内容正文:
专题三 重难提优2 晶体类型的判断与晶胞结构的有关计算
班级 姓名 得分
一、填空题
1、六方相氮化硼晶体结构与石墨相似(图1),但不能导电,立方氮化硼晶体的晶胞如图2所示,该晶胞的俯视投影图如图3所示,下列说法正确的是 ( )
图1 图2 图3
A.电负性:B>N
B.六方相氮化硼晶体不导电的原因是层状结构中没有自由移动的电子
C.六方相氮化硼晶体属于分子晶体
D.图3中表示硼原子相对位置的是②
2、碳化镁具有反萤石结构,晶胞如图所示,熔融的碳化镁具有良好的导电性。下列叙述错误的是 ( )
A.基态镁原子s、p能级上的电子数之比为1:1
B.碳化镁属于共价晶体
C.该晶体中碳的配位数为8
D.碳化镁的化学式为
3、根据表给出的几种物质的熔、沸点数据,判断下列说法错误的是 ( )
晶体
NaCl
AICl3
SiCl
单质R
熔点/℃
801
714
190
-70
2 300
沸点/℃
1 465
1 418
178
57
2 500
A.SiCl4和AlCl3都是分子晶体,熔融状态下不导电
B.和NaCl都是离子晶体,熔融状态能导电且易溶于水
C.若单质R是共价晶体,其熔、沸点的高低是由共价键的键能决定的
D.固态时可导电的一定是金属晶体
4、下列有关离子晶体的数据大小比较错误的是 ( )
A.熔点:
B.晶格能:NaF>NaCl>NaBr
C.阴离子的配位数;
D.硬度:MgO>CaO>BaO
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5是三种典型的晶体,晶胞结构如图所示。下列说法错误的是 ( )
A.通过晶体的X射线衍射实验可以区分NaCl、CsCl晶体
B.NaCl、CsCl晶体中,CI的配位数相等
C.两种晶体的熔点:
D.晶胞中,a点坐标参数为(0,0,0),则b点F的坐标为
6、下列关于各晶体模型示意图的分析正确的是 ( )
2
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NaCl的晶胞
铜晶胞
干冰晶胞
石墨晶体的结构
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A.Na+周围最近的CI构成的空间结构为正六面体
B.Cu晶胞中每个Cu距离最近的Cu有8个
C.1个干冰晶胞中含有4个CO2分子
D.石墨层与层间的主要作用力是共价键
7、铜和氧形成的一种离子化合物晶胞、晶胞如图所示,下列说法错误的是 ( )
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离子化合物晶胞
o氧·铜
C.晶胞
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A.铜和氧形成的离子化合物,铜离子的电荷数为+1
B. 晶体采用的是分子密堆积方式,与每个距离最近且等距离的有12个
C.和石墨的晶体类型相同,都能导电
D.晶体的熔点:石墨
8 、钡在氧气中燃烧时得到一种钡的氧化物晶体,结构如图所示。下列有关说法正确的是 ( )
A.该晶体属于离子晶体,晶体的化学式为BaO
B.该晶体中化学键类型只有离子键
C.该晶体的晶胞结构与CsCl相似
D.填入堆积产生的八面体空隙,填隙率100%
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9、下列叙述不正确的是 ( )
图1 图2 图3 图4
A.晶胞结构如图1,的配位数是8
B.某镍白铜合金的立方晶胞结构如图2,晶胞中铜原子与镍原子的数量比为3:1
C.氯化钠晶胞如图3,离钠离子最近的钠离子有6个
D.Cu、O元素形成的晶胞如图4,晶胞中Cu均匀地分散在立方体内部,a、b的坐标参数依次为(0,
0,0)、,则d的坐标参数为
二、填空题
10、氮化钼作为锂离子电池负极材料具有良好的发展前景。其晶胞结构如图所示。氮化钼的化学式为 ,Mo原子周围与之等距离的Mo原子个数为 。
11、(1)工业上,电解Al2O3制取单质铝,常利用冰晶石降低的
①测定气态HF的摩尔质量时,往往得不到20g/mol的数据,原因是 。
②冰晶石的晶体不导电,但熔融时能导电,则在冰晶石晶体中存在 (填字母)。
a.离子键 b.极性键 c.配位键 d.范德华力
③反应物中元素(氢除外)的第一电离能从大到小的顺序为 (用元素符号和“>”表示)。
(2)NiO的晶体结构如图所示,其中离子坐标参数A为(0,0,0),B为(1,1,0),则C离子的坐标参数为 。
