广西壮族自治区河池市2024-2025学年高二下学期7月期末物理试题

河池市2025年春季学期高二期末学业水平质量检测 物理 (试卷总分100分，考试时间75分钟) 注意事项： ·1.答题前，务必将自己的姓名、班级、准考证号填写在答题卡规定的位置上。 2.答选择题时，必须使用2B铅笔将答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，用橡皮擦 干净后，再选涂其它答案标号。 3.答非选择题时，必须使用0.5毫米黑色签字笔，将答案书写在答题卡规定的位置上。 4.所有题目必须在答题卡上作答，在试题卷上答题无效。 一、单项选择题（本大题共7小题，每小题4分，共28分。在每小题给出的四个选项中，只有一项 是符合题目要求的) 1.电磁波在日常生活中有广泛的应用，极大地改变了人类的生活，下列说法正确的是 A.赫兹预言了电磁波的存在，麦克斯韦证实了电磁波的存在 B.与机械波不同，电磁波的传播不需要介质，可以在真空中传播 C.不同频率的电磁波在真空中传播的速度不同 D.在电磁波谱中，最容易发生衍射现象的是y射线 2.日常生活和科技中处处蕴含物理知识，下列说法正确的是 A.今年3月份出现了日食、月食现象，日、月食现象是光的折射形成的 B.今年6月10日在辽宁沈阳出现了雨后蜃景，“雨后蜃景”现象是光的干涉现象 C.通过两支夹紧的笔杆间缝隙看发白光的灯丝能观察到彩色条纹，是光的衍射现象 D.看3D电影“哪吒之魔童闹海”需要佩戴3D眼镜是光的干涉现象 3.高空风车（高空风力发电系统）是一种利用高空风能发电的创新技术，如图所示是一款高空风 车的发电模块原理图，两磁极间的磁场可视为匀强磁场，某时刻发电机线圈b恰与磁场方向平 行，则 A,风车发电是利用了电流的磁效应 B.该时刻线圈磁通量的变化率为零 C.风车每转一圈，线圈中电流方向改变一次 D.风力增大，线圈ab的感应电动势增大 4.利用所学知识判断下列说法正确的是 A.分子势能可能随着分子间距离的增大而增大 V B.某气体的摩尔体积为V,每个分子的体积为%，则阿伏加德罗常数可表示为NA= C.在“用油膜法估测油酸分子的大小”的实验中，在配置油酸酒精溶液时，不小心把酒精倒多 了一点，则会导致实验测得的油酸分子直径偏小 D.在“用油膜法估测油酸分子的大小”的实验中，在计算油膜面积时，把凡是半格左右的油 膜都算成了一格，会使分子直径计算结果偏大 高二物理第1页共6页 C扫描全能王 亿人在用的扫描A时 5.下列与电磁感应有关的现象中说法正确的是 ●流空● 小磁体 。小磁体 申：侧视图 塑 电子 按高颊交 流电源 料曾 电子枪 0 连接两个接线柱的导线 乙：真空室俯视图 甲 乙 丙 丁 A.图甲中，利用真空治炼炉来治炼金属是利用涡流的热效应 B.图乙中，在运输灵敏电流表时用导线把两接线柱连在一起属于电磁驱动应用 C.图丙中，两相同的小磁体由静止穿过等长的铝管和塑料管所用时间相等 D.图丁中，电子感应加速器中电磁感应线圈中的电流由大变小，可使电子逆时针加速 6.如图所示，金属杆αb的质量为m,长为l,通过的电流为1，处在磁感应强度为B的匀强磁场中， 磁场方向与导轨平面为8角斜向上，金属杆与导轨间的动摩擦因数为4，结果ab静止于水平导轨 上，则： B A,金属杆ab受到的安培力大小为BIlsin0 B.金属杆ab受到摩擦力大小为BIlsin0 C.金属杆ab受到摩擦力大小为u(mg-BIlcos) D.金属杆对导轨的压力大小为mg-BIl 7.如图所示，理想变压器的原、副线圈的匝数比为3：1，在原、副线圈的回路中分别接有阻值相同 的电阻，原线圈一侧接在电压为220V的正弦交流电源上，则： A.原线圈电阻两端的电压为198V B.原线圈电阻两端的电压为220V C.原、副线圈回路中电阻消耗的功率之比为91 D.