专题3 第2单元 离子键 离子晶体-【学霸黑白题】2025-2026学年高中化学选择性必修2(苏教版)

2026-04-13
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资源信息

学段 高中
学科 化学
教材版本 高中化学苏教版选择性必修2
年级 高二
章节 第二单元 离子键 离子晶体
类型 作业-同步练
知识点 -
使用场景 同步教学-新授课
学年 2026-2027
地区(省份) 全国
地区(市) -
地区(区县) -
文件格式 ZIP
文件大小 2.53 MB
发布时间 2026-04-13
更新时间 2026-04-13
作者 南京经纶文化传媒有限公司
品牌系列 学霸黑白题·高中同步训练
审核时间 2026-03-18
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来源 学科网

内容正文:

2.C解析:熔点高的金属一般不溶于水;金属不溶于CS2;金属均是电 的良导体;故选C。 3.A解析:根据均推法,原子个数=8×日=1、Cu原子个数=6× 3,所以其化学式为NiCu,A错误;基态Cu的价层电子排布式 1 为3d04s',属于ds区的元素,B正确:铜镍合金中是金属单质,含有 阳离子和电子,没有阴离子,C正确:温度升高,自由电子的能量增 大,无规则运动加剧,自由电子在热的作用下与金属原子频繁碰撞, 影响了自由电子的定向移动,导电能力减弱,即电导率随温度升高 而减小,D正确。 4.C解析:钾品体是非密置层的一种堆积方式,为立方体形品胞,其 中原子位于8个顶点,一个体心上,晶胞所含原子数为8x令+1=2。 5.C解析:金属原子在二维空间里有两种排列方式,一种是密置层排 列,另一种是非密置层排列。密置层排列的配位数为6,非密置层排 列的配位数为4。由此可知,(a)为密置层,(b)为非密置层。密置 层在三维空间里堆积可得到六方堆积和面心立方堆积两种堆积方 式,非密置层在三维空间里堆积可得到简单立方堆积和体心立方堆 积两种堆积方式。 6.(1)①Po②Na、K③Mg、Zn④Cu、Au(2)C 重难聚焦 7.B解析:根据切割法计算,晶胞中有8个原子位于顶点,6个原子位 于面心,所以晶胞中微粒数为8×g+6x2=4。 黑题应用提优 题号1234 答案ABAB :品胞a中所含原子为12x。+2×2+3 含原子为8×8+6x +6×】=4个,晶胞c中所含原子为8×8+1=2个。 故选A。 2.B解析:根据均摊法可知,图中含有铜原子数为6×-3,金原子 数为8xg=1,故M的化学式为C,A如,A正确;金属铜为金属晶 体,具有良好的延展性,B错误;由图可知,m原子在y轴上,在y轴 坐标参数为1,则m原子的坐标参数为(0,1,0),C正确:由图可知。 晶胞中Cu和Au原子沿z轴的投影位置中,Au位于正方形顶点,Cu 位于正方形的中心和每条边的中心,则晶胞中Cu和Au原子沿z轴 的投影位置为 ,D正确。 3.A解析:y-Fe属于面心立方堆积,铁原子的配位数为12,A正确;1 个YFe晶胞中有8× 8+6 2=4个铁原子,故质量约为m 1 w56 M N,8,B错误;金属铁具有导电性的原因是铁原子最外层 的电子逃逸,形成自由电子,这些自由电子在电场力的作用下能够 做定向移动,从而形成电流,使得金属铁能够导电,C错误;a-Fe与 y-F晶体结构不同,结构决定性质,故性质不完全相同,D错误。 4.B解析:金属Ca、Sr、Ba的熔点依次降低,A不正确;由晶胞结构可 知,晶胞中含有A的数目为8×令=1,含有B的数目为1,含有0的 数目为6x了=3,故用A,B.0表示的题给复合型氧化物品体的化学 式为ABO3,B正确;在制造Fe薄片时,金属键没有断裂,C不正 确:V、Cr、Mn、Fe晶体均为金属晶体,其中均存在金属阳离子和自由 电子,无阴离子存在,D不正确。 正本参考答案 压轴挑战 5.(1)4(2)C(3)78 Pa3 mol-1 解析:(1)据“均捧法”,品胞中金原子数为8×名+6×了=4。 (2)金属金的晶胞8个顶角各有一个金原子,各个面的中心有一个 金原子,为面心立方晶胞。