项目6 探秘麒麟990 5G芯片-走向真实情境的项目化学习(化学实验)

2022-04-12
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山东科学技术出版社有限公司
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资源信息

学段 高中
学科 化学
教材版本 -
年级 高三
章节 -
类型 题集
知识点 离子反应的应用
使用场景 高考复习
学年 2022-2023
地区(省份) 全国
地区(市) -
地区(区县) -
文件格式 ZIP
文件大小 3.07 MB
发布时间 2022-04-12
更新时间 2023-04-09
作者 山东科学技术出版社有限公司
品牌系列 -
审核时间 2022-04-12
下载链接 https://m.zxxk.com/soft/33158192.html
价格 7.00储值(1储值=1元)
来源 学科网

内容正文:

参 考 答 案 463 22.4 V ×10−3×126 a ×l00% 4.(1)A (2)25 (3)未出现紫红色 (4)热水 (5)C (6)① 碱式滴定管 ② 98.5% 5. (l) CH−COOH O=C−COOH 取代反应 (2)B (3)4 H3C OOCH 、 H3C COOH 、 H3C OOCH 、 H3C COOH (任写一种) (4) HO OH O O + O H2N NH2 HCl O O O HN NH + 2H2O (5) CH2OH COOH COOC2H5CHO CH2OH COOH COOC2H5CHO CuO 2C2H5OH 浓H2SO4 O2 项目6 【学习理解】 1. A 2.(1)3SiCl4 + 2N2 + 6H2 Si3N4 + 12HCl (2)① 除去原料气中的氧气 除去生成的水蒸气 ② 该反应是放热反应,防止局部过热,导致硅熔化成团,阻碍与N2的接触 将 体系中的氧气转化为水蒸气,而易被除去(或将整个体系中空气排尽) ③ 硝酸 Chemical 化 学 走向真实情境的项目化学习 464 (3)① SiHCl3 + 3H2O H2SiO3↓+ 3HCl + H2↑ ② 5∶1 【应用实践】 3.(1)> (2)b (3)改进催化剂,提高反应物压强(或浓度) (4)0.03 mol·L−1·min−1 【迁移创新】 4.(1)-88 (2)① 0.188 ② 170 ℃ 408.3 ③ 升高温度,化学反应速率加快;温度过 高,反应平衡逆向移动,催化剂活性降低 (3)① AuCl2H + C2H2 AuCl + C2H3Cl ② HCl占据催化剂表面活性位点 5.(1)升温、及时移去产物 (2)① 80 45 ② 2.5 (3)①159.2 ② ab ③ 当p(CO2)<15 kPa,随着CO2压强增大,反应物浓度 增大,反应速率加快,反应向右进行;当 p(CO2)>15 kPa,过多的CO2造成催化剂 表面乙苯的吸附下降 项目7 【学习理解】 1.(1)Cr2O7 2− + 6Fe2+ + 14H+ 2Cr3+ + 6Fe3+ + 7H2O (2)Fe(OH)3、Fe(OH)2 (3)13.9 2.(1)使测定值与水体中溶氧量实际值保持一致,避免产生误差 (2)2Mn(OH)2 + O2 2MnO(OH)2 (3)量筒 氧气 (4)当最后一滴标准液滴入时,溶液由蓝色变为无色,且半分钟内无变 化 80ab (5)低 化 走向真实情境的项目化学习 Chemical 硅锭 硅片 切成 经20~30道 割片 工艺步骤 封装 切成芯片 回g回 硅片 回回回 测试 成品测试 形成带芯片 回日0 提供 的硅片 0回 给客户 图6-3-8芯片制造工艺流程图 项目梳理 工程思维 反应条件 热力学动力学 成本低廉 实际流程 流程设计 分离与提纯 根据物理和化学性质 选择合适的分离手段 科学思维 物质转化 “价一类”二维 绿色化学 项目检测 【学习理解】 1.科学家发现对治金硅进行电解精炼提纯可降低高纯硅制备成本。相关 电解槽装置如图所示,用Cū-Si合金作硅源,在950℃条件下利用三层液熔盐 进行电解精炼,下列有关说法正确的是( 164 探秘麒麟9905G芯片 顶自⑥ e Si 液态铝 液态电解质 Si 液态Cu-Si合金 c A.电子由液态Cu-Si合金流出,流入液态铝电极 B.液态铝电极与正极相连,作为电解池的阳极 C.在该液相熔体中Cu优先于Si被氧化,S艹优先于Cu+被还原 D.三层液熔盐的作用是使电子能够在三层间自由流动 2.硅是带来人类文明的重要元素之一,从传统材料到信息材料的发展过 程中,创造了一个又一个奇迹。 (1)新型陶瓷Si,N的熔点高、硬度大、化学性质稳定。工业上可以采 用化学气相沉积法,在H,的保护下,使SiC14与N2反应生成SiN4沉积在石墨表 面,写出该反应的化学方程式: (2)一种工业用原料硅中含少量钾、钠、铁、铜的氧化物,用其合成氮 化硅的主要工艺流程如图所示。已知硅的熔点是1420℃,且高温下氧气及 水蒸气能明显腐蚀氮化硅。试完成下列问题。 硅块→粉碎 H2- 无水氯化钙 铜屑 硅胶 氮化炉 接真空 N2 装置 600℃ 1200~1400℃ 蒸馏水 稀酸X 18~36h 氮化硅 后处理 水洗 酸洗 165 xa”学走向真实情境的项目化学习 ①净化N_2和H时,铜屑的作用是_,硅胶 的作用是__________。 ②在氮化炉中发生反应3SiO_2(s)+2N_2(g)—SiN_4(s)+30_2(g) ΔH=-727.5kJ·mol,开始时,严格控制氮气的流速以控制温度的原因是 _________;体系中要通 _。 ③

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