第6章 第7讲 晶胞及常见晶体的结构模型(教用Word)-【精微方案】2027年高考一轮总复习讲义·化学(鲁琼版 不定项)
2026-07-30
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教辅
资源信息
| 学段 | 高中 |
| 学科 | 化学 |
| 教材版本 | - |
| 年级 | 高三 |
| 章节 | - |
| 类型 | 教案-讲义 |
| 知识点 | 晶体结构与性质 |
| 使用场景 | 高考复习-一轮复习 |
| 学年 | 2027-2028 |
| 地区(省份) | 全国 |
| 地区(市) | - |
| 地区(区县) | - |
| 文件格式 | DOCX |
| 文件大小 | 665 KB |
| 发布时间 | 2026-07-30 |
| 更新时间 | 2026-07-30 |
| 作者 | 见山文化 |
| 品牌系列 | 精微方案·高考一轮复习 |
| 审核时间 | 2026-07-30 |
| 下载链接 | https://m.zxxk.com/soft/58984415.html |
| 价格 | 2.00储值(1储值=1元) |
| 来源 | 学科网 |
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摘要:
该高中化学讲义聚焦晶胞及常见晶体结构模型高考核心考点,涵盖晶胞概念、均摊法计算、典型晶体结构等内容,按“概念理解-方法应用-模型认知”逻辑架构知识,通过考点梳理、均摊法步骤指导、晶体结构对比分析及近年高考真题训练,帮助学生构建系统知识网络,突破配位数计算、化学式推导等难点。
资料以科学思维培养为核心,创新设计“均摊法位置拆解”“晶体模型对比”等活动,结合化学观念中“结构决定性质”思想,通过基础例题到高考真题分层练习,强化学生模型建构与证据推理能力,高效提升解题技巧,为教师精准把控复习节奏、提升学生应考能力提供有力支持。
内容正文:
第7讲 晶胞及常见晶体的结构模型
1.了解晶胞的概念及其判断方法。 2.理解均摊法思想,能根据晶胞中微粒的位置计算晶体的化学式。 3.掌握常见晶体的结构模型。
考点一 晶胞及均摊法计算
1.晶胞的概念及特点
(1)概念:描述晶体结构的基本单元。晶体中晶胞“无隙并置”排列。
①“无隙”:相邻晶胞之间没有任何间隙。
②“并置”:所有晶胞平行排列,取向相同。
(2)特点:晶胞是8个顶角相同、三套各4根平行棱分别相同、三套各两个平行面分别相同的最小平行六面体。
2.晶胞中微粒数目的计算——均摊法
(1)原则
晶胞任意位置上的一个原子如果被n个晶胞所共有,那么,每个晶胞对这个原子分得的份额就是。
(2)实例
①平行六面体晶胞中不同位置的粒子数的计算
②其他晶体结构的计算(以六棱柱晶体结构为例)
(3)晶胞中微粒配位数的计算
①晶体中原子(或分子)的配位数
若晶体中的微粒为同种原子(或同种分子),则某原子(或分子)的配位数指的是该原子(或分子)最接近且等距的原子(或分子)的数目。常见晶胞的配位数见下表:
简单立方晶胞:配位数为6
面心立方晶胞:配位数为12
体心立方晶胞:配位数为8
②离子晶体的配位数:一个离子周围最近且等距的异种电性离子的数目。
1.(2024·浙江6月选考)某化合物的晶胞结构如下图所示,Cl-的配位数(紧邻的阳离子数)为________;写出该化合物的化学式:________。
解析:由晶胞结构可知,Cl-在顶点,K+在面心,Cl-的配位数为3×8×=12;根据均摊法,晶胞中K+个数为6×=3,Cl-个数为8×=1,O2-在体心,个数为1,该化合物的化学式为K3ClO。
答案:12 K3ClO
2.(2025·天津卷)硫化锂晶体的晶胞如下图,晶胞中含有硫离子的数目为____________;与硫离子最近且距离相等的锂离子的数目为__________。
