2026届高三化学三轮复习 新题刷分10 有关晶胞的考查

2026-03-18
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资源信息

学段 高中
学科 化学
教材版本 -
年级 高三
章节 -
类型 题集-专项训练
知识点 晶体结构与性质
使用场景 高考复习-三轮冲刺
学年 2026-2027
地区(省份) 全国
地区(市) -
地区(区县) -
文件格式 DOCX
文件大小 1.89 MB
发布时间 2026-03-18
更新时间 2026-03-18
作者 qcszzyy
品牌系列 -
审核时间 2026-03-18
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来源 学科网

内容正文:

2026高考三轮冲刺新题刷分10 有关晶胞的考查 一.刷题秘诀 1.晶体中粒子间距离和晶胞参数计算思维流程 (1)根据密度求晶胞中粒子之间的距离时,可首先由密度计算出晶胞体积(晶胞质量由晶胞含有的微粒数计算),再根据晶胞结构判断微粒间距与棱长的关系。 (2)立方晶胞参数a=。 2.求目标原子分数坐标参数的思维模型 3.配位数的判断 (1)原子(或分子)的配位数:该原子(或分子)最接近且等距离的原子(或分子)的数目 简单立方晶胞:配位数为6 面心立方晶胞:配位数为12 体心立方晶胞:配位数为8 (2)离子晶体中离子的配位数:该离子周围最接近且等距离的异种电性离子的数目。 4.典型晶胞结构分析 常见晶胞 原子分数坐标 俯视图 体对角线方向投影 A(0,0,0)B A(0,0,0) B(,0,) C(,,0) D(0,,) 1(,,), 2(,,), 3(,,), 4(,,) 二.新题快练 题组一 基础保分题 1.(2026·湖北随州·二模)在固体离子电导方面具有潜在的应用前景。其中一种晶胞为立方体,棱长为d pm,晶体中部分锂离子()位置上存在缺位现象,图中氢原子皆已隐去,如图所示。下列说法错误的是 A.锂离子的总缺位率为 B.该晶体中存在的作用力有离子键和共价键 C.氯离子周围紧邻的锂离子平均数目为12 D.该晶胞的密度为 2.(25-26高三上·黑龙江·期末)锰的某种氧化物MnxOy的四方晶胞及在xy平面的投影如图所示,已知当MnxOy晶体有氧原子脱出时,形成氧空位会使晶体具有半导体性质。下列说法错误的是 A.该氧化物的化学式为MnO2 B.锰位于氧形成的八面体的中心 C.出现氧空位,锰的化合价降低 D.碱金属的氧化物也可以通过形成氧空位具有半导体性质 3.(2025·山东菏泽·一模)AlCl3、AlBr3水解均可得到Al(OH)3胶体,还可形成二聚体。Al2Br6()的四方晶胞如图所示(各棱长不相等,棱边夹角为90°,Al2Br6在棱心)。下列说法错误的是 A.AlCl3沸点低于AlBr3 B.AlBr3分子中存在配位键 C.Al(OH)3胶体粒子的平均直径可能是1x10-6m D.晶体中与Al2Br6最近且距离相等的Al2Br6有4个 4.(2026·湖北随州·二模)下列关于卤族元素物质性质或现象的解释错误的是 A.的熔点高于,因为是离子晶体,是分子晶体 B.的键能小于的键能,因为键长越短键能越大 C.可以形成而只能形成或,因为原子的半径小于原子 D.的酸性强于,因为的电负性大于,导致前者的键极性大 5.(2026·河南南阳·模拟预测)海水是人们取之不尽,用之不竭的资源。下列有关化学用语或说法正确的是 A.NaCl的电子式为: B.的VSEPR模型为 C.放射性的氚(T)原子为 D.的晶体类型为离子晶体 6.(2026·安徽合肥·模拟预测)某Cs-Pb-Cl晶胞结构如图所示,晶胞边长为a nm,表示阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是 A.该晶胞中含Cl原子数为3 B.Cs原子位于Cl原子构成的八面体空隙中 C.晶体密度为 g·cm-3 D.Pb和Cs处于同周期,基态原子的第一电离能Pb大于Cs 7.