专题07 晶胞的结构与计算（抢分专练）（全国通用）2026年高考化学终极冲刺讲练测

而学科网·上好课 www.zxxk.com 专题07晶胞的结构与计 PART2押题预测 考点1晶胞中粒子数与密度的计算 01考点狙击 【典例】C 02情境猜押 1.B 2.C 3.B 考点2原子分数坐标与投影图 01考点狙击 【典例】B 02情境猜押 1.B 2.B 3.C 考点3原子空间利用率与配位数的计算 01考点狙击 【典例】D 02情境猜押 1.D 2.D 3.B 上好每一堂课 算 y 日 U 蜀 蘭 器 www.zxx k.co m 上好每一堂课 PART3通关特训 3 5 7 0 10 D C U D B C A A 13 14 15 16 17 18 19 20 D 0 D D C C B D / 专题07 晶胞的结构与计算 题型 考情分析 考向预测 晶胞密度与粒子数计算 2025年湖北卷： 结合新型锂离子电池正极材料（LiFePO₄）的晶胞结构，考查晶胞中粒子数、配位数及密度的计算。 1. 晶胞参数与密度计算： 结合新素材（如钠离子电池、钙钛矿太阳能电池），考查均摊法、密度公式及空间利用率。 2. 原子坐标与空间构型： 结合晶体学前沿，考查原子坐标的书写、对称性分析及投影图识别。 3. 晶体缺陷与新材料： 结合新能源、半导体材料，考查晶胞缺陷、掺杂及非整数比化合物的分析与计算。 原子坐标与投影图分析 2025年湖南卷： 以立方晶系晶胞为背景，考查原子分数坐标的确定及沿体对角线的投影图分析。 原子利用率与配位数计算 2025年山东卷： 结合卤化物钙钛矿（如CsPbI₃）的晶胞缺陷，考查空位、掺杂对晶体结构的影响及离子式书写。 考点1 晶胞中粒子数与密度的计算 【典例】（2026·贵州毕节·二模）碳化钼在加氢反应、制氢反应、传感器及生物医学材料等领域具有优异的性能。一种六方相碳化钼晶胞结构如图所示。已知晶胞参数为，，，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．晶体中Mo原子与C原子个数比为 B．①号原子和②号原子间的距离为 C．晶体中与C最近且距离相等的Mo有8个 D．晶体密度为 【答案】C 【解析】从图像可以看出，一个晶胞中含有个Mo原子，和个C原子，晶体中Mo原子和C原子的个数之比为2:1，A正确；从图像可以看出，①号原子和②号原子在x-y平面投影的距离为a pm，在y-z平面投影的距离为c pm，且，则两原子之间的距离为，B正确；从图像可以看出，晶体中与C原子最近且距离相等的Mo原子有6个，C错误；从图像可以看出，该晶胞体积为，从选项A分析可知，晶胞中含有8个Mo原子和4个C原子，质量为，则该晶体密度为，D正确；故选C。 1.常见离子晶体结构分析 NaCl型 CsCl型 ZnS型 CaF2型 晶胞 密度的计算(a为晶胞边长，NA为阿伏加德罗常数) 2.晶胞的相关计算 (1)晶胞中各线段之间的关系 (2)晶体微粒与M、ρ之间的关系 若1个晶胞中含有x个微粒，则1 mol该晶胞中含有x mol微粒，其质量为xM g(M为微粒的相对“分子”质量)；1个晶胞的质量为ρa3 g(a3为晶胞的体积)，则1 mol晶胞的质量为ρa3 NA g，因此有xM＝ρa3NA。 3.宏观晶体密度与微观晶胞参数的关系 1．（2026·湖南邵阳·二模）与在军事和汽车安全气囊上有重要的应用，工业常用下列反应制备这两种物质：，，其中晶胞结构如图所示。为阿伏伽德罗常数的值。下列说法正确的是 A．熔点： B．晶胞中，的配位数为8 C．制备的反应中，每生成3 mol 转移电子数为 D．已知的密度为，则晶体中与之间的最短距离为 【答案】B 【解析】与均为离子晶体，熔点取决于离子键强弱。Li＋半径小于Na＋，与形成的离子键更强，故熔点 ，A错误；以顶点（或面心）的Li+为中心，其周围等距离且最近的有8个，因此，晶胞中，的配位数为8，B正确；N2H4中N为-2价，生成NaN3中N为价，每个N原子失，2个N原子共失电子数为；NaNO2中N为+3价，生成NaN3中N为价，每个N原子得电子数为，（即得电子），生成1 mol  NaN3转移mol 电子，生成 3 mol NaN3 转移mol电子，转移电子数为 10 ，C错误；晶体中与之间的最短距离为晶胞边长的一半，晶胞中Li+数：，数：，晶胞中含有2个，的摩尔质量为，1个晶胞含有2个，质量为，晶胞边长为a cm，密度为，则体积为，故，最短距离为，即为，D错误；故选B。 2．（2026·四川成都·二模）已知、、的沸点依次为1500℃、370℃、430℃，常温下和易形成二聚体(如)。的晶胞结构如图所示(该结构为长方体，棱长不相等，在棱心)。下列说法错误的是 A．熔化时破坏离子键 B．的沸点低于的原因是的相对分子质量小于 C．该晶体中，每个分子距离其最近的有6个 D．已知为阿伏加德罗常数的值，一个晶胞的体积为，则的晶体密度为 【答案】C 【解析】由题目可得的沸点高达1500℃，这与离子晶体的高熔点、高沸点特征一致，而和的沸点较低（370℃和430℃），符合分子晶体的特点，则为离子晶体，和均为分子晶体。由分析可得为离子晶体，熔化时破坏离子键，A正确；由分析可得和均为分子晶体，常温下和易形成二聚体(、)。相对分子质量越大，分子间作用力越大，沸点越高，相对分子质量小于，沸点低于，B正确；选取晶胞中宽边的棱心分子，由于各棱长不相等，与该棱心分子距离最近的分子为该晶胞中相邻两条高边的棱心分子以及相邻晶胞中两条高边的棱心分子，共有4个，C错误；根据均摊法，一个晶胞中的个数为，则一个晶胞的质量为，一个晶胞的体积为，则的晶胞密度为，D正确；故选C。 3．（2026·陕西·模拟预测）储氢材料是一个重要的研究领域，某科研团队发现了一种Fe-Mg合金储氢材料，是目前已发现的储氢密度最高的储氢材料之一，其晶胞结构如图所示。下列说法正确的是 A．距离Mg原子最近的Fe原子个数是6个 B．若该合金的密度为，阿伏加德罗常数的值为，则该晶胞的棱长为 C．若该晶体储氢时，分子在晶胞的体心和棱心位置，则含4.8 g Mg的该储氢合金可储存标况下约为4.48 L D．a点的坐标为，b点的坐标为，c点的坐标为 【答案】B 【解析】由图可知，晶胞中位于顶点和面心的铁原子个数为：8×+6×=4，位于体内的镁原子个数为8，则合金的化学式为Mg2Fe。