2027届高三化学一轮复习选择题专题训练晶体的结构及性质

2027届高三化学一轮复习选择题专题训练 晶体的结构及性质 一、高考真题 1．（2026·黑吉辽蒙卷·高考真题）金属钒（立方晶胞，Ⅰ）和硅粉高温熔炼可制取传统超导材料（立方晶胞，Ⅱ）。已知此体系中紧邻钒原子间的距离变短可增强超导性能。下列说法错误的是 A． B．与紧邻的有12个 C．晶胞II中的价层电子总数为19 D．的超导性质优于金属钒 2．（2025·黑吉辽蒙卷·高考真题）晶体因x变化形成空位而导致颜色各异，当时，其立方晶胞结构如图。设为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．与W最近且等距的O有6个 B．x增大时，W的平均价态升高 C．密度为时， D．空位数不同，吸收的可见光波长不同 3．（2024·辽宁·高考真题）某锂离子电池电极材料结构如图。结构1是钴硫化物晶胞的一部分，可代表其组成和结构；晶胞2是充电后的晶胞结构；所有晶胞均为立方晶胞。下列说法错误的是 A．结构1钴硫化物的化学式为 B．晶胞2中S与S的最短距离为 C．晶胞2中距最近的S有4个 D．晶胞2和晶胞3表示同一晶体 4．（2023·辽宁·高考真题）晶体结构的缺陷美与对称美同样受关注。某富锂超离子导体的晶胞是立方体(图1)，进行镁离子取代及卤素共掺杂后，可获得高性能固体电解质材料(图2)。下列说法错误的是    A．图1晶体密度为g∙cm-3 B．图1中O原子的配位数为6 C．图2表示的化学式为 D．取代产生的空位有利于传导 二、变式训练 5．（2026·辽宁鞍山·模拟预测）KIO3晶体是一种性能良好的非线性光学材料，具有钙钛矿型的立体结构，边长为a nm，晶胞中K、I、O分别处于顶点、体心、面心位置(如图所示)。下列有关说法错误的是 A．K与O间的最短距离为 B．与K距离最近且相等的O的个数为6 C．若晶胞密度为ρg/cm3，则阿伏加德罗常数的值可表示为 D．在KIO3晶胞结构的另一种表示中，I处于各顶角位置，则K处于体心位置，O处于棱心位置 6．（2026·辽宁朝阳·一模）氧化铈()可作脱硝催化剂，其立方晶胞结构如图所示(晶胞参数为a nm)。催化脱硝时，能在和之间改变氧化状态，并引起氧空位的形成，得到新的铈氧化物(假设形成新铈氧化物的过程中，晶胞结构不发生变化；设为阿伏加德罗常数的值)。 已知：的空穴率。 下列说法错误的是 A．晶体中与最近且等距的有12个 B．若新的铈氧化物化学式为，则其晶体中和的个数比为 C．晶体的密度为 D．若新晶体的化学式为，则新晶体中的空穴率为25% 7．（2026·辽宁大连·二模）金属卤化物发光材料在电子显示、照明和生物荧光探针等领域得到广泛应用，其中一种的立方晶胞结构如图1所示，晶体密度为；当部分被取代后可获得高性能激光材料，其基本结构单元如图2所示。设为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．图1中该晶体的化学式为KCaCl3 B．中 C．若图1晶胞中以作为晶胞的顶点，则位于晶胞的体心 D．图1中最近的两个间的距离为 8．（2026·辽宁·模拟预测）材料在新能源电池领域中具有重要的应用价值，其一种立方晶胞结构如图-1所示(其中○代表)。下列说法错误的是 A．为离子化合物 B．位于由形成的正八面体空隙中 C．中碳为-2价 D．图-2为晶胞沿体对角线方向的投影图 9．（2026·辽宁沈阳·模拟预测）普鲁士蓝{}的晶胞结构如图1所示(的位置未标出)，晶胞中铁氰骨架构成小正方体，在小正方体的棱上(在图中省略)，两端分别与和形成配位键，该晶胞沿轴方向的投影如图2所示，下列说法错误的是 A．