第3章 不同聚集状态的物质与性质 真题演练-【学霸黑白题】2025-2026学年高中化学选择性必修2（鲁科版）

42=3K的个数为8x+2=3,胎的原子半径大于，结合化 学式可知，代表F原子的是Y;该晶胞中含有3个KB2BO3F2,该品 3M 胞的体积为a2cx10m,则晶胞害度p-M,dcI0g~m 2cx10-。(3)NHBF4是由N和BF:构成，NH时存在一 3M NA=- 个配位键，BF4存在一个配位键，则1 mol NH,BF4中含有2mol配 位键。(4)硅最外层有4个电子，P、As最外层有5个电子，B、Ga最 外层有3个电子，因此在Si品体中掺杂P、As可以形成多电子的n 型半导体，掺杂B、Ga可以形成缺电子的p型半导体。 第3章真题演练 黑题真题体验 题号12345678 1.C解析：由图可知，品胞中C原子的个数是6x3.N位于品胞内 部，个数为4，则晶胞化学式为C3N4。C、N均以单键连接，晶胞中不 含T键，A错误；晶胞内只存在共价键，不是混合型晶体，B错误；由 分析可知，晶胞化学式为C3N4,C正确：位于面心的C原子，与周围4 个氨原子（位于两个晶胞内）相连，其配位数为4，不存在孤电子对，D 错误。 2.D解析：电负性越大的元素吸引电子的能力越强，活泼金属的电负 性小于活泼非金属，因此，Mg的电负性小于C1,A正确：金属品体包 括金属单质及合金，单质Mg是金属晶体，B正确：由晶体结构可知， 该结构中存在层状结构，层与层之间存在范德华力，C正确；由图乙 中结构可知，每个Mg+与周围有6个C最近且距离相等，因此， Mg2+的配位数为6，D错误。 3.B解析：根据题意，导电时i+发生迁移，化合价不变，则Ti和La的 价态不变，4正确：根据“均裤法”，1个晶胞中含，8×令-1（个）， 含0：12x好=3（个），含u或山或空位共1个，若=了，则u和腔 位共2 a(a)+a(空位)=子，结合正负化合价代数和为0.(+1)× 、，+(+3)xm(La)+(+4)x1+(-2)x3=0,解得n(a)=n 9n(空位) =号，山与空位数目不相等，B错误；由立方晶胞的结构可知，与体 心最邻近的0原子数为12，即位于棱心的12个0原子，C正确；导 电时向阴极方向移动，即与电流方向相同，则空位移动方向与电 流方向相反，D正确。 4.A解析：碘晶体中，分子间是“卤键”（类似氢键），层与层间是范德 华力，与石墨不同（石墨层内只存在共价键），所以碘晶体是分子晶 体，A错误；由图可知，题目中的“卤键”类似分子间作用力，只不过强 度与氢键接近，则液态碘单质中也存在类似的分子间作用力，即“卤 键”，B正确；由图可知，每个I2分子能形成4条“卤键”，每条“卤键” 被2个碘分子共用，所以每个碘分子能形成2个“卤键”，127g碘晶 体的物质的量是0.5mol,“卤键”的个数是0.5mol×2×NA mol1=NA, C正确；碘晶体为层状结构，所给区间内4个碘原子处于面心，则每 个品胞中瑰原子的个数是8×号=4，品胞的体积是ax10”Qm, 密度是 2×254 bdxN×I0-08·cm3,D正确。 5.B解析：主体分子内羟基与磺酸基相邻较近，磺酸基中含有羟基的 结构，可以形成分子内氢键，A正确；主体与客体间通过非共价键形 选择性必修2·LK 成超分子，B错误；已知单键的键能小于双键，则S一0的键能比 S0小，C正确；N原子价电子数为5，(CH3)4N*中N有4条σ键， 失去1个电子形成阳离子，无孤电子对，采用$p杂化，(CH3)3N中N 有3条σ键及1对孤电子对，价电子对数为4，采用sp杂化，D正确。 6.B解析：由均摊法得，结构1中含有C0的数目为4+4× 8=4.5,含 1 有S的数目为1+12× 4=4,C0与S的原子个数比为9：8，因此结构 1的化学式为C0gSg,A正确；由图可知，晶胞2中S与S的最短距离 为面对角线的 ,晶胞边长为a,即S与S的最短距离为 2 2a,B错 O 误；如图：O ,以图中的Li为例，与其最近的S --F 晶胞2 共4个，C正确；如图 当2 个晶胞2放在一起时，图中截取中间的部分就是晶胞3，晶胞2和晶 胞3表示同一晶体，D正确。 