(2026·陕西西安·模拟预测)可用于制备光学材料,当中掺入少量后,会出现能量不同的“正电”区域、“负电”区域,光照下发出特定波长的光。下列说法错误的是 A.可用X射线衍射法测定晶体的结构 B.区域A带正电,区域B中“”中的离子为 C.晶胞中和的配位数均为4 D.掺入后,晶胞内电荷区域的能级差引发电子跃迁,从而产生特征发光现象 8.(2027·全国·一模)磷元素有白磷、红磷等单质,白磷()结构及晶胞如图所示,白磷和红磷转化的热化学方程式为(白磷,)(红磷,)  。下列说法正确的是 A.属于分子晶体 B.白磷中的夹角为 C.白磷晶胞中,键的作用弱于的分子间作用力 D.白磷()和红磷()在中充分燃烧生成等量,红磷放出的热量更多 9.(2026·河北衡水·一模)的熔点约为2350℃,常用作高温陶瓷与结构材料,其立方晶胞如图所示。下列叙述正确的是 已知晶胞边长为。1、4号原子坐标分别为和。 A.属于分子晶体 B.4个Be与C相邻且最近等距离 C.3号原子坐标为 D.2个的最近距离为 10.(2026·浙江·模拟预测)晶胞是长方体,边长,如图所示。下列说法不正确的是 A.一个晶胞中含有4个分子 B.晶胞中分子的取向不相同 C.1号和2号原子间的核间距为 D.每个S原子周围与其等距且紧邻的S原子有12个 11.(25-26高三下·甘肃白银·月考)将砷化镓与砷化锗高温熔合可得到一种新型半导体,既能提高砷化镓半导体的超导性能,又能克服砷化锗半导体的脆性。该新型半导体的立方晶胞结构如图所示。下列说法正确的是 A.该晶体中Ge、Ga、As的原子个数比为 B.第一电离能: C.As、Ge、Ga的配位数均为4 D.该晶体中与As原子最近且等距的As原子有6个 12.(2026高三·全国·专题练习)是一种具有优异磁性能的稀土永磁材料,在航空航天等领域中获得重要应用。的六方晶胞示意图如下,晶胞参数、,M、N原子的分数坐标分别为、。设是阿伏加德罗常数的值。 下列说法错误的是 A.该物质的化学式为 B.体心原子的分数坐标为 C.晶体的密度为 D.原子Q到体心的距离为 13.(25-26高三下·湖南长沙·开学考试)研究笼形包合物结构和性质具有重要意义,化学式为(代表苯)的笼形包合物四方晶胞结构如图所示(H原子未画出,晶胞中N原子均参与形成配位键)。下列说法不正确的是 A.若对该笼形包合物进行加热,最先脱离晶胞组分的是 B.基态核外电子有14种不同空间运动状态 C.当用吡啶()代替苯时,会得到类似结构的笼形包合物 D. 14.(2026·河南南阳·模拟预测)Sn的某种氧化物是一种良好的透明半导体材料,其四方晶胞结构如图所示。设表示阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是 A.该Sn的氧化物的化学式是 B.与Sn最近且等距的O有6个 C.垂直xz面的投影图为 D.该Sn的氧化物的密度为 15.(2026·湖北武汉·一模)三元层状化合物用于高温结构材料、电接触材料和旋转部件等领域,其晶胞结构如图所示,1号原子与晶胞底部和3号原子与晶胞顶部的垂线距离相同,1号、2号的原子坐标分别为、。设为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A.该晶体属于共价晶体 B.该晶体化学式为 C.3号的原子坐标为 D.该晶体密度为 16.(25-26高三下·重庆·月考)锆酸锶(,摩尔质量为)的晶胞结构如图所示,该立方晶胞参数为的坐标分别为和为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A.b的坐标为 B.锆原子填充在氧原子形成的八面体空隙中 C.与O原子距离最近且等距的O原子的数目为8 D.该晶体的密度为 17.(2026·重庆·二模)某种铁镁合金是储氢材料,其晶胞结构如图所示。晶胞边长为。1号原子的坐标为,2号原子的坐标为(0,1,1),设为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A.3号原子的坐标为 B.2号与3号原子之间的距离为 C.