内容正文:
第三章 晶体结构与性质B练——综合提优
第四节 离子晶体
(建议时间:35分钟)
1.下列叙述不正确的是
A.活泼金属与活泼非金属化合时,能形成离子键
B.离子化合物中只含离子键
C.离子所带电荷的符号和数目与原子成键时得失电子有关
D.阳离子半径比相应的原子半径小,而阴离子半径比相应的原子半径大
2.晶胞模型如图所示,在胞中,下列说法错误的是
A.该晶胞中阳离子半径与阴离子半径之比小于1
B.平均每个晶胞中含有4个和4个
C.晶胞中每个周围与它距离最近且相等的共有12个
D.每个周围同时吸引6个,每个周围同时吸引着8个
3.下列关于氯化铯晶体的叙述不正确的是
A.l氯化铯中有个分子
B.氯化铯晶体中,每个周围与它最近且等距离的有6个
C.氯化铯晶体的硬度较大是由于和存在着较强的离子键
D.每个晶胞中平均含有1个和1个
4.下列的排序不正确的是
A.晶体熔点由低到高:CF4 < CCl4 < CBr4 < CI4
B.沸点由高到低:Na>Mg>Al
C.硬度由大到小:金刚石 > SiC >晶体硅
D.晶格能由大到小: MgF2> NaCl > NaBr
5.下列叙述错误的是
A.因为H-O键的键能小于H-F键的键能,所以O2、F2与H2的反应能力逐渐增强
B.由于ZnS的晶格能大于PbS的晶格能,所以ZnS的熔点高于PbS, 故而岩浆冷却时ZnS先析出
C.金属晶体中,六方最密堆积的空间利用率大于面心立方最密堆积
D.[Cr(H2O)4Br2]Br·2H2O 中心离子的化合价为+3,配位数为6
6.钡在氧气中燃烧时得到一种钡的氧化物晶体,结构如图所示,晶胞参数a=b=c,α=β=γ,下列有关说法正确的是
A.该晶体属于离子晶体,晶体的化学式为BaO
B.该晶体中化学键类型只有离子键
C.该晶体晶胞结构与ZnS相似
D.填入Ba2+堆积产生的八面体空隙,填隙率100%
7.钴的一种化合物的晶胞结构如图所示,已知A点的原子坐标参数为(0,0,0),B点为(,0,),下列说法中错误的是
A.配合物中Co2+价电子排布式为3d7
B.距离Co2+最近且等距的O2-的数目为6
C.C点的原子坐标参数为(,,)
D.该物质的化学式为TiCoO2
8.卤化钠(NaX)和四卤化钛(TiX4)的熔点如图所示。下列判断不正确的是
A.NaX均为离子化合物
B.NaX随 X-半径增大,离子键减弱
C.固态TiCl4为分子晶体
D.TiF4的熔点反常升高是由于氢键的作用
9.常见的铜的硫化物有CuS和Cu2S两种。已知:晶胞中S2-的位置如图1所示,铜离子位于硫离子所构成的四面体中心,它们的晶胞具有相同的侧视图如图2所示。Cu2S的晶胞参数apm,阿伏加德罗常数的值为NA。
下列说法正确的是
A.S2-是面心立方最密堆积
B.Cu2S晶胞中,Cu+填充了晶胞中一半四面体空隙
C.CuS晶胞中,S2-配位数为8
D.Cu2S晶胞的密度为
10.某钙钛矿型氧化物的晶体如图所示,其中A为镧系金属离子,B为过渡金属离子,O为氧离子。下列说法不正确的是
A.A和O联合组成面心立方最密堆积
B.B离子占据八面体空隙,占据率25%
C.A离子的配位数是12
D.O2-离子的分数坐标: (1/2,0,0), (0,1/2,0), (0,0,1/2)
11.高温下,超氧化钾晶体()呈立方体结构。如图为超氧化钾晶体的一个晶胞(晶体中最小的重复单元)。则下列有关说法不正确的是
A.超氧化钾的化学式为,每个晶胞含有4个和4个
B.中存在离子键和共价键
C.晶体中,原子间以共价键相结合
D.晶体中与每个距离最近的有8个
12.半导体材料砷化硼(BAs)的晶胞结构如下图所示,可看作是金刚石晶胞内部的C原子被As原子代替、顶点和面心的C原子被B原子代替。下列说法正确的是
A.基态As原子的核外电子排布式为[Ar]4s24p3
B.砷化硼(BAs)晶体属于分子晶体
C.1molBAs晶体中含有4molB-As键
D.与同一个B原子相连的As原子构成的立体构型为正四面体形
13.已知某离子晶体的晶胞结构如图所示,其摩尔质量为Mg/mol,阿伏加德罗常数的值为NA,晶体的密度为dg/cm3。则下列说法正确的是
A.晶胞中阴、阳离子的个数都为4
B.该晶体中两个距离最近的同种离子的核间距为cm
C.阴、阳离子的配位数都是4
D.该晶胞可能是NaCl晶体的晶胞
14.(1)Li2O是离子晶体,其晶格能可通过图甲的Born-Haber循环计算得到。
①由图甲可知,Li原子的第一电离能为______kJ/mol,O=O键键能为______kJ/mol,Li2O晶格能为______kJ/mol。
②Li2O具有反萤石结构,晶胞如图乙所示。已知晶胞参数为0.4665nm