(3)一定温度下,NiO晶体可以自发地分散并形成“单分子层”,可以认为O2-作密置单层排列,填充其中(如图),已知O2-的半径为apm,每平方米面积上分散的该晶体的质量为 g (用含a、的代数式表示,,O-16,Ni-59)。
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12、含铜物质在生产生活中有着广泛应用。回答下列问题。
(1)基态Cu原子的电子所占据的最高能层符号为 ;基态较基态稳定的原因是 ;Cu2O和都是离子晶体,熔点较高的是 。
(2)一种由Cu、In、Te组成的晶体属于四方晶系,晶胞参数如图所示,晶胞棱边夹角均为90°,晶体中Te原子填充在Cu、In围成的四面体空隙中,则四面体。空隙的占有率为 ;该晶体的化学式为 。以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称为原子的分数坐标,如A点、B点原子的分数坐标分别为(0,0,0),C点原子的分数坐标为 ;晶胞中C、D间距离d= pm。
13、(1)砷化镓的立方晶胞结构如图甲所示。
甲 乙
①砷化镓晶体属于共价晶体。该晶体中 (填“有”或“无”)配位键存在。GaN、GaP、GaAs具有相同的晶体类型,熔点如表所示,分析其变化原因:
。
晶体
GaN
GaP
GaAs
熔点/℃
1 700
1 480
1 238
②图甲中原子坐标参数为a(0,0,0)、,则c的原子坐标参数为 。
③砷化镓的摩尔质量为Mg/mol,Ga的原子半径为pnm,则砷化镓晶体的密度为 g/cm3(列式即可)。
(2)高温超导体通常指在液氮温度(77K)以上超导的材料,而超导体是在23K下才显示超导性。铜元素化合物种类繁多,是高温氧化物超导体研究的热点。请回答下列问题。
①高温超导材料镧钡铜氧化物中含有,基态时的价层电子轨道表示式为 ,基态(-中含有 种不同空间运动状态的电子。
②是第一个被发现的高温氧化物超导体,它属于 (填晶体类型)晶体,图乙为其晶胞结构。以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称作原子分数坐标。例如图乙中原子1的坐标为( ),则原子2的坐标为 。
【答案和解析】
1.B 同周期元素从左到右,元素的电负性逐渐增强,故电负性B<N,A错误;六方相氮化硼晶体结构与石墨相似,属于混合型晶体,C错误;图3是该晶胞的俯视投影图,则面心原子是氮原子,硼原子也位于面内,相对位置是③,D 错误。
2.B 基态Mg原子核外电子排布式为,s能级、p能级各有6个电子,s、p 能级上的电子数之比为1:1,A正确;熔融的碳化镁具有良好的导电性,说明能电离出可自由移动的离子,碳化镁属于离子晶体,B错误;该晶胞中与面心的C最近的Mg有4个,面心C原子为2个晶胞共有,故该晶体中碳的配位数为8,C正确;该晶胞镁原子在晶胞内部,个数为8,碳原子个,Mg 和C个数比为2:1,碳化镁的化学式为Mg2C,D正确。
3.D 相比之下,AICl3、SiCl4的熔、沸点都很低,可以判断出这两种物质都是分子晶体,熔融状态下不能电离出离子,所以不能导电,A正确;和NaCl的熔、沸点都较高,可以判断出这两种物质都是离子晶体,熔融状态下可以电离出离子,所以能导电,且这两种物质都易溶于水,B正确;R的熔、沸点非常高,若其为共价晶体,则其熔、沸点的高低是由共价键的键能决定的,共价键的键能越高,该物质的熔、沸点也越高,C正确;固态时可导电的不一定是金属晶体,比如石墨,石墨不是金属晶体,但是石墨可以导电,D错误。
4.A 离子半径越小、所带电荷越多,离子晶体熔点越高,故熔点,A错误;离子半径越小,晶格能越大,故晶格能NaF>NaCl>NaBr,B正确;由图知,阴离子的配位数(即阴离子周围与其距离最近且相等的阳离子总数)分别为8、6、4,故阴离子的配位数CsCl>,C正确;离子半径,故硬度MgO>CaO>BaO,D正确。
5.B NaCl、CsCl晶体的结构不同,则二者进行X 射线衍射时,所得衍射图样、晶格常数和衍射强度存在差异,据此可区分二者,A正确;NaCl 晶体中C1的配位数为6,CsCl晶体中CI-的配位数为8,CI-的配位数不相等,B错误;、CsCl均为离子晶体,且离子半径,离子所带电荷数则晶体中晶格能更大,熔点更高,C 正确;晶胞中,a点坐标参数为(0,0,0),则b点F的坐标为,D正确。
