2026届高三化学二轮复习选择题强化训练：选择题专项训练（九）晶体、晶胞与物质性质

高三化学二轮复习选择题强化训练：选择题专项训练（九） 晶体、晶胞与物质性质 1、 单选题 基础篇 1.氮化镓是新型半导体材料，其晶胞如图所示，原子坐标，晶胞参数为，阿伏加德罗常数的值为。下列说法正确的是(    ) A. 晶体最简化学式为 B. 原子坐标为 C. 形成的正四面体空隙中的填充率为 D. 该氮化镓晶体的密度为 2.某立方晶系的锑钾合金可作为钾离子电池的电极材料，图为该合金的晶胞结构图，图表示晶胞的一部分。下列说法正确的是(    ) A. 该晶胞的体积为 B. 和原子数之比为： C. 与最邻近的原子数为 D. 和之间的最短距离为 3.萤石是制作光学玻璃的原料之一，其主要成分氟化钙的晶胞结构如图所示。下列说法正确的是(    ) A. 氟化钙的化学式为 B. 每个晶胞中含有个 C. 氟化钙中只含有离子键 D. 每个周围距离最近且等距的有个 4.铁镁合金是目前已发现的储氢密度最高的储氢材料之一，晶胞结构如图所示。储氢时，分子在晶胞的体心和棱的中心位置，且最近的两个氢分子之间的距离为，表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是(    ) A. 铁镁合金晶胞中原子数为 B. 与之间的最近距离为 C. 在铁镁合金晶体中，与铁原子等距离且最近的铁原子数有个 D. 储氢后的晶体密度为 5.属于富勒烯中的一种，其结构与足球结构相似，如下图所示。下列关于说法正确的是(    ) A. 属于烃类 B. 晶体类型为共价晶体 C. 与金刚石互为同素异形体 D. 易溶于水 6.是一种具有优异磁性能的稀土永磁材料，在航空航天等领域中获得重要应用。的六方晶胞示意图如下，晶胞参数、，、原子的分数坐标分别为、。设是阿伏加德罗常数的值。 下列说法错误的是 A. 该物质的化学式为 B. 体心原子的分数坐标为 C. 晶体的密度为 D. 原子到体心的距离为 7.的晶胞为立方体，其结构如图。下列说法不正确的是(    ) A. 晶体属于离子晶体 B. 晶胞中键角为 C. 晶体中既有离子键又有共价键 D. 每个周围与它最近且等距离的的数目为 提升篇 8.砷化镉晶胞结构如图。图中“”和“”位是“真空”，晶胞参数为，建立如图的原子坐标系，号位的坐标为。已知：砷化镉的摩尔质量为，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是(    ) A. 砷化镉中与原子个数比为： B. 两个原子间最短距离为 C. 号位原子坐标参数为 D. 该晶胞的密度为 9.具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。其晶胞结构如图所示，已知的坐标参数为，晶胞参数为。下列说法错误的是(    ) A. 晶体属于共价晶体 B. 晶胞中的坐标参数为 C. 每个周围最近的数目是 D. 原子与原子之间的最短距离为 10.通过掺杂硅可将锗单质转化为不同掺杂比例的硅锗合金，锗及硅锗合金的立方晶胞结构如图所示。下列说法错误的是 A. 锗晶体键角为 B. 若硅锗合金的密度为，则阿伏加德罗常数 C. 原子的分数坐标为 D. 锗晶体熔点高于硅晶体的熔点 11.一定条件下，、和反应生成和化合物，化合物 的晶胞结构如图所示晶胞参数，，其中灰球代表 、黑球代表 、白球代表。若阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是(    ) A. 上述反应中 与的物质的量之比为： B. 基态原子核外电子有种空间运动状态 C. 原子填充在由 原子构成的八面体空隙中 D. 化合物的密度 12.一种由硼镁元素组成的离子化合物具有超导性能。该化合物晶体中硼通过共价键形成平面层，镁形成平面层，层和层等距交错排列，俯视图部分如图。 下列说法正确的是(    ) A. 硼层中硼的杂化类型为 B. 该化合物的化学式为 C. 镁周围最近且等距的硼有个 D. 镁层内存在离子键 13.钛铁基储氢合金是由钛、铁两种元素组成的金属间化合物。该合金吸收氢气后的晶胞如图所示，每个氢被个钛原子和个铁原子包围。下列说法不正确的是(    ) A. 钛铁合金属于金属晶体，主要作用力为金属键 B. 