解析:根据均摊法,晶胞中含有硫离子的数目为8×+6×=4;根据题图可知,与硫离子最近且距离相等的锂离子的数目为8。
答案:4 8
3.利用“卤化硼法”可合成含B和N两种元素的功能陶瓷,下图为其晶胞结构示意图,则每个晶胞中含有B原子的个数为________,该功能陶瓷的化学式为________。
解析:灰球有1个在体内、4个在棱上,个数为1+×2+×2=2;白球有1个在体内、8个在顶点,个数为1+×4+×4=2;该晶胞中B、N个数均为2,化学式为BN。
答案:2 BN
4.将V2O5溶解在NaOH溶液中,可得到钒酸钠(Na3VO4),也可以得到偏钒酸钠,偏钒酸钠阴离子呈现如下图所示的无限链状结构,则偏钒酸钠的化学式为________。
解析:偏钒酸钠阴离子中,每个含有1个V,2+2×=3个O,且偏钒酸钠中,V、O、Na的化合价分别为+5、-2、+1价,则偏钒酸钠的化学式为NaVO3。
答案:NaVO3
考点二 常见晶体的结构模型
晶体
晶体结构
晶体详解
共
价
晶
体
金刚石
(1)碳原子采取sp3杂化,键角均为109°28′
(2)每个C参与4条C—C的形成,C原子数与C—C数之比为1∶2;1 mol金刚石中有2 mol C—C
(3)最小碳环由6个碳原子组成,每个碳原子被12个六元环共用
(4)每个金刚石晶胞中含有8个碳原子
SiO2
(1)每个Si与4个O结合,形成正四面体结构,n(Si)∶n(O)=1∶2
(2)最小环上有12个原子,即6个O和6个Si
(3)1 mol SiO2晶体中含有4 mol Si—O
分
子
晶
体
干冰
(1)CO2分子的配位数为12
(2)每个晶胞中有4个CO2分子、12个原子
(3)每个CO2分子周围等距且紧邻的CO2分子数为12个,属于分子密堆积
离
子
晶
体
NaCl型
(1)Na+(Cl-)的配位数为6,每个Na+(Cl-)周围等距且紧邻的Na+(Cl-)有12个
(2)每个晶胞中含4个Na+和4个Cl-
CsCl型
(1)Cs+(Cl-)的配位数为8,每个Cs+(Cl-)周围等距且紧邻的Cs+(Cl-)有6个
(2)左图为8个晶胞,每个晶胞中含1个Cs+和1个Cl-
混
合
型
晶
体
石墨
(1)层内碳原子采取sp2杂化,形成平面六元环结构,层间作用力是范德华力
(2)碳原子与共价键的个数比为2∶3;每个六元环平均占有2个碳原子
1. (2023·北京卷)中国科学家首次成功制得大面积单晶石墨炔,是碳材料科学的一大进步。下列关于金刚石、石墨、石墨炔的说法正确的是 ( )
A.三种物质中均有碳碳原子间的σ键
B.三种物质中的碳原子都是sp3杂化
C.三种物质的晶体类型相同
D.三种物质均能导电
解析:选A。原子间优先形成σ键,三种物质中均存在σ键,A项正确;金刚石中所有碳原子均采用sp3杂化,石墨中所有碳原子均采用sp2杂化,石墨炔中苯环上的碳原子采用sp2杂化,碳碳三键上的碳原子采用sp杂化,B项错误;金刚石为共价晶体,石墨为混合型晶体,石墨炔为分子晶体,C项错误;金刚石中没有自由移动的电子,不能导电,D项错误。
2.下列有关晶体结构的叙述错误的是( )
A.金刚石的共价键三维骨架结构中,最小的环上有6个碳原子
B.分子晶体熔化时,不破坏共价键;共价晶体熔化时,破坏共价键
C.在金属铜的晶体中,由于存在自由电子,因此铜能导电
D.在氯化铯晶体中,每个氯离子周围最近且距离相等的氯离子有8个
解析:选D。在氯化铯晶体结构中,每个氯离子周围最近且距离相等的氯离子有6个,D错误。
3.(2026·石家庄模拟)有关晶体的结构如下图所示,下列说法不正确的是( )
A.在NaCl晶体中,距Cl-最近的Na+形成正八面体
B.在CaF2晶体中,每个晶胞平均含有4个Ca2+
C.冰晶体中每个水分子与另外四个水分子形成四面体结构
D.该气态团簇分子的分子式为EF
解析:选D。气态团簇分子不同于晶胞,该气态团簇分子中含有4个E原子、4个F原子,则分子式为E4F4或F4E4,故D错误。