该晶体的密度为 D.与最近且距离相等的原子数为12 18.(2026·辽宁·一模)由、及构成的某化合物X晶胞结构如图所示(晶胞参数,单位为pm,)。 设为阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是 A.●表示 B.的化学环境只有一种 C.两个的最短距离一定为 D.化合物X的密度 19.(2026·贵州遵义·二模)铁镁合金是储氢密度最高的储氢材料之一,其立方晶胞结构如图所示。晶胞参数为,为阿伏加德罗常数的值。储氢时,可在晶胞的体心和棱心位置。下列说法正确的是 A.Fe原子的配位数为4 B.晶体熔化时极性键断裂 C.合金的密度为 D.储氢率为时,晶体的化学式为 20.(2026·陕西铜川·一模)由锗(Ge)、汞(Hg)、锑(Sb)形成的一种新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料,如图a、b、c。X的晶体可视为Ge晶体(晶胞如图a所示)中部分Ge原子被Hg和Sb取代形成。图c为X的一种晶体单元结构,说法正确的是 A.基态锗原子核外电子的空间运动状态有32种 B.锗晶体为金刚石结构,沿着体对角线位置取得的截面为四边形 C.X的晶体中与Hg原子距离最近的Sb原子数目为4 D.X晶体的密度为 21.(2026·云南昭通·一模)某立方卤化物可用于制作光电材料,其晶胞结构如图所示,该晶胞参数为a nm。阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A.与等距且最近的F⁻有12个 B.位于构成的正八面体空隙内 C.该晶胞沿体对角线方向的投影为 D.该晶体的密度计算式为 22.(2026·四川成都·二模)近年来,二维硒氧化铋因其稳定性好、载流子迁移率高等优点,被广泛应用于各种电子设备。研究人员发现,与石墨烯等二维材料不同,二维硒氧化铋的层与层之间是通过弱静电力而非范德华力维系。如图甲是二维硒氧化铋的结构示意图,图乙为其晶胞结构和氮掺杂后的结构。下列说法正确的是 A.中, B.二维硒氧化铋晶胞沿z轴方向的投影图应该为 C.若NA为阿伏加德罗常数的值,则二维硒氧化铋晶体的密度为 D.二维硒氧化铋晶体经过图乙所示的氮掺杂之后,化学式变为Bi2O2-aSeNb,则a∶b=3∶2 参考答案与解析 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 C D C B D C B A D D 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案 C D A D A D B C C C 题号 21 22 答案 D D 1.C 【详解】A.一个晶胞中,位于体心的氯离子个数为1,氢氧根离子个数为:,锂离子个数为:,由化合价代数和为0可知,晶胞中锂离子的个数为2,则锂离子的总缺位率为,A正确; B.由化学式可知,中锂离子与氢氧根离子、氯离子形成离子键,氢氧根离子中存在O-H极性键,则该晶体中存在的作用力有离子键和共价键,B正确; C.由晶胞结构可知,晶胞中位于体心的氯离子与棱上的锂离子距离最近,但锂离子的缺位率为,可知氯离子周围紧邻的锂离子平均数目为:,C错误; D.设晶体的密度为ρg/cm3,由晶胞的质量公式可得:=( d×10-10)3ρ,解得ρ=,D正确; 故选C。 2.D 【详解】A.由题干晶胞图和xy平面投影图可知,晶胞中Mn位于8个顶点和体心,O位于上下面上和体内,即一个晶胞中含有Mn个数为:8×+1=2,O个数为:=4,则该氧化物的化学式为MnO2,A正确; B.由题干晶胞示意图可知,位于体心的Mn原子周围的6个氧原子构成八面体,即锰位于氧形成的八面体的中心,B正确; C.出现氧空位,即带负电的微粒少了,根据化合物的化合价代数和为0可知,锰的化合价降低,C正确; D.