未吸收氢气时，钛铁合金的晶胞示意图为图 C. 钛铁合金中每个周围距离最近且等距的有个 D. 图中形成的金属氢化物的化学式： 14.我国科研人员利用和掺杂制造了一种富勒烯化合物，是一种定量还原剂，其晶胞结构如图所示，该立方晶胞参数为，设阿伏加德罗常数的值为，下列说法正确的是(    ) A. 该富勒烯化合物中的原子和原子的个数比为： B. 该晶胞中与最近且距离相等的是个 C. 将看作顶点，该晶体中构成的多面体有个面 D. 该晶体的密度为 15.在固体离子电导方面具有潜在的应用前景。其两种晶型中，一种为长方体形晶胞图，长方体棱长分别为、、，另一种为立方体形晶胞图，居于立方体中心，立方体棱长为。 已知：图晶胞中，部分锂离子位置上存在缺位现象。 下列说法错误的是 A. 图晶胞中，锂离子的总缺位率为 B. 图晶胞中，氯离子周围紧邻的锂离子的平均数目为 C. 两种晶型的密度近似相等，则 D. 为离子晶体，晶体中含有离子键和共价键 16.短周期主族元素、、、的原子序数依次增大。是密度最小的金属；与同主族，且基态原子中能级和能级上的电子数相同；和形成的化合物的晶体结构如图所示。设阿伏加德罗常数的值为，晶胞边长为。下列说法正确的是 A. 原子半径： B. 第一电离能： C. 晶胞中的配位数为 D. 晶体的密度为 17.碳化硅是一种半导体材料，一定条件下可由聚硅烷而来，反应过程为： 其中的晶胞结构如图，晶胞参数为。 下列说法错误的是 A. 聚硅烷属于混合物 B. 该晶胞中的配位数为 C. 该晶胞中原子与原子的最短距离为 D. 该晶胞的密度为 18.某锂离子电池电极材料结构如图。结构是钴硫化物晶胞的一部分，可代表其组成和结构；晶胞是充电后的晶胞结构；所有晶胞均为立方晶胞。下列说法正确的是 A. 结构钴硫化物的化学式为 B. 晶胞中与的最短距离为 C. 晶胞中距最近的有个 D. 晶胞和晶胞表示同一晶体 19.的立方晶胞结构如图所示，其晶体密度为。设晶体最简式的式量为，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A. 的价电子排布图为 B. 位于由构成的四面体空隙中 C. 晶体中与距离最近且相等的有个 D. 晶胞中最近的之间的距离为 20.叠氮化钠的晶胞结构如图。下列说法错误的是 A. 与等距离且最近的有个 B. 每个含有个电子 C. 晶体中存在离子键和共价键 D. 晶体中所有离子的配位数相同 答案和解析 1.【答案】  【解析】A.根据晶胞结构，晶胞中含有原子个数为  ，原子个数为，所以晶体最简化学式为，故A错误； B.原子坐标为  ，所以原子坐标为  ，故B错误； C.由于原子可以形成个正四面体空隙，但只有个原子位于四面体空隙，故G的填充率为，故C错误； D.根据  ，故D正确； 故选D。 2.【答案】  【解析】【分析】 本题考查晶胞计算，难度一般。 【解答】 A.该晶胞棱长，晶胞体积，故A错误； B.该晶胞中原子个数、原子个数，则、原子个数之比：：，故B正确； C.与最邻近的原子数为，故C错误； D.与原子之间的最短距离为晶胞体对角线长度的，为，故D错误； 故选：。 3.【答案】  【解析】【分析】 本题考查晶胞计算，为高频考点，把握离子的位置、均摊法计算、化学键为解答的关键，侧重分析与应用能力的考查，注意选项D为解答的难点，题目难度不大。 【解答】 A.由题干图可知，位于顶点和面心，个数为，位于体内，个数为，则氟化钙的化学式为，故A错误； B.位于顶点和面心，个数为，即每个晶胞中含有个，故B错误； C.与个形成离子键，则只含离子键，故C正确； D.由面心的可知距离最近且等距的个数为个，故D错误； 故选C。 4.【答案】  【解析】解：由图可知位于顶点和面心，个数为，故A正确； B.分子在晶胞的体心和棱的中心位置，且最近的两个氢分子之间的距离为，晶胞参数为，与之间的最近距离为体对角线的，则与之间的最近距离为，故B错误； C.以顶点原子看，与铁原子等距离且最近的铁原子位于面心，则与铁原子等距离且最近的铁原子数有个，故C正确； D.分子在晶胞的体心和棱的中心位置，个数为，原子个数为，位于体内，原子个数为，化学式为，则，故D正确； 故选：。 本题考查晶胞计算，把握原子的位置、均摊法计算、两点之间的距离为解答的关键，侧重分析与计算能力的考查，题目难度中等。 