小练18 无机非金属材料-【衡水金卷·先享题】2026年新高考化学拿满基础分自主小练(HX)

2026-03-31
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河北金卷教育科技有限公司
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资源信息

学段 高中
学科 化学
教材版本 -
年级 高三
章节 -
类型 题集-专项训练
知识点 常见无机物及其应用
使用场景 高考复习
学年 2026-2027
地区(省份) 全国
地区(市) -
地区(区县) -
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文件大小 646 KB
发布时间 2026-03-31
更新时间 2026-03-31
作者 河北金卷教育科技有限公司
品牌系列 衡水金卷·先享题·拿满基础分自主小练
审核时间 2026-03-31
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来源 学科网

内容正文:

参考答案及解析 (6)2NO+Cr2 O+6H=2NO+2Cr+3H2O (1分) 【解析】用CO2与NO制备亚硝酸钙,实验开始前先 通氮气是为了排除装置内的空气,在装置I中由铜和 稀硝酸反应制取一氧化氮:3Cu十8HNO3(稀) 3Cu(NO3)2+2NO个+4HO,产生的气体中混有少 量的HNO3,可用Ⅱ装置进行除杂,则Ⅱ装置中盛放 的试剂为蒸馏水,装置Ⅲ为干燥装置,通过W中与过 氧化钙反应生成亚硝酸钙,装置V为防止尾气处理装 置中的水蒸气进入装置Ⅳ中,装置Ⅵ为尾气吸收 装置。 (1)根据实验装置图可知,仪器a为分液漏斗,在装置 I中由铜和稀硝酸反应制取一氧化氮:3C十 8HNO3(稀)—3Cu(NO3)2+2NO↑+4H2O。 (2)由分析可知,装置Ⅱ的作用是除去NO中混有的 少量HNOa。 (3)由分析可知,装置Ⅲ为干燥装置,即干燥NO,胆 矾和CuO没有吸水性,NO与碱石灰、浓硫酸不反应, 故选A、C项。 (4)由分析可知,向三颈烧瓶中加入稀硝酸之前,应向 装置中通入一段时间的N2,目的是排除装置中的空 气,防止生成的NO被空气中的O2氧化为NO2;反 应结束后继续通入一段时间N:,以将装置内剩余的 NO全部排入尾气处理装置中,以防污染环境。 (5)由题干信息可知,亚硝酸钙易潮解,故若缺少装置 V,产生的影响是装置I中的水蒸气进入V中,引起 亚硝酸钙潮解,降低产品的纯度。 (6)装置I中氮元素被氧化成十5价,即NO被氧化 成NO,CrO被还原为Cr3+,根据氧化还原反应 配平可知,该反应的离子方程式为2NO十CrO号十 6H+—2NO+2Cr3++3HO。 小练18无机非金属材料 1.B【解析】先锋煲(陶)、弦纹玻璃杯、六棱柱形水晶 穿珠均为无机非金属材料,化学性质稳定,不易腐蚀; 翔鹭纹铜鼓主要成分为锡铜合金,在潮湿空气易发生 电化学腐蚀,故选B项。 2.B【解析】CO通入可溶性硅酸盐中析出硅酸沉淀, 反应方程式是Na2 SiO3十H,O十CO2=Na2CO3十 H2SO3↓,反应原理是强酸制弱酸,说明碳酸比硅酸 酸性强,故选B项。 3.C【解析】NaHCO受热分解可生成NaCO, Na2CO3溶液通入足量二氧化碳反应可生成 NaHCO3,Na HCO3和Na2CO3均可与氢氧化钙发生 ·2 化学·HX 复分解反应生成NaOH,A项不符合题意;SiO2可被 C还原成Si,Si与氧气在高温条件反应生成SiO2, SiO2和Si均可与NaOH反应生成Na2SiO3,B项不 符合题意;Fe2O3无法一步直接反应生成Fe(OH)3, C项符合题意;Cl2与氢氧化钠反应可生成NaClO和 NaCl,NaCIO与HCl反应可生成Cl,和NaCl,D项不 符合题意。 