内容正文:
高三一轮复习单元检测卷/化学
(十)晶体结构与性质
(考试时间75分钟,满分100分)
可能用到的相对原子质量:H1C12N14O16Mg24S32Ti48Fe56Cu64
Ga 70 Br 80
一、选择题(本题共14小题,每小题3分,共42分。在每小题给出的四个选项中,只有一项符合题目
要求)
1.下列有关晶体结构的叙述错误的是
A.金刚石的网状结构中,最小的环上有6个碳原子
B.金属晶体有导电性,但能导电的物质不一定是金属
C.在金属铜的晶体中,由于存在自由电子,因此铜能导电
D.在氯化铯晶体中,每个氯离子周围最近且距离相等的氯离子有8个
2.Zn(OH)2溶于氨水可生成可溶性配合物[Zn(NH),](OH)2。下列说法正确的是
A.根据上述信息可推导出氢氧化锌为两性氢氧化物
B.该配合物中只有离子键和配位键
C.形成该配合物的离子方程式:Zn(OH)2+4NH3一[Zn(NH3)]++2OH
D.该配合离子中由NH提供空轨道,Zn+提供电子对
3.根据表中给出的有关数据,判断下列说法错误的是
AICl
SiCL
晶体硼
金刚石
晶体硅
熔点/℃
190
-68
2573
>3500
1410
沸点/℃
180
57
2823
5100
2628
A.SiCl,是分子晶体
B.晶体硼是共价晶体
C.A1CL是分子晶体,加热能升华
D.金刚石中的C一C键的强度比晶体硅中的Si一Si键弱
4.利用超分子可分离C和C7。将C6、Co混合物加入一种空腔大小适配C0的“杯酚”中进行分离
的流程如图所示。下列说法错误的是
O OH
C10
ON OH
+5
+
⊙+
C10
HO
O
+@
HO
HO
杯酚
A.第一电离能:C<O
B.杯酚分子中存在大π键
C.杯酚与C6形成氢键
D.C6与金刚石晶体类型不同
化学第1页(共8页)
衡水金卷·先享题·高
5.反应CO+2[Cu(NH3)4]++4NH·H2O—2[Cu(NH3)4]++4NH+CO3+2H2O可用于
吸收有毒气体CO。下列说法正确的是
A.NH的电子式为HNH
H
B.[Cu(NH),]+中基态Cu+的价层电子排布式为3d
C.CO空间结构为四面体
D.键角:NH>NH
6.锂电池回收主要针对正极中的钴和镍。关于2,Co和2sNi,下列说法错误的是
A.Co和Ni都是d区的元素
B.Co2+和Ni+核外未成对电子数之比为3:2
C.[Ni(CN)4]-的空间结构是平面正方形,1mol[Ni(CN):]2-中o键数目是6NA
D.Co2(CO)g熔点为50~51℃,Co2(CO)g晶体是分子晶体
7.卤素是典型的成盐元素,易与很多金属形成盐。下列说法错误的是
A.键能:H一F>H一CI,所以沸点:HF>HCI
B.离子半径:Cl-<Br,所以熔点:NaCl>NaBr
C.电负性:F>Cl,所以酸性:CF:COOH>CCI COOH
D.相对原子质量:Br<I,所以沸点:Br2<I2
8.具有双钙钛矿型氧化物通过掺杂改性可用作固体电解质材料,其晶体的一种完整结构单元如图所
示,但真实的晶体中存在5%的0空位缺陷,下列说法错误的是
○Ni(II)
○Mn(II)
●La(Ⅲ或V)
0
A.Ni原子与Mn原子的配位数相等
B.不考虑晶体缺陷,该晶体的化学式为La2 MnNiO.