5.【答案】  【解析】A.只含碳氢元素的化合物为烃，是碳的单质，不属于烃，故A错误； B.是分子间通过分子间作用力结合而成的晶体，属于分子晶体，故B错误； C.同种元素组成的不同单质互为同素异形体，金刚石与都是碳的单质，二者互为同素异形体，故C正确； D.属于非极性分子，水是极性溶剂，非极性分子易溶于非极性溶剂，所以在水中的溶解度较小，故D错误； 故选：。 6.【答案】  【解析】A.由晶胞图知，白球位于体心，晶胞中数目为，黑球位于顶角、棱心、体内，晶胞中数目为  ，结合题意知，白球为、黑球为，该物质化学式为    ，A正确； B.体心原子位于晶胞的中心，其分数坐标为  ，B正确； C.每个晶胞中含有个“  ”，晶胞底面为菱形，晶胞体积为  ，则晶体密度为  ，C正确； D.原子的分数坐标为  ，由体心原子向上底面作垂线，垂足为上底面面心，连接该面心与原子、体心与原子可得直角三角形，则原子到体心的距离  ，D错误； 故选D。 7.【答案】  【解析】【分析】 本题考查了晶体结构，需要学生具备一定的空间想象与观察能力，题目难度不大。 【解答】 A.由图可知晶体中存在和，可知晶体属于离子晶体，故A正确； B.的空间构型为正四面体，键角为，故B错误； C.晶体中和间存在离子键，内部存在共价键，故C正确； D.由图可知，离顶点的最近的位于晶胞体心，一个顶点归个晶胞所有，因此每个周围与它最近且等距离的的数目为，故D正确； 故选：。 8.【答案】  【解析】解： A.分析可知，晶胞中原子数目为，原子数目为，与原子个数比为：，故A正确； B.两个原子间最短距离为边长的一半，即，故B正确； C.号位的坐标为，则号位原子坐标参数为，故C正确； D.晶胞体积为，晶胞质量中含有个，故晶胞密度为，故D错误； 故选：。 本题考查物质结构与性质，涉及核外电子排布，化学键，晶胞计算等内容，其中晶胞计算为解题难点，需要结合均摊法进行分析，掌握基础为解题关键，整体难度适中。 9.【答案】  【解析】A.晶体属于共价晶体，由共价键构成的具有空间立体网状结构，A正确； B.的坐标参数为 ，， ，晶胞中的坐标参数为 ，， ，B正确； C.晶胞中的位置与金刚石中碳原子位置一样，所以晶胞中位于顶点的原子，与之距离最近且相等的原子位于面心，共有个，C错误； D.原子与原子之间最短距离是体对角线的 ，最短距离为 ，D正确； 故选C。 10.【答案】  【解析】A.由锗晶胞图可知，每个锗均形成了个键，为杂化，键角为，故A正确； B.由均摊法得，硅锗合金晶胞中含有原子个数为，原子个数为，晶胞体积为  ，  ，，故B正确； C.原子位于右后方，分数坐标为，故C正确； D.硅、锗形成的晶体均为共价晶体，键长，键长越长键能越小，熔点越低，故 D错误； 答案选D。 11.【答案】  【解析】A.由晶胞结构图，晶胞中的个数为，的个数，的个数，则、、的个数比为，所以化合物的化学式为，反应的方程式为，所以与的物质的量之比为，A正确； B.基态原子电子排布为，电子占据个原子轨道，有种空间运动状态，B正确； C.由晶胞结构图，原子填充在由原子构成的八面体空隙中，C正确； D.化合物的密度即晶体的密度，即，D错误； 故选D。 12.【答案】  【解析】A.由投影图可知，硼层中硼原子连接个键，原子价电子有个，全部用于形成键，无孤电子对，价层电子对数为，杂化类型为，故A错误； B.由投影图可知，每个镁原子上层距离其最近的硼原子有个，下层距离其最近的硼原子也有个，共个，每个硼原子上层距离其最近的镁原子有个，下层距离其最近的镁原子也有个，共个，则、原子个数比为，化学式为，故B正确； C.由投影图可知，每个镁原子上层距离其最近的硼原子有个，下层距离其最近的硼原子也有个，共个，故C错误； D.层内存在金属键，不存在离子键，故D错误； 故选B。 13.【答案】  【解析】A.合金属于金属晶体，金属晶体的主要作用力为金属键，故A正确； B.未吸收氢气时，钛位于立方体的顶点，铁位于体心，故B正确； C.由图可知，该晶体中每个被个所形成的立方体包围，每个亦被个所形成的立方体包围，即钛铁合金中每个周围距离最近且等距的有个，故C正确； D.由图可知，位于晶胞的顶点和棱上，位于晶胞内部，位于体心和面上，因此每个晶胞中含有的原子个数，含有的原子个数，含有的原子个数，：：：：：：，则理论上形成的金属氢化物的化学式：，故D错误； 故选D。 