4.D【解析】SiO2能与氢氟酸反应,因此可用氢氟酸 刻蚀玻璃,A项正确:向Na2SiO3溶液中逐滴加入稀 盐酸可制备硅酸凝胶,B项正确;氮化硅是一种重要 的结构陶瓷材料,化学式为SN4,C项正确;硅是良 好的半导体材料,可以制成光电池,将光能直接转化 成电能,不是石英,D项错误。 5.C【解析】硅酸镁和硫酸反应会生成硅酸,A项正 确;根据题干和流程分析,酸溶时Fe、Al的氧化物转 化成Fe3+、Fe+、A3+,氧化过程中主要反应的离子 方程式为H2O2十2Fe++2H+—2Fe3++2H,O,B 项正确:分液操作,上层液体从上口倒出,下层液体从 下口放出,C项错误:调节萃取后得到的水溶液pH 时,可以使用氧化镁,氢氧化镁,碳酸镁等,D项正确。 6.AC【解析】在SiO2晶体中,1个Si原子和4个O 原子形成4个共价键,每个S原子周围结合4个O 原子,故1 mol Si02品体中含有Si一0键数目为 4NA,A项正确;HF溶液的体积未知,无法计算氢离 子的物质的量,氢离子数目不确定,B项错误:氮气和 C0的摩尔质量均为28g/mol,故2.8g混合物的物 质的量为0.1mol,且两者均含14个质子,故0.1mol 混合物中含1.4NA个质子,C项正确;未指明标准状 况,无法计算11.2LCO的物质的量,D项错误。 7.D【解析】因为电负性:Si<H,所以SiH,中硅元素 为十4价,而MgSi中硅元素为一4价,所以在Mg:Si 十4HCI—2MgCL2十SiH个中,硅元素体现还原 性,故选D项。 8.(12分) (1)BD(2分) (2)S10,+2C高温si+2C04(2分)1:2(2分) (3)防止SHCl3发生水解、防止硅被氧化、防止氢气 与氧气反应而发生爆炸(任写两点)(2分) (4)各组分沸点相差较大(2分) (5)H2、HCI(2分) 【解析】(1)铝与氢氧化钠溶液反应生成 Na[Al(OH)]和氢气,A项不符合题意:氧化铝与氢 氧化钠溶液反应生成偏铝酸钠和水,B项符合题意: 化学·HX 氧化铜与氢氧化钠溶液不反应,C项不符合题意:碳 酸氢钠与氢氧化钠溶液反应生成碳酸钠和水,D项符 合题意。 (2)二氧化硅与碳在高温下反应生成粗硅和CO,对应 的化学方程式为Si0,十2C高温sSi十2C0*;石英砂和 焦炭生成SC的反应为SiO,+3C高温siC+2C0+, C化合价由0价降低为一4价,由0价升高为十2价, C既是氧化剂又是还原剂,根据氧化还原规则,氧化 剂和还原剂的物质的量之比为1:2。 (3)根据上述流程以及相关信息可知SHCL极易水 解,反应过程中会产生氢气,而空气中含有氧气和水 蒸气,因此整个操作流程都需隔绝空气,原因是防止 SiHCI发生水解,防止硅被氧化,防止氢气与氧气反 应而发生爆炸。 (4)分馏或蒸馏主要是通过互溶液体混合物沸点不同 进行物质分离的方法,因此分馏操作的理论依据是各 组分沸点相差较大 (5)根据流程转化示意图分析可知上述操作流程中可 以循环利用的物质是H、HCI。 9.(12分) (1)14(2分) (2)①分液漏斗(2分)浓硫酸(2分) ②加热均匀,便于控制温度使SHCL汽化(2分) ③检验氢气的纯度或先滴加稀硫酸,产生氢气,排净 装置中的空气(2分)SiHCI,十H,△Si+3HC (2分) 【解析】(1)基态Si原子有14个核外电子,则共有14 种不同的运动状态。 (2)装置A中Z和稀硫酸反应产生H2;装置B的作 用是干燥H2;装置C的作用是汽化SiHCl和混合 H2和SiHCI3气体:装置D中SiHCI与干燥Hg反 应,得到纯Si。 ①仪器a的名称为分液漏斗,装置B中的试剂为浓 硫酸。 ②水浴加热可以使得加热均匀,便于控制温度使 SiHCI,汽化。 ③加热装置D前需检查装置的气密性和排出装置中 的空气,保证H具有高纯度,则第ⅱ步为检验氢气 的纯度或先滴加稀硫酸,产生氢气,排净装置中的空 气,该装置中发生反应的化学方程式为SiHCI十H △Si+3HC1。 