2026届高三化学一轮复习 选择题专题晶胞的结构与性质及相关计算

2025-08-20
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2026届高三化学一轮复习选择题 专题 晶胞的结构与性质及相关计算 一、晶体结构与性质 1.(25-26高三上·云南·阶段练习)铁镁合金是一种新型储氢材料,立方晶胞类似于,结构如图所示。该合金储氢后位于晶胞的体心和棱心位置(晶胞图中未画出),晶胞参数为,为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A.熔融该合金的过程中需要破坏金属键 B.该合金的质量为 C.铁原子和镁原子之间的最短距离为 D.储氢后晶体中的原子个数之比 2.(25-26高三上·云南昭通·阶段练习)实验室制取的原理为(浓),氢氟酸可用来刻蚀玻璃,发生反应:。的立方晶胞如图甲所示,其晶胞参数为。下列说法正确的是 A.晶态和非晶态的X射线衍射图谱如图乙 B.上述物质沸点: C.的晶体密度为(为阿伏加德罗常数的值) D.晶体中距离最近的有6个 3.(2025·云南曲靖·二模)一定条件下,CuCl2、K和F2反应生成KCl和化合物X。X属于四方晶系,晶胞结构如图所示(晶胞参数,),其中Cu的化合价为+2。下列说法不正确的是 A.化合物X的化学式为K2CuF4 B.上述反应的化学方程式为CuCl2+4K+2F2=K2CuF4+2KCl C.X的密度(NA为阿伏加德罗常数的值) D.在X晶胞中离Cu最近的Cu的数目为6 4.(2025·云南昆明·一模)一种铁基高温超导体材料的晶体结构如图所示,的分数坐标为。下列说法错误的是 A.该物质的化学式为 B.Fe位于As构成的四面体空隙中 C.该晶胞沿z轴方向的投影为 D.p、q间的距离为 5.(2025·云南昆明·一模)ZnS存在立方ZnS与六方ZnS两种晶胞(如下图所示),均位于形成的正四面体空隙中且阴、阳离子相切,下列说法正确的是 A. B.位于形成的立方体空隙中 C.立方ZnS与六方ZnS的密度比为 D.立方ZnS晶胞中距离最近的为12个 6.(2025·云南昆明·一模)半导体材料的立方晶胞如图所示,晶胞边长为apm,图中晶胞顶点原子的分数坐标均为(0,0,0),Y原子的分数坐标为。下列说法错误的是 A.晶胞中6个Sb原子均处于晶胞内部 B.Fe处于Sb形成的八面体空隙中 C.Z原子的分数坐标为 D.Y原子与X原子之间的距离为 7.(24-25高三上·云南昆明·阶段练习)天然硫化铜俗称铜蓝,晶体由、、、构成,其晶胞结构如下图所示。下列说法错误的是 A.基态的价电子排布为 B.该晶体化学式为 C.晶体中含有2个 D.晶体中与数目之比为2:1 8.(2025·云南·模拟预测)是一种铁电材料,掺杂可提高其光电转化性能,取代部分后的晶胞结构示意图(氧原子未画出)如下。下列说法错误的是 A.填充在形成的六面体空隙中 B.该晶体的化学式为 C.该晶胞在平面的投影为 D.若p点平移至晶胞体心,则位于晶胞顶点 9.(24-25高三上·云南昆明·阶段练习)氧化铈(CeO2)是一种重要的催化剂,在其立方晶胞中掺杂Y2O3,Y3+占据原来Ce4+的位置,可以得到更稳定的结构(过程如下图),这种稳定的结构使得氧化铈具有许多独特的性能。下列说法正确的是 [已知:O2-的空缺率=×100%] A.CeO2晶胞中Ce4+的配位数为6 B.若CeO2晶胞中两个Ce4+间的最小距离为apm,则Ce4+与O2-的最小核间距为pm C.已知M点原子的分数坐标为(0,0,0),则N点原子的分数坐标为(,,) D.若掺杂Y2O3后得到n(CeO2):n(Y2O3)=3:1的晶体,则此晶体中O2-的空缺率为10% 10.(24-25高三上·云南昆明·阶段练习)近年来有多个关于超高压下新型晶体的形成与结构的研究报道。NaCl晶体在50~300GPa的高压下和Cl2反应,可以形成一种新型晶体,其立方晶胞如图所示(大球为Cl,小球为Na),已知晶胞中原子分数坐标A为(0,0,0),B为(,0,),下列叙述错误的是 A.