内容正文:
高二年级
化学(一)参考答案
1.B【解析】SiN4硬度高,符合共价晶体的性质,SiN4属于共价晶体,故选B。
2.D【解析】NF3的价层电子对数为4,孤电子对数为1,VSEPR模型为
故
选D。
3.A【解析】由NH3HO可以电离出H与OH,可以推知氨分子中N原子与水中H
原子之间可形成最强烈的氢键作用:
H入H-,故选A。
H
4.C【解析】O3是由极性键形成的极性分子,C错误,故选C。
5.D【解析】该有机物中p杂化的碳原子有13个,即2杂化的碳原子有7个,
HO
有4个手性碳原子,不易溶于水,易溶于有机溶剂乙醇,故选D。
6.B【解析】A1Cl3是分子晶体,Al2O3是离子晶体,A不符合题意;Si和SiO2均为共价
晶体,B符合题意;NaCl为离子晶体,HCI为分子晶体,C不符合题意;Fe为金属晶体,
硫黄为分子晶体,D不符合题意。故选B。
7.C【解析】H0的沸点比H亚的高,原因是H2O存在的氢键数目比亚多,键能决定的
是化学性质,与沸点无关,故选C。
8.A【解析】标准状况下,22.4LN2的物质的量为1mol,1个N2分子中含有2个π键,
1olN2中含有π键数目为2NA,A正确;金刚石中1个C原子形成4个C-C,1个C-C被
2个碳原子共用,平均每个C原子形成4×22个C-C,12g金刚石中含有C-C键数目为
2NA,B错误;NCl为离子晶体,构成微粒为离子,不含分子,C错误;苯中不含碳碳双
键,D错误。故选A。
9.C【解析】C02中碳原子杂化类型为即,SiO2中硅原子杂化类型为p3,A错误;沸点:
HF>HCI,因为HF可形成分子间氢键,使亚沸点高,但CH4不能形成分子间氢键,相对
高二化学(一)第1页
分子质量:CH4<SH4,沸点:CH4<SH4,B错误:CO2、CS2均为直线型对称分子,正、负
电荷重心重合,分子极性相互抵消,均为非极性分子,C正确;FCl溶液中滴加KSCN溶
液变红,FCl2溶液中滴加KSCN溶液无现象,D错误。故选C。
10.C【解析】金属电负性均较小,电负性大小顺序为O>C>Fe,A错误;配体CO中C
与O均有孤电子对,C的电负性小,更易提供孤电子对形成配位键,B错误;已知室温时
Fe(CO)5为浅黄色液体,熔点低,晶体类型应为分子晶体,C正确;1 mol Fe(CO)5中含有的
o键数目为10NA,D错误。故选C。
11.B【解析】主族元素W、X、Y、Z原子序数依次增大,Z的价电子所在能层有16个
轨道,则Z属于第四周期元素,其形成Z,则Z原子的价电子数为1,其为K元素;X、Y
的价电子数相等,其为同主族元素,Y的最外层有6个电子,则X为O元素、Y为S元素:
W只形成1个共价键,则其最外层电子数为1,其为H元素。从而得出W、X、Y、Z分别
为H、O、S、K。K+和S2具有相同的电子层结构,K+的核电荷数多,离子半径小,A错误:
H2O和HS空间结构均为V形,O的电负性大,键角HO>HS,B正确;K2O和K2S均为
离子晶体,O2半径小,K0离子键强,熔点高,C错误;H2O2为极性分子,D错误。故
选B。
12.B【解析】1个碘晶胞中含有4个碘分子,8个碘原子,A错误;碘晶体熔化时破环
的是分子间作用力(范德华力),B正确;1个碘分子周围紧邻的碘分子有12个,C错误:
碘晶胞中碘分子有2种不同取向,D错误。故选B。
13.D【解析】Cu*的价电子排布为3do全满结构,更稳定,A错误;氢键不是化学键,B
错误;NO3的空间结构为平面三角形,C错误;银单质晶胞如图所示
则沿坐标
●—●一●
轴的投影为◆●·,D正确。故选D。
●●●
14.C【解析】根据硒化锌晶胞结构图可知,每个硒周围有4个锌,所以硒的配位数为4,
A错误;相邻的Se2与Se2之间的最近距离为面对角线的一半,即apm,B错误;A点分
数坐标为0,0,0),则C点分数坐标为年,4’4
.C正确;p兰×100gm,D
133、
错误。故选C。
15.(15分,除标注外,每空2分)
(1)N>H>Bsp3-3
高二化学(一)第2页
(2)p3大(1分)H中N有孤电子对,孤电子对对成键电子对的排斥力大,键角小
(3)苯胺与水可形成分子间氢键>15Na
16.(14分,每空2分)
3d
a)11141
平面三角形