该晶胞中由构成的四面体空隙的填充率为 B．该晶胞中、的杂化方式相同 C．与之间的最短距离为 D．的摩尔质量为，则晶体密度为 10．（2026·辽宁朝阳·模拟预测）物质X常用于新型锂电池，其晶胞结构如下图。已知阿伏加德罗常数的值为，立方晶胞棱长为a pm。下列说法错误的是 A．距离O最近且等距的Li的数目为8 B．两个Li的最短距离为 C．四面体空隙由O形成，填充率为100% D．晶体密度为 11．（2026·辽宁·模拟预测）(M1=241)晶体的晶胞如图所示(阳离子略去)，围成正四面体空隙和正八面体空隙，中有一半的填充在正四面体空隙中，和另一半填充在正八面体空隙中，晶胞参数为a pm，阿伏加德罗常数为。下列说法正确的是 A．晶体中正四面体空隙数与正八面体空隙数之比为1∶2 B．正四面体空隙的填充率为25% C．周围紧邻的数目为6个 D．晶体密度为 12．（2026·辽宁辽阳·模拟预测）钒的化合物广泛应用于工业催化、新材料和新能源等领域。一种钒的硫化物的晶体结构(图1)及其俯视图(图2)如图所示，设阿伏加德罗常数的值为，下列说法错误的是 A．该化合物的化学式为VS B．可通过X射线衍射实验确定该固体硫化物是否为晶体 C．该钒的硫化物晶体中，与每个V原子最近且等距的S原子个数是6 D．该晶体的密度为 13．（2026·辽宁沈阳·模拟预测）SrCl2广泛应用于制造烟火，一种SrCl2晶体的晶胞结构如图所示，A点的分数坐标为(0，0，1)，晶胞参数为a nm。下列叙述不正确的是 A．Cl⁻处于由Sr2+离子构成的正四面体中心 B．Sr2+的配位数为8 C．该晶胞的密度为 D．B点的分数坐标为 14．（2026·辽宁锦州·二模）新型半导体芯片材料由层与层交替堆叠而形成，磷掺杂后产生氧空位，获得了更高性能，其晶体结构如图所示。下列说法正确的是 A．该晶体层间靠范德华力维系 B．掺杂前该晶胞沿轴方向在平面的投影为 C．掺杂前晶体中，与最近且等距的为3个 D．磷掺杂后，化学式可表示为，则 15．（2026·辽宁大连·模拟预测）金刚石立方晶胞如图1所示，其中原子坐标参数A为(0，0，0)，B为，C为，晶胞棱长为。在立方晶胞中，与晶胞体对角线垂直的面，晶体学中称为晶面，如图2所示。下列说法正确的是 A．金刚石晶胞中可称为(1，1，1)晶面的面共有8个 B．金刚石晶胞中D原子坐标参数为 C．金刚石晶体中碳原子数与碳碳键数之比为1：4 D．金刚石晶胞中两个碳原子之间的最短距离为 16．（2026·辽宁朝阳·三模）气态 AlCl3通常以二聚体Al2Cl6的形式存在，其空间结构如图a．AlF3的熔点为1090℃，其晶胞结构如图b，属于立方晶胞，晶胞参数为a pm。下列说法错误的是 A．AlCl3的熔点低于AlF3 B．Al2Cl6分子中有配位键 C．AlF3中F-的配位数为2 D．AlF3晶体的密度可表示为： 17．（2026·辽宁·三模）ZnS立方晶胞结构如下图。ZnS晶体中掺入少量CuCl后会出现能量不同的“正电”区域和“负电”区域，光照下发出特定波长的光，可作特殊光学材料。下列说法错误的是 A．掺入CuCl前，Zn2+填入S2-围成的正四面体空隙，填隙率为50% B．区域A掺入的离子为Cl-，区域B为“负电”区域 C．掺入CuCl比例不同，光照下发光颜色不同 D．若另选ZnS立方晶胞，使晶胞体心有S2-，则该晶胞中其他S2-位于顶角 18．