晶胞的化学式为NaCl3 B.晶胞中,C的原子分数坐标为(0,,) C.晶胞中,与Na最近且等距的Cl有6个 D.晶胞中,Cl构成的多面体包含20个三角形的面 11.(24-25高三上·云南·阶段练习)硒化锌材料不溶于水,其对热冲击具有很强的承受能力,使它成为高功率激光器系统中的成对电子数的最佳光学材料。硒化锌晶胞结构如图所示。设晶体密度为,代表阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A.该晶胞中硒原子的配位数为6 B.Zn和Se在周期表中都位于ds区,属于过渡元素 C.晶胞边长为 D.基态原子核外有34种不同空间运动状态的电子 12.(24-25高三上·云南楚雄·阶段练习)元素X的某价态离子中所有电子正好充满K、L、M三个电子层,它与形成晶体的晶胞结构如图所示。下列说法正确的是 A.X元素为钾元素 B.该晶体中阳离子与阴离子个数比为3∶2 C.中n=1 D.晶体中每个周围有6个等距离且最近的 13.(24-25高三上·云南·阶段练习)钙钛矿在高温超导及电子传感领域有广泛应用。一种钙钛矿的晶胞结构示意图如图,下列说法错误的是 A.该物质的化学式为 B.Ti元素位于元素周期表的d区 C.每个周围与其最近且距离相等的有12个 D.该钙钛矿晶胞结构的另一种表示中,处于各顶角位置,则处于体心位置,处于面心位置 14.(2023·云南楚雄·模拟预测)锑---钾合金可用作钾离子电池的电极材料,图a为其晶胞结构,图b为晶胞的一部分,下列有关说法正确的是    A.晶胞密度为g·cm-3 B.Sb原子的配位数为6 C.最邻近的Sb原子构成的最小空间结构为正四面体 D.从电子排布推断,K的第一电离能比Sb大 15.(2025·云南·高考真题)是优良的固态电解质材料,取代部分后产生空位,可提升传导性能。取代后材料的晶胞结构示意图(未画出)及其作为电解质的电池装置如下。下列说法错误的是 A.每个晶胞中个数为12 B.该晶胞在yz平面的投影为 C.取代后,该电解质的化学式为 D.若只有发生迁移,外电路转移的电子数与通过截面MNPQ的数目相等 二、原子结构与性质 16.(2025·云南大理·二模)硒化锌(ZnSe)是一种重要的半导体材料,其立方晶胞结构如图甲所示,乙图为该晶胞沿z轴方向在xy平面的投影,已知晶胞边长为a pm,下列说法正确的是 A.Zn位于元素周期表的p区 B.Se的核外价层电子排布式为 C.A点原子的坐标为,则B点原子的坐标为 D.Zn与Se之间的最近距离为 17.(24-25高三下·云南·阶段练习)我国神舟十七号上使用了砷化镓(熔点1237℃)太阳能电池,砷化镓的晶胞结构如图所示,其中原子2的坐标为,晶胞参数为apm,阿伏加德罗常数的值为。下列有关说法正确的是 A.原子3的坐标为 B.As和Ga分别为第ⅢA族和第ⅤA族,且同属于p区 C.砷化镓晶体属于共价晶体 D.As的配位数为2 三、分子结构与性质 18.(2025·云南曲靖·一模)某镍的硫酸盐的四方晶胞结构如图所示,其中晶胞参数。下列说法错误的是 A.该化合物的化学式为 B.水分子中的氧原子与形成配位键 C.晶体中与最近且等距的有12个 D.该物质中含晶胞的物质的量为 19.(2024·云南丽江·一模)晶体是一种性能良好的非线性光学材料,具有钙钛矿型的立体结构,晶胞中K、I、O分别处于顶角、体心、面心位置,如图所示,下列有关说法正确的是 A.每个晶胞中含有1个K、6个O、1个I B.的空间构型为四面体形 C.与K紧邻的O的个数为12个 D.在晶胞结构的另一种表示中,若I处于各顶角位置,O处于棱心位置,则K处于面心位置 20.(2024·云南楚雄·二模)已知四氨合铜离子的模型如图甲,CaF2晶体的晶胞如图乙,阿伏加德罗常数的值用NA表示。下列有关说法正确的是 A.基态Cu的电子排布式为[Ar]3d84s1 B.四氨合铜离子中存在极性共价键、配位键、离子键 C.距离Ca2+最近且等距离的F-有6个 D.