(2)a为极性分子,b为非极性分子,水为极性溶剂,根据“相似相溶”规律,a在水中的
溶解度大于b
CI、N(每个1分,多写、错写不得分)>
(3)FeN
棱心和体心(每个1分,多写、错写不得分)
17.(15分,除标注外,每空2分)
(1)2NA
(2)石墨
金刚石石墨
不相同(1分)
(3)分子晶体
sp3
(4)FeF3为离子晶体,FeCl:为分子晶体,离子晶体的熔点高于分子晶体
18.(14分,每空2分)
(1)Cu2++2NH3H2O=Cu(OH)2J+2NH+
难溶物溶解,得到深蓝色溶液
[Cu(NH3)4]S04 H2O
正四面体
(2)sp3
(3)四面体
点a
高二化学(一)第3页高二年级
化学(一)答题卡
准考证号
0
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0
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0]
贴条形码区
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姓名:
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班级:
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97
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97
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9
考场:
1.答题前,考生先将月己的姓名、准考证号填写清楚,并认真核
正确填涂
注准条形码上的准考证号、姓名及科目,在规定位置贴好条形码。
填
缺考
意
2.选择题必须使用2B铅笔填涂:非选择题必须使用0.5毫米及以上
■
(但不要太粗)黑字字迹的签字笔书写,要求字体工整、笔迹清楚。
口
事
3.请严格按照题号在相应的答题区域内作答,超出答题区域书写的
样
错误填涂
项答案无效;在草稿纸、试题卷上答题无效。
☑☒O
4.保持卡面清洁,不装订、不要折叠、不要破损
))回
选择题(共14小题,每小题3分,共42分)
1ABCD
6ABC D
11ABCD
2ABCD
7ABCD
2ABC回D
3ABCD
8ABC☒D
13ABCD
4ABCD
9A□BICD
14ABCD
5BC☑D
10ABCD
非选择题(共4小题,共58分)》
15.(15分,除标注外,每空2分)
(1)
(2)
(1分)
(3)
请在各题目的答题区域内作答,超出矩形边框限定区域的答案无效
请在各题目的答题区域内作答,超出矩形边框限定区域的答案无效
16.(14分,每空2分)
(1)
(2)
(3)》
17.(15分,除标注外,每空2分)
(1)
(2)
(1分)
(3)
(4)
请在各题目的答题区域内作答,超出矩形边框限定区域的答案无效。
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请在各题目的答题区域内作答,超出矩形边框限定区域的答案无效
18.(14分,每空2分)
(1)
(2)
(3)
请在各题目的答题区域内作答,超出矩形边框限定区域的答案无效。高二年级
化学(一)
注意事项:1.本试卷共100分,考试时间75分钟。
2.请将各题答案填在答题卡上。
可能用到的相对原子质量:H一1C一12O一16Na一23C1-35.5Zn一65
Se-79
一、选择题:本题共14小题,每小题3分,共42分。在每小题给出的四个选项中,
只有一项符合题目要求。
1.S3N4是一种重要的结构陶瓷材料,是一种超硬物质,常利用它来制造轴承、永
久性模具等机械构件。Si3N4的晶体类型是
A.金属晶体
B.共价晶体
C.离子晶体
D.分子晶体
2.价层电子对互斥模型(VSEPR)可以预测分子的空间结构。NF3的VSEPR模
型是
c.ogo
n。
3.氨气溶于水时,大部分NH3与H2O以氢键(用“…”表示)结合形成分子。根
据氨水的性质可推知NH3·H2O的结构式为
H
B
H
H
H
D.N HH
4.
