环上只有一个取代基,其质谱图、核磁共振氢谱与红外光谱如图。
(5)X的分子式为___________,结构简式为___________。
12.(25-26高二上·湖南长沙·期末)铈的某种氧化物是汽车尾气净化催化剂的关键成分,其晶体结构如图1所示,下列说法错误的是
A.该晶胞中的配位数为8
B.该氧化物中铈元素的化合价为
C.若沿z轴向xy平面投影,则其投影图如图2所示
D.若晶胞中甲原子的分数坐标为,则乙原子的分数坐标为
13.(25-26高二上·辽宁葫芦岛·期末)砷(As)和镍(Ni)形成某种晶体的晶胞结构如下图所示,距离As最近的Ni构成正三棱柱,为阿伏加德罗常数的值。下列说法不正确的是
A.该晶体的化学式为NiAs
B.晶体中Ni的配位数为6
C.(ⅰ)和(ⅱ)两个Ni之间的距离为
D.晶胞密度为
14.(25-26高二下·陕西榆林·开学考试)立方氮化硼晶体被认为是已知的最硬的物质。立方氮化硼晶胞如图所示,其晶体结构与金刚石相似。回答下列问题:
(1)下列关于B、N的说法正确的是___________(填字母)。
A.均位于元素周期表的p区 B.最高能级电子云的形状相同
C.两者未成对电子数相等 D.最高价氧化物对应水化物均为强酸
(2)立方氮化硼属于___________(填晶体类型)晶体。晶胞中硼、氮原子个数比为___________,的键角为___________,B周围距离最近且相等的N原子有___________个。
(3)以晶胞参数为单位长度建立坐标系,可以表示晶胞中各原子的位置,称为原子坐标。已知a点硼原子坐标为,c点硼原子坐标为,则b点氮原子坐标为___________。设晶胞参数为1,则a、b之间的距离为___________。
(4)已知:立方氮化硼晶体的摩尔质量为,晶体的晶胞边长为b nm,为阿伏加德罗常数的值,则该晶体的密度为___________(用含a、b的代数式表示)。
15.(25-26高二上·吉林·期末)硒化锌(ZnSe)是一种重要的半导体材料,其晶胞结构如图甲所示,乙图为该晶胞沿z轴在xy平面的投影,已知晶胞面心上硒与顶点硒之间距离为a nm,为阿伏加德罗常数的值,以晶胞参数为单位长度建立坐标系。下列说法错误的是
A.Se与Zn原子之间的最近距离为
B.周围最近的的个数为12
C.A点原子分数坐标为,则B点原子分数坐标为
D.硒化锌晶体密度为
16.(25-26高二上·辽宁沈阳·期末)请回答下列问题。
(1)在[Ni(NH3)6]2+中Ni2+与NH3之间形成的化学键称为_______,提供孤电子对的成键原子是________(填元素符号)。配体的空间构型是_______。
(2)Li2O为离子晶体,具有反萤石结构,晶胞如下图所示。则O2- 配位数为:_______,若晶胞参数为b nm,阿伏加德罗常数的值为NA,则Li2O的密度为_______g·cm-3,O2-和Li+的最短距离等于_______nm (用含b的代数式表示)。
(3)一种铜金合金晶体具有面心立方最密堆积结构,在晶胞中Cu原子处于面心,Au原子处于晶胞顶点,该晶体中与每个金原子等距离且最近的铜原子有_______个。该晶体具有储氢功能,氢原子可进入到由Cu原子与Au原子构成的四面体空隙中。该晶体储氢后的化学式应为_______。
17.(25-26高三下·河北邯郸·月考)二氧化铈()是一种应用广泛的功能催化剂材料。的立方晶胞中掺杂,占据原来的位置,可以得到更稳定的结构(如图)。下列叙述错误的是
已知:晶胞的边长为a pm,的空缺率。
A.晶胞中的配位数为8
B.晶体的密度为
C.晶胞的俯视图为
D.掺杂后,的空缺率为20%,则
18.(2026·湖南长沙·一模)某超导半导体材料的立方晶胞结构如图所示。
已知该晶胞中与之间的最短距离为,为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是
A.该晶胞的化学式为 B.2号原子的分数坐标为
C.距离B最近的B的个数是4 D.该晶胞的密度为
19.(25-26高三下·河南郑州·月考)(铁氰化钾)可用于检验,产生特征蓝色沉淀(滕氏蓝),滕氏蓝可作蓝色颜料。滕氏蓝晶体的晶胞结构如图(正方体结构,省略了),晶胞边长为d nm,P原子坐标为。已知:的摩尔质量为。下列说法错误的是