（2026·辽宁丹东·一模）某氧化物立方晶胞结构如图2所示，已知该晶体晶胞体心存在空位时可导电，图3阴影表示晶胞的体对角面，晶胞参数为a pm，设阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．阴影截面单位面积的O原子数为个 B．与O最近且等距的Ti有2个 C．若该晶体密度为，则 D．若使该晶体导电，则 19．（2026·辽宁·二模）某锂离子电池电极材料充电后的晶胞结构(立方晶胞)如图所示。晶胞参数为a pm，A点的坐标为，B点的坐标为。原子坐标的取值区间为，若取值为1，相当于平移到另一个晶胞，与取值为0毫无差别。阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．晶胞中之间的最短距离为 B．C点的坐标为 C．晶体的密度为 D．该晶胞有12种原子坐标，故晶胞中有12个微粒 20．（2026·辽宁大连·一模）掺杂Ln3+获得的一种发光材料，其结构如图所示。下列说法错误的是 A．x：y：z=1：1：3 B．Ⅰ晶体中只含有离子键 C．Ⅰ中K+与Mg2+的配位数相同 D．Ⅱ中K+的空缺率为12.5%( K+的空缺率) 21．（2026·辽宁沈阳·二模）KxMgyFz晶体掺杂Ln3+获得一种发光材料过程如图，利用KHF2热解来制备KxMgyFz可防止晶体内部因OH-引入而发光淬灭，K+空缺率=，下列说法错误的是 A． B．图1中K+与Mg2+的配位数相同 C．图2中K+的空缺率为12.5% D．KHF2热解产生HF利于材料发光 22．（2026·辽宁鞍山·二模）是一种高活性的人工固氮产物，其合成反应为：，其四方晶胞如图所示。设阿伏加德罗常数的值为，下列说法不正确的是 A．合成反应中，还原剂是LiH和C B．晶胞中含有的个数为4 C．每个周围与它最近且距离相等的有8个 D．该晶体的密度为 23．（2026·辽宁抚顺·一模）砷化镓是一种新型半导体材料，应用广泛。图甲为它的立方晶胞结构，图乙为该晶胞沿轴的投影图。该晶胞的边长为，在三维坐标系中a、b两点的原子坐标分别为、。下列说法错误的是 A．As和Ga原子间的最近距离为 B．c点的原子坐标为 C．1个Ga与12个Ga等距离且最近 D．该晶体的密度为 24．（2026·黑龙江辽宁·二模）NaCl晶体在高压下与Na或反应可以形成不同组成不同结构的晶体，如图是其中部分晶体结构，是阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．结构①对应晶体的化学式为 B．结构①中Cl的配位数为4 C．只有③是NaCl晶体在高压下与Na反应形成的晶体 D．若②中晶胞参数分别为a pm，a pm，c pm，则其晶胞密度可表示为 25．（2026·辽宁抚顺·模拟预测）一种钴的氧化物的立方晶胞结构如图所示。设为阿伏加德罗常数的值，晶体的密度为。下列说法错误的是 A．晶体的化学式为 B．间最近距离为 C．晶胞中的配位数为6 D．基态的价层电子中有2个未成对电子 26．（2026·辽宁抚顺·模拟预测）晶体甲(立方晶胞，边长为)中掺入少量后，会出现能量不同的“正电”区域、“负电”区域。 设为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．晶体甲化学式为与最近且等距的有6个 B．晶体甲的密度为 C．硫化氢不能与乙醇形成分子间氢键 D．区域丙“”中的离子为且区域丙为“负电”区域 27．（2026·辽宁辽阳·一模）的晶胞形状为立方体，边长为a nm，结构如图所示。已知：的摩尔质量为M g/mol，阿伏加德罗常数的值为。下列说法不正确的是 A．图中黑球表示 B．