内容正文:
2.C解析:熔点高的金属一般不溶于水;金属不溶于CS2;金属均是电
的良导体;故选C。
3.A解析:根据均推法,原子个数=8×日=1、Cu原子个数=6×
3,所以其化学式为NiCu,A错误;基态Cu的价层电子排布式
1
为3d04s',属于ds区的元素,B正确:铜镍合金中是金属单质,含有
阳离子和电子,没有阴离子,C正确:温度升高,自由电子的能量增
大,无规则运动加剧,自由电子在热的作用下与金属原子频繁碰撞,
影响了自由电子的定向移动,导电能力减弱,即电导率随温度升高
而减小,D正确。
4.C解析:钾品体是非密置层的一种堆积方式,为立方体形品胞,其
中原子位于8个顶点,一个体心上,晶胞所含原子数为8x令+1=2。
5.C解析:金属原子在二维空间里有两种排列方式,一种是密置层排
列,另一种是非密置层排列。密置层排列的配位数为6,非密置层排
列的配位数为4。由此可知,(a)为密置层,(b)为非密置层。密置
层在三维空间里堆积可得到六方堆积和面心立方堆积两种堆积方
式,非密置层在三维空间里堆积可得到简单立方堆积和体心立方堆
积两种堆积方式。
6.(1)①Po②Na、K③Mg、Zn④Cu、Au(2)C
重难聚焦
7.B解析:根据切割法计算,晶胞中有8个原子位于顶点,6个原子位
于面心,所以晶胞中微粒数为8×g+6x2=4。
黑题应用提优
题号1234
答案ABAB
:品胞a中所含原子为12x。+2×2+3
含原子为8×8+6x
+6×】=4个,晶胞c中所含原子为8×8+1=2个。
故选A。
2.B解析:根据均摊法可知,图中含有铜原子数为6×-3,金原子
数为8xg=1,故M的化学式为C,A如,A正确;金属铜为金属晶
体,具有良好的延展性,B错误;由图可知,m原子在y轴上,在y轴
坐标参数为1,则m原子的坐标参数为(0,1,0),C正确:由图可知。
晶胞中Cu和Au原子沿z轴的投影位置中,Au位于正方形顶点,Cu
位于正方形的中心和每条边的中心,则晶胞中Cu和Au原子沿z轴
的投影位置为
,D正确。
3.A解析:y-Fe属于面心立方堆积,铁原子的配位数为12,A正确;1
个YFe晶胞中有8×
8+6
2=4个铁原子,故质量约为m
1
w56
M
N,8,B错误;金属铁具有导电性的原因是铁原子最外层
的电子逃逸,形成自由电子,这些自由电子在电场力的作用下能够
做定向移动,从而形成电流,使得金属铁能够导电,C错误;a-Fe与
y-F晶体结构不同,结构决定性质,故性质不完全相同,D错误。
4.B解析:金属Ca、Sr、Ba的熔点依次降低,A不正确;由晶胞结构可
知,晶胞中含有A的数目为8×令=1,含有B的数目为1,含有0的
数目为6x了=3,故用A,B.0表示的题给复合型氧化物品体的化学
式为ABO3,B正确;在制造Fe薄片时,金属键没有断裂,C不正
确:V、Cr、Mn、Fe晶体均为金属晶体,其中均存在金属阳离子和自由
电子,无阴离子存在,D不正确。
正本参考答案
压轴挑战
5.(1)4(2)C(3)78
Pa3 mol-1
解析:(1)据“均捧法”,品胞中金原子数为8×名+6×了=4。
(2)金属金的晶胞8个顶角各有一个金原子,各个面的中心有一个
金原子,为面心立方晶胞。(3)该晶胞为面心立方晶胞,
197g·mol
-X4-p g cmxa cmN =788
pa3mol'。
第二单元
离子键离子晶体
白题
基础过关
题号1
23456
1.C解析:在离子化合物中,一定存在离子键,可能含有共价键
故A项错误;离子键就是使阴、阳离子结合成化合物的静电作用,包
括静电引力和斥力,故B项错误;含有金属元素的化合物不一定是
离子化合物,如A1CL3是共价化合物,故C项正确;离子键是阴、阳离
子之间通过静电作用形成的化学键,其形成过程中并不一定发生电
子的得失,如溶液中Ba2+与S0子结合生成BaS04沉淀,故D