C.O空位的形成有利于O-的传导
D.考虑晶体缺陷,该晶体的十3价与十4价La原子个数比为4:1
9.FTiO,常用于制备磁芯、磁盘和传感器等,其晶胞(如图所示)为等轴晶系。已知:晶胞参数为
anm,设NA为阿伏加德罗常数的值。下列叙述正确的是
(1,1,1)
(0,0,0)●
Ti Fe O
A.Fe针和Ti+之间的距离为答anm
B.氧离子构成正四面体形
Ce的分数坐标为(日·
,1.52×1014
D.FeTiO,.晶体密度为NXag/cm
三一轮复习单元检测卷十
化学第2页(共8页)
回
10.氮化镓的一种晶体结构如图所示,设N表示阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是
ON
G
Aa,b原子坐标参数依次为0,00).(宁,子,则c原子坐标参数为(,子,是)
,133
B.氮化傢为分子晶体
C.每个N原子周围距离最近的N原子数目为4
384X10°pm
D.已知该晶体密度为dg/cm,则镓氨原子间最短距离为X√N》
11.硼可用镁热还原B2O3制备,晶体硼硬度与金刚石相近。B与Mg形成超导材料X,B层与Mg层
交替排列,结构如图所示。下列说法错误的是
oMg●B
A.晶体硼为共价晶体
B.BH离子中的H一B-H键角为109.5
C.HNBH分子中存在配位键
D.超导材料X的化学式为Mg3B,
12.一种含锡的多元金属硫化物的晶胞结构为四方晶系,已知金属原子均呈四面体配位,晶胞棱边夹
角均为90°,其结构可看作是由两个立方体A、B上下堆叠而成。甲为A的体对角线投影图,乙为
B的沿y轴方向的投影图,A中Fe、Sn位置互换即为B,立方体A、B棱长均为apm。下列说法
正确的是
os
·Cu/Fe/Si
Fe
A.该硫化物的化学式为Cuz FeSnS2
B.晶胞中Cu、Fe、Sn的配位数均为6
C.晶胞中Sn和Cu原子间的最短距离为?apm
D.晶胞中部分原子的分数坐标为S(0,0,0),下Fe(3,二,),则晶胞中Sn原子的分数坐标可以为
44’8
g
化学第3页(共8页)】
衡水金卷·先享题·高
13.硫代疏酸镁(MgS2O3·6H2O)用于棉织物漂白后的脱氯剂及印染助剂,医药上用作洗涤剂、消毒
剂及化学试剂等。硫代硫酸镁的晶胞形状为长方体,结构如图所示,其晶胞参数分别为apm、
bpm、cpm,NA表示阿伏加德罗常数的值。下列关于硫代硫酸镁的说法错误的是
●MgH2O)6]2+
0S203
A.存在配位键
B.S原子均采用sp3杂化
C.距离Mg+最近的原子数是6
D.晶胞密度为9.76×10
abeNAg·cma
14.CuBr是一种常见的有机催化剂,其晶胞结构如图所示,晶胞参数为apm。CuBr的密度为
dg/cm3,下列说法正确的是
●Cu
Br
M
A.与每个Cu原子紧邻的Cu原子有8个
B.Cu原子与Br原子的最小核间距离:apm
C.用a和d表示阿伏加德罗常数的值:5.76×10
da"
D已知M点的原子坐标为00,0,则N点的原了坐标为(子,,是)
班级
姓名
分数
题号1
234
5
6
7
8
9
1011
12
1314
答案
三一轮复习单元检测卷十
化学第4页(共8页)
回
二、非选择题(本题共4小题,共58分)
15.(14分)氧是地壳中最丰富、分布最广的元素,也是构成生物界与非生物界最重要的元素。
回答下列问题:
(1)下列能表示氧原子激发态的电子排布式有
(填选项字母,下同),其中能量
最高的是
a.1s22s22p33s
b.1s22s22p'3s'3p2
c.1s22s22p
d.1s22s22p
(2)氧化物是氧元素的一种重要存在形式。
①C、Si同主族,它们的常见氧化物CO2和SiO2的中心原子的杂化方式分别为
和
②Na2O2中存在O号,与O2相比键能较大的是
,原因为
③某B氧化物的立方晶胞结构如图所示,以A点为原点建立分数坐标,已知A点坐标为(0,0,
0).B点坐标为(,,},则C点坐标为
;该氧化物的化学式为
●Bi
○0
化学第5页(共8页)】
衡水金卷·先享题·高
16.(13分)Y、Z、W、R、M五种元素,位于元素周期表的前四周期,它们的核电荷数依次增大,相关信
息如下表所示。回答下列问题(Y、Z、W、R、M用所对应的元素符号表示):
元素
相关信息
Y
原子核外有6个不同运动状态的电子
Z
非金属元素,基态原子的s轨道的电子总数与p轨道的电子总数相同
W
主族元素,与Z原子的价电子数相同
R
价层电子排布式为3d°4s
M
位于第IB族,其被称作“电器工业的主角”
(1)Z、W元素相比,第一电离能较大的是
;M2+的核外电子排布式为
(2)已知M2W晶胞中W2-的位置如图1所示,M+位于W2-所构成的正四面体中心。W2-的配
位数为
0代表W2
图
图2
(3)WZ2的VSEPR模型名称为
;WZ的三聚体环状结构如图2所示,该结
构的一个分子中含有
个。键;写出一种与WZ互为等电子体的分子的化学
式:
(4)M的单质及其化合物在很多领域有重要的用途。其单质可用来制造电线电缆,其一种氧化
物可作为半导体材料,其硫酸盐可用作杀菌剂。
①M的某种氧化物的晶胞结构示意图如图3所示,则该晶胞中阴离子数为
0
0
.只H
0/>0
H
--O.--H
H
H-O.