由晶胞结构可知，镁原子处于四个铁原子构成的四面体空隙中，则距离镁原子最近的铁原子个数为4，A错误；设晶胞的棱长为a cm，由晶胞的质量公式可得：=a3ρ，解得a=，B正确；由分析可知，晶胞中位于体内的镁原子个数为8，由题意可知，晶胞中位于体心和棱心的氢分子个数为：12×+1=4，则含4.8 g 镁原子的该储氢合金可储存标况下氢气的体积约为：××22.4 L/mol=2.24 L，C错误；由位于顶点的a点、b点的坐标分别为、可知，位于顶点的c点的坐标为，D错误；故选B。 考点2 原子分数坐标与投影图 【典例】（2026·江西南昌·一模）钨酸钙（）常用于制备钨系列化工产品，其四方晶胞如图所示。下列说法错误的是 A．Ca位于晶胞的面上和棱上 B．与W最近且等距的O有8个 C．M与N的核间距为 D．若M的分数坐标为，则N的分数坐标为或 【答案】B 【解析】黑球代表Ca，据图可知，Ca位于晶胞的面上和棱上，A正确；以体心的W来看，与W最近且等距离的O位于以W为中心的八面体的顶点，有6个，B错误；已知M坐标为，N坐标为，则M与N的核间距为，C正确；如图所示，M的分数坐标为，则N的分数坐标为，由于晶胞周期性，N的分数坐标也可以表示为，D正确；故选B。 1.原子分数坐标的确定方法 (1)依据已知原子的坐标确定坐标系取向。 (2)一般以坐标轴所在正方体的棱长为1个单位。 (3)从原子所在位置分别向x、y、z轴作垂线，所得坐标轴上的截距即为该原子的分数坐标。 2.投影图的判断 (1)判断投影图时，一定要注意x、y、z轴的方向。 (2)结构模型中的原子也可以换为不同的原子，但在投影图中的位置不变。 2.简单立方体模型的原子分数坐标与投影图 (1) 原子分数坐标：原子2为(0，0，0)，所以其他顶点的分数坐标为1(1，0，0)，3(0，1，0)， 4(1，1，0)，5(1，0，1)，6(0，0，1)，7(0，1，1)，8(1，1，1)。 (2)xy平面上的投影图为。 3.体心立方晶胞结构模型的原子分数坐标与投影图 (1) 原子分数坐标：1～8的分数坐标为1(1，0，0)，2(0，0，0)，3(0，1，0)，4(1，1，0)，5(1，0，1)， 6(0，0，1)，7(0，1，1)，8(1，1，1)，9的分数坐标为。 (2)xy平面上的投影图为。 4.面心立方晶胞结构模型的原子分数坐标与投影图 (1) 原子分数坐标：0(0，0，0)，1和2、，3和4、，5和 6、。 (2)xy平面上的投影图如图所示。 5.金刚石晶胞结构模型的原子分数坐标与投影图 (1)若a原子为坐标原点，晶胞边长的单位为1，则原子1、2、3、4的分数坐标分别为、、、。 (2)xy平面上的投影图为。 (3)沿体对角线的投影图为。 1．（2026·江西赣州·一模）晶体结构与CsCl相似，只是用四面体占据CsCl晶体(图1)中的位置，而所占位置由O原子占据，如图2所示。为阿伏加德罗常数的值，。下列说法错误的是 A．若、，则CsCl晶胞边长约为413pm B．则晶体的密度为 C．晶胞俯视图为 D．若图2中四面体中氧原子的分数坐标为，则铜原子①的分数坐标可能为 【答案】B 【解析】晶胞边长a满足：，代入得CsCl晶胞边长约为413pm，A正确；一个晶胞若含4个原子，则应含2个原子，则，B错误；Cu2O 晶胞中，根据图2，O原子在体心，4个原子在晶胞内部构成正四面体，符合选项描述，C正确；氧原子分数坐标为，Cu₄O 四面体中 Cu 原子①位于氧原子方向，符合晶胞中原子的位置关系，D正确；故选B。 2．（2026·河北承德·一模）黄铁矿的主要成分是，其晶胞结构如图所示，晶胞参数为。以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称为原子的分数坐标。 下列说法正确的是 A．晶胞中的阴、阳离子个数比为2:1 B．晶胞中阳离子的原子分数坐标仅有4个：、、、 C．晶胞中阴离子位于阳离子构筑的正八面体体心，该八面体的边长为 D．晶体的摩尔体积为 【答案】B 【解析】中的阳离子为、阴离子为，晶胞中含有个数为，含有个数为，因此晶胞中的阴、阳离子个数比为1∶1，A错误；晶胞中的位置在顶点和面心，顶点的原子分数坐标为，面心的原子分数坐标有3个，分别为、、，B正确；晶胞中位于构筑的正八面体体心，该八面体的边长为面对角线的一半，即为，C错误；一个晶胞中含有4个，即每摩尔晶胞中含有，则晶体的摩尔体积为，D错误；故选B。 3．（2026·陕西榆林·模拟预测）锗(Ge)是重要的战略资源，某种含锗化合物的晶胞结构如图所示。已知晶胞中1号I相对原点的分数坐标为，表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．该化合物中Ge的化合价为+2 B．该晶胞中2号I的分数坐标可能为 C．该晶胞中1个周围与其距离最近的I有6个 D．该晶胞的密度可表示为 【答案】C 【解析】一个晶格中，有的个数为，I的个数为，Ge的个数为1，为+1价阳离子，I为-1价阴离子，则该化合物中显+2价，故A正确；当取2号I下方靠外的为原点时，该晶胞中2号I的分数坐标可为，故B正确；根据晶胞结构可知，该晶胞中与其共面的面心位置的I距离最近，周围共有12个，故C错误；Ge原子个数应为1，I原子个数应为3，CH3NH3的个数为1，则该晶胞的密度为，故D正确；故选C。 考点3 原子空间利用率与配位数的计算 【典例】（新考向·原子利用率）（2026·河南南阳·模拟预测）一种铁基化合物的晶胞结构单元如图所示。已知其中Ba原子坐标为，A点Fe原子坐标为(，晶胞参数为、、、、、的原子半径依次为、、、，设代表阿伏加德罗常数的值。下列有关说法中正确的是 A．晶胞中距离每个As原子最近的Fe原子个数为6 B．B点Fe原子坐标为 C．、、、四种元素中，Fe所在的族元素种类数最多 D．晶体中原子的空间利用率为 【答案】D 【解析】从晶胞结构看，每个As原子周围最近的Fe原子个数为4，A错误；已知Ba原子坐标为，A点Fe原子坐标为，结合晶胞坐标系与原子位置关系，B点Fe原子坐标应为，B错误；La为第ⅢB族共32种元素，Ba为第ⅡA族共6种元素，Fe为第Ⅷ族共12种元素，As为第ⅤA族共6种元素，La所在的第ⅢB族元素种类最多，C错误；晶胞中，La原子个数为，Ba原子个数为1，Fe原子个数为，As原子个数为，原子总体积：，晶胞体积：，空间利用率应为，D正确；故选D。 1.金属晶胞中原子空间利用率的计算 (1)空间利用率＝×100%，球体积为金属原子的总体积。 (2)四种类型 ①简单立方堆积 如图所示，原子的半径为r，立方体的棱长为2r，则V球＝πr3，V晶胞＝(2r)3＝8r3，空间利用率＝×100%＝×100%≈52%。 ②体心立方堆积 如图所示，原子的半径为r，体对角线c为4r，面对角线b为a，由(4r)2＝a2＋b2得a＝r。1个晶胞中有2个原子，故空间利用率＝×100%＝×100%＝×100%≈68%。 ③六方最密堆积 如图所示，原子的半径为r，底面为菱形(棱长为2r，其中一个角为60°)，则底面面积S＝2r×r＝2r2，h＝r，V晶胞＝S×2h＝2r2×2×r＝8r3，1个晶胞中有2个原子，则空间利用率＝×100%＝×100%≈74%。 ④面心立方最密堆积 如图所示，原子的半径为r，面对角线为4r，a＝2r，V晶胞＝a3＝(2r)3＝16r3，1个晶胞中有4个原子，则空间利用率＝×100%＝×100%≈74%。 2.晶胞中粒子配位数的计算 一个粒子周围最邻近的粒子的数目称为配位数，它反映了晶体中粒子排列的紧密程度。 (1)晶体中原子(或分子)的配位数：若晶体中的微粒为同种原子或同种分子，则某原子(或分子)的配位数指的是该原子(或分子)最接近且等距离的原子(或分子)的数目。常见晶胞的配位数如下： 简单立方：配位数为6 面心立方：配位数为12 体心立方：配位数为8 (2)离子晶体的配位数：指一个离子周围最接近且等距离的异种电性离子的数目。 以NaCl晶体为例 ①找一个与其他离子连接情况最清晰的离子，如图中心的灰球(Cl－)。 ②数一下该离子周围距离最近的异种电性离子数，如图标数字的面心白球(Na＋)。确定Cl－的配位数为6，同样方法可确定Na＋的配位数也为6。 1．（2026·河北邯郸·一模）一研究团队将高性能氮化镓(GaN)晶体管集成到标准硅芯片上，从而提升3D半导体高频应用的性能。GaN的一种晶胞结构如图所示，下列叙述正确的是 已知：六棱柱晶胞底边长为a pm，高为c pm，为阿伏加德罗常数的值。 A．激发态N原子的电子排布图为 B．GaN晶胞中阳离子配位数为6 C．第一电离能： D．GaN晶体密度为 【答案】D 【解析】题目所给图示为 2s22p3，是基态氮原子的电子排布。激发态应至少有一个2s电子跃迁至2p轨道（如 2s1，2p4），故该图不代表激发态，A错误；从晶胞结构可见，每个Ga原子被4个N原子包围，形成四面体配位环境；同理N也配位4个Ga。因此阳离子Ga的配位数为4而不是6，B错误；根据元素周期律可知第一电离能为N（第二周期，半满稳定）> Si（第三周期）> Ga（第四周期，金属性增强），故第一电离能正确顺序为，C项中“Si > N”不成立，C错误；晶胞内含6个Ga和6个N原子，晶胞的质量为，六方晶胞体积为底面积乘高：底面为正六边形，面积，高为 c pm，故体积为，密度为，故D正确；故选D。 2．（2026·陕西延安·二模）由可进一步制备，的某一种晶胞结构如图所示，该晶体的密度为，晶胞中P的坐标为，设阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．晶胞中的配位数为8 B．基态的电子云轮廓图为球形 C．N的坐标为 D．晶胞中与之间的最近距离为 【答案】D 【解析】首先分析晶胞组成：中与个数比为。晶胞中灰色大球（）：位于顶点和面心，数目为，黑色小球（）全在晶胞内，数目为，符合的比例。离子配位数之比等于离子数反比，配位数为，则配位数为，A正确；基态的电子排布为，轨道的电子云轮廓图为球形，B正确；坐标为，晶胞边长看作，靠近顶点，将晶胞体对角线四等分，的坐标为，C正确；晶胞质量，密度，得晶胞体积，晶胞边长。 与的最近距离为晶胞体对角线的，即，D错误；故选D。 3．（2025·辽宁葫芦岛·模拟预测）白锡和灰锡是单质Sn的常见同素异形体。二者晶胞如图：白锡具有体心四方结构；灰锡具有立方金刚石结构。下列说法不正确的是 A．Sn位于元素周期表的第五周期ⅣA族 B．若白锡和灰锡的晶胞体积分别为和，，则白锡和灰锡晶体的密度之比是 C．灰锡中每个Sn原子周围与它最近且距离相等的Sn原子有4个 D．灰锡晶体的空间利用率为 【答案】B 【解析】白锡晶胞内包含个Sn原子；灰锡为立方金刚石结构，晶胞内包含个Sn原子。是第50号元素，在元素周期表位置为第五周期第ⅣA族，A正确；白锡晶胞含2个Sn原子，灰锡晶胞含8个Sn原子；根据密度公式，二者密度比为，B错误；灰锡为立方金刚石结构，每个Sn原子周围最近且等距的Sn原子有4个，C正确；设锡原子半径为r，晶胞参数为a，由图可知r为体对角线的，则8 r=，原子半径r=，则锡原子在晶胞中的利用率为：，D正确；故选B。 1．（2026·湖北恩施·模拟预测）晶态半导体材料硅化镁的立方晶胞结构如图。晶胞参数为a pm。下列说法错误的是 A．Mg位于Si形成的四面体空隙中 B．晶胞沿x轴方向的投影图为 C．晶胞中Mg之间最近的距离为 D．N点Mg原子的分数坐标为 【答案】C 【解析】由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点和面心的硅原子个数为：8×+6×=4，位于体内的镁原子个数为8，则晶胞的化学式为Mg2Si。由晶胞结构可知，镁原子位于硅原子形成的四面体空隙中，A正确；由晶胞结构可知，晶胞沿x轴方向投影得到的正方形中，晶胞的顶点的硅原子位于正方形的顶点，晶胞中面心上的硅原子位于正方形的中心和边上，晶胞中的镁原子，位于正方形的面对角线上，投影图为：，B正确；由晶胞结构可知，镁原子之间最近的距离为边长的，由晶胞的晶胞参数为a pm可知，最近的距离为，C错误；由晶胞结构可知，位于顶点的M原子的坐标为(0，0，0)，则位于体对角线上的N原子的坐标为，D正确；故选C。 2．（2026·四川内江·二模）氯化亚铜广泛用于冶金、电镀、医药等行业，也是常用催化剂，工业上可通过反应 制备。CuCl的立方晶胞结构和晶胞参数如图所示。下列叙述错误的是 A．是离子晶体，含有离子键、极性键、配位键 B．的空间结构为三角锥形 C．离子键百分数： D．若阿伏加德罗常数为，则该晶体的密度 【答案】D 【解析】是含有离子键的化合物，是离子晶体，含有离子键、极性键（N-H）、配位键(NH)，A正确；的中心S原子价电子对数为3+1=4，空间结构为三角锥形，B正确；F原子电负性大于Cl，故离子键百分数NaF>NaCl，C正确；若阿伏加德罗常数为，根据均摊法晶胞中含有4个Cu和4个Cl，则该晶体的密度，D错误；故选D。 3．（2026·湖北黄石·二模）AthMn(N3)3(摩尔质量为M g/mol)是一种立方钙钛矿型有机-无机杂化材料。有机阳离子被包裹在由和构成的无机骨架笼中。该晶体的晶胞结构和的结构简式如下：下列说法错误的是 A．中的C、N原子均为sp3杂化 B．的空间构型为直线形 C．