14.【答案】  【解析】【分析】 由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点和体心的个数为  ，位于面上的钾原子个数为  ，则晶胞的化学式为。 A.由分析可知，晶胞的化学式为，则钾原子和碳原子的个数比为：：，故A错误； B.由晶胞结构可知，晶胞中位于体心的与邻近的个面上的钾原子距离最近，每个面上有个钾原子，则晶胞中与最近且距离相等的钾原子是个，故B错误； C.由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点与个形成正八面体，所以将看作顶点，该晶体中构成的多面体有个面，故C正确； D.设晶体的密度为，由晶胞的质量公式可得：   ，解得  ，故D错误； 故选C。 15.【答案】  【解析】A.根据化学式知，该晶胞中应该含有个， 图中个数为，个数为  ，个数为  ，而由化学式知，该晶胞中含有个，锂离子的缺位率为  ，A正确； B.图晶胞中，晶胞中位于体心的氯离子与位于条棱上的锂离子距离最近，但离子的缺位率为  ，则氯离子周围紧邻的锂离子平均数目为  ，B错误； C.图中个数为，个数为  ，立方体中个数为  ，则晶体密度为  ；结合分析，图中晶胞密度  ，两种晶型的密度近似相等，则  ，  ，C正确； D.  中存在锂离子、氯离子、氢氧根离子，为离子晶体，氢氧根离子中存在氢氧共价键，故晶体中含有离子键和共价键，D正确； 故选B。 16.【答案】  【解析】【分析】短周期主族元素、、、的原子序数依次增大。是密度最小的金属，是，基态原子中能级和能级上的电子数相同，为，与同主族，为，是；即、、、分别是、、、； A.同周期从左到右原子半径逐渐减小，同主族从上到下原子半径逐渐增大，故原子半径，故A错误； B.同主族从上到下第一电离能逐渐减小，同周期从左到右第一电离能呈增大趋势，第一电离能：，故B错误； C.由晶胞示意图可知，晶胞中的配位数为，故C错误； D.由晶胞示意图可知，晶胞中含有个，晶胞的质量为  ，晶胞的体积为  ，故晶胞的密度为      ，故D正确； 答案选D。 17.【答案】  【解析】A.聚硅烷中值不确定，其属于混合物，故A正确； B.以面心的原子为对象，其距离最近的个位于晶胞内部，面心的被两个晶胞共用，则的配位数为，故B正确； C.原子与原子的最短距离为面对角线的一半，即  ，故C错误； D.根据均摊法，晶胞中含有原子个数为  ，原子个数为，晶胞质量为  ，体积为  ，则该晶胞的密度为  ，故D正确； 故选C。 18.【答案】  【解析】A.由均摊法得，结构中含有的数目为  ，含有的数目为  ，与的原子个数比为：，因此结构的化学式为，故A错误； B.由图可知，晶胞中与的最短距离为面对角线的  ，晶胞边长为，即与的最短距离为：  ，故B错误； C.晶胞中距最近的  有个，故C错误； D.当个晶胞放在一起时，截取第个晶胞的右一半和第个晶胞的左一半合并后就是晶胞。根据晶胞的结构可知，的个数为  ，的个数为，则晶胞表示的化学式为，在晶胞中，的个数为    ，的个数为，则晶胞表示的化学式为，晶胞和晶胞表示同一晶体。故D正确； 故选D。 19.【答案】  【解析】A.  的价层电子排布式为  ，价电子排布图为，选项A正确； B.与点处的  距离最近且相等的  有个，原子之比为，与周围的四个形成正四面体结构，选项B正确； C.根据选项B分析可知，晶体中与距离最近且相等的有个，选项C正确； D.设晶体最简式的式量为  式量是指在化学物质的实验式中各原子的相对原子质量的总和，晶体密度为  ，则设晶胞参数边长为，有  ，边长  ，则存在该晶胞中最近的  之间的距离为面对角线的一半  ，选项D错误； 答案选D。 20.【答案】  【解析】A.判断与等距离且最近的  ，可以看上表面面心的，该晶胞体内有个  与该最近，在上方晶胞体内也有个  与该最近，故与等距离且最近的  共有个，A正确； B.的原子序数为，每个  共有个电子，B错误； C.中与  之间存在离子键，  内存在共价键，C正确； D.中与  的个数比为：，二者配位数相同，D正确； 故选B。 第1页，共1页 学科网（北京）股份有限公司 $