专题3 微粒间作用力与物质性质 单元检测卷-2025-2026学年高二下学期化学苏教版选择性必修2

2025-2026学年高二化学选修二专题3单元检测卷 一、选择题（共10题，每个小题只有一个选项） 1、Robert O.Ritchie团队在Science杂志发表论文，报道了一种由铬、钴和镍组成的三元高熵合金（CrCoNi)，这种金属材料不但具有极高的延展性和强度，且其低温（20K）断裂韧性更打破了迄今为止的记录。下列叙述正确的是 ( ) A. CrCoNi的熔点高于Ni的熔点 B.上述三种金属元素都位于元素周期表的d区 C.上述合金的机械强度低于组成合金的金属 D.上述金属的基态原子中，未成对电子数最多的是Ni 2、下列物质所含化学键与其晶体结构对应错误的是 ( ) 选项 物质 化学键 晶体结构 A 离子键 离子晶体 B 共价键 共价晶体 C 共价键 共价晶体 D Na 金属键 金属晶体 3、利用反应C（金刚石）+4NaCl可实现人工合成金刚石。已知NaCl、Na的晶胞如图所示。下列关于该反应的说法错误的是 ( ) NaCl晶胞 Na晶胞 A.C（金刚石）属于共价晶体 B.Na晶胞中有2个钠原子 C．固态CCl4为分子晶体 D.NaCl晶体中每个Cl-周围有8个 4、下列关于σ键和π键的理解不正确的是 ( ) A.CH4中的化学键均是σ键 B.σ键可以绕键轴旋转，π键一定不能绕键轴旋转 C.2、CH=CH中的σ键都是C-C D.1个碳碳双键中有1个σ键、1个π键，1个碳碳三键中有1个σ键、2个π键 5、砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，熔点为1238℃。从砷化镓废料（主要成分为和中回收镓和砷的工艺流程如图所示。下列说法正确的是 ( ) A.GaAs是分子晶体 B.“碱浸”时，GaAs被氧化，则每反应1molGaAs，转移电子的物质的量为8mol C.滤渣II的主要成分是 D.GaAs晶胞如图，距离As最近且等距离的As原子数为8 6、观察下列模型，下列有关说法错误的是 ( ) 金刚石 碳化硅 二氧化硅 石墨烯 A．原子数相同的金刚石和碳化硅共价键个数之比为1:2 B.SiO2晶体中Si和Si-O个数比为1:4 C．石墨烯中碳原子和六元环个数比为2:1 D.已知分子中每个碳原子都达到了8电子的稳定结构，则1个分子中含30个π键 7、在某晶体中，与某一个微粒x距离最近且等距离的另一个微粒y所围成的立体构型为如图所示的正八面体形，该晶体是 ( ) A.NaCl晶体 B.CsCl晶体 C. CaTiO3晶体 D.NiAs晶体(x=Ni、y=As) 8、某立方晶系的锑钾（Sb-K）合金可作为钾离子电池的电极材料，图1为该合金的晶胞结构图，图2表示晶胞的一部分。下列说法正确的是 ( ) 图1 图2 A.该晶胞的体积为 B.K和Sb原子数之比为3:1 C．与Sb最邻近的K原子数为4 D.K和Sb之间的最短距离为pm 9、硒化锌是一种重要的半导体材料，图甲为其晶胞结构，图乙为晶胞的俯视图。已知a点的坐标为（0,0,0),b点的坐标为。下列说法正确的是 ( ) 甲 乙 A.的配位数为8 B．基态Se核外有34种不同空间运动状态的电子 C.晶胞中d点原子分数坐标为 D.若,换为，则晶胞棱长保持不变 10、超氧化钾被称为“化学氧自救剂”，主要用于煤矿井下急救。超氧化钾晶体的一个晶胞（该晶胞为立方晶胞，结构与NaCl晶胞相似）如图所示。下列有关说法正确的是( ) A.晶体中与K＋最近且距离相等的K＋有6个，构成的八面体空隙中 B．超氧化钾的化学式为KO2，每个晶胞含有1个K＋和1个 C.超氧化钾晶体与金刚石均为共价晶体 D.若与最近的间距离为dcm，设为阿伏加德罗常数的值，则该晶体的密度为 二、填空题（共2题） 11 、根据下面图示回答问题。 H,BO，层状结构 铜原子堆积模型铜晶体中 A B C D E （1)A图是某离子化合物的晶胞，阳离子位于中间，阴离子位于8个顶点，该化合物中阳、阴离子的个数比是 。 （2）若Ca、Ti、O形成的某钙钛矿型晶体结构如图B所示，其化学式为 。 （3）共价晶体硼的基本结构单元是由硼原子组成的正二十面体，如图C。其中含有20个等边三角形和一定数目的顶角，每个顶角上各有1个原子。试观察该图，推断这个基本结构单元所含硼原子个数、键角、B-B的个数依次为＿、 。 （4）图D所示的物质结构中最外层已达8电子结构的原子是 （填元素符号），晶体中B原子个数与极性键个数比为 。 （5）金属铜具有很好的延展性、导电性、传热性，对此现象最简单的解释是用“ ”理论。 学科网（北京）股份有限公司 12、硒、铁是人体不可缺少的微量元素，它们的化合物在生产、生活中有着广泛的应用。回答下列问题。 （1）基态31Se原子的价电子排布式为 。 （2）“依布硒”是一种有机硒化物，具有良好的抗炎活性，其结构简式如图所示。分子中元素Se、O、N的第一电离能由大到小的顺序为 。 （3）硒的某种氧化物为链状聚合结构（如图），该氧化物的最简式为 。 (4)是一种优良的磁性材料，该晶胞的的结构如图所示，研究发现结构中的只可能出现在图中某一“”所示位置上，请确定所在晶胞的位置： （填字母）点。 （5）科学家利用（在Fe基催化剂上加氢成功制得甲酸，已知：。根据电负性的相对大小，写出中间体X的结构简式： 。 （6)1183K以下，纯铁晶体的基本结构单元如图1所示，1183K以上，转变为如图2所示结构的基本结构单元，在两种晶体中最邻近的铁原子间距离相同。 图1 图2 ①在1183K以下的纯铁晶体中，铁原子的配位数为 ②两种晶胞中含铁原子数之比： 。 专题3检测卷 1.B 合金的熔点低于合金中各成分的熔点，A 错误；上述三种金属元素Cr、Co、Ni都位于元素周期表d区，B正确；合金的机械强度高于组成合金的金属，C错误；基态Cr、Co、Ni原子的未成对电子数依次为6、3、2,D错误。 2.B 冰为分子晶体，B错误。 3.D 金刚石硬度大、熔点高，C（金刚石）属于共价晶体，A正确；根据均摊法知，,Na晶胞中，Na 的个,B正确；CCl，由分子构成，为分子晶体，C正确；根据NaCl晶胞图知，每个CI-周围有6个错误。 4.C CH4分子中，C-H是σ键，A正确；a键为中心对称，π键为镜面对称，则σ键可以绕键轴旋转，π键一定不能绕键轴旋转，B正确；三种分子中的σ键除C-C外，还含有C-H,C错误；双键、三键中均只含1个σ键，其余为π键，则1个碳碳双键中有1个σ键和1个π键，1个碳碳三键中有1个σ键和2个π键，D正确。 5.B GaAs是优良的半导体材料，熔点为1238℃，熔点高，故其不是分子晶体，A错误；“碱浸”时，GaAs转化为As元素的化合价由-3升高为+5，则每反应1 mol GaAs，转移电子的物质的量为8mol,B 正确；滤渣II的主要成分是Ga(OH)3、H2SiO3,C错误；距离As最近且等距离的As原 6.A 金刚石和碳化硅都是共价晶体，在晶体中每个C原子或Si原子与相邻的4个原子形成共价键，每个共价键为相邻的2个原子所共有，因此若晶体中含有1mol原子，则含有共价键的物质的量是，故原子数相同的金刚石和碳化硅共价键个数之比为1:1，A错误；在SiO2晶体中，每个Si原子与相邻的4个O原子形成Si-O共价键，每个O原子与相邻的2个Si原子形成Si-O共价键，故Si 原子与Si-O共价键个数比为1:4,B正确；在石墨烯中，每个C原子与相邻的3个C原子形成共价键，每个C原子为相邻的3个六元环所共有，则在六元环中含有的C原子数为6x ，因此石墨烯中碳原子和六元环个数比为2:1,C正确；在C60分子中每个碳原子与3个C原子形成共价键，由于每个C原子都达到了8电子的稳定结构，说明每个C原子形成了2个碳碳单键和1个碳碳双键，在1个碳碳双键中含有1个σ键、1个π键，由于共价键是相邻的2个C原子所形成，则在1个分子中含π键数目为 7.A NaCl晶体中的离子配位数是6，符合该图，A正确；CsCl晶体中的离子配位数是8，不符合该图，B错误；晶体中，O2-在面心，在体心，在顶点，故O2-的配位数是4，不符合该图，C错误；NiAs晶体中的离子配位数是4，不符合该图，D错误。 8.B 该晶胞的边长为acm，故晶 错误；该晶胞中，K的个数，故K和Sb原子个数之比为3:1,B正确；以面心处Sb为研究对象，与Sb最邻近的K原子数为8,C错误；K和Sb的最短距离为晶胞体对角线长度的，即pm,D错误。3 9.C 由图可知，的配位数为4,A错误；空间运动状态指的是轨道数，基态Se核外电子排布式为，共填充18个轨道，即基态Se核外有18种不同空间运动状态的电子，B错误；a点的坐标为（0,0,0),b点的坐标为，c点的坐标为（1,1,1),d 点的坐标为，C正确；的半径不同，若换为，则晶胞棱长改变，D错误。 10.D 晶胞中位于顶点和面心的钾离子的距离最近且相等，则与钾离子距离最近且相等的钾离子共有12个，A错误；晶胞中位于顶点和面心的钾离子的个数为，位于棱上和体心的超氧根离子个数为1=4,B错误；超氧化钾是由钾离子和超氧根离子形成的离子晶体，金刚石是由碳原子形成的 共价晶体，C错误；设晶体的密度为，由晶胞质量公式可得：，解得ρ=，D正确。 11.(1)1:1 (2)(3)12 60°30(4)0 1:6 （5）金属键 12.(1)(2)N>O>Se (3)SeO2(4)c (5)HCOOFe (6)8 1:2 解析：(4）该晶胞的结构中，含有的个，根据化学式还应该含有2个和1个，含有的个，还差个，则b点应该为还差1个，则c点为。 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $