内容正文:
5.D[A项,离子晶体中每个离子周围不一定吸引6个带相反电荷的!
离子,如CsCl晶体中每个Cs+吸引8个CI;B项,金属晶体中的自!
由电子不是因为外电场作用产生的;C项,常温下,分子晶体不一定
是液态或气态,可能为固态,如2S8等]
6.A[金刚石和碳化硅都是共价晶体,在晶体中每个C原子或Si原:
子与相邻的4个原子形成共价键,每个共价键为2个原子所共有,1
因此若晶体中含有1mol原子,则物质含有共价键的数目是2NA,
故原子数相同的金刚石和碳化硅共价键个数之比为1:1,A错误;!
在SiO2晶体中,每个Si原子与相邻的4个O原子形成Si一O,故Si!
原子与Si一O个数比为1:4,B正确;在石墨烯中,每个C原子为相1
邻的3个六元环所共有,则在六元环中含有的C原子数为6×号=:
2,因此石墨烯中碳原子和六元环个数比为2:1,C正确;C60分子之:
间只有范德华力,所以晶体是分子密堆积,D正确。门
7.C[金刚石、SC、晶体硅都属于共价晶体,原子之间以共价镀结合
形成立体网状结构,形成共价键的原子半径越小,形成的该共价键:
越强,断裂该共价键消耗的能量越高,物质的熔、沸,点越高,原子半·
径C<Si,共价键的键长C一C<C一Si<Si一Si,所以熔点由高到低!
为金刚石>SiC>晶体硅,A正确;N元素的电负性较大,在DNA分·
子结构中,由于碱基之间的氢键具有固定的数目和DNA两条链之:
间的距离保持不变,所以DNA中的碱基互补配对是通过氢键来实!
现的,B正确;水晶是SiO2,属于共价晶体,原子之间以共价健结合:
形成立体网状结构,物质熔化需断裂共价键,千冰是固态CO2,CO2·
分子之间以分子间作用力结合形成分子晶体,物质熔化需断裂分子:
间作用力,二者熔化需克服不同类型的作用力,C错误;石墨属于混:
合型晶体,在石墨的层内C原子之间以共价健结合,在层与层间的:
主要作用力为范德华力,范德华力比较弱,层与层之间易发生相对:
滑移,因此石墨可用作润滑剂,D正确。]
8.D[五羰基铁[Fe(CO)5]是一种具有三角双锥结构的非极性分子,1
易溶于非极性溶剂苯中,故B正确;五羰基铁不稳定,在隔绝空气条
件下受热分解,生成铁和一氧化碳,故C正确:分子中铁和碳原子形:
成5个o键,每个碳氧三键中含一个o键,则每个F(CO)5粒子中!
含10个g键,故D错误。]
9.A[A1CL3的熔点低,属于分子晶体,A项错误;表中BCl3、AlC3:
和干冰均是分子晶体,B项正确;同族元素的氧化物可形成不同类!
型的晶体,如CO2是分子晶体,二氧化硅是共价晶体,C项正确;表!
中Al2O3与Na2O均是离子晶体,Na与Al位于不同主族,D项:
正确。
10.A[A1和Ga均为第ⅢA族元素,N属于第VA族元素,AlN、I
GN的成键结构与金刚石相似,则其均为共价晶体,由于Al原子!
的半径小于Ga,N一Al的键长小于N一Ga的键长,则N一Al的键i
能较大,故GaN的熔点低于A1N,A说法错误;不同元素的原子之:
间形成的共价键为极性键,B说法正确:金刚石中每个C原子形成·
4个共价键(即C原子的价层电子对数为4),无孤电子对,故C原:
子均采取sp3杂化,C原子的配位数是4,由于AlN、GaN与金刚石
结构相似,则其晶体中所有原子均采取sp3杂化,所有原子的配位!
数也均为4,C、D说法正确。]
11.(1)共价小于石墨中碳碳之间除。键,还存在大π键,石墨中:
碳碳键的键长短于金刚石,键能大于金刚石,熔点更高(2)b
(3)CHCH2CH2CH2OH能与水形成分子间氢键,乙醚不能
(4)离子键②
12.答案(1)TF4为离子晶体,熔点高,其他三种均为分子晶体,随
相对分子质量的增大分子间作用力增大,熔点逐渐升高
(2)NiO>CoO>FeO
(3)①正四面体形分子品体②NH3、AsH3、PH3
解析(2)三种元素二价氧化物均为离子晶体,由于离子半径:
Fe2+>Co2+>N2+,则离子键强度由大到小的顺序为NiO>Co0!
>FeO,三种晶体的熔点由高到低的顺序为NiO>CoO>FeO。
(3)①Sn最外层有4个电子,与4个C1形成4个g键,因此SnCl4:
的空间构型为正四面体形;由题给信息知SCl4常温常压下为液:
体,说明SCl4的熔,点较低,所以其固体的晶体类型为分子晶体。
②NH3、PH3、AsH3均为分子晶体,NH3分子间存在氢键,因此沸
点高于PH3、AsH3;AsH3的相对分子质量大于PH3,因此AsH3
的沸点高于PH,即三者沸点由高到低的顺序为NH、
AsH3、PH3。
13.答案(1)CrC2·4H20分子晶体(2)CD
(3)①sp3<一NH2有孤电子对,孤电子对对成键电子排斥力·
54
大,键角变小②>
H-O
解析(1)由晶胞图可知,化学式为CrCl2·4H2O;由晶胞图可知
构成晶胞的粒子为CrC2·4H2O分子,故为分子晶体;(2)A同一
周期,从左到右,电负性依次增强,故顺序为O>N>B,A错误;B
核外电子排布相同,核电荷数越大,半径越小,故顺序为P3->S2
>CI,B错误;C同一周期,从左到右,电离能增大的趋势,VA族
和MA族相反,故顺序为Ge<Se<As,C正确;D基态Cr的简化电
子排布式:[Ar]3d54sl,Cr2+的简化电子排布式为[Ar]3d,D正
确;故选CD,(3)①一NH2的价层电子对数3+5-)X3=4,故杂
2
化方式为sp3;一NH2价层电子对数为4,有一对孤电子对,
一NH时价层电子对数4+5-1,1X4=4,无孤对电子,又因为孤
2
电子对对成键电子的排斥力大于成键电子对成键电子的排斥力,
故键角∠HNH:H2N一NH2中的一NH2<H2N一NH中的
一NH;②将HNO3与SO3按物质的量之比1:2发生化合反应
生成A,测得A由2种微粒构成,其中之一是NO克,则A为
NO2HS2O,,NO为硝酸失去一个OH一,得电子能力更强,氧化
性更强,故氧化性强弱:NO2>HNO3;阴离子为HS2O?根据
00
已知可知其结构式为
课时分层检测(三十一)
.A2.D3.C4.C5.D6.C7.A8.C9.C10.D11.B
2.答案2:32:1:1Zn2+
解析由晶聪示意图可知,一个晶胞中含有N+个数为2X?
1,Z2+个数为8X日-1,CN个数为8X合=4,NH,个数为8
×=2,苯环个数为X号=-2,则该晶跑的化学式为N(CN1·
Z(NH3)2·2CsH6,且晶胞中每个N原子均参与形成配位键,
Ni2+周围形成的配位键数目为4,Z2+周围形成的配位键数目为
6,则N2+与Zn2+的配位数之比为4:6=2:3:x:y:z=4:2:
2=2:1:1;Ni2+的配位数为4,则N2+采取sp3杂化,而Zn2+的
配位数为6,Zn2+采取sp3d2杂化,即晶胞中有d轨道参与杂化的
金属离子是Zn2+。
4×91+8×16
3.答案8a2cXN4X1002-x
解析以晶胞中右侧面心的Z4+为例,同一晶胞中与Z4+连接最
近且等距的O2-数为4,同理可知右侧晶胞中有4个02-与Z4+
相连,因此Zr4+离子在晶胞中的配位数是4十4=8;1个晶胞中含
有4个Z0,微粒,1个晶胞的质量为4X91十8X16g,1个晶胞的
Na
4×91+8×16
g
体积为a2cX1030cm3,因此该晶体密度为acX10-0cm=
NA
a2 cXNAX100g·cm3;在Zr0,中掺杂少量2a0后形成的催
4×91+8×16
化剂,化学式可表示为ZNZr1-xOy,其中Zn元素为+2价,Zr为
十4价,0元素为一2价,根据化合物中各元素的化合价代数和为0
可知2x十4X(1-x)=2y,解得y=2-x。
课时分层检测(三十二)
A2.C3.B4.C5.D6.A7.C8.D9.D10.B
1.答案(1)-307(2)+6
解析(1)根据盖斯定律可知,反应③=子(反应②一①),所以
(△H:-△H)=合(-329W·o-1-285W·
△H3=2
mol-1)=-307kJ·mol-1。(2)设方程式①3Fe2O3(s)+C0(g)
→2Fe304(s)+C02(g)△H1=-47.2kJ·mol-1
②2Fe3O4(s)+H2O(g)一3Fe2O3(s)+H2(g)△H2课时分层检测(三十一)》
1.某物质的晶体中含有A、B、C三
种元素,其排列方式如图所示
.B
(其中前后两面面心中的B元素
oC
的原子未能画出)。则晶体中A、B、C的原子个
数比为
(
A.1:3:1
B.2:3:1
C.2:2:1
D.1:3:3
2.我国科学家合成了富集11B
的非碳导热材料立方氮化硼
晶体,晶胞结构如图。下列
ON
说法正确的是
()
OB
A.11BN和10BN的性质无差异
B.该晶体具有良好的导电性
C.该晶胞中含有14个B原子,4个N原子
D.N原子周围等距且最近的N原子数为12
3.铁有6、Y、a三种晶体结构,以下依次是δ、Y、α
三种晶体的晶胞在不同温度下转化的示意图。
下列有关说法不正确的是
1394℃
912℃
6-Fe
y-Fe
a-Fe
(体心立方)
(面心立方)
(简单立方)
A.每个6-Fe晶体中有2个铁原子
B.Y-Fe晶体中与每个铁原子距离相等且最近
的铁原子有12个
C.每个Y-Fe晶胞中含有14个铁原子
D.将铁加热到1500℃分别急速冷却和缓慢冷
却,得到的晶体类型不相同
4.(2025·重庆一模)为维护
国家安全和利益,2023年
●Ca
7月3日,我国决定对镓、
ON
锗相关物项实施出口管
制。氮化镓的晶胞结构如图所示(晶胞参数为
apm)。下列说法不正确的是
(
A.该物质的化学式为GaN
B.晶体结构中Ga的配位数为4
C.该晶体的密度为484×1027g/cm3
a3 NA
D.第二周期基态原子第一电离能大于N的元
素有2种
361
晶胞结构分析与计算
5.(2025·湖南炎德英才联考)实验
室制取HF的原理为CaF2十
H,SO,(浓)△CaS0+2HF个,
氢氟酸可用来刻蚀玻璃,发生反
●CaoF
应:SiO2+4HF-SiF4个+2H2O。CaF2的
立方晶胞如图所示,其晶胞参数为apm。下列
说法错误的是
()
A.氢化物的稳定性:HF>H,O
B.SiF4、H2O、SO2三者的中心原子价层电子
对数相等
312
C.CaF,的晶休密度为aX100Ng/cm(NA
为阿伏加德罗常数的值)
D.CaF2晶体中F-与Ca2+之间的最近距离为
√6
4a pm
6.铅磷青铜具有很高的耐腐蚀
OPb
性和耐磨性,常用于制作耐
OCu
P
磨零件和滑动轴承。如图为
B
铅磷青铜的一种晶胞结构,AO
已知A点原子的分数坐标为(0,0,0),B点原子
的分数坐标为(1,1,0)。下列说法不正确的是
()
A.该晶胞的化学式为PbCusP
B.C点原子的分数坐标为(0.5,0.5,1)
C.晶胞中,Pb位于第六周期第VA族,Cu属于
第IB族位于d区
D.晶体中基态磷原子的核外电子共有9种空间
运动状态
7.(2025·重庆模拟)氮化钛晶体的立方晶胞结构
如图所示,该晶胞中N、N之间的最近距离为
apm,以晶胞边长为单位长度建立坐标系,原子
A的坐标参数为(0,0,0),下列说法错误的是
Ti
A原子B的坐标参数为(号·70)
B.晶胞边长是√2apm
C.该物质的化学式为TiN
D.Ti的配位数为6
8.钒的某种氧化物的立方晶胞结
构如图所示,晶胞参数为apm。
下列说法错误的是
()
A.该钒的氧化物的化学式
0 ov
为VO2
B.V原子在该晶体中的堆积方式为体心立方
C.V原子的配位数与O原子的配位数之比为1:2
2×(51+16×2)
D.该晶胞的密度为
(a×10-10)3×6.02×1023
g·cm-3
9.四氢铝钠(NaAIH4)是有
anmcanm
机合成中重要的还原剂,
晶胞结构如图所示。己
知NA为阿伏加德罗常
2a nmoo
ai--a
o
OAIH
数的值。下列说法错误
oNa"
的是
(
A.基态A1原子核外电子云轮廓图呈球形、哑铃
形的能级上电子数之比为6:7
B.AlH4的空间结构为正四面体形
C.A1H4的配位数为4
D.该晶体的密度为108×1021
VaXa3g·cm3
10.(2025·河北邯郸一模)Na2H的晶胞结构与
CaF2相似,如图所示。
已知:1号粒子的分数坐标为(0,0,0),3号粒
子的分数坐标为(0,?,》,设晶胞边长为
anm,阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法
错误的是
(
A2号粒子的分数坐标为(骨了》
B.钠、钙焰色试验产生的光谱属于发射光谱
CNa粒子与He粒子的最短距离为。m
D.晶胞中Na粒子与He粒子的配位数之比为
2:1
11.(2024·黑吉辽卷)某锂离子电池电极材料结
构如图。结构1是钴硫化物晶胞的一部分,
可代表其组成和结构;晶胞2是充电后的晶
胞结构;所有晶胞均为立方晶胞。下列说法
错误的是
(
368
●
结构1
晶胞2
●Co
OS
品胞3
A.结构1钴硫化物的化学式为Cog S8
B,晶胞2中S与S的最知距离为当号
C.晶胞2中距Li最近的S有4个
D.晶胞2和晶胞3表示同一晶体
12.[2022·山东,16(2)]研究笼形包合物结构和
性质具有重要意义。化学式为Ni(CN),·
Zn(NH3)v·C6H6的笼形包合物四方晶胞
结构如图所示(H原子未画出),每个苯环只有
一半属于该晶胞。晶胞参数为a=b≠c,a=3
=y=90°。
ONi2+
oZn2+
晶胞中N原子均参与形成配位键,Ni2+与
Zn2+的配位数之比为
;x:y:之=
;晶胞中有d轨道参与杂化的金属
离子是
13.[2021·全国甲卷,35(4)]我国科学家发明了
高选择性的二氧化碳加氢合成甲醇的催化剂,
其组成为ZnO/ZrO2固溶体。四方ZrO2晶胞
如图所示。Z4+离子在晶胞中的配位数是
,晶胞参数为apm、apm、cpm,该
晶体密度为
g·cm-3(写出表达
式)。在ZrO2中掺杂少量ZnO后形成的催化
剂,化学式可表示为ZN,Zr1-xOv,则y=
(用x表达)。
00