若CaF2晶胞的棱长为acm,CaF2的密度为g/cm3 四、原电池 试卷第1页,共3页 试卷第1页,共3页 学科网(北京)股份有限公司 《2026届高三化学一轮复习选择题 专题 晶胞的结构与性质及相关计算》参考答案 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 D D D C D A C D D C 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案 C C C C C D C C C D 1.D 【详解】A.铁镁合金属于金属晶体,只含金属键,则熔融该合金的过程中需要破坏金属键,故A正确; B.铁原子个数为,8个Mg位于晶胞内部,则晶胞密度,则该合金的质量为,故B正确; C.由晶胞结构可知,晶胞中与的最短距离为晶胞体对角线的,即,故C正确; D.晶胞中原子数为,晶胞中还有8个Mg原子,储氢后位于晶胞的体心和棱心位置,则数目为个,故储氢后晶体中的原子个数之比,故D错误; 故选D。 2.D 【详解】A.晶态二氧化硅的X射线衍射峰是由数十乃至上百个锐峰(窄峰)组成,而非晶态二氧化硅的粉末X射线衍射峰的数量较少且呈弥散状(为宽峰或馒头峰),A错误; B.为共价晶体,为离子晶体,、均为分子晶体,但水的熔沸点大于HF,B错误; C.由氟化钙晶胞可知每个晶胞中含有4个Ca2+,8个F-,CaF2的晶体密度为,C错误; D.CaF2CaF2晶体中距离F−F−最近的F−F−有上、下、左、右、前、后,共6个,D正确; 故选D。 3.D 【分析】由题干晶胞示意图可知,一个晶胞中黑球个数为:=4,白球个数为:=8,灰球个数为:+1=2,三种原子的个数比为4:8:2=2:4:1,又知Cu显+2价,则化合物X的化学式为:K2CuF4,则黑球代表K、白球代表F、灰球代表Cu,据此分析解题。 【详解】A.由分析可知,化合物X的化学式为K2CuF4,A正确; B.由分析可知,化合物X的化学式为K2CuF4,故上述反应的化学方程式为CuCl2+4K+2F2=K2CuF4+2KCl,B正确; C.由分析可知,化合物X的化学式为K2CuF4,即一个晶胞中含有2个Cu、4个K和8个F,则一个晶胞的质量为:,一个晶胞的体积为:(a×10-10)cm×(b×10-10)cm×(c×10-10)cm=abc×10-30cm3,则X的密度(NA为阿伏加德罗常数的值),C正确; D.由分析可知,黑球代表K、白球代表F、灰球代表Cu,结合题干晶胞可知,Cu位于晶胞顶点和体心上,晶胞属于四方晶系,故在X晶胞中离Cu最近的Cu的数目为4,D错误; 故答案为:D。 4.C 【详解】A.根据晶胞结构图可知,晶胞中含有:、Fe:、:,则根据原子个数比为1:2:2,确定该物质的化学式为,A项正确; B.根据晶胞结构可看出,Fe位于面上,距离最近的As位于该Fe原子所在平面的2个侧棱及2个晶胞内,有4个As,如图,即Fe位于4个As构成的四面体空隙中,B项正确; C.该晶胞体心有Ba原子较大,故沿z轴方向的投影为,C项错误; D.p位于左侧平面上,根据p的分数坐标,p到底面的垂直距离为mnm,q位于晶胞体心,到底面的垂直距离为,如图形成直角三角形,根据勾股定理,二者间的距离为,D项正确; 答案选C。 5.D 【详解】A.在立方晶胞中,与之间最近距离为体对角线的,晶胞棱长为anm,则体对角线长度为,则与之间的最近距离为,A不符合题意; B.均位于形成的正四面体空隙中,因为晶体的化学式为,所以均位于形成的正四面体空隙中,B不符合题意; C.立方ZnS晶胞中含有个,含有4个,立方ZnS晶胞的密度为,如六方ZnS晶胞中,上下底面均为菱形,底面面积为,其体积为,而六方ZnS晶胞中含有个,含有个,则六方ZnS晶胞的密度为,立方ZnS晶胞和六方ZnS晶胞中密度的比值为:,所以密度比不等于,C不符合题意; D.立方ZnS晶胞中距离最近的位于面心,根据结构图可知,距离一个顶点最近的面心有12个,所以立方ZnS晶胞中距离最近的有12个,D符合题意; 故选D。 6.A 【分析】晶胞中Fe原子的位置在体心和顶点,共有1+8×=2,根据半导体材料的化学式可知,晶胞中Sb的个数为4,结合Y原子的分数坐标为,说明Y原子在面心上,可以得出Sb的位置内部有2个,面上有4个,个数为2+4×=4。 