由C项可知,出现氧空位后金属元素的化合价会降低,而碱金属元素的化合价只有0价和+1价,则碱金属的氧化物不可以通过形成氧空位具有半导体性质,D错误; 故选D。 3.C 【详解】A.二者均为分子晶体,随相对分子质量增大(由Cl到Br),分子间作用力增强,故AlCl3的沸点低于AlBr3,A正确; B.AlBr3常以二聚体Al2Br6形式存在,二聚体中Br原子以配位键桥联两个Al原子,B正确; C.高中阶段通常将胶体粒径范围视为约1 nm~100 nm(即1×10-9 m~1×10-7 m),1×10-6 m(即1000 nm)已超出这一典型范围,故“可能是1×10-6 m”不符胶体粒径的常规定义,C错误; D.由所给的晶胞示意图可知,每个Al2Br6单元在晶体中与其最近且距离相等的同类单元共有4个,D正确; 故选C。 4.B 【详解】A.为离子晶体,是分子晶体,离子晶体熔点远高于分子晶体,解释正确,A正确; B.F原子半径远小于Cl,键长确实短于键,但由于F原子半径过小,成键时两个F原子的孤对电子排斥作用很强,导致键能反而小于键能,题干用键长越短键能越大解释该现象是错误的,B错误; C.Br原子中心可容纳的配位原子空间有限,F原子半径小于Cl,因此Br周围可以容纳5个F形成,但只能容纳1~3个半径更大的Cl,解释正确,C正确; D.中心原子电负性越大,对共用电子对的吸引能力越强,越容易增大键的极性,使更易电离,Cl电负性大于Br,因此酸性强于,D正确; 故选B。 5.D 【详解】 A.是离子化合物,电子式为,A错误; B.中心原子的价层电子对数为,VSEPR模型为四面体形,B错误; C.氚()的质子数为,质量数为,原子符号为,C错误; D.由和通过离子键结合,晶体类型属于离子晶体,D正确; 故答案为D。 6.C 【详解】A.Cl原子位于晶胞棱心,根据均摊法,晶胞中Cl原子数为,A不符合题意; B.Cs原子位于晶胞顶点,Cl原子位于晶胞棱心,根据晶胞的无缝并指可够可知,Cs原子位于Cl原子构成的八面体空隙中,B不符合题意; C.该晶胞密度计算为,选项中数值计算错误,C符合题意; D.Pb和Cs均处于第六周期,同周期元素从左至右第一电离能呈增大趋势,Pb的原子序数大于Cs,故基态原子的第一电离能Pb大于Cs,D不符合题意; 故选C。 7.B 【分析】 由晶胞结构可知,硫化锌晶胞中位于顶点和面心的硫离子个数为:8×+6×=4,位于体内的锌离子个数为4;硫化锌晶体中掺入少量氯化亚铜后,区域A中,氯离子替代中硫离子,氯离子比硫离子负电荷少,使得区域A带正电;区域B中,亚铜离子替代中锌离子,亚铜离子比锌离子正电荷少,使得区域B带负电;掺入少量氯化亚铜后,光照下晶胞内电荷区域的能级差引发电子跃迁,从而产生特征发光现象。 【详解】A.X射线衍射是测定晶体结构最科学的方法,所以可用X射线衍射法测定硫化锌晶体结构,A正确; B.由分析可知,硫化锌晶体中掺入少量氯化亚铜后,区域A中,氯离子替代中硫离子,氯离子比硫离子负电荷少,使得区域A带正电;区域B中,亚铜离子替代中锌离子,亚铜离子比锌离子正电荷少,使得区域B带负电,B错误; C.由晶胞结构可知,与位于晶胞中体内的锌离子距离最近的硫离子个数为4,则锌离子的配位数为4;由化学式可知,硫离子的配位数也为4,C正确; D.由分析可知,掺入少量氯化亚铜后,光照下晶胞内电荷区域的能级差引发电子跃迁,从而产生特征发光现象,D正确; 故选B。 8.A 【详解】A.是由分子构成的,属于分子晶体,A符合题意; B.白磷分子为正四面体结构,每个顶点1个原子,分子中的键角为,B不符合题意; C.键为共价键其作用远大于的分子间作用力,C不符合题意; D.从题中可知,白磷转化为红磷放热,说明相等质量的白磷能量高于红磷,白磷和红磷在氧气中充分燃烧生成等量的,白磷放出的能量更多,D不符合题意; 故选A。 9.D 【详解】A.根据Be2C 的熔点约为2350℃,常用作高温陶瓷与结构材料可知,Be2C不属于分子晶体,分子晶体熔点低,A错误; B.以4号原子为参照点,8个Be与碳原子相邻且等距离,B错误; C.