该晶体的密度为 C．黑球的配位数为8 D．两个白球的最近距离为 28．（2026·辽宁抚顺·模拟预测）是一种半导体材料，广泛应用于光催化、光电转换和环境治理等领域，通过掺杂的调控，不仅提高了的光吸收能力，还增强了其光催化活性。晶胞为长方体(晶胞内的形成正八面体)，其晶胞结构及掺杂后的晶胞结构如图所示。设阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法错误的是 A．晶胞中与最近且等距的有6个，最短距离为 B．晶体的密度为 C．掺杂后的晶体中， D．掺杂数量不同，光吸收能力和光催化活性不同 试卷第1页（共3页） 试卷第1页（共3页） 学科网（北京）股份有限公司 《2027届高三化学一轮复习选择题专题训练晶体的结构及性质》参考答案 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 C B B C B D B D C B 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案 D D C B A D D D C C 题号 21 22 23 24 25 26 27 28 答案 B D B C D A D C 1．C 【详解】A．晶胞Ⅱ中，白球（）的个数为，灰球（）的个数为，因此，A正确； B．以晶胞内部的为例，周围等距紧邻的共12个，因此与紧邻的为12个，B正确； C．是第ⅤB族元素，每个价层电子数为5；是第ⅣA族元素，每个价层电子数为4。该晶胞含6个、2个，总价层电子总数，C错误； D．金属钒晶胞Ⅰ中紧邻间距为体对角线的一半，计算可知：，中紧邻间距为，由题干可知，紧邻钒原子间的距离变短可增强超导性能距离更短，因此的超导性质优于金属钒，D正确； 故选C。 2．B 【详解】A．W位于立方体的顶角，以顶角W为例，在此晶胞内，离该顶角最近且距离相等的O原子位于该顶角所在3条棱的棱心，由于该顶角在8个晶胞里，而棱上的原子被4个晶胞共有，所以与W最近且距离相等的O原子有，故A正确； B．O元素化合价为-2价，负化合价总数为-6，设W元素的平均化合价为y，据正负化合价代数和为0可得：-6+y+x=0，y=6-x，x的值增大y减小，即W元素的平均化合价降低，故B错误； C．时，立方晶胞中W个数为、O个数为，若x=0.5，晶胞质量为，晶胞体积为，则密度，所以密度为时，x=0.5，故C正确； D．晶体因x变化形成空位而导致颜色各异，即空位数不同，吸收的可见光波长不同，故D正确； 故答案为：B。 3．B 【详解】A．由均摊法得，结构1中含有Co的数目为，含有S的数目为，Co与S的原子个数比为9：8，因此结构1的化学式为Co9S8，故A正确； B．由图可知，晶胞2中S与S的最短距离为面对角线的，晶胞边长为a，即S与S的最短距离为：，故B错误； C．如图：，以图中的Li为例，与其最近的S共4个，故C正确； D．如图，当2个晶胞2放在一起时，图中红框截取的部分就是晶胞3，晶胞2和晶胞3表示同一晶体，故D正确； 故选B。 4．C 【详解】A．根据均摊法，图1的晶胞中含Li：8×+1=3，O：2×=1，Cl：4×=1，1个晶胞的质量为g=g，晶胞的体积为(a×10-10cm)3=a3×10-30cm3，则晶体的密度为g÷(a3×10-30cm3)=g/cm3，A项正确； B．图1晶胞中，O位于面心，与O等距离最近的Li有6个，O原子的配位数为6，B项正确； C．根据均摊法，图2中Li：1，Mg或空位为8×=2。