小练19原子结构与性质、元素周期律 1.C【解析】霓虹灯发光是因为在外加电场作用下,电 ·2 参考答案及解析 子吸收能量后跃迁到能量较高的轨道,能量较高轨道 上的电子再跃迁回到能量较低的轨道时,以光的形式 释放能量。故选C项。 2.D【解析】据图示可知,铊原子的质子数为81,A项 正确:铊原子的最高能级为6p,其电子云为哑铃形,B 项正确:铊原子核外只有6p轨道上有1个未成对电 子,C项正确:铊原子核外有81种不同运动状态的电 子,而不是81种空间运动状态,D项错误。 3.C【解析】Sn、Pb为第NA族元素,As为第VA族 元素,O为第IA族元素,均属于p区元素,A项正 确;Sn、Pb为第WA族元素,As为第VA族元素,O 为第MA族元素,均属于主族元素,B项正确;Cu、Sn、 Pb、Fe、As、O中O的第一电离能最大,C项错误;Cu、 Sn、Pb、Fe、As、O中O的电负性最大,D项正确。 4.D【解析】N、O、F三种元素位于同一周期,自左向 右,氧化性增强,电负性增大,原子半径减小,A、B、C 项均正确;因为N原子的2p能级有3个电子,为半充 满较稳定结构,所以第一电离能:F>N>O,D项 错误。 5.B【解析】NaCl由Na和CI构成,其电子式为 NaCl时,A项错误;基态?Ag的价层电子排布式为 4d5s,根据洪特规则和泡利不相容原理可知,其价 4d 层电子的轨道表示式为W利刊的,B项正确: Fe2+的电子排布式为1s22s2p3s23p3d,其结构示 意图为(+26) 284,C项错误;p轨道的电子云轮廓图 为哑铃形,D项错误。 6.D【解析】金属性:C>Mg>Al,所以碱性: Al(OH)3Mg(OH)2<Ca(OH)2,A项正确;O-、 Na+、A+的核外电子数和电子层数均相同,则其核 电荷数越大,离子半径越小,B项正确;同周期非金属 元素,自左向右,其简单氢化物的热稳定性逐渐增强, C项正确:HCIO,的酸性最强,D项错误。 7.B【解析】位于第IB族的铜原子的最外层电子排 布为4s,A项错误;最外层有2个未成对电子的元素 的价电子排布式为ns2p2或ns2np,一定是主族元 素,B项正确;第ⅡB族的Zn最外层电子排布式为 4s2,C项错误;第IB族的Cu次外层电子排布为 3s23p3d,D项错误。 8.B【解析】Q的第一电离能明显比其他元素大,所以 Q的还原性可能最弱,其电负性在这些元素中可能最 大,A项正确:R的最外层电子排布应为s,S的最 外层电子排布为s2,二者不可能在同一主族,B项错拿满基础分自主小练·化学·Hⅸ 小练18无 (考试时间:30分 可能用到的相对原子质量:C12N14 016Si28 单项选择题每小题2分,不定项选择题每小 题4分 1.(教材改编题)“挖掘文物价值,讲好中国故 事。”下列文物在潮湿空气中易发生电化学 腐蚀的是 选项 A C D 文物 先锋煲 翔鹭纹弦纹玻六棱柱形 名称 (陶) 铜鼓 璃杯 水晶穿珠 2.(教材改编题)下列能证明硅酸的酸性弱于 碳酸酸性的实验事实是 A.CO2溶于水形成碳酸,SiO2难溶于水 B.CO2通入可溶性硅酸盐中析出硅酸沉淀 C.高温下SiO2与碳酸盐反应生成CO2 D.氯化氢通入可溶性碳酸盐溶液中放出气 体,其气体通入可溶性硅酸盐溶液中生 成沉淀 3.已知甲、乙、丙转化关系如图所示(部分物 质和反应条件已略去,“→”表示一步反应 即可实现),下列各组物质不满足图示转化 关系的是 选项 甲 乙 丙 NaHCO Na,CO NaOH B SiO Si Na,SiOa 病 Fe2 O Fe(OH) FeCk Cl2 NaClO NaCl 4.(教材改编题)下列说法错误的是 A.SiO2能与氢氟酸反应,因此可用氢氟酸 刻蚀玻璃 B.向Na2SiO3溶液中逐滴加入稀盐酸可制 备硅酸凝胶 C.氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料,化 学式为Si3N 35 班级: 姓名: 几非金属材料 钟,满分40分) D.石英是良好的半导体材料,可以制成光 电池,将光能直接转化成电能 5.实验室以一种工业废渣(主要成分为 MgCO3、MgSiO3和少量Fe、Al的氧化物) 为原料制备重要化工原料MgCO3·3H2O 的工艺流程如图所示。下列说法错误的是 40%H2$0430%H202有机萃取剂 废渣→酸溶一过滤→氧化一→座取分液…→MgC03H,0 滤渣 含Fe3+的有机相 A.滤渣中除不溶性杂质外还有硅酸 B.氧化过程中主要发生反应的离子方程式 为H2O2+2Fe2++2H+—2Fe3+ +2H2O C.萃取分液后分液漏斗中的液体全部由下 口放出到两个不同烧杯中以便分离 D.萃取后得到的水溶液可以边搅拌边加入 MgO以调节pH 6.(教材改编题,不定项)SO2用途广泛。利 用HF溶液与玻璃中SO2反应生产磨砂玻 璃:利用反应3SiO,十6C+2N,高温Si,N,十 6CO制备SiN4陶瓷。设NA为阿伏加德 罗常数的值。下列说法正确的是 A.1 mol SiO2中所含Si一O键数目为4NA B.pH=2的HF溶液中所含H+数目为 0.01NA C.2.8gN2与CO混合气体中所含质子数 为1.4NA D.制备SiN4的反应中,生成11.2LCO 时转移电子数为NA 7.硅是电子工业的重要材料。利用石英砂 (主要成分为SiO2)和镁粉模拟工业制硅的 流程如图所示。 已知:电负性:Si<H。 Si SiHa(g) 石英砂引燃 Mgo 过量的盐酸 镁粉I 溶液 Mg2Si t00000 滤渣 >Si 下列说法错误的是 A.I中引燃时用镁条,利用了镁条燃烧放 出大量的热 B.Ⅱ中主要反应有MgO+2HCl MgCl2+H2O,Mg2 Si+4HCI 2MgCl2+SiH4个 C.为防止SH4自燃,Ⅱ需隔绝空气 D.过程中含硅元素的物质只体现氧化性 8.(12分,教材改编题)高纯硅是制作光伏电 池的关键材料,某生产高纯硅的工艺流程 如图所示: 石英砂、焦炭 HCI H2 电弧炉→流化床反应器→还原炉→高纯硅 HCI 已知:①流化床反应器的主反应:S+3HCI 250-300℃SiHCI,+H2: ②还原炉的主反应:SiHCI+H2 10-120℃Si+3HCL: ③SiHCI3极易水解:SiHCI3+3H2O H2SiO3+H2◆+3HCI个。 回答下列问题: (1)石英砂的主要成分为SiO2,SiO2是一种 酸性氧化物,能与烧碱反应生成盐和水,下 列物质中也能与烧碱反应生成盐和水的是 (填选项字母)。 A.Al B.Al2O3 C.CuO D.NaHCO (2)电弧炉中生成粗硅,反应的化学方程式 为 ;若电弧炉中焦 炭过量,还会有SiC生成,石英砂和焦炭生 成SC的反应中,氧化剂和还原剂的物质的 量之比为 36 (3)整个操作流程都需隔绝空气,原因是 (答 出两条即可)。 (4)流化床反应器中除SHCl外,还可能发 生副反应,生成其他含硅化合物(如SiCl4、 SiH2Cl2、SiH3CI等),可以用分馏的方法加 以分离,该操作方法的理论依据是 (5)上述操作流程中可以循环利用的物质 是 (填 化学式)。 9.(12分)硅的提纯是电子工业一项十分重要 的工作,回答下列问题: (1)基态S原子核外电子共有 种不同的运动状态。 (2)实验室用SiHCI3与过量干燥H2反应 制取纯硅的装置如图所示(夹持、尾气处理 装置及部分加热装置均略去)。 a令稀硫酸 石英管 Zn A D ①仪器a的名称为 ;装置B中的试剂为 ②将装置C水浴加热,该加热方式的优点 是 ③为保证实验安全,加热装置D前必须完 成的操作:ⅰ.检验装置的气密性;ⅱ. ,该装置中发生反 应的化学方程式为

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