Cu
O-H
H-0G
O-H
H-0
-Q-H
H-0-9u
0-H
●M
H
H-
H
0
0-H
H---0-
图3
图4
②硫酸盐结晶水合物MSO4·5H2O可写成[M(H2O):]SO,·H2O,结构示意图如图4所示。下
列说法正确的是
(填选项字母)。
A.在上述结构示意图中,所有氧原子都采用sp3杂化
B.在上述结构示意图中,存在配位键、共价键和离子键
C.该硫酸盐结晶水合物晶体属于分子晶体,分子间存在氢键
D.该硫酸盐结晶水合物中的水在不同温度下会分步失去
③往M的硫酸盐溶液中加入过量氨水,可生成[M(NH3)4]+配离子。已知NF3与NH3的空间
结构都是三角锥形,但NF3不易与M+形成配离子,其原因是
三一轮复习单元检测卷十
化学第6页(共8页)
回
17.(15分)中国科学家在国际上首次实现了CO2到淀粉的合成,不依赖植物光合作用,原料只需
CO2、H2和电,相关成果发表在《科学》上。回答下列问题:
(1)CO2的空间结构为
形,基态碳原子的价层电子排布式为
(2)淀粉遇碘变蓝。单质碘易溶于KI溶液,原因是
(用离子方程式表示)。
(3)淀粉在一定条件下可水解成葡萄糖
H-CH-CH-CH-
,葡萄糖分子中键角∠1
OHOHOHOH H
∠2(填“>”“<”或“=”)。
(4)①(CH3NH3)PbI3的晶胞结构如图所示:
a pm
Aa pm
其中B代表Pb2+,则
代表1:原子分数坐标A为(0,00),B为(号·
名).则C的原子分数坐标为
②已知(CHNH3)PbL的摩尔质量为Mg/ol,NA为阿伏加德罗常数的值,则该晶体的密度为
g/cm3;该晶胞沿体对角线方向的投影图为
(填选项字母)。
京苯中
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衡水金卷·先享题·高
18.(16分)过渡元素在材料,化工生产和生活中均占有重要地位。研究相关元素及它们所衍生出的
化合物对科学和社会发展有重要意义。回答下列问题:
(1)具有高能量密度的LiNi,(Mn,Co,AI)1-,O2是值得深入研究的电池正极材料。基态Co原子
的核外电子排布式是
(2)Mn的一种配合物化学式为[Mn(CO)5(CHCN)],CHCN为配体,其与Mn原子配位时,提
供孤电子对的是
原子;两个C原子的杂化类型为
;CHCN中o键
与π键数目之比为
(3)Zn和Cu相比较,其第二电离能与第一电离能之差较小的是
(填“Zn”或
“Cu”)。
(4)铁硫簇是普遍存在于生物体内的最古老的生命物质之一。一种铁硫原子簇的结构如图所示:
K
K
Fe
该化合物的化学式为
,中心原子Fe的配位数为
(5)氧化铈(CeO2)常用作玻璃工业添加剂,在其立方晶胞中掺杂YzO3,Y+占据原来Ce+的位
置,可以得到更稳定的结构,这种稳定的结构使得氧化铈具有许多独特的性质和应用。假设
CeO2晶胞参数为apm。晶胞结构如图所示:
Q-
Ce0,
CeOY,O
。Ce4或Y3+
●02或氧空位(无02)
CeO2晶胞中,与Ce+相邻且最近的Ce+有
个;若掺杂Y2O3后得到n(CeO2):
n(Y2O3)=0.8:0.1的晶体,则此晶体中O的空缺率为
三一轮复习单元检测卷十
化学第8页(共8页)
回高三一轮复习Y
·化学·
高三一轮复习单元检测卷/化学(十)
命题要素一贤表
注:
1.能力要求:
I.知识获取能力Ⅱ,实践操作能力Ⅲ.思维认知能力
2.学科素养:
①宏观辨识与微观探析
②变化观念与平衡思想
③证据推理与模型认知④科学探究与创新意识
⑤科学态度与社会责任
能力要求
学科素养
预估难度
题号
题型
分
知识点
值
(主题内容)