7.D解析：由晶胞图可知，S02分子位于长方体的棱心和体心，1个晶 泡中含(12x}+1)个s0,分子，含有8个0原子，A错误：由图可 知晶胞中S02分子的取向不完全相同，B错误；1号和2号S原子间 的核间距离为上、下面而对角线的一半，即弓√厅8m,c错误： 以体心的S原子为例，由于a≠b≠c,每个S原子周围与其等距且紧 邻（距离最小）的S原子有4个，D正确。 8.A解析：由晶胞图可知，晶胞中Ag位于体心，B位于顶点，C、N位于 体对角线上，沿晶胞体对角线方向投影，体对角线上的原子投影到中 心（重叠），其余6个顶点原子分别投影到六元环的顶点上，其他体内 的C、N原子都投影到对应顶点原子投影与体心的连线上，则投影图 ,A错误。Ag位于体心，与周围4个N原子成键， 价电子对数为4，且与4个N原子形成正四面体，则Ag为sp3杂化： 由晶胞中成键情况知，共用顶点B原子的8个晶胞中，有4个晶胞中 存在1个C原子与该B原子成键，即B原子的价电子对数为4，为sp3 杂化，B正确。晶胞中Ag位于体心，与Ag最近且距离相等的Ag就 是该晶胞上、下、左、右、前、后6个相邻的晶胞体心中的Ag原子，为 6个，C正确。B位于顶点，其个数为8×又=1，AgCN均位于晶胞 内，个数分别为1、4、4，由晶胞密度可知晶胞参数a= 3108+1+12x4+14x4x10°pm,Ag和B的最短距离为体对角线的 Nad 一半，即2×√/×100pm,D正确。 9.（1)钠的电负性小于硅，氯化钠为离子晶体，而SiCl,为分子晶体 随着同族元素电子层数的增多，其熔点依次升高，其原因是SiC4、 GeCl4、SnCl4均形成分子晶体，分子晶体的熔点由分子间作用力决 黑白题24 定，分子间作用力越大则其熔点越高：随着其相对分子质量增大，其 分子间作用力依次增大正四面体形甲(2)1M,气。 解析：(l)Na与Si均为第3周期元素，NaCl熔点明显高于SiCL4,其 原因是钠的电负性小于硅，氯化钠为离子晶体，其熔点较高：而SiC。 为分子晶体，其熔点较低。由表中的数据可知，SiCl4、GeCl4、SnCl4熔 点变化趋势为：随着同族元素电子层数的增多，其熔点依次升高，其 原因是SiCl4、GeCl4、SnCl4均形成分子晶体，分子晶体的熔点由分子 间作用力决定，分子间作用力越大则其熔点越高：随着其相对分子质 量增大，其分子间作用力依次增大。SC4的空间结构为正四面体 形，其中Si的价电子对数为4，因此Si的轨道杂化形式为sp3。 (2)由硼镁化合物的晶体结构可知，Mg位于正六棱柱的顶点和面心， 由均摊法可以求出正六棱柱中含有12xG+2x2=3个Mg,B在正六 棱柱体内共6个，由晶胞沿c轴的投影图可知本题所给晶体结构包含 三个晶胞，则晶胞中Mg的个数为1，B的个数为2，则该物质的化学式 为MgB2;由晶胞沿c轴的投影图可知，B原子在图中两个正三角形的 中心，该点到顶点的距离是该点到对边中点距离的2倍，顶点到对边 的垂线长度为，因此B一B最近距离为？x了23 全书综合检测 题号1234567891011 答案DAAD A C CAC AD BD 1.D2.A3.A4.D5.A6.C 7.C解析：由晶体结构图可知，[C(NH2)3]+中的-NH2的H与 [B(OCH3)4]-中的0形成氢键，因此，该晶体中存在N一H…O氢 键，A正确：同周期元素电负性从左至右减小，元素电负性由小到大 的顺序：C<N<0,B正确；B、C、N、0的未成对电子数分别为1、2、3、2， 因此，基态原子未成对电子数：B<C=0<N,C错误；由[C(NH2)3]+ 为平面结构，可知N原子采取p杂化，而基态B原子采取p3杂化， D正确。 8.A解析：X、Y、Z、W为原子序数依次增大的短周期主族元素，X、Y、Z 同周期且相邻，Y2常用作保护气，结合物质E的结构：X、Y可分别形 成4个、3个共价键，W形成一价阳离子，则可推出X、Y、Z、W分别为 C、N、O、Na。根据分析，物质E的化学式为Na2[Fe(CN),NO],配体 有CN~和NO两种，A正确：同周期元素，第一电离能从左至右总体呈 增大趋势，第ⅡA族、VA族的第一电离能大于同周期相邻元素，故 第一电离能：N>O>C,B错误；非金属性：0>N,简单氢化物的稳定性： H20>NH3,C错误；基态Fe2+电子排布式为[Ar]3d,未成对电子数 为4，D错误。 