选择题部分 特色小卷11 物质结构与化学键(新增题型)-【精彩三年】2024高考化学汇编与名师优创特色32卷教师用书word(新教材)

2024-04-17
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特色小卷11 物质结构与化学键(新增题型) [时间:40分钟]                    下列说法正确的是(  ) A.原子的第一电离能越大,则该元素的非金属性越强 B.基态硫原子的核外电子排布式写成1s22s22p63s23p23d2违背了泡利原理 C.同一原子中,1s、2s、3s能级上的电子能量逐渐减小 D.随着核电荷数递增,电子并不总是填满一个能层后再开始填入下一个能层的 下列说法正确的是(  ) A.H2O2和Na2O2均有极性键和非极性键 B.Cu在元素周期表中属于d区 C.氢键(Y—H…X)中三原子在一条直线上时,作用力最强 D.SO3的VSEPR模型为正四面体形 下列说法不正确的是(  ) A.化学键可存在于相邻的原子之间,也可存在于相邻的分子之间 B.第ⅠA族与第ⅦA族元素彼此可形成离子化合物,也可形成共价化合物 C.共价键可存在于共价化合物中,也可存在于单质分子中 D.离子化合物中可能有极性共价键,也可能有非极性共价键 随着科学技术的发展,人们可以利用很多先进的方法和手段来测定有机物的组成和结构。下列说法不正确的是(  ) A.利用原子光谱上的特征谱线来鉴定元素,称为光谱分析 B.红外光谱可以测定未知物中所含各种化学键和官能团,以此判断物质的结构 C.质谱仪是通过分析最小的碎片离子测出分子的相对分子质量 D.用X射线衍射摄取石英玻璃和水晶的粉末得到的图谱是不同的 下列有关物质的结构与性质说法错误的是(  ) A.石墨晶体中,层内导电性强于层间导电性 B.工业盐酸中,因含有[FeCl4]-而呈亮黄色 C.氟的电负性大于氯,所以三氟乙酸的pKa比三氯乙酸大 D.干冰中CO2的配位数大于冰中水分子的配位数,这与水分子间形成氢键有关 下列说法正确的是(  ) A.中心原子是sp杂化的,其分子的空间结构一定是直线形 B.在已知元素中,基态原子的4s能级中只有1个电子且位于d区的元素只有1种 C.氯化钠晶体中,每个Na+周围距离最近且相等的Na+共有6个 D.加热氯化铵和加热碘单质克服的作用力均为分子间作用力 下列对有关事实的解释正确的是(  ) 选项 事实 解释 A. 甲烷与氯气在光照下反应生成的气体能使湿润的蓝色石蕊试纸变红 生成的氯甲烷具有酸性 B. CH4与NH3分子的空间结构不同 二者中心原子杂化轨道类型不同 学科网(北京)股份有限公司 C. HF的热稳定性比HCl强 H—F比H—Cl的键能大 D. SiO2的熔点比干冰高 SiO2分子间的范德华力大 冠醚是由多个二元醇分子之间脱水形成的环状化合物。18­冠­6可用作相转移催化剂,其与K+形成的螯合离子结构如图所示。下列说法错误的是(  ) A.该螯合离子中碳与氧原子具有相同的杂化类型 B.该螯合离子中所有非氢原子可以位于同一平面 C.该螯合离子中极性键与非极性键的个数比为7∶1 D.与二甲醚(CH3OCH3)相比,该螯合离子中“C—O—C”键角更大 (CH3)3SiCl可作为下列有机合成反应的催化剂。下列说法正确的是(  ) A.CH3CN中σ键与π键的个数相等 B.甲分子中采取sp2杂化的碳原子有6个 C.有机物乙的沸点低于对羟基苯甲醛()的沸点 D.常温下,(CH3)3SiCl中Si—Cl比(CH3)3SiI中Si—I易断裂 Fe、HCN与K2CO3在一定条件下发生如下反应:Fe+6HCN+2K2CO3===K4[Fe(CN)6]+H2↑+2CO2↑+2H2O。下列说法错误的是(  ) A.此化学方程式中涉及的第二周期元素的电负性由大到小的顺序为O>N>C B.配合物K4[Fe(CN)6]的中心离子的价层电子轨道表示式为,该中心离子的配位数是6 C.1 mol HCN分子中含有2 mol σ键,其碳原子轨道杂化类型是sp杂化 D.K2CO3中阴离子的空间结构为三角锥形,其中碳原子的价层电子对数为4 配位化合物广泛地应用于物质分离、定量测定、医药、催化等方面。利用氧化法可制备某些配位化合物。如2CoCl2+2NH4Cl+8NH3+H2O2===2[Co(NH3)5Cl]Cl2+2H2O,下列说法正确的是(  ) A.该配位化合物的配位数为5 B.提供孤电子对的成键原子只有N C.[Co(NH3)5Cl]Cl2中只存在配位键和共价键 D.氧化剂H2O2是极性分子 下列有关说法不正确的是(  ) 学科网(北京)股份有限公司 A.水合铜离子的模型如图甲,水合铜离子中只存在极性共价键、配位键 B.CaF2晶体的晶胞如图乙,与F-距离最近的Ca2+组成正四面体 C.二氧化硅晶体如图丙,每个硅原子拥有四个Si—O D.丁为K的某种氧化物晶胞,其中黑球为K+,由图可知该晶体化学式为KO2 半导体材料GaN、G

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