①②③④
⑤
档次系数
1
选择题
3
晶体的结构
易
0.92
2
选择题
3
配合物
易
0.89
3
选择题
3
分子晶体,共价晶体
0.86
4
选择题
3
超分子
易
0.81
电子式,价层电子排布式,空间构型,
5
选择题
中
0.77
键角比较
元素周期表,核外未成对电子数,。
6
选择题
3
中
0.75
键数目,晶体类型
典型非金属元素及其化合物结构和
选择题
3
性质分析:键能、晶体类型、电负性应
易
0.80
用、氢键
配位数,晶体的化学式,晶体中原子
P
选择题
L
中
0.69
个数比
9
选择题
3
分数坐标,离子之间距离,晶体密度
中
0.64
化学式,等距离最近原子数,坐标参
10
选择题
3
中
0.66
数,原子间的最短距离
11
选择题
晶体类型,键角,配位键,化学式
中
0.70
晶胞化学式,配位数,分数坐标,原子
12
选择题
3
难
0.59
间的最短距离
涉及晶胞密度、配位数、配位键等知
13
选择题
3
中
0.60
识点
原子紧邻的原子数判断,原子间的最
14
选择题
3
小核间距离,阿伏加德罗常数的计
难
0.56
算,原子坐标
电子排布能量大小分析、杂化方式、
15
非选择题
14
中
0.65
坐标、共价键和离子键比较分析等
元素推断,第一电离能比较,核外电
子排布式,VSEPR模型,分子中。键
16
非选择题13
数,等电子体,品胞中阴离子数,配离
务
0.64
子形成等
·47·
·化学·
参考答案及解析
空间结构,价层电子排布式,离子方
非选择题15
程式,键角比较,原子分数坐标,晶胞
17
/
/
/
中
0.65
密度计算,晶胞沿体对角线方向的投
影图等
核外电子排布式,配合物,杂化类型,
σ键与π键数目之比,电离能比较,原
18
非选择题
16
子簇的化学式,中心原子的配位数,
/
√中、难0.56
晶胞中相邻且最近的原子数,空缺
率等
香考答案及解析
一、选择题
1.D【解析】金刚石结构中,最小的环上有6个碳原
错误;NH时的价层电子对数=4十5-14X1=4,
2
子,A项正确:石墨有导电性却属于非金属,B项正
NH,的价层电子对数为3十5一3X1=4,存在的孤电
确;金属晶体是由金属阳离子和自由电子构成的,在
通电条件下,自由电子的定向移动使得金属晶体能导
子对数越多,键角越小,故键角:NH>NH,D项
电,C项正确;在氯化铯晶体结构中,每个氯离子周围
错误。
最近且距离相等的氯离子有6个,D项错误。
6.C
【解析】Co和Ni均为第I族元素,都是d区的元
2.C【解析】氢氧化锌虽然溶于氨水,但无法确定其为
素,A项正确;Co+的价电子排布式为3d,N+的价
两性氢氧化物,A项错误;NH与Zn+之间形成配位
电子排布式为3d,故Co+和N核外未成对电子
键,OH与[Zn(NH):]+之间为离子键,NH中有
数之比为3:2,B项正确;[Ni(CN):]2-中N+与4个
共价键,B项错误;NH与Zn+形成配位键,离子方
CN形成4个配位键,CN中含有1个。键,故1mol
程式为Zn(OH)2+4NH-[Zn(NH),]++
[Ni(CN)4]-中o键数目是8NA,C项错误;
2OH,C项正确;NH3中N无空轨道,提供空轨道
C02(CO)熔点为50~51℃,熔点较低,则可知
C02(CO)g晶体是分子晶体,D项正确。
的是Zn2+,D项错误。
7.A【解析】分子晶体键能与沸点无直接关系,A项错
3.D【解析】SiCL4、A1C的熔、沸点较低,都是分子晶
误;离子半径越小,离子键键能越大,所以熔点:NaCI
体,A1C1的沸点低于其熔点,故A1Cl加热能升华,
>NaBr,B项正确;电负性越大吸电子能力越强酸性
A、C项正确;晶体硼的熔、沸点较高,是共价品体,B
越强,所以酸性:CF3COOH>CCL COOH,C项正确;
项正确;C的原子半径比S的原子半径小,金刚石中
相对原子质量越小,分子间作用力越小,所以沸点:
的C一C键的键长比晶体硅中的Si一Si键的键长短,
Br2I2,D项正确。
则金刚石中的C一C键的键能比晶体硅中的Si一S
8.B【解析】Ni与Mn原子均位于顶点,且个数相同,
键的键能大,故金刚石中的C一C键的强度比品体硅
因此配位数也相同,A项正确;La个数是1,Ni与Mn
中的Si一Si键的强,D项错误。
4.C【解析】同周期元素的第一电离能随着原子序数
个数均为4×日=0.5,0的个数为6×号=3,品体
的增大而增大,第ⅡA族、第VA族反常,所以第一电
化学式为La,NiMnO:,B项错误:O空位的形成有利
离能:C<O,A项正确:杯酚分子中含有苯环结构,具
于O的传导,因为空位处动能大,离子移动快,C项
有大π键,B项正确;氢键是H与N、O、F等电负性
正确;品体化学式为La2 NiMnO,考虑缺陷则是
大的元素以共价键结合的一种特殊分子间或分子内
La2 NiMnO.?,设十3价La为x个,十4价La为y
相互作用力,所以杯酚与C形成的不是氢键,C项错
个,则x+y=2,3x+4y+5=5.7×2=11.4,解得x
误;金刚石是共价晶体,C为分子晶体,二者晶体类
=1.6,y=0.4,十3价与十4价La原子个数比为4:
型不同,D项正确。
1,D项正确。
5.B【解析】NH中N与H形成共价键,其电子式为
9.A
【解析】Fe+和T+之间的距离为体对角线的一
HNH,A项错误;3d°4s为基态Cu的价层电子排
H
半,即为。
2anm,A项正确;根据晶胞结构示意图,氧
布式,基态Cu+的价层电子排布式为3d”,B项正确:
离子构成正八面体形,B项错误;已知T+的两个坐
C0中C原子价层电子对数为3+4十2.3X2=3,
标(0,0,0)和(1,1,1),Fe+在体心位置,分数坐标为
2
故C原子为sp杂化,空间结构为平面三角形,C项
(宁,名,宁),C项结误,晶胞中e+个数为1.0个
·48·
高三一轮复习Y
·化学·
数为6X号=3,T*的个数为8×
8
=1,晶胞中含
Br,则晶胞的密度为dg/cm=
4×64+4×80
NA (ax10-10 g/cm',
一个T0,品胞的质量为
g,晶胞的体积为(a
解得NA=5,76X102
,C项错误;已知M点的原子
da
152
坐标为(0,0,0),由晶胞结构可知,N点的原子坐标
×10)cm,品体的密度为受
Ng
(aX10-7)3cm3
为(子,子)D项错误
1.52×1023
NXag/cm,D项错误。
二、非选择题
15.(14分)
10.A【解析】根据a、b原子坐标参数依次为(0,0,0)、
(1)ab(2分)b(2分)
(片子,宁),判断e原子坐标参数为(子,子,子)
(2)①sp(1分)sp2(1分)
②O2(2分)O中只存在O一O。键,O2中除了σ
A项正确;氮化镓为共价晶体,B项错误;每个N原
键外,还存在π键(2分)
子周围距离最近的N原子数目为12,C项错误;每
个品胞中含有4个GaN,则晶胞的边长为√N
/4×84
③(十,子,是)2分)B0(2分)
【解析】(1)O的原子序数为8,其基态原子电子排布
×10“pm,镓氮原子间最短距离为体对角线的子,
式为1s22s22p,1s22s22p3s为O原子的激发态
是2p能级上的1个电子跃迁到3s能级上,a项正
则?氨原子间最短距离为9×√震×10"m,
确;1s2s2p3s3p为O原子2p能级上的3个电