O：2×=1，Cl或Br：4×=1，Mg的个数小于2，根据正负化合价的代数和为0，图2的化学式为LiMgOClxBr1-x，C项错误； D．进行镁离子取代及卤素共掺杂后，可获得高性能固体电解质材料，说明Mg2+取代产生的空位有利于Li+的传导，D项正确； 答案选C。 5．B 【详解】A．K位于晶胞顶点，O位于晶胞面心，K和O的最短距离为面对角线的一半，即，A正确； B．K位于顶点，与K距离最近且相等的O，同层有4个、上下相邻层各4个，共12个，不是6个，B错误； C．根据均摊法，每个晶胞含1个K、1个I、3个O，晶胞质量为，晶胞体积为，代入密度公式，整理可得，C正确； D．若I处于顶角位置，根据晶胞结构的等价表示，K处于体心，O处于棱心（12个棱心均摊得3个O，符合化学式比例），D正确； 故选B。 6．D 【详解】A．CeO2晶体中与最近且等距的有12个（以面心为中心进行观察），A正确； B．设中和个数分别为x和，则，，和的个数比为，B正确； C．根据均摊原则，理想晶胞中含有的数目为，的数目为8，则晶体密度为，C正确； D．原晶体中有4个Ce和8个O原子，若新晶体的化学式为，则新晶体中的空穴率为，D错误； 故答案选D。 7．B 【详解】A．位于晶胞8个顶点，数目为，位于晶胞体心，数目为，位于6个面心，数目为，因此，晶体化学式为，A正确； B．图2基本结构单元中，个数为，个数为2，个数为=6，个数为，图2表示物质的化学式为，结合电荷守恒，m==2，B错误； C．原晶胞中在顶点、在体心，若将作为晶胞顶点，相当于晶胞平移重划分，原顶点的会落在新晶胞的体心，且数目仍为，C正确； D．1个晶胞质量为，由得晶胞的体积为，晶胞边长 。 最近的两个位于相邻面心，距离为面对角线的一半，即，D正确； 故选B。 8．D 【详解】A．该化合物由、、离子构成，属于离子化合物，A正确； B．根据化学式和均摊法可知，位于晶胞6个面心，数目为，位于晶胞体心数目为1个，6个可围成正八面体结构，正好位于该正八面体的空隙中，B正确； C．整体带1个单位正电荷，H为+1价，N为-3价，根据化合价代数和等于离子所带电荷数（+1）计算可得C的化合价为-2价，C正确； D．由图-1知，中与的个数比为1:3，位于体心，一个晶胞中有1个，则位于6个面心，位于8个顶点，该晶胞沿体对角线方向的投影，体对角线方向的2个顶角和体心投影到1个点，另外6个顶角在平面上投影出1个六边形，面心6个在投影出六边形内部组成1个小六边形，如图所示：，D错误； 故选D。 9．C 【分析】先对晶胞进行均摊分析：普鲁士蓝化学式为，该晶胞中，位于顶点和面心，数目为；位于棱心和体心，数目为；根据化学式比例，可得晶胞中数目为，数目为，晶胞共含个单元。 【详解】A．在晶胞中构成面心立方结构，面心立方晶胞的四面体空隙总数为个，其中共填充了个，填充率为，A正确； B．的结构为，和均为杂化，杂化方式相同，B正确； C．结合分析和图1、图2，位于小正方体的中心，与的最短距离为体对角线的，距离是，C错误； D．晶胞质量为，晶胞体积为，密度，D正确； 故选C。 10．B 【详解】A．根据晶胞结构可知，距离氧原子最近且等距的Li的个数为8，A正确； B．两个Li的最短距离为棱长的一半，为pm，B错误； C．该晶胞中O为面心立方最密堆积，面心立方最密堆积中四面体空隙总数为8，晶胞中共有8个Li全部占据四面体空隙，填充率为100%，C正确； D．根据均摊法可知，该晶胞中含有8个Li，个O，晶胞的质量为： ，因此，该晶胞的密度为，D正确； 故选B。 11．D 【详解】A．