在紫外线作用下,氧气(O2)可转化为臭氧(O),低空臭氧的浓度过高时对人
体有害,因此要尽量避免在阳光强烈照射的中午前后进行户外活动。下列有关说
法错误的是
A.氧气转化为臭氧(O3)是化学变化
B.O2是由非极性键形成的非极性分子
C.O3是由非极性键形成的极性分子
D.等质量的O2和O3含有的原子数相同
高二化学(一)第1页共6页
5.海南暗罗是一种药用植物,具有抗菌、抗肿瘤活性。从中提取的一种生物活性物
质结构简式如图所示。下列关于该物质的说法正确的是
A.sp3杂化和sp杂化的碳原子个数比为2:1
B.有5个手性碳原子
C.该有机物极易溶于水
D.该有机物易溶于乙醇
6.下列各物质的晶体中,晶体类型相同的是
A.A1CL3和Al2O3
B.Si和SiO2
C.NaCl和HCl
D.Fe和硫黄
7.物质的结构决定其性质。下列实例与解释不相符的是
选项
实例
解释
A
酸性:丙酸<甲酸
乙基的推电子作用削弱了氧氢键的极性
不存在稳定的
B
共价键具有饱和性
H3、H2C1和Cl3
C
H2O的沸点比HF的高
H一O键键能大于H一F键键能
D
A1的硬度大于Mg
A1原子价电子数多,半径小
8.VA为阿伏加德罗常数的值,下列说法正确的是
A.标准状况下,22.4LN2中含π键数目为2NA
B.12g金刚石中含有CC键数目为4NA
C.58.5 g NaCl晶体中含有分子数目为NA
D.1mol苯中含碳碳双键的数目为3NA
9.类比和推理是化学研究的重要方法。下列类比正确的是
A.CO2中碳原子杂化类型为sp,则SiO2中硅原子杂化类型为sp
B.沸点:HF>HCl,则沸点:CH>SiH
C.CO2为非极性分子,则CS2为非极性分子
D.FeCl3溶液中滴加KSCN溶液变红,则FeCl,溶液中滴加KSCN溶液变红
高二化学(一)第2页共6页
10.铁元素能与CO通过配位键形成Fe(CO)5。已知室温时Fe(CO)5为浅黄色液
体,CO的结构与2相似,以下说法正确的是
A.电负性:O>Fe>C
B.配体CO中O原子提供孤电子对形成配位键
C.Fe(CO),属于分子晶体
D.1 mol Fe(CO);中含有的o键数目为5NA(NA为阿伏加德罗常数的值)
11.主族元素W、X、Y、Z原子序数依次增大,X、Y的价电子数相等,Z的价电
子所在能层有16个轨道,4种元素形成的化合物如图。下列说法正确的是
X
X-W]
A.离子半径:Z>Y>X
B.键角:W2X>W2Y
C.熔点:Z2X<Z2Y
D.W2X2为非极性分子
12.碘的晶胞结构如图,下列说法正确的是
A.1个碘晶胞中含有4个碘原子
B.碘晶体熔化时需克服分子间作用力
C.1个碘分子周围紧邻的碘分子有6个D.碘晶胞中碘分子取向相同
13.物质结构研究所某课题组报告了一种优化的界面催化剂。合成方法如图所示。
Cu2O NPs
Ag-Cu2O
CuSO4·5H,O
C6H8O
NaOH
Cu,O
①Cu20NP○Ag domain OCu●0●Ag
下列说法正确的是
A.从结构角度Cu+比Cu更稳定
B.CuSO4·5H2O晶体中含有配位键、氢键、离子键等化学键
C.AgNO3中阴离子的空间结构为三角锥形
D.已知银单质晶胞如图所示
则沿坐标轴的投影为···
●●●
高二化学(一)第3页共6页
14.硒化锌是一种黄色晶体,可用于荧光材料、半导体掺杂物。立方晶胞结构如图
所示,其晶胞参数为apm,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是
A●Se OZn
A.该晶体中Se的配位数为2
B.相邻的Se与Se2之间的最近距离为gpm
CA点分数坐标为(0,0,0,则C点分数坐标为(宁,子、
4
D雨化锌品体的密度为进。