子跃迁到3s能级上1个和3D能级上2个,b项正
D项错误。
确;1s22s22p为基态氧原子电子排布式,c项错误;
11.D【解析】品体硼硬度与金刚石相近,金刚石是共
1s2s22p3为基态N原子的电子排布式,d项错误。
价晶体,所以晶体硼也属于共价晶体,A项正确;
同一原子,电子跃迁越多,能量越高,因此其中能量
BH离子中中心原子B的价层电子对数为4,采取
最高的是b。
sp3杂化,所以H一B一H键角为109.5°,B项正确:
(2)①CO2和SiO2的中心原子的杂化方式分别为sp
在HNBH中B原子为sp杂化,其中,1个B原子
和sp3。
与3个H原子形成3个共价键,N提供孤电子对,B
②O中只存在O一Oσ键,O2中除了。键外,还存
提供空轨道形成1个配位键,C项正确;由均摊法,
在π键,所以键能较大的是O2。
品胞中所含B原子个数为2,Mg原子个数为4X
1
③根据A点坐标为(0,0,0),B点坐标为(三,3
44”
十4×立=1,则确化铁的化学式为MB,D项
子),可推得C点坐标为(,是,是):品胞中存在4
错误。
12.D【解析】该晶胞是一个面心立方晶胞,S原子位
个Bi和6个O,所以该氧化物的化学式为BO3。
16.(13分)
于晶胞的顶点和面心,Cu、Fe、Sn分别位于体对角线
上,因此该硫化物的化学式为Cu2 FeSnS,A项错
(1)O(1分)「Ar]3d(或1s22s22p3s23p3d")
误;晶胞中Cu、Fe、Sn的配位数均为4,B项错误;晶
(1分)
胞中Sn和Cu原子间的最短距离为立方体面对角
(2)8(2分)
(3)平面三角形(2分)12(1分)BF3(1分,其他
线长的一半,为竖apm,C项错误:由品胞结构可
合理答案也给分)
(4)①4(1分)
知,晶胞中部分原子的分数坐标为S(0,0,0)、
②BD(2分)
R(受,子日,则品胞中Sn原子的分数坐标可以
③NF:中氟原子电负性大,使N原子上的孤对电子
为子,名D项正确。
离核较近,难以与Cu+形成配位键(2分,其他合理
答案也给分)
13.B【解析】Mg+与HO之间存在配位键,A项正确;
【解析】Y、Z、W、R、M依次为C、O、S、Fe、Cu。
硫代硫酸根中只有1个S原子采用sD3杂化,B项错
(1)同一主族,从上到下,第一电离能逐渐减小,O和
误;距离Mg2+最近的是6个氧原子,C项正确:晶胞密
S相比,第一电离能较大的是O:Cu+的核外电子排
度为424+18×6)+4(32X2+16X3
布式为[Ar3d或1s22s22p3s23p3d'。
abc×10"V
g·cm3=
(2)M2W为Cu2S,在CuzS晶胞中,正四面体中心共
9.76×102
有8个,每个正四面体中心均分布着一个Cu,每个
abxN
g·cm3,D项正确。
S2-周围有8个Cu,故S的配位数为8。
14,B【解析】由图可知,Cu位于晶胞的顶点和面心,
(3)WZ为SO2,中心原子S价层电子对数=2十
则与每个Cu原子紧邻的Cu原子有12个,A项错
误;Cu原子与Br原子的最小核间距离为体对角线
6-2X2=3,S原子采取sp2杂化,VSEPR模型名
2
为®
的1
apm,B项正确;该晶胞中含4个Cu,4个
称为平面三角形:单键都为。键,双键中其中一条为
。键,该结构的分子中含有12个6键;S03由4个原
·49·
·化学·
参考答案及解析
子构成,价电子总数为24,与SO互为等电子体的
对角线方向的投影,六个侧面都能显示,故选a项。
分子的化学式为BF,。
18.(16分)
(4)①晶胞中阴离子O处于晶胞8个顶点、4个侧
(1)1s22s22p3s23p3d4s2(或[Ar]3d4s)(1分)