项错误。
2.D解析:化合物是否可溶于水与化学键类型没有关系,故A项错
误:具有较高熔点的物质不一定含有离子键,如金刚石的熔点很高,
但其不含离子键,故B项错误:有的共价化合物在水溶液中也能导
电,如HC1,但其中含有共价键,故C错误;熔融状态能导电的化合物
为离子化合物,含有离子键,故D项正确。
3.A解析:晶格能是指拆开1ol离子晶体使之形成气态阴离子和气
态阳离子时所吸收的能量。
4.D解析:该晶胞为立方晶胞,若按面对角线对晶胞进行垂直切割,所得
的截面图为长方形,4个顶点被02占据,体心被N+占据,故选D。
5.B解析:以题图晶胞为例,处在中心位置上的Na+被六个面上的
CI所包围,这六个CI离中心Na最近,将六个面心的Cl连成一个
图形即为正八面体。
重难聚焦
6.A解析:氨原子和电子对(2)交替填充在这些钠原子形成的立方
体的体心,晶
胞
乙的结构可表示为
●He
oe
两对电子对之间的最近距离为
0-
07--●
0m,A错误:由晶胞乙的结构可知,每个钠离子周围最近的氨原
√2
子数为4,钠离子位于4个氦原子形成的正四面体空隙中,B正确:
晶胞中的电子对位于晶胞棱上和体心,H原子位于晶胞的顶点和
面上,可知晶胞中有1+12×】
-4(对)电子.8x日+6x分=4(个)
He原子,结合晶胞结构知晶胞占有的钠离子数目为8,则Na、He、电
子对数占比为8:4:4=2:1:1,故化学式为(Na)2He(e号),C正
确;晶胞中有4对电子、4个He原子,结合晶胞结构知晶胞占有的钠
离子数目为8,即4个(Na)2He(e3),(Na)2He(e3)的相对分子
ax10-7)Wg·cm3=4M
4M
质量为M,该晶体的密度为
1021g·cm3,D正确。
黑题
应用提优
题号123
45
6
答案C BABCB
1.C解析:氧化钙和氯化钠都属于离子晶体,熔点的高低可根据晶格
能的大小判断。晶格能的大小与离子所带电荷多少、离子间距离
晶体结构类型等因素有关。氧化钙和氯化钠的离子间距离和晶体
黑白题13
结构都类似,所以熔点主要由阴、阳离子所带电荷的多少决定。
2.B解析:FS2中铁元素的化合价为+2价,则硫元素的化合价为-1
价,A正确;立方晶胞中心的S?离品胞的六个面心的F2+等距离且
最近,故距离s子最近的Fe2+有6个,S?位于Fe2+所形成的正八面体
的体心,B错误;FS2晶体内含Fe2*和$子,阴、阳离子间作用力为离
子键,S子内含共价键,C正确:根据均摊法,该晶胞中F2+数为8×
8+6x
=4,s的数为12×+1=4,该晶胞中含4个Fes,FoS,的
摩尔质量为120g·mal1,设晶胞的边长为anm,根据p=受=
120×4
NA
(ax10)3,解得a三√/W×10m,D正确。
1
3.A解析:根据晶胞结构可知含有4个A、2个B,X的个数为8×
8
10x+4x+1=8,该物质的化学式为A,BX,由正离子A,B
和负离子X构成,根据化学式中各元素化合价的代数和为0,只有
n=1、m=2时化合价的代数和为0,n应该小于m,A错误,C正确;晶
胞中Bm+的配位数为4,B正确:由图可知,负离子可形成正八面体以
及正四面体两种空隙,且两者的个数比为4:8=1:2,D正确。
4.B解析:由图可知,高温相中顶点的X距离最近的X位于面心,有
3x8×了=12(个),A正确;根据低温相晶体图,阴离子构成的8个四
面体空隙中阳离子占据3个,有一个是四面体空隙,B错误:低温相
中,X位于顶角和面心,共8xg+6x2=4(个),A、B心在内部,分
别有2个和1个,化学式为A2BX4,C正确;低温相中空隙位于立方
体的右下后方,坐标为(?,子,)D正角。
5.C解析:立方ZS晶胞中距离s2最近的S2位于面心,根据结构图
可知,距离一个顶点最近的面心有12个,所以立方ZS晶胞中距