/cm3
二、非选择题:本题共4小题,共58分。
15.(15分)在人工智能研究领域,能量的储存和释放是关键的制约因素之一,回
答下列问题:
(1)氨硼烷(NH3BH3)是最具潜力的储氢材料之一,NH3BH3分子中,与N原
子相连的H呈正电性,与B原子相连的H呈负电性,电负性大小顺序是
(填元素符号),NH3BH3分子中存在的是sp3-so键和
6键。
(2)NHFe(SO:)2·12H2O是一种复盐,俗称铁铵矾,可用于鞣革。铁铵矾中的
中心原子N的杂化类型为
;NH的键角比NH3的键角
(填
“大”或“小”),理由为
(3)苯胺(《》-NH)比甲苯(《》-
CH)在水中的溶解度大,原因是
,两者的相对分子质量相近,沸点:苯胺
(填“>”“<”
或“=”)甲苯;1mol甲苯(《
CH,)含有的。键数目为
(NA为阿伏
加德罗常数的值)。
16.(14分)科学家对多种过渡金属元素进行深入的研究,在新能源、新材料研发,
医疗等领域应用广泛。回答下列问题:
(1)《中华本草》等中医典籍中,记载了炉甘石(ZCO3)入药,可用于治疗皮肤
炎症或表面创伤。基态Zn+的价层电子轨道表示式为
ZnCO
中阴离子空间结构为
高二化学(一)第4页共6页
(2)PtCl2(NH3)2有如图两种平行四边形结构。a分子可用于抗癌药物,a在水
中的溶解度比b大的原因是
;a和b中均存在
配位键,提供孤电子对的原子是
(填元素符号);PtCl2(NH3)2中
的H一N一H键角
(填“>”“<”或“=”)NH3分子中的H一N一H
键角。
Cl---------NH3
C…NH3
>NH;
HaN:------
a
b
(3)铁氮化合物因其特殊的组成和结构而具有优异的铁磁性能,某铁氮化合物
的立方晶胞结构如下图所示。该化合物的化学式为
;若以氮原
子为晶胞顶点,则铁原子在晶胞中的位置为
Fe
▲N
17.(15分)已知A、B、C、D、E、F、M是原子序数依次增大的前四周期的元
素,其相关信息如下:
元素
相关信息
A
电子只有一种自旋取向,是宇宙中含量最多的元素
B
原子最外层电子数是内层电子总数的2倍
C
元素的基态原子价层电子排布是ns”np2m
D
所在周期电负性最大的元素
E
最外层电子数是次外层电子数的一半
基态原子最外层p轨道上有两个电子
F
的自旋方向与其他电子相反
M
元素基态的正三价离子的3d轨道为半充满
高二化学(一)第5页共6页
回答下列问题:
(1)1mol固态AC中含有的氢键数目为
(VA为阿伏加德罗常数
的值)。
(2)B的单质存在形态有多种,其中可以导电的是
(填物质名称,下
同),硬度最大的是
,两者相比熔点高的是
,两者晶体类型
(填“相同”或“不相同”)。
(3)EF4的晶体类型是
,中心原子E的杂化类型是
(4)已知MD3的熔点显著高于MF3的熔点,原因是
18.(14分)VA族元素形成的化合物种类繁多,应用广泛。回答下列问题:
(1)向盛有4mL0.1mol/L CuSO4溶液的试管里滴加几滴1mol/L氨水,生成
难溶物,发生反应的离子方程式是
,继续滴加氨水
并振荡试管,观察到的现象是
再向试管
中加入8mL95%乙醇,并用玻璃棒摩擦试管壁,析出深蓝色晶体,该深蓝色晶
体的化学式是
,该深蓝色晶体中阴离子的空间结构是
(2)三氧化二砷(AsO3,俗称砒霜)可用于白血病的治疗,As2O3分子结构如图
As
所示
,As原子的杂化类型是
(3)砷化镓(GAs)为第三代半导体,其立方晶胞结构如图所示。已知晶胞参数
为anm,Ga位于As形成的
空隙中,As与Ga的最近距离是
nm.
OAs●Ga
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