【详解】A.晶胞中6个Sb原子有2个处于晶胞内部,4个处于面上,A错误; B.由晶胞图可知,Fe处于6个Sb形成的八面体空隙中,B正确; C.根据Y原子的分数坐标为,Z原子在x方向为,y方向上位置为1,z方向上位置为,的分数坐标为,C正确; D.根据图示分析,Y原子与X原子之间的距离为,D正确; 答案选A。 7.C 【详解】A.基态Cu的价电子排布式为,变为时,先失去4s的1个电子,再失去3d的1个电子,A正确; B.晶胞中的个数为,在体内,有2个,晶胞中Cu位于晶胞内部,Cu个数为6,所以晶体化学式为,B正确; C.晶胞中的个数为,但晶体由无数晶胞构成,只能说晶胞中有2个,C错误; D.晶胞中个数为2,个数为2,负电荷共8个,设亚铜离子个数为x,铜离子为y,则,,则,,比例为2:1,D正确; 故选C。 8.D 【详解】A.由图可知,最左/右侧两端,La替代了Bi,Bi在正方体体心,是六面体结构,A正确; B.由均摊法可知,Ti的数目为,Bi的数目为,La的数目为,该晶体的化学式为,B正确; C.该晶胞在平面的投影,棱上为Ti、Bi、La,投在四个角,La、Bi、Ti,投在面心,,C正确; D.若p点平移至晶胞体心,平移后Ti位于晶胞棱上和体内,位置如图,D错误; 故选D。 9.D 【详解】A.据图分析,O2-的配位数为4,根据CeO2的化学式可知Ce4+的配位数为8,故A错误; B.由晶胞结构示意图可知,CeO2晶胞中两个Ce4+间的最小距离应为面对角线的二分之一,由此可得晶胞参数为apm,Ce4+与O2-的最小核间距离为晶胞体对角线长的,即为pm,B错误; C.根据晶胞中N点的位置可以看出,N点原子的分数坐标为(,,),C错误; D.氧化铈(CeO2)晶胞中掺杂Y2O3,Y3+占据原来Ce4+的位置,未掺杂之前,每个晶胞中有4个Ce,8个O,若掺杂Y2O3后得到n(CeO2):n(Y2O3)=3:1的晶体,每个晶胞中Ce和Y共4个时,分别含有2.4个Ce4+和1.6个Y3+,则含有2.4×2+0.8×3=7.2个O2-,则此晶体中O2-的空缺率为×100%=10%,D正确; 选D。 10.C 【详解】A.由晶胞结构可知,晶胞中位于顶点和体心的钠原子个数为8×+1=2,位于面上的氯原子个数为12×=6,则晶胞的化学式为NaCl3,A正确; B.由晶胞结构可知,晶胞中位于顶点的A和位于前面下方的B的原子分数坐标分别为(0,0,0)、(,0,),则晶胞的边长为1,位于左面前方的C的原子分数坐标为(0,,),B正确; C.以体心的钠为例,由图可知,该晶胞中12个Cl原子位于面上,且与体心的钠都等距,所以体心Na原子周围有12个Cl,C错误; D.由晶胞结构可知,晶胞中氯原子构成的多面体共有12个顶点,每个顶点为5个三角形所共有,则每个三角形平均占有的顶点为3×,所以多面体包含三角形的面的数目为=20,D正确; 故答案为:C。 11.C 【分析】硒化锌晶胞中Zn原子8个在顶点,6个在面心,则Zn原子数为:,Se原子4个在体心,Se原子数为:4,化学式为或,据此分析解答。 【详解】A.与Se原子距离最近的Zn原子有4个,该晶胞中硒原子的配位数为4,A错误; B.Zn位于周期表中第IIB族,属于ds区,Se位于周期表中第VIA族,属于p区,B错误; C.设晶胞的边长为acm,则有,C正确; D.基态原子的核外电子排布式为:,共占据了18个轨道,则基态原子核外有18种不同空间运动状态的电子,D错误; 故答案为:C。 12.C 【详解】A.从“元素X的某价态离子中所有电子正好充满K、L、M三个电子层”可以看出,共有28个电子,X不是K元素,A错误; B.图中位于每条棱的中点,一个晶胞拥有的个数为,位于顶点,一个晶胞拥有的个数为,B错误; C.由于该物质的化学式为,故X显+1价,C正确; D.由晶胞图可知,晶体中每个周围有2个等距离且最近的,D错误; 答案选C。 13.C 【详解】A.