离S2-最近的S2有12个,A正确:由晶胞图可知,一个顶点S2-和距
离最近的三个面心$2构成一个正四面体,Z2*填入$2构成的正四
面体空隙,晶胞中共有8个正四面体,四个正四面体空隙中填入了
Z2,因此空隙占有率为50%,B正确;品体掺杂过程中,应由半径相
近的微粒进行替换,由图可知,区域A中,由C替换S2,根据均摊
法,区域A中含s23个,含Zn2+4个,含C11个,根据:(-2)×3+(-
1)×1+4×(+2)=+1,区域A是“正电”区域,C错误;通过X射线衍射
实验可获得晶体结构的有关信息,包括晶胞形状和大小、分子或原子
在微观空间有序排列呈现的对称类型、原子在晶胞里的数目和位置
等,因此可以用X射线衍射确定其晶体结构,D正确。
6.B解析:同周期元素从左到右原子半径依次减小,同主族元素从上
到下原子半径依次增大,则F、Si和Ca的原子半径依次增大,A正
确:0F2与Si02都是含有极性共价键的共价化合物,化合物中氧原子
的价层电子对数都为4,杂化方式都为s即3杂化,0F2为分子晶
体,Si02为共价晶体,B错误;由晶胞结构可知,A处原子分数坐标
为(0,00),则B处原子分数坐标为(任,4),c正确:三种金
属氟化物都为离子晶体,晶体提供自由氟离子的能力越强,阴阳离子
间形成的离子键越弱,钡离子、钙离子和镁离子的电荷数相同,离子
半径依次减小,则氟化钡、氟化钙、氟化镁三种晶体中的离子键依次
增强,晶体提供自由氟离子的能力依次减弱,D正确。
7.(1)Mg0(2)xMg×+:0→Mg2*[×0×](3)6
1:1(4)高离子半径相差不大,Mg0中离子所带电荷数较多,离
子键强
解析:若A原子最外层有1个电子,则B原子最外层有3个电子。
由于A、B均为短周期元素,原子序数:A>B,经讨论A只能是钠,B
为硼,但A、B形成的化合物是中学化学常见的化合物且熔融时能导
电,故上述假设不符合题意。若A原子最外层有2个电子,则B原
子最外层有6个电子。根据题意,经讨论知,只有A为镁,B为氧符
合题意。
选择性必修2·SJ
压轴挑战
8.(1)球形15:7(2)离子晶体(3)bb中含有π键,电子云重
叠程度更大,使得键长缩短(4)1445x102
aNA
(5)(1,1,1)
(111)
4·4,4
解析:(1)锌元素的原子序数为30,位于元素周期表第4周期ⅡB
族,最高能层为N,价电子排布式为3d04s2,则s电子云轮廓图形状
为球形:锌原子核外30个电子均为成对电子,共15对,硫原子核外
有16个电子,有2个未成对电子,成对电子有7对,则基态锌原子与
硫原子成对电子数之比为15:7。(2)由题给信息可知,氟化锌的熔
点高,不溶于乙醇和乙醚,说明氟化锌为离子晶体。(3)由共价键的
饱和性可知,氧原子应形成2个共价键,由图可知,a为硒氧单键,b
为硒氧双键,双键中含有的π键使电子云重叠程度增大,键长变短,
则键长a长于b。(4)由晶胞结构可知,晶胞中位于顶点和面心
的se2个数为8xg+6x7=4,位于体内的Zm2个数为4,由晶胞中
距离最近的两个Se2的距离为anm可知,晶胞的参数为2anm,设
晶胞的密度为dg·cm3,由晶胞的质量公式可得(√2a×107)3d=
414,解得d=442x10
。(5)由晶胞结构可知,A与B的距离为
NA
a N
体对角线的长度,若A点硒离子的分数坐标为(0,0,0),B点硒离子的
分数坐标为(1,1,1);距离B点硒离子最远的锌离子位于体对角线距
离A点的】处,其分数坐标为
111
4,4,4
第一、二单元阶段综合
黑题
阶段强化
题号12345
1.B
2.B解析:根据晶胞结构,M处于右侧面面心,M原子坐标参数为(1,
1
,),A正确;品胞内部的傢原子数为4,砷位于顶点和面心
原子数为4,所以砷化镓化学式为GAs,根据晶胞密度,晶胞棱长为
4(MGa+MA.)