原、副线圈回路中电阻消耗的功率之比为1：9 二、多项选择题（本大题共3小题，每小题6分，共18分。在每小题给出的四个选项中，有多项是 符合题目要求的。全部选对的得6分，选对但不全的得3分，有选错的得0分) 8.关于热学知识，下列说法正确的是 A.气体对器壁产生的压强是由于大量气体分子频繁碰撞器壁而产生的 B.在给车胎打气的过程中会越压越吃力，这是由于分子间有斥力 C.在失重状态的宇宙飞船中，一大滴水银会呈标准的球形 D.固体可以分为晶体和非晶体两类，晶体和非晶体不是绝对的，是可以相互转化的 9.如图所示，图中阴影部分ABC为一透明材料做成的柱形光学元件 A 的横截面，该种材料折射率n=2,C为一半径为R的圆弧，D 为圆弧面圆心，ABCD构成正方形，在D处有一点光源。若只考 虑首次从圆弧AC直接射向AB、BC的光线，从点光源射入圆弧AC R 的光中，有一部分不能从AB、BC面直接射出，光在真空中速度大小 为c,不考虑光线的多次反射，下列说法正确的是 R D 高二物理第2页共6页 C扫描全能王 亿人在用的扫描A A.光线透过柱形光学元件最长时间为V2-)R B.光线透过柱形光学元件最长时间为2V巨-火 C.这部分光穿过圆弧C的弧长为二πR 6 D.这部分光穿过圆弧C的弧长为R 10.如图甲，光滑平行导轨MW、P2水平放置，电阻不计。两导轨间距d=10cm,导体棒ab、cd放 在导轨上，并与导轨垂直。每根棒在导轨间部分的电阻均为R=2.02,质量均为m=2.0×105kg, 用长为L=20cm的绝缘丝线将两棒系住，整个装置处在竖直方向的磁场中，取向上为正方向。 1=0时刻，丝线刚好伸直且没有拉力，丝线最大能承受1.5×10N的拉力，磁场从此时刻开 始按如图乙所示规律变化。不计感应电流磁场的影响，在整个研究过程中导体棒没有碰撞。则 下列说法正确的是 B/T 甲 A.03s的时间内，电路中电流为顺时针方向 B.0~2s的时间内，丝线所受到的拉力逐渐减小 C.0-2s的时间内，丝线所受到的拉力先变大后变小 D.在3s时，丝线会被拉断 三、实验题（本大题共2小题，每空2分，共16分） 11.(6分)为了节能和环保，学校里的走廊、楼梯间、操场等公共场所用光敏电阻制作光控开关来 控制照明系统。光敏电阻的阻值随着光的强弱而变化。物理学中用照度描述光的强弱，光越强 照度越大，照度的单位为x。某光敏电阻RG在不同照度下的阻值如下表： 照度/x 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 电阻/kn 75 40 28 23 20 18 (1)根据表中数据，请在图甲所示的坐标系中描绘出阻值随照度变化的曲线。 4电阻 10 0020.40.60.8101214照度k 图甲 高二物理第3页共6页 C扫描全能王 亿人在用的扫描A (2)现设计一个简单电路如图乙所示，电源电动势为3V,内阻不计，当控制开关两端电压上 升至2V时，控制开关自动启动照明系统。要求当天色渐暗照度降至1.0x时控制开关接 通照明系统，则R1=」 k2。 控制开关 照明系统 E 图乙 (3)某同学为了测量光敏电阻在不同照度下的阻值，设计了如图丙所示的电路进行测量，电源 (E=3V,内阻未知)，电阻箱(0-99999Ω)。实验时将电阻箱阻值置于最大，闭合S1, 将S2与1相连，减小电阻箱阻值，此时电阻箱的阻值为40kQ,灵敏电流计的示数为I: 然后将$2与2相连，灵敏电流计的示数恰好为二，则光敏电阻的阻值为 k2. 丙 12.(10分)某同学用单摆测量重力加速度的实验中 (1)为了减少测量误差，下列做法正确的是 A,摆线要选择细些的、伸缩性小些的，并且尽可能长一些 B.摆球尽量选择质量大些、体积小些的 C.为了使摆的周期大一些，以方便测量，开始时拉开摆球，使摆角较大 D.