晶胞中与等距离且最近的数目为6 D．该晶体的密度为 【答案】D 【解析】所有C原子均形成4个单键，带正电的N原子形成3个C-N键+1个N-H键，C、N的价层电子对数均为4，均为杂化，A正确；与互为等电子体（价电子总数均为16），结构相似，空间构型为直线形，B正确；立方晶胞中，位于顶点，位于棱心，距顶点等距离最近的沿x、y、z三个坐标轴的正负方向分布，共个，C正确；密度计算： 晶胞边长为，单位转换为，晶胞体积； 晶胞中的数目为，晶胞质量 ； 密度，不是，D错误；故选D。 4．（2026·陕西咸阳·二模）某化合物的晶胞结构(正六棱柱)如图所示。下列说法错误的是 A．基态B原子含有1个未成对电子 B．晶胞中含有3个Mg原子 C．晶体密度为 D．Mg位于元素周期表中的s区 【答案】C 【解析】B为5号元素，基态原子核外电子排布为，2p轨道只含1个未成对电子，A说法正确；用均摊法计算晶胞中Mg原子数：正六棱柱共12个顶点的Mg，每个顶点分摊，得；上下底面面心各1个Mg，每个分摊，得；Mg原子总数为，B说法正确；计算晶体密度： 晶胞含3个Mg、6个B，晶胞总质量； 正六边形底面积，晶胞体积； 密度，选项给出的表达式错误，C说法错误；Mg为第ⅡA族元素，元素周期表中s区包含ⅠA、ⅡA族，因此Mg位于s区，D说法正确；故选C。 5．（2026·辽宁抚顺·模拟预测）一种铌酸锂晶体具有优良的电光、光折变、非线性光学等性质，是优良的光电学材料。该铌酸锂晶体的立方晶胞的结构如图所示。已知：晶胞参数为a pm，铌酸锂的摩尔质量为，1号和2号原子的分数坐标分别为、。下列有关说法错误的是 A．3号原子的分数坐标为 B．该晶胞的化学式为 C．晶胞中Li在体对角线方向的投影为 D．该晶体的密度为 【答案】C 【解析】3号原子位于x轴和y轴的1处，z轴的处，故3号原子的分数坐标为，A正确；该晶胞中Nb位于晶胞体内，有2个，O位于体内，有4个，Li位于8个顶点和4条棱上，故有个，Li、Nb和O的原子个数比为，晶胞的化学式为，B正确；8个Li在顶点，4个Li在棱心，故晶胞中所有Li在体对角线方向的投影为，C错误；晶胞的质量为，晶胞的体积为，故晶体的密度为，D正确；故选C。 6．（2026·四川·二模）属于正交晶系，晶胞参数分别为，其晶胞如图所示。为阿伏加德罗常数的值。下列描述中错误的是 A．第一电离能： B．中含σ键与π键的数目之比为1:1 C．每个周围与它最近且距离相等的Li+有8个 D．晶体的密度为 【答案】D 【解析】同周期从左到右，第一电离能呈增大趋势，故：，A正确；的结构为，离子中共有2个σ键和2个π键，二者数目之比为2：2=1：1，B正确；观察晶胞图，位于顶点和体心，以体心的为例，其周围有8个Li+且距离相等，因此，每个周围有8个最近且等距的Li+，C正确；晶胞中，有个，有个，密度应为，D错误；故选D。 7．（2026·重庆·模拟预测）下图是硼氢化钠晶胞结构。下列说法错误的是 A．晶胞中含有4个Na+ B．该晶体属于混合晶体 C．与之间的最短距离为 D．周围紧邻且等距的数为8 【答案】B 【解析】Na+位于晶胞的棱上和面上，数目为，A正确；硼氢化钠是由Na+和通过离子键结合而成的离子晶体，而非混合晶体，B错误；观察晶胞，与之间的最短距离为底面正方形对角线长度的一半，为，C正确；以位于底面正方形中心的为研究对象，周围紧邻且等距的数为8，位于晶胞的顶点和面上，D正确；故选B。 8．（2026·青海海东·模拟预测）LiF常用作光学元件、电池材料等。LiF的立方晶胞如图所示，晶胞的边长为a nm，NA为阿伏加德罗常数的值。下列叙述正确的是 A．Li+的配位数为8 B．与F-最近的F-有6个 C．Li+半径nm D．1个晶胞含LiF的质量为104g 【答案】C 【解析】晶胞为类似的面心立方结构，阴阳离子配位数均为6，A错误；以顶点为例，与之最近的位于相邻面心，共12个，B错误；晶胞边长为，面对角线长为；面对角线上两个端点的中心距离为，得。又沿晶胞边长方向，阴阳离子核间距满足，因此半径为，C正确；摩尔质量为，1个晶胞含4个，质量为，D错误；故选C。 9．（2026·重庆·模拟预测）用于配制无机防锈颜料的复合氧化物的晶胞结构如下图a所示，下列说法正确的是 A．该复合化合物的化学式为 B．由晶胞结构a可知，与等距离且紧邻的有8个 C．掺杂取代晶胞a中一个，得到晶胞结构b，的配位数为8 D．若晶胞a密度为，和的最近距离为a nm，则 【答案】A 【解析】位于晶胞的体心，数目为1，位于晶胞的顶点，数目为 ，位于晶胞的棱心，数目为 ，晶胞a的化学式为，A正确；位于晶胞的体心，与等距离且紧邻的有6个，位于该晶胞周围的6个相邻晶胞中，B错误；在晶胞b中，位于顶点，与其最近且距离相等的有6个，分别为周围6个位于棱心的，其配位数为6，C错误；和的最近距离为a nm，为晶胞体对角线的一半，晶胞的边长为x nm，则，，晶胞a的体积为：，晶胞a的质量为：，根据密度公式 ，D错误；故选A。 10．（2026·湖北武汉·一模）三元层状化合物用于高温结构材料、电接触材料和旋转部件等领域，其晶胞结构如图所示，1号原子与晶胞底部和3号原子与晶胞顶部的垂线距离相同，1号、2号的原子坐标分别为、。设为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．该晶体属于共价晶体 B．该晶体化学式为 C．3号的原子坐标为 D．该晶体密度为 【答案】A 【解析】根据题意，该晶体为三元层状化合物，与石墨类似，属于混合型晶体，A错误；由图可知，该晶胞中Ti原子数为、Al原子数为、C原子数为4，即Ti、Al、C原子个数比为 ，则该晶体的化学式为，B正确；已知1号原子坐标为，且1号原子与晶胞底部和3号原子与晶胞顶部的垂线距离相同，即二者在z轴方向的坐标之和为1，则3号的原子z轴坐标为，且x、y轴坐标与2号的相同，因此3号的原子坐标为，C正确；该晶体的化学式为，晶胞中含有2个，故晶胞质量；晶胞底面积，晶胞高度为，即体积；则该晶体密度为 ，D正确；故选A。 11．（2026·湖北随州·二模）在固体离子电导方面具有潜在的应用前景。其中一种晶胞为立方体，棱长为d pm，晶体中部分锂离子()位置上存在缺位现象，图中氢原子皆已隐去，如图所示。下列说法错误的是 A．锂离子的总缺位率为 B．该晶体中存在的作用力有离子键和共价键 C．氯离子周围紧邻的锂离子平均数目为12 D．