四川省成都市龙泉驿区东竞高级中学2024-2025学年高二下学期3月月考化学试题

第 1 页 共 8 页 ◎ 第 2 页 共 8 页 成都市龙泉驿区东竞高级中学高 2023 级 2024-2025 学年 3 月月考试题 化 学考试时间 75 分钟，满分 100 分 考生注意事项： 1.答题前，先将自己的班级、姓名、座号、准考证号填写在试卷和答题卡上。 2.选择题的作答：每小题选出答案后，用 2B 铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑。写在试卷、草稿纸 和答题卡的非答题区域均无效。 3.非选择题的作答：用黑色签字笔直接写在答题卡上的对应答题区域内。写在试卷、草稿纸和答题卡的非答 题区域均无效。 可能用到的相对原子质量：H:1 C:12 N:14 O:16 Si:28 Al:27 Ga:70 I:127 Pb:207 第 I 卷（选择题，共 48 分） 一、单选题(每小题 3 分，共 48 分) 1．六百多年前明弘治《温州府志》记载：矾，平阳赤徉山有之，素无人采，近民得其法，取石细捣提炼而成， 清者为明矾，浊者为白矾。下列关于明矾［化学式为 KAl(SO4)2∙12H2O］中所含元素的说法正确的是 A．S元素位于第三周期ⅤA族 B．基态铝离子的核外电子排布式为 1s22s22p63s13p2 C．明矾所含的元素中，电负性最小的是 K元素 D．基态氧原子的第一电离能小于基态硫原子的第一电离能 2．下列化学用语表述正确的是 A．基态 N原子 2py电子云轮廓图： B．BF3的空间构型：平面三角形 C．HCl 的电子式： D．基态 Cu 原子的电子排布式：[Ar]3d94s2 3．下列说法错误的是 A．晶体的自范性是晶体中粒子在微观空间呈现周期性的有序排列的宏观表象 B．X 射线衍射实验是区分晶体和非晶体最可靠的方法 C．等离子体是一种特殊的液体，由带电的阳离子、电子及电中性粒子的组成 D．液晶既有液体的流动性，又具有类似晶体的各向异性 4．下列说法错误的是 A．壁虎在天花板上爬行自如是因为壁虎的脚的细毛与墙体之间有范德华力 B．HF、HCl、HBr、HI 的热稳定性和还原性依次减弱 C．汽油不易溶于水是因为水分子的极性和汽油分子的极性不同 D．配制碘水时，为了增大碘的溶解性，常加入 KI溶液 5．H+可与水形成 H3O+，关于 H3O+与 H2O，下列说法错误的是 A．H3O+与 H2O 中 O 原子均为 sp3杂化 B．H3O+和 H2O 中存在 s-sp3σ键 C．H3O+空间结构为三角锥形，H2O 为 V 形 D． H3O+和 H2O 分子中均存在配位键 6．下列曲线表示的变化趋势错误的是 A． B． C． D． 7．下列分子空间结构和其 VSEPR模型均一致的是 A． 、 、 B． 、 、 C． 、 、 D． 、 、 8．下列说法说法正确的是 A．σ键是原子轨道“头碰头”重叠，π键是原子轨道“肩并肩”重叠 B．共价三键中有 2个 σ键和 1个 π键 C．所有共价键都有方向性 D． 分子中 σ键与 π键个数比为 3∶1 9．下列关于物质性质的说法，不正确的是 A．I2晶体升华时破坏了分子内共价键 B．丙氨酸(CH3CH(NH2)COOH)分子是手性分子 C．HF、HCl、HBr、HI 的稳定性依次减弱 D．酸性：CF3COOH>CCl3COOH>CH3COOH 10．短周期的五种主族元素在元素周期表中的位置如下图所示，下列说法中正确的 ① ② ③ ④ ⑤ A．第一电离能：③＞②＞① B．简单离子半径：②＞③＞⑤ C．