由1、4号原子坐标可知,2号原子坐标为,3号原子坐标为,C错误; D.相邻两个C原子之间最近的距离为面对角线的一半,即为,D正确; 故选D。 10.D 【详解】A.由晶胞图可知,分子位于长方体的棱心和体心,1个晶胞中含个分子,A正确; B.由图可知,晶胞中分子的取向不完全相同,如1和2,B正确; C.1号和2号原子间的核间距离为上、下面对角线的一半,即,C正确; D.以体心的原子为例,由于,每个原子周围与其等距且紧邻(距离最小)的原子有4个,D错误; 故答案选D。 11.C 【详解】A.原子位于晶胞内,原子数为个;原子位于晶胞内,原子数为个;原子位于晶胞顶点和面心,顶点,面心,共个,原子个数比为,A不符合题意; B.同周期主族元素第一电离能从左到右呈增大趋势,第一电离能:,B不符合题意; C.由晶胞结构可知,Ge、Ga、As均分别与另外4个原子通过共价键连接,所以Ge、Ga、As的配位数均为4,C符合题意; D.该晶体中与As原子最近且等距的As原子有12个,D不符合题意; 故选C。 12.D 【详解】A.由晶胞图知,白球位于体心,晶胞中数目为1,黑球位于顶角、棱心、体内,六方晶胞上下表面中一个角60°, 一个角为120°,晶胞中数目为,结合题意知,白球为Sm、黑球为Co,该物质化学式为,A正确; B.体心原子位于晶胞的中心,其分数坐标为,B正确; C.每个晶胞中含有1个“”,晶胞底面为菱形,晶胞体积为,则晶体密度为,C正确; D.原子Q的分数坐标为,体心原子坐标为,由体心原子向上底面作垂线,垂足为上底面面心,连接该面心与原子Q、体心与原子Q可得直角三角形,则原子Q到体心的距离,D错误; 故答案为D。 13.A 【详解】A.由题意可知,晶胞中的氨分子与锌离子形成配位键,而晶胞中的苯分子与Ni(CN)x、Zn(NH3)y以分子间作用力结合,分子间作用力比配位键弱,所以加热时首先脱离晶胞的组分是苯,A错误; B.镍元素的原子序数28,基态镍离子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d8,核外电子占据了14种原子轨道,所以核外电子有14种不同空间运动状态,B正确; C.吡啶中含有与苯类似的大π键,所以用吡啶代替苯时,也会得到相似的笼形包合物,C正确; D.由晶胞结构可知,晶胞中位于面心的镍离子个数为:2×=1,位于顶点的锌离子个数为:8×=1,位于面上的氰根离子的个数为:8×=4,位于棱上的氨分子个数为:8×=2,位于面心的苯分子个数为:4×=2,则晶胞的化学式为,所以,D正确; 故选A。 14.D 【分析】均摊法确定晶胞中原子数目:Sn原子位于晶胞顶点与体心,Sn原子总数为;O原子位于晶胞面上和内部,O原子总数为;,二者原子个数比为,对应化学式为。 【详解】A.根据分析可知,该氧化物对应化学式为,A不符合题意; B.以体心Sn原子为中心,其周围6个O原子距离最近且相等,B不符合题意; C.垂直xz面投影时,顶点和体心的Sn投影在长方形的顶点和中心,面心和体内的O投影在边上和内部,其投影图为,C不符合题意; D.晶胞质量为,晶胞体积为,密度计算为,D符合题意; 故选D。 15.A 【详解】A.根据题意,该晶体为三元层状化合物,与石墨类似,属于混合型晶体,A错误; B.由图可知,该晶胞中Ti原子数为​ 、Al原子数为、C原子数为4,即Ti、Al、C原子个数比为 ,则该晶体的化学式为,B正确; C.已知1号原子坐标为,且1号原子与晶胞底部和3号原子与晶胞顶部的垂线距离相同,即二者在z轴方向的坐标之和为1,则3号的原子z轴坐标为,且x、y轴坐标与2号的相同,因此3号的原子坐标为,C正确; D.该晶体的化学式为,晶胞中含有2个,故晶胞质量;晶胞底面积,晶胞高度为,即体积;则该晶体密度为 ,D正确; 故选A。 16.D 【详解】A.b位于左侧面心,在x、y、z轴上投影坐标分别为0、、,坐标为,A正确; B.与位于体心的锆原子距离最近且等距的O原子有6个,此6个O原子形成八面体空间结构,锆原子填充在氧原子形成的八面体空隙中,B正确; C.