根据均摊法可知,该晶胞中有1个Ca2+、个Ti4+和个O2-,该物质的化学式为,A正确; B.Ti是第22号元素位于元素周期表的d区,B正确; C.Ti位于晶胞的顶点,与其距离最近的Ti位于三个垂直棱上的顶点,因此离Ti最近的Ti有6个,C错误; D.该钙钛矿晶胞结构的另一种表示中,处于各顶角位置数目为1,则处于体心位置数目为1,处于面心位置个数为,D正确; 故选C。 14.C 【详解】A.根据“均摊法”,晶胞中含个Sb、个K,则晶体密度为,A错误; B.以底面Sb原子为例,距其等距且最近的K原子上下层各有4个,故配位数为8,B错误; C.由图b可知,最邻近的Sb原子构成的最小空间结构为正四面体,C正确; D.同一周期随着原子序数变大,第一电离能变大,K的第一电离能比Sb小,D错误; 故选C。 15.C 【详解】A.由晶胞结构可知,Sc原子分布在晶胞的8个棱心和4个面心,由均摊法算出其原子个数为,由晶体的化学式可知,O原子的个数是Sc的3倍,因此,每个晶胞中O2-个数为12,A正确; B.由晶胞结构可知,该晶胞在yz平面的投影就是其前视图,B正确; C.Ce4+ 取代La3+后,Li+数目减小并产生空位,因此,根据化合价的代数和为0可知,取代后该电解质的化学式为,C错误; D.Li+与电子所带的电荷数目相同,只是电性不同,原电池中内电路和外电路通过的电量相等,因此,若只有Li+发生迁移,外电路转移的电子数与通过截面MNPQ的Li+数目相等,D正确; 综上所述,本题选C。 16.D 【详解】A.Zn位于第四周期ⅡB族,位于元素周期表的ds区,A错误; B.Se位于第四周期ⅥA族,核外价层电子排布式为,B错误; C.A点原子的坐标为,由硒化锌(ZnSe)的晶胞结构可知,B点原子的坐标为,C错误; D.由晶胞结构可知,Zn与Se之间的最近距离为晶胞体对角线的,为,D正确; 故选D。 17.C 【详解】A.原子3在体对角线的处,在x、y、z轴上的投影分别为,故其坐标为,A错误; B.As与Ga分别位于第VA族和第ⅢA族,且同属于p区,B错误; C.砷化镓晶体中,镓原子和砷原子通过共价键直接相连,形成一种高度有序且坚固的晶体结构,其熔点为1237℃,因此属于共价晶体,C正确; D.以面心的As为对象,与其距离最近的4个Ga位于分别位于上下两个晶胞内部,故As的配位数为4,D错误; 故选C。 18.C 【详解】A.根据题给的晶胞结构和“均摊法”可知,阳离子分布在晶胞内部,个数为4,阴离子分布在晶胞的顶点和面心,个数为,因此该晶胞的化学式为,A正确; B.水分子中的氧原子具有孤电子对,Ni2+具有空轨道,根据阳离子的结构图可知,晶体中水分子中的氧原子通过孤电子对与Ni2+形成配位键,B正确; C.若a=c(高),则每个阴离子周围与它距离最近且相等的阴离子有12个,但题干中a≠c(高),C错误;   D.结合A分析,1个晶胞中含有4个,则该物质中含晶胞的物质的量为,D正确; 故选C。 19.C 【详解】A.K位于晶胞的顶点,O位于晶胞的面心,I位于晶胞的体内,故每个晶胞中含有1个K、3个O、1个I,A错误; B.中I的价层电子对数为,I采取杂化,有1对孤电子对,则的空间构型为三角锥形,B错误; C.O位于面心,K位于顶点,与K紧邻的O的个数为12个,C正确; D.在晶胞结构的另一种表示中,I处于各顶角位置,个数为,O位于棱心位置,每个棱为4个晶胞共有O个数为,K的个数为1,应位于体心位置,D错误; 故选C。 20.D 【详解】A.基态Cu的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s1,A错误; B.四氨合铜离子的配位体NH3的N原子与中心Cu2+之间以配位键结合,在配位体NH3中H-N键为极性键共价键,不存在离子键,B错误; C.根据图乙可知距离Ca2+最近且等距离的F-在上下层各4个,共8个,C错误;   D.根据“均摊法”,晶胞中含个钙离子、8个氟离子,则晶胞密度:ρ=,D正确; 故选D。 答案第1页,共2页 答案第1页,共2页 学科网(北京)股份有限公司 $$

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