9.C解析：NH4含有N一H极性共价键，NH3分子中N具有孤电子 对，与具有空轨道的H通过配位键形成NH,故NH含有配位键，A 正确：从题中结构可看出，三环氮杂冠醚中N原子与NH:中H原子 作用，故二者结合的作用力为氢键，B正确：同周期元素从左到右第 一电离能呈增大趋势，而N的2印能级为半充满稳定状态，第一电离 较相邻元素大，故第一电离能：C<0<N,C错误：根据题干信息：三环 氮杂冠醚分子中有四面体配位点的孔穴，具有大小识别功能，能按成 键方向选择合适的离子进行组装，故三环氨杂冠醚分子可用于四面 体方向成键的离子识别，D正确。 10.AD解析：由晶胞图可知，山原子位于棱心和体心，共有12×+1 =4个锂原子，As原子位于晶胞内部，共有4个As原子，Zm原子位 于顶点和面心，共有8×8+6×2=4个Z原子。由晶胞结构可 正本参考答案 知，晶胞中位于体心的i原子与位于面心的Z原子紧邻且距离相 等，则该晶体中，每个Li原子周围紧邻且距离相等的Z原子共有6 个，A正确：根据a点原子的分数坐标可推断出b点原子的分数坐 333 标为444 ,B错误：由晶胞结构可知，晶胞x轴方向的投 影图为 ,C错误：由晶胞结构可知，晶胞中 42 1 位于顶角和面心的锌原子个数为8X8+6x24,位于体内的砷原 1 子个数为4，位于棱上和体心的锂原子个数为12×4+1=4，晶胞的 质量=4×147 ,晶胞的体积=63×10-21cm3,该晶体的密度为 NA 5.88×1023 g·cm3,D正确。 w3NA 11.BD 12.(1)P原子半径大，p轨道难以有效肩并肩重叠，不能形成稳定的π 键(2)Π(3)C 13.(1)0>N>C>H(2)02>Na>A13+(3)HCI04>HN03>H2C03 (4)Na0:H{或a:n} (5)C-S-S-C1(6)H、 Li、Na位于同一主族，价电子数相同，自上而下，原子半径逐渐增 大，原子核对外层电子的吸引作用逐渐减弱，第一电离能逐渐减小 2p (7)哑铃dk[A如]3a4,24p'(8)fT四1卫c 14.(1)哑铃形（或纺锤形）(2)①23②[M(NH3)5C]C2·H20 3/1.0x102 (3)∠3>L1>∠2(4)面心(5)bc(6)412√A 解析：(1)As是33号元素，处于元素周期表第4周期VA族，价层 电子排布式为4s24p,占据的最高能级为4p能级，电子云形状为哑 铃形。(2)①[M(NH3)5(H20)]3+含有6个配位键，配体为5个 NH3、1个H20,配位键属于σ键，NH3分子中有3个σ键，H20分子 中有2个σ键，配离子共含有23个σ键，1m0l [M(NH3)s(H20)]3+含23molc键；②1molT溶于水，加人足量 AgNO3溶液可生成2 mol AgCl,说明T的外界有2个Cl,T与 [M(NH3)5(H20)]Cl中心离子的配位数相同，则T中配离子为 [M(NH3)sCl]2,T的化学式为[M(NH3)sC1]Cl2·H20。(3)1, 2,3处微粒分别为配位水、结晶水和S0,价电子对数均为4， VSEPR模型均为正四面体或四面体，但配位水中氧原子的孤电子 对数为1，结晶水中氧原子的孤电子对数为2，S0?中硫原子的孤电 子对数为0，孤电子对数越多，键角越小，则键角：∠3>∠1>∠2。 (4)由题意得，其晶胞结构中钴处于各顶角位置，钛处于体心，氧处 于面心位置。(5)镍离子形成面心立方结构，则结构为b所示，氧 离子填充在镍离子构成的八面体空隙中，结构为c所示，从该晶胞 中能分割出来的结构图有bc。(6)如图，Be2+位于晶胞内部，共4 个；立方晶胞中，面心02周围等距且最近的02共12个，三维空 间，同层4个(4个顶点)、上下层各4个(8个面心)；根据“均摊 法”，晶胞中含8xg+6x寸=4个02，晶胞质量mQ416。 2g= NA 100 8体积V=(a×107)3m3,d= 100 少8 1.0×1023 a3×10-21cm3 a NA 31.0×10 g·cm3,aF√dNA -nmo 黑白题25电 第3章 真题演练 于错题本 黑题 真题体验 限时：30min 1.