NA
a入p
cm=
34x5*70cm=√pN
3580
Np·NA
10?nm,砷和傢的原子半径之和为晶胞体对角线四分之一,故r1+
V53580
2=4N√p·N
×10'nm,B错误;同周期元素从左到右电负性逐
渐增大,则电负性:As>G,C正确;根据晶胞结构图,该晶胞的俯视
Q
e
投影图为O
,D正确。
0
→x
3.D解析:G元素位于第ⅢA族,位于p区,A错误;根据晶胞结构
图,该单元中含有i的个数为8x令+6x了12x+1=8,h和Ca
的个数都为4,则化学式为Ni2MnGa,B错误;①③⑤⑦代表Mn,以
体心的Ni为参考,该4个Mn距离体心Ni的距离最近,C错误;由
B项可知,该晶胞中含有4个NM,MnGa,质量为42
二g,晶胞的体积为
4x243
8
(ax100)3cm,则密度p=
N
9.72x102
V(ax1010)3cm3
Naa
g·cm3,
D正确。
4C解析:在品胞中含有小黑球数目为8x日+6x子=4,含有“0数
1
目为8×1=8,小黑球与“o”个数比为4:8=1:2,结合硫化锂的化
学式是Li2S,可知晶胞中的“o”代表L,小黑球表示S2,A正确;根
黑白题14第二单元离
白题
基础过关
题型1离子键
1.(2025·上海高二月考)下列关于离子键
的说法正确的是
(
A.在离子化合物中,只存在离子键,不存在
共价键
B.离子键就是使阴、阳离子结合成化合物的
静电引力
C.含有金属元素的化合物不一定是离子化
合物
D.离子键的形成过程中一定发生了电子的
得失
2.**(2024·陕西西安高二月考)下列性质
中,可以证明某化合物内一定存在离子键
的是
(
A.可溶于水
B.具有较高的熔点
C.水溶液能导电
D.熔融状态能导电
题型2晶格能
3.*下列热化学方程式能直接表示出氯化钠
晶格能的是
(
A.NaCl(s)→Na*(g)+Cl(g)△H
B.NaCl(s)→Na(s)+Cl(g)△H2
C.2NaCl(s)→2Na*(g)+2Cl(g)△H3
D.NaCl(s)→Na(g)+Cl(g)△H4
题型3离子晶体的结构
4.(2025·安徽芜湖高二期中)N0是一种
极有前景的功能材料,已被广泛应用于冶金、
化工及电子工业等领域。其晶胞结构
(与NaCl相同)如图所示。按面对角线对晶
胞进行垂直切割,得到的截面图是()
02
选择性必修2·SJ
子键离子晶体
限时:15min
89
B.O
C.
D.○(
●人
5.*如图,在氯化钠晶胞中,与每个Na+等距
离且最近的几个C1所围成的立体构型为
A.十二面体
B.正八面体
C.正六面体
D.正四面体
●Cl
重难聚焦∥
题型离子晶体的计算
6.*(2025·重庆高二期末)钠
和氦在300GPa的压力下可以
视频讲解
形成一种稳定的化合物(相对分子质量
为M),钠离子形成如图甲所示的规则立方
体堆积,氦原子和电子对(e)交替填充在
这些钠原子形成的立方体的体心,得到如
图乙所示的晶胞。已知晶胞参数为anm,
阿伏加德罗常数的值为N,下列说法错误
的是
ONa"
●He
电子对未画出
A.两对电子对之间的最近距离为√2anm
B.每个钠离子周围最近的氦原子数为4
C.该物质的化学式可写为(Na)2He(e号)
D.该晶体的密度为4
-×102g·cm3
黑白题38
黑题
应用提优
1.**氧化钙在2973K时熔化,而氯化钠在4
1074K时熔化,两者的离子间距离和晶体结
构类似,有关它们熔点差别较大的原因叙述
不正确的是
()
A.氧化钙晶体中阴、阳离子所带的电荷数多
B.氧化钙的离子键的键能比氯化钠的大
C.氧化钙的离子键的键能比氯化钠的小
D.在氧化钙与氯化钠的离子间距离类似的
情况下,熔点主要由阴、阳离子所带电荷
的多少决定
2.*★*(2025·浙江嘉兴高二期中)一个立方体
结构的FS,晶胞如图所示。下列说法不正
确的是
(
A.FeS2中硫元素的化合价为-1价
B.S?位于Fe2+所形成的正四面体的体心
C.FeS2晶体内存在离子键和共价键