棱棱心、上下底面面心和体心,由均摊法,数目为8
(2)N(2分)sp3、sp(2分)5:2(2分)
×号+4X号+2×2+1=4。
(3)Zn(1分)
(4)KFeS,(2分)4(2分)
②在CuSO,·5H2O结构示意图中,只有H2O中的
(5)12(2分)5%(2分)
O原子为sp3杂化,A项错误;Cu+和硫酸根之间为
【解析】(1)C0是2?号元素位于第四周期第I族,其核
离子键,HO中氢氧之间为共价键,HO中的O与
外电子排布式为1s22s22p3s23p3d4s2或[Ar]3d4s。
Cu+形成配位键,B项正确;CuSO:·5H,O晶体属
(2)CHCN与Mn原子配位时,N含有孤电子对,能
于离子晶体,C项错误;由于连接方式不同,有水是
提供孤电子对的是N原子;CHCN中甲基C原子
其中O与C+形成配位键,有水是以氢键和其他水
的杂化类型为sp,一C=N中碳原子为sp杂化;单
分子相互作用,故该CuSO:·5H2O中的水在不同
键均为。键,三键含有1个。键2个π键;CHCN
温度下会分步失去,D项正确。
中6键与π键数目之比为5:2。
③由于NF中氟原子电负性大,使N原子上的孤电
(3)基态Zn原子的价电子排布式为3d4s2,处于全
子对离核较近,难以与Cu+形成配位键,故NF?不
满状态,比较稳定,而基态Cu原子价电子排布式为
易与Cu+形成配离子。
3d°4s,易失去1个电子,形成稳定的3d°结构,故
17.(15分)
Cu的第一电离能小于Zn的:基态Zn+价层电子排
(1)直线(1分)2s2p(2分)
布式为3d°4s,易失去1个电子形成3d结构,基态
(2)I2+I一I(2分)
Cu价层电子排布式为3d“,比较稳定,故Cu的第
(3)>(2分)
二电离能比Zn的大,则第二电离能与第一电离能之
(4)①C(2分)
a,72分)
差较小的是Zn。
(4)由图可知,结构中每两个四元环构成一个重复单
②MX10(2分)a2分)
元,结构中含有两个钾离子,两个铁离子,4个硫离
aN
子,则其化学式为KFeS2;在该结构中,中心原子Fe
【解析】(1)CO2中碳原子是sp杂化,其空间结构为
附近有4个硫离子,故其配位数为4。
直线形,基态碳原子的电子排布式为1s22s22p,其
(5)与Ce+相邻且最近的Ce+位于相邻的面心,共
价层电子排布式为2s22p。
(2)单质碘易溶于KI溶液,是单质碘与碘离子反应
38=12个:由Cc0,晶胞可知,1mo1晶胞中含有
生成1,原因是12十I厂、一。
4 mol Ce+和8molO2-,掺杂YzO3后,设有xmol
(3)葡萄糖分子中∠1碳原子是sp杂化,平面三角
Ce+被Y3+取代,根据n(CeO2):n(YzO3)=0.8:
形结构,∠2碳原子是sp3杂化,四面体结构,因此键
角∠1>∠2。
0.1可得,-,=0.8n即含有32
x
(4)①B代表Pb+,A只有1个,则代表CHNH,
2
面心有3个,则C代表;原子分数坐标A为(0,0,
Ce+和0.8molY+,根据电荷守恒规则可知,
0,B为(分,合·子),则根据图中心所在面心的位
3.2mol×4+0.8mol×3=n(O-)×2,n(02-)=
11
7.6mol,晶体中0的空缺率为8mo-7,6mo×
8 mol
置,C的原子分数坐标为(1,立,交)。
100%=5%。
②已知(CHNH)PbL的摩尔质量为Mg/mol,N
为阿伏加德罗常数的值,则该晶体的密度为
M
(aX100)7g/cm3=Mx100
NA
aNAg/cm该品胞沿体
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