**(2025·重庆，T8,3分)化合物X的晶胞4.*(2025·安徽，T12,3分)碘晶体为层状结 如图所示，下列叙述正确的是 ( 构，层间作用为范德华力，层间距为dpm。下 A.X中存在T键 图给出了碘的单层结构，层内碘分子间存在 B.X属于混合型晶体 “卤键”（强度与氢键相近）。N4为阿伏加德 C.X的化学式可表示为CN。 罗常数的值。下列说法错误的是 D.X中C原子上有1对孤电子对 2.**(2024·甘肃，T12,3分)B-MgCl2晶体 中，多个晶胞无隙并置而成的结构如图甲所 示，其中部分结构显示为图乙，下列说法错误 的是 ( O Mg A.碘晶体是混合型晶体 B.液态碘单质中也存在“卤键” C.127g碘晶体中有N、个“卤键” ● D.碘晶体的密度为 2×254 匆 abdxNx1030g·cm3 A.电负性：Mg<Cl 5.*（2025·甘肃，T9,3分)我国 B.单质Mg是金属晶体 化学家合成了一种带有空腔的杯 C.晶体中存在范德华力 状主体分子（结构式如图a),该分子和客体分 D.Mg2+的配位数为3 子(CH)4NCl可形成主客体包合物： 3.*(2024·安微，T14,3分)研究人员制备了 (CH3)4N被固定在空腔内部（结构示意图见 一种具有锂离子通道的导电氧化物 图b)。下列说法错误的是 (LiLa,TiO3),其立方晶胞和导电时Li迁移 HOS 过程如下图所示。已知该氧化物中Ti为+4 HO. HO C.Hsl OH 价，La为+3价。下列说法错误的是( C.Ha HO S OH 。Ti HO ,S0,H 00 La或Li或 C.Hs CH 空位 HO C.H.OH H;C-N+-CH OH CH, Li 口空位 SO H 立方晶胞(Li.La.TiO,)Li迁移过程示意图 图a 图b A.导电时，Ti和La的价态不变 A.主体分子存在分子内氢键 B.主客体分子之间存在共价键 B.若x=3,Li与空位的数目相等 C.磺酸基中的S一0键能比S=0小 C.与体心最邻近的0原子数为12 D.(CH3)4N*和(CH3)3N中N均采用sp D.导电时空位移动方向与电流方向相反 杂化 第3章黑白题79 6.**(2024·黑吉辽，T14,3分)某 视频讲解 8.(2025·陕晋青宁，T8,3分)一种负热膨 锂离子电池电极材料结构如图。 胀材料的立方晶胞结构如图，晶胞密度为 结构1是钴硫化物晶胞的一部分，可代表其组 dg·cm3,阿伏加德罗常数的值为N,下列 说法错误的是 成和结构；晶胞2是充电后的晶胞结构；所有 晶胞均为立方晶胞。下列说法错误的是 ( Li计 A.沿晶胞体对角线方向的投影图 ● 结构1 晶胞2 B.Ag和B均为sp3杂化 C.晶体中与Ag最近且距离相等的Ag有6个 ●Co oS o Li D.Ag和B的最短距离为5x22 ×10pm 晶胞3 9.*(2023·全国乙，T35节选)中国第一辆火 A.结构1钴硫化物的化学式为Co,Sg 星车“祝融号”成功登陆火星。探测发现火星 B.品胞2中S与S的最短距离为3。 上存在大量橄榄石矿物(Mg,Fe2xSi04)。回答 下列问题： C.晶胞2中距Li最近的S有4个 (1)已知一些物质的熔点数据如下表： D.晶胞2和晶胞3表示同一晶体 物质 NaCl SiCl GeCl4 SnCla 7.*(2025·湖北，T9,3分)S02晶胞是长方 熔点/℃800.7-68.8-51.5-34.1 体，边长a≠b≠c,如图所示。下列说法正确 Na与Si均为第3周期元素，NaCl熔点明显高 于SiCL4,原因是 的是 ( 分析同族元素的氯化物SiCl4、GeCL4、SnCl4熔 点变化趋势及其原因 00 os SiCl4的空间结构为 ,其中Si的轨道 杂化形式为 (2)一种硼镁化合物具有超导性能，晶体结构 a pm 属于六方晶系，其晶体结构、晶胞沿c轴的投 A.一个晶胞中含有4个0原子 影图如下所示，晶胞中含有 个Mgo B.晶胞中S02分子的取向相同 该物质化学式为 ,B一B最近距 C.1号和2号S原子间的核间距为 离为 是c 0 120°● ● D.每个S原子周围与其等距且紧邻的S原子 有4个 O Mg ●B 选择性必修2·LK黑白题80