D.若该晶体密度为pg·cm3,则晶胞的边长
480
为
×10nm
√pNA
5
00●
00
00
●08
●
(第2题)
(第3题)
3.**(2025·天津高二期中)由阳离子A+
Bm+和阴离子X构成的固体电解质,其晶胞结
构如图所示。下列说法不正确的是(
A.n>m
B.晶胞中Bm+的配位数为4
C.该固体电解质的化学式为ABX,
D.晶胞中负离子可形成正八面体以及正四面
体两种空隙,且两者的个数比为1:2
专题3黑
限时:35min
**(2025·黑龙江哈尔滨高二期末)一种由
阳离子A+、Bm+和阴离子X组成的无机固体
电解质结构如图,其中高温相阳离子呈无序
结构,A*、Bm+均未画出低温相呈现有序结
构。下列说法错误的是
(
O-X-
O—A时
O—Bm时
低于50.7℃
口—四面体空隙
高于50.7℃
高温相
低温相
A.高温相中X距离最近的X有12个
B.低温相晶体中阴离子构成的8个四面体空
隙中阳离子占据4个
C.低温相化学式为A2BX4
D.若1的离子坐标为0,2),则低温相中
空碳坐标为层4》
*(2025·山东德州高二期末)ZnS晶体中
掺入少量CuCl后,会出现能量不同的“正电”
区域、“负电”区域,如图,光照下发出特定波
长的光。下列说法不正确的是
(
区域A
区域B
●Zn2
0S2-
挚公蜜
A.掺入前与S2-距离最近且相等的S2有
12个
B.掺入前Zn2+填入S2构成的正四面体空隙,
空隙占有率为50%
C.区域A是“负电”区域
D.可以用X射线衍射确定其晶体结构
日题39
6.**科技前沿(2025·山东潍坊高三期中)
压轴挑战
近日,科学家研究利用CaF,晶体释放出的Ca
8.整闪锌矿与纤锌矿的主要成
和F脱除硅烷,拓展了金属氟化物材料的生
分均为ZnS。在一定条件下Zn0
与ZnS、Se共热可制备荧光材料ZnSe。
物医学功能。下列说法错误的是
答下列问题:
(1)基态Zn原子占据最高能层的电子云轮
廓图形状为
;基态Zn与S原子成
对电子数之比为
(2)根据下列锌卤化物的熔点和溶解性,判
○Ca2+●F
断ZnF,晶体的类型为
A.F、Si和Ca的原子半径依次增大
ZnF2
ZnCl,
ZnBr.
Znl,
B.SiO,与OF,的晶体类型及氧原子的杂化方
熔点/℃
872
275
394
446
式均相同
在乙醇、乙醚
C.图中A处原子分数坐标为(0,0,0),则B
不溶
溶解
溶解
溶解
中的溶解性
处原子分数坐标为
113
(3)固态Se02是以
0
44’4
[Se03]角锥体以角相
D.脱除硅烷反应速率依赖于晶体提供自由氟
连接的展平的聚合结构,每一锥体带有一悬
离子的能力,脱硅能力:BaF2>CaF2>MgF2
垂的终端0原子(如图所示)。图中Se一0
7.*A、B为两种短周期元素,A的原子序数
键键长较短的是
(填“a”或“b”)。
大于B,且B原子的最外层电子数为A原子
其原因是
最外层电子数的3倍。A、B形成的化合物是
(4)ZnSe晶胞与ZnS晶胞相似(如图),晶胞
中学化学常见的化合物,该化合物熔融时能
中距离最近的两个Se2的距离为anm,请计
导电,试回答下列问题:
算ZnSe晶胞的密度为
g·cm3
d
(1)A、B的元素符号分别是
OSe2
oZn2
(2)用电子式表示A、B元素形成化合物的过
程
ZnSe
(3)A、B所形成的化合物的晶体结构与氯化
(5)以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可
钠晶体结构相似,则每个阳离子周围吸引了
用来表示晶胞中各原子的位置,称作原子的
个阴离子:晶体中阴、阳离子数之比
分数坐标。ZnSe晶胞中部分原子的分数坐
标为A点Se2(0,0,0),则B点Se2的分数坐
为
标为
;从该晶胞中找出距离B
(4)A、B所形成化合物的晶体的熔点比NaF
点Se2最远的Zm2的位置
(用
晶体的熔点
(填“高”或“低”),其判
分数坐标表示)。
断的理由是
选择性必修2·SJ黑白题40