该晶胞的密度为 【答案】C 【解析】一个晶胞中，位于体心的氯离子个数为1，氢氧根离子个数为：，锂离子个数为：，由化合价代数和为0可知，晶胞中锂离子的个数为2，则锂离子的总缺位率为，A正确；由化学式可知，中锂离子与氢氧根离子、氯离子形成离子键，氢氧根离子中存在O-H极性键，则该晶体中存在的作用力有离子键和共价键，B正确；由晶胞结构可知，晶胞中位于体心的氯离子与棱上的锂离子距离最近，但锂离子的缺位率为，可知氯离子周围紧邻的锂离子平均数目为：，C错误；设晶体的密度为ρg/cm3，由晶胞的质量公式可得：=( d×10-10)3ρ，解得ρ=，D正确；故选C。 12．（2026·安徽合肥·模拟预测）某Cs-Pb-Cl晶胞结构如图所示，晶胞边长为a nm，表示阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．该晶胞中含Cl原子数为3 B．Cs原子位于Cl原子构成的八面体空隙中 C．晶体密度为 g·cm-3 D．Pb和Cs处于同周期，基态原子的第一电离能Pb大于Cs 【答案】C 【解析】Cl原子位于晶胞棱心，根据均摊法，晶胞中Cl原子数为，A不符合题意；Cs原子位于晶胞顶点，Cl原子位于晶胞棱心，根据晶胞的无缝并指可够可知，Cs原子位于Cl原子构成的八面体空隙中，B不符合题意；该晶胞密度计算为，选项中数值计算错误，C符合题意；Pb和Cs均处于第六周期，同周期元素从左至右第一电离能呈增大趋势，Pb的原子序数大于Cs，故基态原子的第一电离能Pb大于Cs，D不符合题意；故选C。 13．（2026·山西朔州·一模）石墨能与熔融金属钾作用，形成石墨间隙化合物，该化合物能导电，单层化合物的密度为。钾原子填充在石墨各层碳原子中，其化学式为，俯视图如图所示。下列关于该石墨间隙化合物的相关说法错误的是 A．最近的K原子和C原子间的距离为 B．晶胞俯视图是边长为a的菱形 C．化学式为 D．单层化合物的厚度为 【答案】D 【解析】K位于六元环中心，K与最近C的距离等于六元环的边长，设距离为x ，通过关系推导可得4×，x为，A正确；由题图虚线框的结构可知，晶胞俯视图为边长为的菱形，B正确；晶胞中K位于4个顶点，数目为，C原子全部在晶胞内部共8个，K和C数目比为，故化学式为，C正确；设单层化合物的厚度为，即。晶胞俯视图为边长、内角的菱形，底面积，晶胞体积；每个晶胞含1个原子和8个原子，晶胞质量；根据密度公式，代入得，整理后解得，即，D错误；故选D。 14．（2026·河北衡水·一模）的熔点约为2350℃，常用作高温陶瓷与结构材料，其立方晶胞如图所示。下列叙述正确的是 已知晶胞边长为。1、4号原子坐标分别为和。 A．属于分子晶体 B．4个Be与C相邻且最近等距离 C．3号原子坐标为 D．2个的最近距离为 【答案】D 【解析】根据Be2C 的熔点约为2350℃，常用作高温陶瓷与结构材料可知，Be2C不属于分子晶体，分子晶体熔点低，A错误；以4号原子为参照点，8个Be与碳原子相邻且等距离，B错误；由1、4号原子坐标可知，2号原子坐标为，3号原子坐标为，C错误；相邻两个C原子之间最近的距离为面对角线的一半，即为，D正确；故选D。 15．（2026·湖南怀化·一模）锆的某种氧化物是重要的催化与能源材料，其晶胞结构如图1所示，该立方晶胞的参数为a pm，阿伏加德罗常数的值为。在高温或氧分压较低时，图1中的部分被还原为，同时产生氧空位以维持电中性，在这个过程中得到的某一产物的晶胞结构如图2所示。下列说法错误的是 A．图1晶胞中两个O原子间的最短距离为 B．图1晶胞中每个Zr原子的配位数为8 C．图2晶胞中与的个数比为 D．图1晶体的密度为 【答案】D 【解析】，图1晶胞中两个O原子间的最短距离为晶胞边长的一半，即，故A正确；图1晶胞中O原子填充Zr原子围成的四面体的空隙，O原子的配位数是4，根据化学式ZrO2，可知图1晶胞中每个Zr原子的配位数为8，故B正确；设晶胞中与的个数分别为x、y，图2晶胞中Zr原子数为4，则有，O原子数为5，根据化合价代数和为0，则有，计算可得、，所以图2晶胞中与的个数比为，故C正确；晶体密度，根据均摊法计算，图1晶胞中Zr原子个数为，O原子个数为8，则，故D错误；故选D。 16．（2025·黑龙江哈尔滨·二模）高铜酸钠是黑色难溶于水的固体，晶胞如下图，虚线连接的O原子与Cu原子距离最近且相等。下列说法错误的是 A．Na、O、Cu三种元素未成对电子数之比为 B．该化合物的化学式为 C．晶体中距离Cu原子最近的O原子有4个 D．若该晶胞的体积为V，则空间利用率为 【答案】D 【解析】Na、O、Cu的价层电子排布式依次为3s1、2s22p4、3d104s1，未成对电子数之比为，A正确；由晶胞结构可知，平行六面体的8个顶点处各有一个Cu，由于顶点处的原子被8个晶胞共有，根据均摊法，一个晶胞中含一个Cu；O、Na在平行六面体内部，则一个晶胞中含O原子2个、含Na一个，故该化合物的化学式为，B正确；结合B项分析可知，晶胞中Cu和O的个数比为1:2，图中距离一个O原子最近的Cu原子有两个，根据不同原子的个数比等于它们配位数的反比可知，距离Cu原子最近的O原子有4个，C正确；空间利用率是晶胞中所有原子的体积和与晶胞体积之比，所有原子的体积和为，晶胞的体积为V，则该晶胞的空间利用率为，D错误。故选D。 17．（2026·河南开封·模拟预测）由Ca、P、Cl组成的某种化合物是一种重要的化工原料，其立方晶胞结构如图。已知晶胞参数为a pm，表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．该晶体的结构可通过X射线衍射仪测定 B．该化合物的化学式为Ca3PCl3 C．距离P最近且相等的Cl有6个 D．该晶体的密度为 g·cm-3 【答案】C 【解析】晶体的结构可通过X射线衍射仪测定，A不符合题意；由均摊法计算可知，该晶胞中，位于顶点的P微粒个数为，位于棱心的Ca微粒个数为，位于面心的Cl微粒个数为，则该化合物的化学式为Ca₃PCl₃，满足1:3:3的原子个数比，B不符合题意；由晶胞图可知，距离P最近且相等的Cl有12个，C符合题意；该晶胞的质量为 g，晶胞的体积为a3×10-30 cm3，所以晶体的密度为，D不符合题意；故选C。 18．（2026·陕西·模拟预测）以石墨或甲烷为原料可制备金刚石，石墨和金刚石的晶胞如图所示。 下列说法错误的是 A．甲烷转化为金刚石，晶体类型发生改变 B． C．金刚石晶胞中a位和b位碳原子的核间距为 D．