(3)该晶胞为面心立方晶胞, 197g·mol -X4-p g cmxa cmN =788 pa3mol'。 第二单元 离子键离子晶体 白题 基础过关 题号1 23456 1.C解析:在离子化合物中,一定存在离子键,可能含有共价键 故A项错误;离子键就是使阴、阳离子结合成化合物的静电作用,包 括静电引力和斥力,故B项错误;含有金属元素的化合物不一定是 离子化合物,如A1CL3是共价化合物,故C项正确;离子键是阴、阳离 子之间通过静电作用形成的化学键,其形成过程中并不一定发生电 子的得失,如溶液中Ba2+与S0子结合生成BaS04沉淀,故D 项错误。 2.D解析:化合物是否可溶于水与化学键类型没有关系,故A项错 误:具有较高熔点的物质不一定含有离子键,如金刚石的熔点很高, 但其不含离子键,故B项错误:有的共价化合物在水溶液中也能导 电,如HC1,但其中含有共价键,故C错误;熔融状态能导电的化合物 为离子化合物,含有离子键,故D项正确。 3.A解析:晶格能是指拆开1ol离子晶体使之形成气态阴离子和气 态阳离子时所吸收的能量。 4.D解析:该晶胞为立方晶胞,若按面对角线对晶胞进行垂直切割,所得 的截面图为长方形,4个顶点被02占据,体心被N+占据,故选D。 5.B解析:以题图晶胞为例,处在中心位置上的Na+被六个面上的 CI所包围,这六个CI离中心Na最近,将六个面心的Cl连成一个 图形即为正八面体。 重难聚焦 6.A解析:氨原子和电子对(2)交替填充在这些钠原子形成的立方 体的体心,晶 胞 乙的结构可表示为 ●He oe 两对电子对之间的最近距离为 0- 07--● 0m,A错误:由晶胞乙的结构可知,每个钠离子周围最近的氨原 √2 子数为4,钠离子位于4个氦原子形成的正四面体空隙中,B正确: 晶胞中的电子对位于晶胞棱上和体心,H原子位于晶胞的顶点和 面上,可知晶胞中有1+12×】 -4(对)电子.8x日+6x分=4(个) He原子,结合晶胞结构知晶胞占有的钠离子数目为8,则Na、He、电 子对数占比为8:4:4=2:1:1,故化学式为(Na)2He(e号),C正 确;晶胞中有4对电子、4个He原子,结合晶胞结构知晶胞占有的钠 离子数目为8,即4个(Na)2He(e3),(Na)2He(e3)的相对分子 ax10-7)Wg·cm3=4M 4M 质量为M,该晶体的密度为 1021g·cm3,D正确。 黑题 应用提优 题号123 45 6 答案C BABCB 1.C解析:氧化钙和氯化钠都属于离子晶体,熔点的高低可根据晶格 能的大小判断。晶格能的大小与离子所带电荷多少、离子间距离 晶体结构类型等因素有关。氧化钙和氯化钠的离子间距离和晶体 黑白题13 结构都类似,所以熔点主要由阴、阳离子所带电荷的多少决定。 2.B解析:FS2中铁元素的化合价为+2价,则硫元素的化合价为-1 价,A正确;立方晶胞中心的S?离品胞的六个面心的F2+等距离且 最近,故距离s子最近的Fe2+有6个,S?位于Fe2+所形成的正八面体 的体心,B错误;FS2晶体内含Fe2*和$子,阴、阳离子间作用力为离 子键,S子内含共价键,C正确:根据均摊法,该晶胞中F2+数为8× 8+6x =4,s的数为12×+1=4,该晶胞中含4个Fes,FoS,的 摩尔质量为120g·mal1,设晶胞的边长为anm,根据p=受= 120×4 NA (ax10)3,解得a三√/W×10m,D正确。 1 3.A解析:根据晶胞结构可知含有4个A、2个B,X的个数为8× 8 10x+4x+1=8,该物质的化学式为A,BX,由正离子A,B 和负离子X构成,根据化学式中各元素化合价的代数和为0,只有 n=1、m=2时化合价的代数和为0,n应该小于m,A错误,C正确;晶 胞中Bm+的配位数为4,B正确:由图可知,负离子可形成正八面体以 及正四面体两种空隙,且两者的个数比为4:8=1:2,D正确。 