电负性：④＞③＞⑤ D．氧化物的对应水化物的酸性：⑤＞②＞① 3NH 4CH 3SO HCHO HCN 2CO 3BF 2H O 3PCl 3PCl 2CO 4CCl 2025年 3月 第 3 页 共 8 页 ◎ 第 4 页 共 8 页 11．氯化亚砜 ( )是醇氯化反应中的一种常用良好试剂，反应原理如下： ，下列说法错误的是 A． 中的碳原子均采用 杂化 B．HCl 和 均为极性分子，均易溶于水 C． 分子的空间结构名称为平面三角形 D．沸点由高到低的顺序为： 12．下列有关物质的化学用语表述正确的是 A． 的共价键类型： 键 B．水合钠离子的示意图： C． 的 VSEPR模型： D．固体 的电子式： 13． 表示阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．18g冰(图甲)中含 键数目为 2 B．28g 晶体硅(图乙)中含有 键数目为 C．干冰(图丙)的晶胞中含有 4个 分子 D．石墨烯(图丁)是碳原子单层片状新材料，12g 石墨烯中含 键数目为 1.5 14．观察下列模型，判断下列说法错误的是 金刚石 碳化硅 二氧化硅 石墨烯 C60 A．物质的量相同的金刚石和碳化硅，共价键个数之比为 1∶1 B．SiO2晶体中 Si 和 Si-O键个数比为 1∶4 C．石墨烯中碳原子和六元环个数比为 2∶1 D．C60晶体堆积属于分子密堆积 15．下图中 I、Ⅱ为 ，Ⅲ为 晶胞。下列叙述错误的是 A．用 X 射线衍射仪区别 I 和Ⅱ B．I 中每个环由 6个 O 和 6个 Si 原子构成 C．碳化硅晶体熔化时需破坏范德华力 D．碳化硅晶体中与碳原子紧邻等距的硅原子数目为 4 16．钙钛矿类杂化材料(CH3NH3)PbI3 在太阳能电池领域具有重要的应用价值，其晶胞结构如图 1 所示，B 代表 Pb2＋，A 的原子分数坐标为(0，0，0)，B 的为( )。设 NA为阿伏加德罗常数的值，下列说法中不正确 的是 A．N、I、Pb 均属于 p 区元素 B．C 的原子分数坐标为(1， ) C．若沿 z轴向 xy 平面投影，则其投影图如图 2 所示 D．该晶体的密度为 g·cm-3 2SOCl 3 2 2CH CH OH SOCl+ ® 3 2 2CH CH Cl HCl SO­ + ­ + ­ 3 2CH CH OH 3sp 2SO 2SOCl 3 2 3 2CH CH OH CH CH Cl HCl> > HBr s p s- 3ClO - 2SiO AN O H- AN Si Si- AN 2CO C C- AN 2SiO SiC 1 1 1 2 2 2 ㄑㄑ 1 1 2 2 ㄑ 30 3 A 6.2 10 a N ´ 第 5 页 共 8 页 ◎ 第 6 页 共 8 页 第 II 卷（非选择题，共 52 分） 17．回答下列问题。 (1)基态 N 原子的电子排布式为 。基态 P 原子中，电子占据的最高能级原子轨道形状为 。 (2)H2O 中心原子杂化轨道类型为 ，说明 H2O沸点高于 H2S 的原因 。 (3)基态 Ca 原子价层电子由 4s2状态变化为 4s14p1状态所得原子光谱为 (填“发射”或“吸收”)光谱。 (4)乙二胺(H2NCH2CH2NH2)易溶于水，可用于制造燃料、药物等。乙二胺易溶于水的原因是 ， 其分子中采取 sp3杂化的原子是 (填元素符号)。 (5)H3PO4分子中含有 δ键的数目为 ，其晶体中含有的作用力为 (填标号)。 a．氢键 b．离子键 c．极性键 d．范德华力 18．