若石墨和金刚石的晶胞体积比为，则其密度比为 【答案】C 【解析】甲烷属于分子晶体，金刚石属于共价晶体，二者转化后晶体类型发生改变，A正确；石墨中碳原子采取sp2杂化，每个碳原子未参与杂化的2p轨道相互重叠形成大π键；金刚石中碳原子采取sp3杂化，金刚石中碳碳键的键长更长，故x>142，B正确；金刚石晶胞中，图中x是晶胞体对角线的，则体对角线长4x pm，那么晶胞棱长为，a位和b位碳原子的核间距为面对角线()的一半，即，不是，C错误；石墨晶胞中C原子数为4，金刚石晶胞中C原子数为8，根据，，D正确；故选C。 19．（2026·重庆·模拟预测）在中燃烧生成某化合物，晶胞结构如下图。已知：晶胞底面是边长为的菱形；2号和3号均处于正三角形的中心。下列说法中错误的是 A．该化合物的化学式为 B．底面上的之间的最小距离为 C．该晶体为离子晶体 D．底面上的配位数为3，棱上的配位数为2 【答案】B 【解析】在晶胞中，N3-位于晶胞的顶点，则晶胞中含有N3-的数目为，位于面上和棱上，则晶胞中含有的数目为，则和N3-的个数比为3∶1，故化学式为，A正确；2号和3号Li+均处于底面正三角形的中心，则底面上的Li+之间的最小距离是从一个正三角形中心到另一个正三角形中心的距离，由于底面是边长为a pm的菱形，且内角为60°，底面上Li+之间的最小距离为，而不是，B错误；Li是活泼金属，N是非金属，形成离子键，是典型的离子晶体，C正确；2号和3号Li+均处于正三角形的中心，所以底面上Li+的配位数为3，棱上Li+与同一条棱上的2个N3-距离最近且相等，所以棱上Li+配位数为2，D正确；故选B。 20．（2026·河北唐山·一模）立方钙钛矿晶胞如图甲所示，晶胞参数为a nm；一种金属卤化物光电材料的组成为、和有机碱离子，其晶胞如图乙所示。设是阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．甲中氧离子之间的最短距离为 nm B．甲的密度为 C．乙中周围紧邻的有12个 D．甲中与乙中的空间位置不同 【答案】D 【解析】立方钙钛矿晶胞中，位于体心，数目为1；位于顶点，数目为；位于棱上，数目为，化学式为；金属卤化物光电材料晶胞中，位于顶点，数目为；位于体心，数目为1；位于面心，数目为，化学式为。甲中氧离子位于棱心，最短距离为面对角线的一半，即，A不符合题意；甲晶胞参数为，晶胞体积为，晶胞质量为，密度为，B不符合题意；乙中位于顶点，周围紧邻的位于面心，共12个，C不符合题意；甲中位于顶点，乙中位于体心，比较晶胞甲、乙可知，将图乙中周围紧邻的八个晶胞中体心上的离子连接起来，就能变为图甲所示晶胞结构，图乙中体心上的就变为了八个顶点，即相当于图甲中的，甲中与乙中的空间位置相同，D符合题意；故选D。 / 学科网（北京）股份有限公司 $ 专题07 晶胞的结构与计算 题型 考情分析 考向预测 晶胞密度与粒子数计算 2025年湖北卷： 结合新型锂离子电池正极材料（LiFePO₄）的晶胞结构，考查晶胞中粒子数、配位数及密度的计算。 1. 晶胞参数与密度计算： 结合新素材（如钠离子电池、钙钛矿太阳能电池），考查均摊法、密度公式及空间利用率。 2. 原子坐标与空间构型： 结合晶体学前沿，考查原子坐标的书写、对称性分析及投影图识别。 3. 晶体缺陷与新材料： 结合新能源、半导体材料，考查晶胞缺陷、掺杂及非整数比化合物的分析与计算。 原子坐标与投影图分析 2025年湖南卷： 以立方晶系晶胞为背景，考查原子分数坐标的确定及沿体对角线的投影图分析。 原子利用率与配位数计算 2025年山东卷： 结合卤化物钙钛矿（如CsPbI₃）的晶胞缺陷，考查空位、掺杂对晶体结构的影响及离子式书写。 考点1 晶胞中粒子数与密度的计算 【典例】（2026·贵州毕节·二模）碳化钼在加氢反应、制氢反应、传感器及生物医学材料等领域具有优异的性能。一种六方相碳化钼晶胞结构如图所示。已知晶胞参数为，，，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．晶体中Mo原子与C原子个数比为 B．①号原子和②号原子间的距离为 C．晶体中与C最近且距离相等的Mo有8个 D．晶体密度为 1.常见离子晶体结构分析 NaCl型 CsCl型 ZnS型 CaF2型 晶胞 密度的计算(a为晶胞边长，NA为阿伏加德罗常数) 2.晶胞的相关计算 (1)晶胞中各线段之间的关系 (2)晶体微粒与M、ρ之间的关系 若1个晶胞中含有x个微粒，则1 mol该晶胞中含有x mol微粒，其质量为xM g(M为微粒的相对“分子”质量)；1个晶胞的质量为ρa3 g(a3为晶胞的体积)，则1 mol晶胞的质量为ρa3 NA g，因此有xM＝ρa3NA。 3.宏观晶体密度与微观晶胞参数的关系 1．（2026·湖南邵阳·二模）与在军事和汽车安全气囊上有重要的应用，工业常用下列反应制备这两种物质：，，其中晶胞结构如图所示。为阿伏伽德罗常数的值。下列说法正确的是 A．熔点： B．晶胞中，的配位数为8 C．制备的反应中，每生成3 mol 转移电子数为 D．已知的密度为，则晶体中与之间的最短距离为 2．（2026·四川成都·二模）已知、、的沸点依次为1500℃、370℃、430℃，常温下和易形成二聚体(如)。的晶胞结构如图所示(该结构为长方体，棱长不相等，在棱心)。下列说法错误的是 A．熔化时破坏离子键 B．的沸点低于的原因是的相对分子质量小于 C．该晶体中，每个分子距离其最近的有6个 D．已知为阿伏加德罗常数的值，一个晶胞的体积为，则的晶体密度为 3．（2026·陕西·模拟预测）储氢材料是一个重要的研究领域，某科研团队发现了一种Fe-Mg合金储氢材料，是目前已发现的储氢密度最高的储氢材料之一，其晶胞结构如图所示。下列说法正确的是 A．距离Mg原子最近的Fe原子个数是6个 B．若该合金的密度为，阿伏加德罗常数的值为，则该晶胞的棱长为 C．若该晶体储氢时，分子在晶胞的体心和棱心位置，则含4.8 g Mg的该储氢合金可储存标况下约为4.48 L D．a点的坐标为，b点的坐标为，c点的坐标为 考点2 原子分数坐标与投影图 【典例】（2026·江西南昌·一模）钨酸钙（）常用于制备钨系列化工产品，其四方晶胞如图所示。下列说法错误的是 A．Ca位于晶胞的面上和棱上 B．与W最近且等距的O有8个 C．M与N的核间距为 D．若M的分数坐标为，则N的分数坐标为或 1.原子分数坐标的确定方法 (1)依据已知原子的坐标确定坐标系取向。 (2)一般以坐标轴所在正方体的棱长为1个单位。 (3)从原子所在位置分别向x、y、z轴作垂线，所得坐标轴上的截距即为该原子的分数坐标。 2.投影图的判断 (1)判断投影图时，一定要注意x、y、z轴的方向。 (2)结构模型中的原子也可以换为不同的原子，但在投影图中的位置不变。 