4.B解析:由图可知,高温相中顶点的X距离最近的X位于面心,有 3x8×了=12(个),A正确;根据低温相晶体图,阴离子构成的8个四 面体空隙中阳离子占据3个,有一个是四面体空隙,B错误:低温相 中,X位于顶角和面心,共8xg+6x2=4(个),A、B心在内部,分 别有2个和1个,化学式为A2BX4,C正确;低温相中空隙位于立方 体的右下后方,坐标为(?,子,)D正角。 5.C解析:立方ZS晶胞中距离s2最近的S2位于面心,根据结构图 可知,距离一个顶点最近的面心有12个,所以立方ZS晶胞中距 离S2-最近的S2有12个,A正确:由晶胞图可知,一个顶点S2-和距 离最近的三个面心$2构成一个正四面体,Z2*填入$2构成的正四 面体空隙,晶胞中共有8个正四面体,四个正四面体空隙中填入了 Z2,因此空隙占有率为50%,B正确;品体掺杂过程中,应由半径相 近的微粒进行替换,由图可知,区域A中,由C替换S2,根据均摊 法,区域A中含s23个,含Zn2+4个,含C11个,根据:(-2)×3+(- 1)×1+4×(+2)=+1,区域A是“正电”区域,C错误;通过X射线衍射 实验可获得晶体结构的有关信息,包括晶胞形状和大小、分子或原子 在微观空间有序排列呈现的对称类型、原子在晶胞里的数目和位置 等,因此可以用X射线衍射确定其晶体结构,D正确。 6.B解析:同周期元素从左到右原子半径依次减小,同主族元素从上 到下原子半径依次增大,则F、Si和Ca的原子半径依次增大,A正 确:0F2与Si02都是含有极性共价键的共价化合物,化合物中氧原子 的价层电子对数都为4,杂化方式都为s即3杂化,0F2为分子晶 体,Si02为共价晶体,B错误;由晶胞结构可知,A处原子分数坐标 为(0,00),则B处原子分数坐标为(任,4),c正确:三种金 属氟化物都为离子晶体,晶体提供自由氟离子的能力越强,阴阳离子 间形成的离子键越弱,钡离子、钙离子和镁离子的电荷数相同,离子 半径依次减小,则氟化钡、氟化钙、氟化镁三种晶体中的离子键依次 增强,晶体提供自由氟离子的能力依次减弱,D正确。 7.(1)Mg0(2)xMg×+:0→Mg2*[×0×](3)6 1:1(4)高离子半径相差不大,Mg0中离子所带电荷数较多,离 子键强 解析:若A原子最外层有1个电子,则B原子最外层有3个电子。 由于A、B均为短周期元素,原子序数:A>B,经讨论A只能是钠,B 为硼,但A、B形成的化合物是中学化学常见的化合物且熔融时能导 电,故上述假设不符合题意。若A原子最外层有2个电子,则B原 子最外层有6个电子。根据题意,经讨论知,只有A为镁,B为氧符 合题意。 选择性必修2·SJ 压轴挑战 8.(1)球形15:7(2)离子晶体(3)bb中含有π键,电子云重 叠程度更大,使得键长缩短(4)1445x102 aNA (5)(1,1,1) (111) 4·4,4 解析:(1)锌元素的原子序数为30,位于元素周期表第4周期ⅡB 族,最高能层为N,价电子排布式为3d04s2,则s电子云轮廓图形状 为球形:锌原子核外30个电子均为成对电子,共15对,硫原子核外 有16个电子,有2个未成对电子,成对电子有7对,则基态锌原子与 硫原子成对电子数之比为15:7。(2)由题给信息可知,氟化锌的熔 点高,不溶于乙醇和乙醚,说明氟化锌为离子晶体。(3)由共价键的 饱和性可知,氧原子应形成2个共价键,由图可知,a为硒氧单键,b 为硒氧双键,双键中含有的π键使电子云重叠程度增大,键长变短, 则键长a长于b。(4)由晶胞结构可知,晶胞中位于顶点和面心 的se2个数为8xg+6x7=4,位于体内的Zm2个数为4,由晶胞中 距离最近的两个Se2的距离为anm可知,晶胞的参数为2anm,设 晶胞的密度为dg·cm3,由晶胞的质量公式可得(√2a×107)3d= 414,解得d=442x10 。(5)由晶胞结构可知,A与B的距离为 NA a N 体对角线的长度,若A点硒离子的分数坐标为(0,0,0),B点硒离子的 分数坐标为(1,1,1);距离B点硒离子最远的锌离子位于体对角线距 离A点的】处,其分数坐标为 111 4,4,4 第一、二单元阶段综合 黑题 阶段强化 题号12345 1.B 2.B解析:根据晶胞结构,M处于右侧面面心,M原子坐标参数为(1, 1 ,),A正确;品胞内部的傢原子数为4,砷位于顶点和面心 原子数为4,所以砷化镓化学式为GAs,根据晶胞密度,晶胞棱长为 4(MGa+MA.) NA a入p cm= 34x5*70cm=√pN 3580 Np·NA 10?nm,砷和傢的原子半径之和为晶胞体对角线四分之一,故r1+ V53580 2=4N√p·N ×10'nm,B错误;同周期元素从左到右电负性逐 渐增大,则电负性:As>G,C正确;根据晶胞结构图,该晶胞的俯视 Q e 投影图为O ,D正确。 