根据晶胞结构可知一个顶点三个面心构成一个正四面体，八个顶点可以构成八个正四面体，正四面体空隙数为8，3、6、7、8、9、12号O2-围成正八面体，将晶体向外延伸可知，共用一条棱的4个面心与该棱的两个顶点上的O2-也可以构成正八面体结构，但是这样的八面体是四个晶胞共有，所以正八面体个数为1+12×=4，即正八面体空隙数为4，则晶体中正四面体空隙数与正八面体空隙数之比为2：1，A错误； B．晶胞中有= 个，根据化学式，Co与O的比例为，所以晶胞中含有个Co离子，题目说明“中有一半的填充在正四面体空隙中”。一个晶胞中有个Co离子，根据电荷守恒，其中有 个是，1个是，填充在正四面体空隙中的数量为 个，正四面体空隙总数为 个，填充率为 ，B错误； C．位于晶胞的顶点和面心，以位于顶点的为研究对象，紧邻的数目为12个，C错误； D．一个晶胞中含有 个和个Co离子，相当于含有个单元，一个晶胞的质量为 ，晶胞体积，晶体密度，D正确； 故答案选D。 12．D 【详解】A．利用均摊法计算V原子个数：顶点的原子个数为，面心的V原子个数为，体心的V原子个数为1，棱心V原子个数，所以V原子总数为；S原子个数为6，则该化合物的化学式为VS，故A正确； B．区分晶体与非晶体最可靠的科学方法是对固体进行X射线衍射实验，所以可通过X射线衍射实验确定该固体硫化物是否为晶体，故B正确； C．由晶体结构，以体心V为研究对象，该钒的硫化物晶体中，与每个V原子最近且等距的S原子个数是6，故C正确； D．V原子个数是6、S原子个数是6，晶胞体积，则，晶体密度，故D错误； 故选D。 13．C 【详解】A．白球个数为=4，黑球的个数为8，则白球为Sr2+、黑球为Cl-；周围最近的数目为4，形成正四面体结构，故Cl⁻处于由离子构成的正四面体中心，A正确； B．位于晶胞顶点和面心，每个周围最近的数目为8，故的配位数为8，B正确； C．晶胞中离子数目：位于顶点和面心，数目为，位于内部，数目为8。晶胞质量：。晶胞体积：。密度计算：，选项中密度单位也错误，C错误； D．分数坐标以晶胞参数为单位，B点在x、y、z轴上的投影分别为、、，故分数坐标为（，，）　，D正确； 故选C。 14．B 【详解】A．该晶体中层带负电，层带正电，层间靠静电作用维系，故A错误； B．沿z轴投影到平面：Se位于晶胞的顶点位置，投影重叠在四个角，四个角为重叠的Se，Bi位于晶胞内部，两层Bi投影重叠在中心，O2-在面上，投影位于四条边的中点，故B正确； C．每个Bi3+周围最近且等距的O2-在棱上，应为4个，故C错误； D．磷掺杂后,化学式为，根据化合价代数和为零，Bi为+3价，O为-2价，Se为-2价，P掺杂后通常显-3价，则有，解得2a=3b，即，故D错误； 选B。 15．A 【详解】A．图2晶胞中共有8个顶点，4条体对角线，由晶面定义可知，晶胞中可以称为晶面的面共有8个，A正确； B．晶胞中D原子位于“左下前”正方体中心，原点位于A点，因此原子坐标参数D为，B错误； C．金刚石晶体中，1个C原子形成4个碳碳键，每条碳碳键被2个碳原子共用，根据均摊可知碳原子数与碳碳键数之比为1：2，C错误； D．金刚石晶胞中两个碳原子之间的最短距离是体对角线的，为，D错误； 故答案选A。 16．D 【详解】A．是分子晶体，靠分子间作用力结合；是离子晶体，靠离子键结合；分子晶体的熔点远低于离子晶体，A正确； B．的结构中，每个Al原子与4个Cl原子成键，该结构中2个Cl原子提供孤电子对与Al原子的空轨道形成配位键，所以分子中存在配位键，B正确； C．从的晶胞结构可以看出，位于晶胞的棱上，每个周围距离最近的有2个，因此F-的配位数为2，C正确； D．