计时的起、止位置选在摆球达到的最高点处 (2)组装好装置，用毫米刻度尺测量摆线长度L,用游标卡尺测量摆球直径。游标卡尺示数如 图甲所示，摆球直径d= cm,记摆长1=L+d 山山山山 0510 甲 高二物理第4页共6页 C扫描全能王 亿人在用的扫描A时 (3)多次改变摆线长度，在小摆角下测得不同摆长1对应的摆球摆动周期T,并作出1-T图像， 如图乙所示。根据图线斜率可计算重力加速度g= m/s2。（结果保留三位有效数 字，π2取9.87)。 l/m 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6出 T/8 2.02.53.03.54.04.5 乙 (4)为了提高实验精度，该同学在悬点顶端安装了力传感器来测摆线拉力F,在实验中保持摆 角和摆长为L,不变时，测得F-t的关系如图丙所示，则当地的重力加速度g= (用 Lo、1、2表示)，多次增加摆长L并测出相应F-t图像中拉力F的最大值 (填“变 大”“变小”或“不变”)。 内 四、计算题（本大题共3小题，共38分。解析应写出必要的文字说明、方程式和重要的演算步骤。 只写出最后答案的不得分，有数字计算的题，答案必须明确写出数值和单位) 13.(10分)正弦波因其数学简洁性、物理可实现性及能量集中特性，成为自然界和工程技术中最 基础的“通用语言”。图中的a是一列正弦波在某时刻的波形曲线，b是0.2s后它的波形曲线 /1 (1)若该波的周期T大于0.2s,且向右传播，求波的传播速度和周期： (2)若该波向左传播，求波的传播速度和周期。 高二物理第5页共6页 C扫描全能王 亿人在用的扫描A 14.(12分)如图1所示，一质量为m=1.5kg、导热性能良好的汽缸放置在水平地面上，右端开口， 汽缸壁内设有卡口，用一质量不计、面积为S-150℃m的活塞，密封一定质量的理想气体，活塞 厚度可忽略且能无摩擦滑动。开始时气体处于温度 T=300K、体积1=500cm3的状态A。现用一细线竖直 悬挂活塞，待稳定至如图2所示状态B,此时活塞恰好 到达气缸内的卡口处，活塞与卡口无相互作用力。随 后将气缸内气体加热至温度为T=360K的状态C,从 状态A到状态B的过程中气体吸收热量0.8J,从状态A 7 到状态C的过程中气体内能共增加了10.8J,大气压 图1 图2 Po=1.01×10Pa,求： (1)在状态C的压强P3: (2)由状态A到状态C过程中一共从外界吸收热量2。 15.(16分)华为Mate70系列芯片实现了核心设计环节的高度自主化，依托国内半导体产业链完成 了包括制造、封装、测试在内的关键生产流程。这一突破加强了我国科技产业应对外部技术封 锁的韧性，对于保障我国信息安全和科技战略安全具有重大意义。在芯片制造过程中，涉及离 子注入等复杂工序，其在国内产业链中的成熟应用也体现了这一进展的深度。如图所示是离子 注入简化工作原理的示意图，一粒子源从A处不断释放质量为m,带电荷量为+的离子，其 初速度视为零，经电压为U的加速电场加速后，沿图中半径为R的圆弧形虚线通过二圆弧形静 电分析器（静电分析器通道内有均匀辐向分布的电场）后，从P点沿直径PQ方向进入半径为R (未知)的圆形匀强磁场区域，磁场方向垂直于纸面向外，磁感应强度大小为B。,经磁场偏转， 离子最后垂直打在平行PQ放置且与PQ等高的硅片上，不计离子重力及离子间的相互作用， tan74°=3.5，求： M 片 N 加速电场 静电分析器 (1)离子进入圆形匀强磁场区域时的速度大小： (2)离子在静电分析器通道运动的时间； (3)若硅片MN到PQ的距离为3.5R,匀强磁场的磁感应强度大小可以调节，若从P点沿直径 P?方向进入圆形匀强磁场区域的离子打在硅片最底端N点，求磁感应强度B,的大小。 高二物理第6页共6页 CS扫描全能王 亿人在用的扫描A