A.中,配体为CN-
B.Q处坐标为
C.和的最近距离为0.25d nm
D.滕氏蓝晶体的密度为
20.(2026·陕西商洛·模拟预测)是一种新型轻质储氢材料,其晶胞的结构如图所示,下列有关说法中错误的是
A.晶体中的配位数为12
B.与之间的最短距离为
C.晶胞中含有4个
D.晶体的密度为(为阿伏加德罗常数的值)
思维拔高
21.(2026·湖南怀化·一模)锆的某种氧化物是重要的催化与能源材料,其晶胞结构如图1所示,该立方晶胞的参数为a pm,阿伏加德罗常数的值为。在高温或氧分压较低时,图1中的部分被还原为,同时产生氧空位以维持电中性,在这个过程中得到的某一产物的晶胞结构如图2所示。下列说法错误的是
A.图1晶胞中两个O原子间的最短距离为
B.图1晶胞中每个Zr原子的配位数为8
C.图2晶胞中与的个数比为
D.图1晶体的密度为
22.(2026·江西九江·一模)晶体具有六方型结构,原子填在由原子围成的四面体空隙中,其晶胞结构如图所示。该六方晶胞参数为,;已知1、2号原子的分数坐标分别为、。下列说法正确的是
A.晶体中键的键长为
B.3号原子分数坐标为
C.C原子周围等距且最近的C原子个数为6
D.该晶胞含有2个SiC分子
23.(25-26高三上·黑龙江哈尔滨·期末)硫化汞的立方晶系型晶胞如图所示,晶胞参数为,P原子的分数坐标为,阿伏加德罗常数的值用表示。下列说法正确的是
A.S原子的配位数是12 B.M原子的分数坐标为
C.晶体密度 D.S与之间的最短距离为
24.(2026·黑龙江辽宁·二模)NaCl晶体在高压下与Na或反应可以形成不同组成不同结构的晶体,如图是其中部分晶体结构,是阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是
A.结构①对应晶体的化学式为
B.结构①中Cl的配位数为4
C.只有③是NaCl晶体在高压下与Na反应形成的晶体
D.若②中晶胞参数分别为a pm,a pm,c pm,则其晶胞密度可表示为
25.(2026·山东临沂·一模)赤血盐和黄血盐是铁的重要配合物。
(1)K位于元素周期表______区;基态与基态未成对电子数之比为______。
(2)制备黄血盐的反应原理为。
①的空间构型为______。
②中含键的物质的量为______。
(3)赤血盐和黄血盐可分别作为检验和的试剂,均生成蓝色沉淀。研究蓝色沉淀发现,其晶体中阴离子的结构相同,最小的单元结构如图所示。
已知:该立方体的中心可以容纳阳离子;的半径与相近。
①若晶胞参数为,则该晶体密度______。
②阴离子中氮原子与配位,则每个与______个碳原子配位,距离最近的有______个。
③在空间的排布方式与下列哪种粒子相同______(填标号)。
A.晶体中的 B.金刚石晶体中的C C.晶体中的
④该蓝色沉淀可作为的解毒剂,原因是______。
26.(25-26高三上·江苏宿迁·期中)废旧钴酸锂电池经机械破碎、筛分后得到正极混合粉末(主要含LiCoO2、炭黑、Al及微量Ni、Fe等),通过如下工艺可回收其中的金属元素。
已知:①抗坏血酸(C6H8O6)具有强还原性;
②浸出液中含Ni2+、Co2+,其氢氧化物溶度积分别为、。
(1)“浸出”时可提高浸出效率的措施有(任写两种)___________:若用盐酸替代H2SO4和抗坏血酸,也可以得到含有Li+、Co2+溶液,但缺点是___________。
(2)在“除铁”步骤中,溶液中生成黄钠铁矾沉淀化学式为Na2Fe6(SO4)4(OH)12,H2O2的作用是___________;生成黄钠铁矾沉淀时有气体生成,写出生成黄钠铁矾沉淀的离子方程式___________。
(3)“沉铝”需调节溶液pH,常温下溶液中Co2+浓度为0.30mol·L-1,通过计算判断pH调至5.0时Co是否损失?___________(列出算式并给出结论)
(4)“沉锂”步骤完成后的滤液中主要含有的无机溶质为___________(写化学式)。
(5)Li2CO3受热分解可生成氧化锂(Li2O)。氧化锂晶体属于立方晶系,晶胞结构图如下图。O2-周围距离相等且最近的Li+有___________个。
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