根据均摊法，1个晶胞里有一个，1 pm= cm，故密度计算式为，D错误； 故答案选D。 17．D 【详解】A．由晶胞图可知，一个顶点S2-和距离最近的三个面心S2-构成一个正四面体。Zn2+填入S2-构成的正四面体空隙，晶胞中共有8个正四面体，四个正四面体空隙中填入了Zn2+，因此空隙占有率为50%，A正确； B．区域A中“○”代表S2-，晶胞掺杂过程中同种电荷进行替换，则区域A的中的离子为Cl-；区域B中“●”代表Zn2+，其中一个“●”被CuCl中Cu+代替，该位置的正电荷数由+2降为+1，形成“负电”区域；则区域B带负电，B正确； C．发光的颜色由能量差决定，掺入CuCl比例不同，晶胞内“正电/负电”区域的数量、分布不同，导致电子跃迁的能量差不同，对应光的波长（颜色）不同，C正确； D．若晶胞体心有1个S2-，晶胞中S2-总数为4。体心贡献1个，则还需要3个S2-；仅顶点的话只有8×=1个，加上体心1个，总数仅2个，不满足4个S2-的要求。因此“其他S2-仅位于顶角”的说法错误，D错误； 故答案选D。 18．D 【详解】A．阴影截面的面积为，O原子数为，则单位面积的O原子数为，A正确； B．Ti位于顶点，O位于棱心，Ti-O最短距离为，由于晶体具有周期性，则与O最近且等距的Ti有2个，B正确； C．根据密度，晶胞的摩尔质量，晶胞体积，代入得，由于各元素化合价之和为0，即，解得，C正确； D．晶体导电时体心存在空位，因此，代入得：⇒⇒，D错误； 故选D。 19．C 【分析】用均摊法计算晶胞中微粒数，的数目为，位于晶胞内，数目为，该晶胞化学式为。 【详解】A．观察晶胞结构可知，晶胞内的两个最近位于晶胞棱长的处，之间最短距离为晶胞棱长的一半，即为，A正确； B．由A点坐标(，根据原子坐标取值规则，C点位于底面面心，其��、��坐标为，��坐标为0，即C点坐标为，B正确； C．晶胞体积为：，晶胞质量为：，密度为：，C错误； D．晶胞中S共4个，共8个，每个不等价的位置对应1种不同的原子坐标，共12种原子坐标，对应晶胞中12个微粒，D正确 故选C。 20．C 【详解】A．对结构I用均摊法计算各离子数目：位于晶胞顶点，共8个顶点，数目为 ；位于晶胞体心，数目为 1；位于晶胞棱上，共12条棱，数目为 ； 因此 ，A正确； B．该晶体由活泼金属阳离子、和活泼非金属阴离子构成，只存在离子键，B正确； C．配位数为周围最近的异号离子数目：在体心，晶胞的12条棱的棱心都是，到所有的距离相等且最近，因此配位数为12；在顶点，距离其最近的共6个（x、y、z三个方向各2个），配位数为6； 二者配位数不同，C错误； D．掺杂后，晶胞中1个顶点的被替换： 总正电荷：，总负电荷为，因此需要的总正电荷为，即现有数目为； 总位置数为1，因此空位数为，空缺率，D正确； 故答案选C。 21．B 【详解】A．根据均摊法，图1晶胞中K+的个数为1，Mg2+的个数为，F-的个数为，所以晶体的化学式为KMgF3，即，A正确； B．K+在体心，周围最近的阴离子F-共有12个，因此K+配位数为12；Mg2+在顶点，每个顶点Mg2+周围最近的F-共6个，因此Mg2+配位数为6； 二者配位数不同，B错误； C．图2晶胞中K+或空位的位置在内部，其个数应为1，8个顶点Mg2+其中一个被Ln3+替换，Ln3+个数为，Mg2+的个数为，设平均每个晶胞中有x个K+，晶胞整体呈电中性，则有，解得，则晶胞中K+空位数为，所以K+的空缺率为，C正确； D．已知利用KHF2热解来制备KxMgyFz可防止晶体内部因OH-引入而发光淬灭，热解产生HF，不会引入OH-，有利于该材料发光，D正确； 故答案选B。 