2.简单立方体模型的原子分数坐标与投影图 (1) 原子分数坐标：原子2为(0，0，0)，所以其他顶点的分数坐标为1(1，0，0)，3(0，1，0)， 4(1，1，0)，5(1，0，1)，6(0，0，1)，7(0，1，1)，8(1，1，1)。 (2)xy平面上的投影图为。 3.体心立方晶胞结构模型的原子分数坐标与投影图 (1) 原子分数坐标：1～8的分数坐标为1(1，0，0)，2(0，0，0)，3(0，1，0)，4(1，1，0)，5(1，0，1)， 6(0，0，1)，7(0，1，1)，8(1，1，1)，9的分数坐标为。 (2)xy平面上的投影图为。 4.面心立方晶胞结构模型的原子分数坐标与投影图 (1) 原子分数坐标：0(0，0，0)，1和2、，3和4、，5和 6、。 (2)xy平面上的投影图如图所示。 5.金刚石晶胞结构模型的原子分数坐标与投影图 (1)若a原子为坐标原点，晶胞边长的单位为1，则原子1、2、3、4的分数坐标分别为、、、。 (2)xy平面上的投影图为。 (3)沿体对角线的投影图为。 1．（2026·江西赣州·一模）晶体结构与CsCl相似，只是用四面体占据CsCl晶体(图1)中的位置，而所占位置由O原子占据，如图2所示。为阿伏加德罗常数的值，。下列说法错误的是 A．若、，则CsCl晶胞边长约为413pm B．则晶体的密度为 C．晶胞俯视图为 D．若图2中四面体中氧原子的分数坐标为，则铜原子①的分数坐标可能为 2．（2026·河北承德·一模）黄铁矿的主要成分是，其晶胞结构如图所示，晶胞参数为。以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称为原子的分数坐标。 下列说法正确的是 A．晶胞中的阴、阳离子个数比为2:1 B．晶胞中阳离子的原子分数坐标仅有4个：、、、 C．晶胞中阴离子位于阳离子构筑的正八面体体心，该八面体的边长为 D．晶体的摩尔体积为 3．（2026·陕西榆林·模拟预测）锗(Ge)是重要的战略资源，某种含锗化合物的晶胞结构如图所示。已知晶胞中1号I相对原点的分数坐标为，表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．该化合物中Ge的化合价为+2 B．该晶胞中2号I的分数坐标可能为 C．该晶胞中1个周围与其距离最近的I有6个 D．该晶胞的密度可表示为 考点3 原子空间利用率与配位数的计算 【典例】（新考向·原子利用率）（2026·河南南阳·模拟预测）一种铁基化合物的晶胞结构单元如图所示。已知其中Ba原子坐标为，A点Fe原子坐标为(，晶胞参数为、、、、、的原子半径依次为、、、，设代表阿伏加德罗常数的值。下列有关说法中正确的是 A．晶胞中距离每个As原子最近的Fe原子个数为6 B．B点Fe原子坐标为 C．、、、四种元素中，Fe所在的族元素种类数最多 D．晶体中原子的空间利用率为 1.金属晶胞中原子空间利用率的计算 (1)空间利用率＝×100%，球体积为金属原子的总体积。 (2)四种类型 ①简单立方堆积 如图所示，原子的半径为r，立方体的棱长为2r，则V球＝πr3，V晶胞＝(2r)3＝8r3，空间利用率＝×100%＝×100%≈52%。 ②体心立方堆积 如图所示，原子的半径为r，体对角线c为4r，面对角线b为a，由(4r)2＝a2＋b2得a＝r。1个晶胞中有2个原子，故空间利用率＝×100%＝×100%＝×100%≈68%。 ③六方最密堆积 如图所示，原子的半径为r，底面为菱形(棱长为2r，其中一个角为60°)，则底面面积S＝2r×r＝2r2，h＝r，V晶胞＝S×2h＝2r2×2×r＝8r3，1个晶胞中有2个原子，则空间利用率＝×100%＝×100%≈74%。 ④面心立方最密堆积 如图所示，原子的半径为r，面对角线为4r，a＝2r，V晶胞＝a3＝(2r)3＝16r3，1个晶胞中有4个原子，则空间利用率＝×100%＝×100%≈74%。 2.晶胞中粒子配位数的计算 一个粒子周围最邻近的粒子的数目称为配位数，它反映了晶体中粒子排列的紧密程度。 (1)晶体中原子(或分子)的配位数：若晶体中的微粒为同种原子或同种分子，则某原子(或分子)的配位数指的是该原子(或分子)最接近且等距离的原子(或分子)的数目。常见晶胞的配位数如下： 简单立方：配位数为6 面心立方：配位数为12 体心立方：配位数为8 (2)离子晶体的配位数：指一个离子周围最接近且等距离的异种电性离子的数目。 以NaCl晶体为例 ①找一个与其他离子连接情况最清晰的离子，如图中心的灰球(Cl－)。 ②数一下该离子周围距离最近的异种电性离子数，如图标数字的面心白球(Na＋)。确定Cl－的配位数为6，同样方法可确定Na＋的配位数也为6。 1．（2026·河北邯郸·一模）一研究团队将高性能氮化镓(GaN)晶体管集成到标准硅芯片上，从而提升3D半导体高频应用的性能。GaN的一种晶胞结构如图所示，下列叙述正确的是 已知：六棱柱晶胞底边长为a pm，高为c pm，为阿伏加德罗常数的值。 A．激发态N原子的电子排布图为 B．GaN晶胞中阳离子配位数为6 C．第一电离能： D．GaN晶体密度为 2．（2026·陕西延安·二模）由可进一步制备，的某一种晶胞结构如图所示，该晶体的密度为，晶胞中P的坐标为，设阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．晶胞中的配位数为8 B．基态的电子云轮廓图为球形 C．N的坐标为 D．晶胞中与之间的最近距离为 3．（2025·辽宁葫芦岛·模拟预测）白锡和灰锡是单质Sn的常见同素异形体。二者晶胞如图：白锡具有体心四方结构；灰锡具有立方金刚石结构。下列说法不正确的是 A．Sn位于元素周期表的第五周期ⅣA族 B．若白锡和灰锡的晶胞体积分别为和，，则白锡和灰锡晶体的密度之比是 C．灰锡中每个Sn原子周围与它最近且距离相等的Sn原子有4个 D．灰锡晶体的空间利用率为 1．（2026·湖北恩施·模拟预测）晶态半导体材料硅化镁的立方晶胞结构如图。晶胞参数为a pm。下列说法错误的是 A．Mg位于Si形成的四面体空隙中 B．晶胞沿x轴方向的投影图为 C．晶胞中Mg之间最近的距离为 D．N点Mg原子的分数坐标为 2．（2026·四川内江·二模）氯化亚铜广泛用于冶金、电镀、医药等行业，也是常用催化剂，工业上可通过反应 制备。CuCl的立方晶胞结构和晶胞参数如图所示。下列叙述错误的是 A．是离子晶体，含有离子键、极性键、配位键 B．的空间结构为三角锥形 C．离子键百分数： D．