1.(2025·重庆卷)化合物X的晶胞如下图所示,下列叙述正确的是( )
A.X中存在π键
B.X属于混合型晶体
C.X的化学式可表示为C3N4
D.X中C原子上有一个孤电子对
解析:选C。由题图可知,晶胞中C原子位于面心,个数为6×=3,N原子位于晶胞内部,个数为4,则X的化学式为C3N4;C、N均以单键连接,晶胞中不含π键,A错误、C正确。晶胞内只存在共价键,不是混合型晶体,B错误。位于面心的C原子,与周围4个氮原子(位于两个晶胞内)相连,不存在孤电子对,D错误。
2.(2025·湖北卷)SO2晶胞是长方体,边长a≠b≠c,如下图所示。下列说法正确的是( )
A.一个晶胞中含有4个O原子
B.晶胞中SO2分子的取向相同
C.1号和2号S原子间的核间距为 pm
D.每个S原子周围与其等距且紧邻的S原子有4个
解析:选D。由晶胞结构可知,SO2分子位于长方体的棱心和体心,1个晶胞中含有12×+1=4个SO2分子,含有8个O原子,A错误;由题图可知,晶胞中SO2分子有2种取向,B错误;1号和2号S原子间的核间距为上底面面对角线的一半,即 pm,C错误;以体心的S原子为例,由于a≠b≠c,因此每个S原子周围与其等距且紧邻(距离最小)的S原子有4个,D正确。
3.(2024·湖南卷)Li2CN2是一种高活性的人工固氮产物,其合成反应为2LiH+C+N2Li2CN2+H2,晶胞如下图所示,下列说法错误的是( )
A.合成反应中,还原剂是LiH和C
B.晶胞中含有的Li+个数为4
C.每个CN周围与它最近且距离相等的Li+有8个
D.CN为V形结构
解析:选D。LiH中H元素化合价为-1价,CN中 N元素化合价为-3价,C元素化合价为+4价,根据反应2LiH+C+N2Li2CN2+H2可知,H元素化合价由-1价升高到0价,C元素化合价由0价升高到+4价,N元素化合价由0价降低到-3价,由此可知还原剂是LiH和C,A正确;根据“均摊法”可知,Li+位于晶胞的4个面上,含有Li+的个数为8×=4,B正确;观察位于体心的CN可知,与它最近且距离相等的Li+有8个,C正确;CN的中心C原子的价层电子对数为2+=2,CN为直线形结构,D错误。
4. (2024·甘肃卷)β-MgCl2晶体中,多个晶胞无隙并置而成的结构如图甲所示,其中部分结构显示如图乙所示。下列说法错误的是( )
A.电负性:Mg<Cl
B.单质Mg是金属晶体
C.晶体中存在范德华力
D.Mg2+的配位数为3
解析:选D。同周期主族元素从左向右,元素的电负性逐渐增大,因此电负性:Mg<Cl,A正确;金属晶体包括金属单质及合金,单质Mg是金属晶体,B正确;由晶体结构可知,该结构中存在层状结构,层与层之间存在范德华力,C正确;由题图乙中结构可知,每个Mg2+与周围6个Cl-最近且距离相等,因此Mg2+的配位数为6,D错误。
5.(2025·广西卷)Mg-Z型晶态半导体材料由Mg与碳族元素(Z)形成,其立方晶胞结构如下图。已知:晶胞参数a(Mg-Si)=634 pm,a(Mg-Ge)=639 pm。下列说法正确的是( )
A.与Z紧邻的Mg有4个
B.晶胞内Mg之间最近的距离为a
C.晶胞密度:ρ(Mg-Ge)>ρ(Mg-Si)
D.若Mg-Sn晶胞顶点Sn替换为Ge,则=
解析:选C。由晶胞结构可知,与Z紧邻的Mg有8个,A错误;Mg位于四面体空隙,Mg之间最近的距离为晶胞边长的,即为,B错误;由均摊法可知,晶胞中含Mg个数为8,含Z个数为8×+6×=4,密度ρ=,ρ(Mg-Ge)= g/cm3,ρ(Mg-Si)= g/cm3,故ρ(Mg-Ge)>ρ(Mg-Si),C正确;若Mg-Sn晶胞顶点Sn替换为Ge,Sn的个数为6×=3,Ge的个数为8×=1,则=,D错误。
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