22．D 【详解】A．标注化合价：中为价，反应物、均为价；产物中，为价，中为价、为价，中为价。 化合价升高的是中（）和（），因此还原剂是和，A正确； B．用均摊法计算晶胞中离子数目： 黑球（）：8个在顶点，1个在晶胞体内，总数目为。 化合物中与数目比为，因此晶胞中数目为，B正确； C．以晶胞体内的为例，周围最近且距离相等的共有8个，C正确； D．晶胞中含2个，的摩尔质量，晶胞总质量。 晶胞体积，晶体密度，D错误； 故选D。 23．B 【详解】A．As和Ga原子的最近距离为晶胞体对角线的，体对角线长度为 pm，故最近距离为 pm，A正确； B．根据a、b两点的原子坐标，甲图中c点位于晶胞靠上区域，z坐标应为，正确的分数坐标为，B错误； C．Ga原子采取面心立方最密堆积，每个Ga原子周围等距离且最近的Ga原子数目为12，C正确； D．Ga在8个顶点和6个面心，均摊为，As在内部，为4个，晶胞总质量为 ，晶胞体积为，密度，D正确； 答案选B。 24．C 【详解】A．结构①用均摊法计算，Na数目为，Cl总个数为，化学式为，A正确； B．结构①中每个周围紧邻的共12个，即配位数为12。根据配位数规律：配位数之比等于对应原子数反比，，得Cl的配位数为4，B正确； C．NaCl晶体在高压下与Na反应形成的晶体中，②的晶胞中Na数目为，Cl数目为，②的化学式为、③中Na与Cl的比例也大于1，二者都是与Na反应的产物，并非只有③，C错误； D．②的晶胞质量为，体积为，代入密度公式可得密度为，D正确； 故选C。 25．D 【详解】A．位于顶点和面心，晶胞中的个数，位于棱心和体心，晶胞中的个数，晶体的化学式为，A项正确； B．设晶胞的参数为，，解得，间最近距离是，即，B项正确； C．配位数为距离最近且等距的相反电荷微粒数，根据晶胞图可知的配位数为6，C项正确； D．为27号元素，基态的价层电子排布式为，基态的价层电子排布式为，有3个未成对电子，D项错误； 故答案为：D。 26．A 【详解】A．晶体甲中，位于顶点和面心，数目为；全部位于晶胞内部，数目为4，因此化学式确实为，结构中，的最近且等距的共有个，A错误； B．晶胞质量，晶胞边长，体积，密度，B正确； C．形成分子间氢键需要原子满足电负性大、半径小的条件，S的电负性较小，因此硫化氢不能和乙醇形成分子间氢键，C正确； D．原位置是（电荷），空缺后掺入，电荷变化为，区域丙带负电，D正确； 故选A。 27．D 【详解】A．晶胞中黑球数目为，白球数目为8，二者比例为1:2，符合中与的比例，故黑球表示，A正确； B．晶胞中含4个，晶胞质量为，晶胞边长为，体积为，密度为，B正确； C．黑球为，每个黑球被8个晶胞共有，每个晶胞的小立方体中均有一个白球（），故阴离子配位数为8，C正确； D．白球为，填充在每个晶胞的小立方体的中心，所以两个最近的白球距离应为晶胞边长的一半，为，D错误； 故选D。 28．C 【详解】A．由晶胞结构可知，Ti位于O形成的正八面体中心，故与Ti最近且等距的O有6个，最短距离为，A项正确； B．晶胞中，Ti位于顶点、体心和面上，1个晶胞中Ti的个数为个，O位于晶胞的棱、面、体内，1个晶胞中O的个数为个，则1个晶胞的质量，而1个晶胞的体积，故晶体的密度为，B项正确； C．由N掺杂后的晶胞可知，1个晶胞中含4个Ti，O为个，N为个，则该晶体的化学式可表示为，则，故，，，C项错误； D．晶体的N掺杂数量不同，O空穴数不同，则其对光的吸收能力和光催化活性不同，D项正确。 答案第1页（共2页） 答案第1页（共2页） 学科网（北京）股份有限公司 $