0 →x 3.D解析:G元素位于第ⅢA族,位于p区,A错误;根据晶胞结构 图,该单元中含有i的个数为8x令+6x了12x+1=8,h和Ca 的个数都为4,则化学式为Ni2MnGa,B错误;①③⑤⑦代表Mn,以 体心的Ni为参考,该4个Mn距离体心Ni的距离最近,C错误;由 B项可知,该晶胞中含有4个NM,MnGa,质量为42 二g,晶胞的体积为 4x243 8 (ax100)3cm,则密度p= N 9.72x102 V(ax1010)3cm3 Naa g·cm3, D正确。 4C解析:在品胞中含有小黑球数目为8x日+6x子=4,含有“0数 1 目为8×1=8,小黑球与“o”个数比为4:8=1:2,结合硫化锂的化 学式是Li2S,可知晶胞中的“o”代表L,小黑球表示S2,A正确;根 黑白题14第二单元离 白题 基础过关 题型1离子键 1.(2025·上海高二月考)下列关于离子键 的说法正确的是 ( A.在离子化合物中,只存在离子键,不存在 共价键 B.离子键就是使阴、阳离子结合成化合物的 静电引力 C.含有金属元素的化合物不一定是离子化 合物 D.离子键的形成过程中一定发生了电子的 得失 2.**(2024·陕西西安高二月考)下列性质 中,可以证明某化合物内一定存在离子键 的是 ( A.可溶于水 B.具有较高的熔点 C.水溶液能导电 D.熔融状态能导电 题型2晶格能 3.*下列热化学方程式能直接表示出氯化钠 晶格能的是 ( A.NaCl(s)→Na*(g)+Cl(g)△H B.NaCl(s)→Na(s)+Cl(g)△H2 C.2NaCl(s)→2Na*(g)+2Cl(g)△H3 D.NaCl(s)→Na(g)+Cl(g)△H4 题型3离子晶体的结构 4.(2025·安徽芜湖高二期中)N0是一种 极有前景的功能材料,已被广泛应用于冶金、 化工及电子工业等领域。其晶胞结构 (与NaCl相同)如图所示。按面对角线对晶 胞进行垂直切割,得到的截面图是() 02 选择性必修2·SJ 子键离子晶体 限时:15min 89 B.O C. D.○( ●人 5.*如图,在氯化钠晶胞中,与每个Na+等距 离且最近的几个C1所围成的立体构型为 A.十二面体 B.正八面体 C.正六面体 D.正四面体 ●Cl 重难聚焦∥ 题型离子晶体的计算 6.*(2025·重庆高二期末)钠 和氦在300GPa的压力下可以 视频讲解 形成一种稳定的化合物(相对分子质量 为M),钠离子形成如图甲所示的规则立方 体堆积,氦原子和电子对(e)交替填充在 这些钠原子形成的立方体的体心,得到如 图乙所示的晶胞。已知晶胞参数为anm, 阿伏加德罗常数的值为N,下列说法错误 的是 ONa" ●He 电子对未画出 A.两对电子对之间的最近距离为√2anm B.每个钠离子周围最近的氦原子数为4 C.该物质的化学式可写为(Na)2He(e号) D.该晶体的密度为4 -×102g·cm3 黑白题38 黑题 应用提优 1.**氧化钙在2973K时熔化,而氯化钠在4 1074K时熔化,两者的离子间距离和晶体结 构类似,有关它们熔点差别较大的原因叙述 不正确的是 () A.氧化钙晶体中阴、阳离子所带的电荷数多 B.氧化钙的离子键的键能比氯化钠的大 C.氧化钙的离子键的键能比氯化钠的小 D.在氧化钙与氯化钠的离子间距离类似的 情况下,熔点主要由阴、阳离子所带电荷 的多少决定 2.*★*(2025·浙江嘉兴高二期中)一个立方体 结构的FS,晶胞如图所示。下列说法不正 确的是 ( A.FeS2中硫元素的化合价为-1价 B.S?位于Fe2+所形成的正四面体的体心 C.FeS2晶体内存在离子键和共价键 D.