6.C 采用沿X、Y、Z三轴切割的方法确定钠离子的配位数,X轴上有2个氯离子,Y轴上有2个氯离子,Z轴上有2个氯离子,故钠离子的配位数是6,将6个氯离子连接后所围成的空间结构为正八面体,A错误;在Cu的晶胞中,顶点原子为8个晶胞共用,面上的铜原子为2个晶胞共用,在Cu的晶胞中,与每个顶点的Cu 原子距离最近的铜原子共有12个,B错误;干冰晶胞中,含有 正确;石墨层与层间的主要作用力是分子间作用力,D错误。
7.C 晶胞中,氧原子的个数,铜原子个数为4,则化学式为,由化合价代数和为0可知,铜离子所带电荷数为+1,A正确;是分子晶体,石墨是混合型晶体,晶体类型不同,C错误;石墨熔化时除要克服层与层之间的作用力外,还需要克服强的共价键,故晶体的熔点:石墨>C60,D正确。
8.D 晶胞中位于晶胞的顶点和面心位置,晶胞中共含有的个数为4,O2-位于晶胞的棱上和体心位置,共含有的个数为 ,该氧化物为,A错误;中O、O之间为非极性共价键,B错误;由晶胞结构可知,阴、阳离子配位数为6,与NaCl结构相似,CsCl晶体中,阴、阳离子配位数为8,C错误;O2位于体心和棱心,均处在,堆积产生的八面体空隙内,因此填隙率为100%,D正确。
9.C Li+与S2-的个数之比为2:1,则Li+与S2-的配位数之比为1:2,由的晶胞结构可知,Li+的配位数为4,则S2-的配位数是8,A 正确;用“均摊法”,晶胞中Ni原子的个数为8x 原子的个数为,则晶胞中铜原子与镍原子的数量比为3:1,B正确;以1个顶点Na+为研究对象,在图示晶胞中离其最近的位于面心,由于顶点为8个晶胞共有,面心为2个晶胞共有,则氯化钠晶胞中离钠离子最近的钠离子有个,C错误;晶胞中Cu均匀地分散在立方体内部,由晶胞可知,Cu位于体对角线上,与体心O的距离为体对角线的,a、b的坐标参数依次为(0,0,0)、 ,则d的坐标参数为,D正确。
10. 12
11.(1)①部分气态HF分子间以氢键结合
②abc ③F>O>C>Al>Na
(2)
(3)
解析:(1)①因为HF分子间存在氢键,所以在测定气态HF的摩尔质量时,有部分HF分子通过氢键而结合了,往往得不到20g/mol 的数据。②冰晶石晶体不导电,但熔融时能导电,说明属于离子化合物,含有离子键,由构成,中含有配位键,也属于极性键。③反应物中元素(H除外)有Al、O、F、Na、C,第一电离能从大到小的顺序为F>O>C>Al>Na。(3)根据结构知,每个Ni原子被3个O原子包围,每个O 原子被3个Ni原子包围,相邻3个O原子中心连线为正三角形,每个Ni原子被2个三角形包围,2个正三角形的面积为2;2个正三角形中的NiO的质量,故每平方米上分散的该晶体的质量=
12.(1)N 的3d轨道全充满,达到稳定状态
(2)50%
解析:(1)铜元素的原子序数为29,价电子排布式为,由构造原理可知,原子的电子所占据的最高能层为N;铜原子失去1个电子形成亚铜离子,亚铜离子的价电子排布式为3d1°,3d轨道为稳定的全充满结构,不易失去电子,所以亚铜离子比铜离子稳定;氧化亚铜和硫化亚铜都是离子晶体,氧离子的离子半径小于硫离子,氧化亚铜的晶格能大于硫化亚铜,则氧化亚铜的熔点高于硫化亚铜。(2)由晶胞结构可知,铜和铟原子形成的四面体空隙有8个,形成的八面体空隙也有8个,则四面体空隙的占有率为50%;晶胞中位于顶点、面上和体内的铜原子个数为,位于棱上、面心和面上的铟原子个数为,位于体内的碲原子个数为8,则铜、铟、碲的原子个数为4:4:8=1:1:2,晶体的化学式为;由位于顶点A点和体心B点原子的分数坐标分别为(0,0,0)、可知,位于体对角线处、面对角线处的C点原子的分数坐标为;晶胞中C、D形成的直角三角形的边长为pm,则C、D间距离
pm。
13.(1)①有 GaN、GaP、、GaAs都是共价晶体,原子半径N<P<As,键长Ga-N<Ga-P<Ga-As,,键能Ga-N>Ga-P>Ga-As,故GaN、GaP、GaAs熔点逐渐降低
②③
(2)① 略 5 ②离子
解析:(1)①砷化镓(GaAs)晶体中,每个Ga 原子与4个As原子成键,而Ga原子只有3个价电子,故需提供1个空轨道形成配位键。②c周围的4个Ga原子形成正四面体,c处于正四面体的体心位置,c与顶点Ga原子连线处于晶胞体对角线上,由几何知识可知,二者距离等于体对角线长度的,故c的参数x=,故c的坐标参数为。③晶胞中,Ga原子数目 原子数目为4,相当于含有4个、,晶胞中含有原子总质量为8 Ga 的原子半径为pnm,,则晶胞棱长nm,晶胞体积,晶体密度=(2)①铜元素的原子序数为29,铜原子失去3个电子形成三价铜离子,三价铜离子的价电子排布式为;基态O2-的电子排布式为,共占用5个轨道,共有5种不同空间运动状态的电子。
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