X、Y、Z、W、Q 为前四周期元素，原子序数依次增大。X 元素核外 L层只有一个空轨道；Y 元素的 L层有 三个未成对电子；Z 的单质是常温下为黄色固体，难溶于水，易溶于 CS2；W 元素是构成牙齿和骨骼的主要 金属元素；Q 元素 M层全满且 N层只有 1个电子。 (1)写出基态 W 原子的核外电子排布式 。 (2)Q 元素在周期表中的位置 。 (3)Y、Z、W 的简单离子半径由大到小的顺序为 (填离子符号)。 (4)X、Y、W 三种元素的电负性由大到小顺序是 (写元素符号)。 (5)图为 Z 单质分子的结构，其中 Z 原子的杂化方式为 。 ①其单质难溶于水，易溶于 CS2的原因为 。 ②其熔沸点要比 SO2的熔沸点高很多，主要原因为 。 (6)WX2俗称电石，与水反应可以生成强碱以及一直线形有机物，写出该反应的化学方程式 。 19．氮及其化合物与人类生产、生活息息相关。回答下列问题： (1)固氮酶有铁蛋白和钒铁蛋白两种，它们不仅能够催化 N2还原成 NH3，还能将环境底物乙炔催化还原成乙烯。 ①23 号元素 V 在元素周期表中的位置为 。 ②C、N、O 三种元素第一电离能从大到小的顺序是 。 ③下列说法正确的有 。 A．C2H2、C2H4都是非极性分子 B．碳负离子 CH 呈三角锥形 C．NO+电子式为 D．NH3沸点比 N2高，主要是因为前者是极性分子 (2)烟酰胺是一种含氮有机物，结构简式如图所示，烟酰胺分子中氮原子的杂化轨道类型有 ， 1mol该分子中含 δ键的数目为 。 (3)卤化物 AlCl3、AlBr3、AlI3的熔点由高到低的顺序为 。 (4)化合物 AlN 是人工合成的半导体材料，它的晶胞结构与金刚石(晶胞结构如图所示)相似。 ①若 AlN 的晶胞边长为 a pm，则晶体的密度为 。(用 NA表示阿伏加德罗常数 AlN 的相对 分子质量为 41)。 ②立方 AlN 和 BN结构相似，则 BN与 AlN熔点更高的是 。 3 - 3g/cm 第 7 页 共 8 页 ◎ 第 8 页 共 8 页 20．镓(Ga)是重要的半导体材料，氮化镓、砷化镓和氧化镓分别是第二代、第三代、第四代半导体材料的代表 材料。金属镓在自然界中通常以微量分散于铝土矿、闪锌矿等矿石中，提取非常困难。从闪锌矿渣中提取镓 是种常见的方法，具体工艺流程如下： 已知：①金属镓在化学性质上非常接近金属铝，其单质、氧化物和氢氧化物均有两性； ②闪锌矿渣通常含有 Pb2+、Zn2+、Fe2+，硅酸盐等杂质； ③25℃时， 。 回答下列问题： (1)为了提高镓的浸取率，可以采取的措施为 (填写一种)。 (2)滤渣Ⅰ中主要含有 (填写化学式)。 (3)向滤液中加入氧化锌的作用是 。 (4)工业上通常向 Na[Ga(OH)4]溶液中通入过量．．CO2，产生大量白色沉淀，过滤后加热固体能得到高纯 Ga2O3， 写出加入过量 CO2后的化学方程式： 。 (5)在工业上，通常用高纯镓作阴极，石墨作阳极，Na[Ga(OH)4]溶液作为电解质溶液，通过电解制备高纯 Ga， 写出阴极电极反应式： 。 氮化镓是目前应用最广泛的半导体材料之一，目前广泛应用于相控阵雷达、快速充电器等行业。氮化 镓有不同的晶型，其中六方氮化镓和立方氮化镓之间可以相互转化。 (6)写出基态氮原子的价电子轨道式 。 (7)六方氮化镓晶体硬度极高，熔点为 1700℃，其高温熔融物不导电。六方氮化镓属于 晶体。 (8)写出立方氮化镓的化学式 。 (9)若立方氮化镓的边长为 anm，则其密度为 g/cm3(列出计算式)。 ( ) 8sp 4K PbSO 1.6 10-= ´