若该晶体密度为pg·cm3,则晶胞的边长 480 为 ×10nm √pNA 5 00● 00 00 ●08 ● (第2题) (第3题) 3.**(2025·天津高二期中)由阳离子A+ Bm+和阴离子X构成的固体电解质,其晶胞结 构如图所示。下列说法不正确的是( A.n>m B.晶胞中Bm+的配位数为4 C.该固体电解质的化学式为ABX, D.晶胞中负离子可形成正八面体以及正四面 体两种空隙,且两者的个数比为1:2 专题3黑 限时:35min **(2025·黑龙江哈尔滨高二期末)一种由 阳离子A+、Bm+和阴离子X组成的无机固体 电解质结构如图,其中高温相阳离子呈无序 结构,A*、Bm+均未画出低温相呈现有序结 构。下列说法错误的是 ( O-X- O—A时 O—Bm时 低于50.7℃ 口—四面体空隙 高于50.7℃ 高温相 低温相 A.高温相中X距离最近的X有12个 B.低温相晶体中阴离子构成的8个四面体空 隙中阳离子占据4个 C.低温相化学式为A2BX4 D.若1的离子坐标为0,2),则低温相中 空碳坐标为层4》 *(2025·山东德州高二期末)ZnS晶体中 掺入少量CuCl后,会出现能量不同的“正电” 区域、“负电”区域,如图,光照下发出特定波 长的光。下列说法不正确的是 ( 区域A 区域B ●Zn2 0S2- 挚公蜜 A.掺入前与S2-距离最近且相等的S2有 12个 B.掺入前Zn2+填入S2构成的正四面体空隙, 空隙占有率为50% C.区域A是“负电”区域 D.可以用X射线衍射确定其晶体结构 日题39 6.**科技前沿(2025·山东潍坊高三期中) 压轴挑战 近日,科学家研究利用CaF,晶体释放出的Ca 8.整闪锌矿与纤锌矿的主要成 和F脱除硅烷,拓展了金属氟化物材料的生 分均为ZnS。在一定条件下Zn0 与ZnS、Se共热可制备荧光材料ZnSe。 物医学功能。下列说法错误的是 答下列问题: (1)基态Zn原子占据最高能层的电子云轮 廓图形状为 ;基态Zn与S原子成 对电子数之比为 (2)根据下列锌卤化物的熔点和溶解性,判 ○Ca2+●F 断ZnF,晶体的类型为 A.F、Si和Ca的原子半径依次增大 ZnF2 ZnCl, ZnBr. Znl, B.SiO,与OF,的晶体类型及氧原子的杂化方 熔点/℃ 872 275 394 446 式均相同 在乙醇、乙醚 C.图中A处原子分数坐标为(0,0,0),则B 不溶 溶解 溶解 溶解 中的溶解性 处原子分数坐标为 113 (3)固态Se02是以 0 44’4 [Se03]角锥体以角相 D.脱除硅烷反应速率依赖于晶体提供自由氟 连接的展平的聚合结构,每一锥体带有一悬 离子的能力,脱硅能力:BaF2>CaF2>MgF2 垂的终端0原子(如图所示)。图中Se一0 7.*A、B为两种短周期元素,A的原子序数 键键长较短的是 (填“a”或“b”)。 大于B,且B原子的最外层电子数为A原子 其原因是 最外层电子数的3倍。A、B形成的化合物是 (4)ZnSe晶胞与ZnS晶胞相似(如图),晶胞 中学化学常见的化合物,该化合物熔融时能 中距离最近的两个Se2的距离为anm,请计 导电,试回答下列问题: 算ZnSe晶胞的密度为 g·cm3 d (1)A、B的元素符号分别是 OSe2 oZn2 (2)用电子式表示A、B元素形成化合物的过 程 ZnSe (3)A、B所形成的化合物的晶体结构与氯化 (5)以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可 钠晶体结构相似,则每个阳离子周围吸引了 用来表示晶胞中各原子的位置,称作原子的 个阴离子:晶体中阴、阳离子数之比 分数坐标。ZnSe晶胞中部分原子的分数坐 标为A点Se2(0,0,0),则B点Se2的分数坐 为 标为 ;从该晶胞中找出距离B (4)A、B所形成化合物的晶体的熔点比NaF 点Se2最远的Zm2的位置 (用 晶体的熔点 (填“高”或“低”),其判 分数坐标表示)。 断的理由是 选择性必修2·SJ黑白题40

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