以顶面面心氧原子为参照物,距离其最近的氧原子在四个侧面面心上,这样的氧原子有8个,C正确; D.据“均摊法”,晶胞中含个Sr、1个Zr、个O,则晶体密度=,D错误; 故选D。 17.B 【详解】A.1号分数坐标,2号分数坐标,晶胞边长为a,分数坐标为原子位置除以边长。3号原子x、y、z方向的位置分别为、、,因此分数坐标为,A选项正确; B.2号坐标,3号坐标,根据空间两点距离公式:nm,B选项错误; C.铁原子位于八顶点六面心,共4个,镁原子位于晶胞内部,共8个,晶体密度为,C选项正确; D.Fe原子的排列为面心立方堆积,与Fe最近且距离相等的Fe原子数为12,D选项正确; 故答案选B。 18.C 【分析】由题干晶胞示意图可知,一个晶胞中黑球个数为:,白球个数为:,灰球个数为:,三种原子的个数比为4:8:2=2:4:1,又知Cu显+2价,则化合物X的化学式为:K2CuF4,则黑球代表K、白球代表F、灰球代表Cu,据此分析解题。 【详解】A.由分析知,晶体化学式为,●表示,A正确; B.顶点和体心的周围的配位原子和配位数完全一致,与其他各个原子的几何关系也一致(体心四方点阵),B正确; C.由于不知道a和c的数量关系,所以无法确定哪两个的距离最短,C错误; D.由分析知,一个晶胞中黑球个数为:,白球个数为:,灰球个数为:,晶体密度,D正确; 故选C。 19.C 【详解】A.由晶胞结构可知,每个Fe原子周围等距离且最近的Mg原子上下层各4个,配位数为8,A错误; B.铁镁合金属于金属晶体,只含金属键,则熔融该合金的过程中需要破坏金属键,B错误; C.根据“均摊法”,晶胞中含个Fe、8个Mg位于晶胞内部,则晶胞密度,C正确; D.该合金储氢后,位于晶胞的体心和棱心位置,则个数为,当储氢率为50%时即有2个,4个Fe,8个Mg,化学式为,D错误; 故选C。 20.C 【详解】A.Ge为第32号元素,核外电子排布为1s22s22p63s23p63d104s24p2,共占据17个原子轨道,即17种空间运动状态,A错误; B.Ge晶体为金刚石结构,但图a中沿体对角线方向切割所得截面为正六边形,B错误; C.由图c可知,每个Hg原子位于由4个Sb原子构成的正四面体中心,配位数为4,C正确; D.图c晶胞中Ge数目为,Hg数目为,Sb数目为8,所以该晶体密度为,D错误; 故选C。 21.D 【详解】A.位于晶胞顶点,位于晶胞面心,所以与等距且最近的有个,A正确; B.位于晶胞的体心,与其距离最近的6个构成一个正八面体,位于该正八面体空隙内,B正确; C.由晶胞结构可知,该晶胞沿体对角线方向的投影为,C正确; D.该晶胞中K+数目为,Ca2+数目为1,,F-数目为,则密度计算式应为,D错误; 故选D。 22.D 【分析】根据图乙,没有掺杂其他原子,利用均摊法可知晶胞中原子数分布如下:含个Bi原子,个Se原子,个O原子,其化学式为Bi2O2Se,所以图甲中根据电荷守恒知,该晶胞中若为与,则个数比为1:1。 【详解】A.该晶胞中若为与,则个数比为1:1,结合化合物化学式Bi2O2Se个数比及化合价规律可知,为,z=2n,x=y=2,A错误; B.根据立体几何关系可知,晶胞沿Z轴的投影中,Bi3+位于面心,Se2-位于顶点,O2-位于棱上,其投影图为,B错误; C.由分析,晶胞化学式为Bi2O2Se,Se的个数为2,可知该晶胞中含2个Bi2O2Se,故该晶胞的质量,该晶胞体积,故该晶体密度为,C错误; D.二维硒氧化铋晶体经过图乙所示的氮掺杂之后,有一个O原子所在位置成为空穴,还有两个O原子被N原子替换,所以O原子个数变为:,N原子数为:,Bi与Se个数没变化,分别是4和2,即Bi∶O∶Se∶N=4∶2.5∶2∶1=2∶1.25∶1∶0.5,根据化学式Bi2O2-aSeNb可得出2-a=1.25,a=0.75,b=0.5,因此得出a∶b=3∶2,D正确; 故答案选D。 学科网(北京)股份有限公司 $

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