若阿伏加德罗常数为，则该晶体的密度 3．（2026·湖北黄石·二模）AthMn(N3)3(摩尔质量为M g/mol)是一种立方钙钛矿型有机-无机杂化材料。有机阳离子被包裹在由和构成的无机骨架笼中。该晶体的晶胞结构和的结构简式如下：下列说法错误的是 A．中的C、N原子均为sp3杂化 B．的空间构型为直线形 C．晶胞中与等距离且最近的数目为6 D．该晶体的密度为 4．（2026·陕西咸阳·二模）某化合物的晶胞结构(正六棱柱)如图所示。下列说法错误的是 A．基态B原子含有1个未成对电子 B．晶胞中含有3个Mg原子 C．晶体密度为 D．Mg位于元素周期表中的s区 5．（2026·辽宁抚顺·模拟预测）一种铌酸锂晶体具有优良的电光、光折变、非线性光学等性质，是优良的光电学材料。该铌酸锂晶体的立方晶胞的结构如图所示。已知：晶胞参数为a pm，铌酸锂的摩尔质量为，1号和2号原子的分数坐标分别为、。下列有关说法错误的是 A．3号原子的分数坐标为 B．该晶胞的化学式为 C．晶胞中Li在体对角线方向的投影为 D．该晶体的密度为 6．（2026·四川·二模）属于正交晶系，晶胞参数分别为，其晶胞如图所示。为阿伏加德罗常数的值。下列描述中错误的是 A．第一电离能： B．中含σ键与π键的数目之比为1:1 C．每个周围与它最近且距离相等的Li+有8个 D．晶体的密度为 7．（2026·重庆·模拟预测）下图是硼氢化钠晶胞结构。下列说法错误的是 A．晶胞中含有4个Na+ B．该晶体属于混合晶体 C．与之间的最短距离为 D．周围紧邻且等距的数为8 8．（2026·青海海东·模拟预测）LiF常用作光学元件、电池材料等。LiF的立方晶胞如图所示，晶胞的边长为a nm，NA为阿伏加德罗常数的值。下列叙述正确的是 A．Li+的配位数为8 B．与F-最近的F-有6个 C．Li+半径nm D．1个晶胞含LiF的质量为104g 9．（2026·重庆·模拟预测）用于配制无机防锈颜料的复合氧化物的晶胞结构如下图a所示，下列说法正确的是 A．该复合化合物的化学式为 B．由晶胞结构a可知，与等距离且紧邻的有8个 C．掺杂取代晶胞a中一个，得到晶胞结构b，的配位数为8 D．若晶胞a密度为，和的最近距离为a nm，则 10．（2026·湖北武汉·一模）三元层状化合物用于高温结构材料、电接触材料和旋转部件等领域，其晶胞结构如图所示，1号原子与晶胞底部和3号原子与晶胞顶部的垂线距离相同，1号、2号的原子坐标分别为、。设为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．该晶体属于共价晶体 B．该晶体化学式为 C．3号的原子坐标为 D．该晶体密度为 11．（2026·湖北随州·二模）在固体离子电导方面具有潜在的应用前景。其中一种晶胞为立方体，棱长为d pm，晶体中部分锂离子()位置上存在缺位现象，图中氢原子皆已隐去，如图所示。下列说法错误的是 A．锂离子的总缺位率为 B．该晶体中存在的作用力有离子键和共价键 C．氯离子周围紧邻的锂离子平均数目为12 D．该晶胞的密度为 12．（2026·安徽合肥·模拟预测）某Cs-Pb-Cl晶胞结构如图所示，晶胞边长为a nm，表示阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．该晶胞中含Cl原子数为3 B．Cs原子位于Cl原子构成的八面体空隙中 C．晶体密度为 g·cm-3 D．Pb和Cs处于同周期，基态原子的第一电离能Pb大于Cs 13．（2026·山西朔州·一模）石墨能与熔融金属钾作用，形成石墨间隙化合物，该化合物能导电，单层化合物的密度为。钾原子填充在石墨各层碳原子中，其化学式为，俯视图如图所示。下列关于该石墨间隙化合物的相关说法错误的是 A．最近的K原子和C原子间的距离为 B．晶胞俯视图是边长为a的菱形 C．化学式为 D．单层化合物的厚度为 14．（2026·河北衡水·一模）的熔点约为2350℃，常用作高温陶瓷与结构材料，其立方晶胞如图所示。下列叙述正确的是 已知晶胞边长为。1、4号原子坐标分别为和。 A．属于分子晶体 B．4个Be与C相邻且最近等距离 C．3号原子坐标为 D．2个的最近距离为 15．（2026·湖南怀化·一模）锆的某种氧化物是重要的催化与能源材料，其晶胞结构如图1所示，该立方晶胞的参数为a pm，阿伏加德罗常数的值为。在高温或氧分压较低时，图1中的部分被还原为，同时产生氧空位以维持电中性，在这个过程中得到的某一产物的晶胞结构如图2所示。下列说法错误的是 A．图1晶胞中两个O原子间的最短距离为 B．图1晶胞中每个Zr原子的配位数为8 C．图2晶胞中与的个数比为 D．图1晶体的密度为 16．（2025·黑龙江哈尔滨·二模）高铜酸钠是黑色难溶于水的固体，晶胞如下图，虚线连接的O原子与Cu原子距离最近且相等。下列说法错误的是 A．Na、O、Cu三种元素未成对电子数之比为 B．该化合物的化学式为 C．晶体中距离Cu原子最近的O原子有4个 D．若该晶胞的体积为V，则空间利用率为 17．（2026·河南开封·模拟预测）由Ca、P、Cl组成的某种化合物是一种重要的化工原料，其立方晶胞结构如图。已知晶胞参数为a pm，表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．该晶体的结构可通过X射线衍射仪测定 B．该化合物的化学式为Ca3PCl3 C．距离P最近且相等的Cl有6个 D．该晶体的密度为 g·cm-3 18．（2026·陕西·模拟预测）以石墨或甲烷为原料可制备金刚石，石墨和金刚石的晶胞如图所示。 下列说法错误的是 A．甲烷转化为金刚石，晶体类型发生改变 B． C．金刚石晶胞中a位和b位碳原子的核间距为 D．若石墨和金刚石的晶胞体积比为，则其密度比为 19．（2026·重庆·模拟预测）在中燃烧生成某化合物，晶胞结构如下图。已知：晶胞底面是边长为的菱形；2号和3号均处于正三角形的中心。下列说法中错误的是 A．该化合物的化学式为 B．底面上的之间的最小距离为 C．该晶体为离子晶体 D．底面上的配位数为3，棱上的配位数为2 20．（2026·河北唐山·一模）立方钙钛矿晶胞如图甲所示，晶胞参数为a nm；一种金属卤化物光电材料的组成为、和有机碱离子，其晶胞如图乙所示。设是阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．甲中氧离子之间的最短距离为 nm B．甲的密度为 C．乙中周围紧邻的有12个 D．甲中与乙中的空间位置不同 / 学科网（北京）股份有限公司 $