2025年高考二轮专练16-晶体结构与性质单选题【困难30题】

2025年高考二轮专练16-晶体结构与性质单选【困难30题】【原卷版】 一、单选题 1．萤石主要成分的晶胞结构及坐标如图所示，已知：晶体密度为，阿伏加德罗常数为，下列说法错误的是 （ ） A．的配位数为4 B．晶胞中的个数是4 C．B点的原子分数坐标为 D．晶胞中与最近的之间的距离为 2．某晶体具有良好的电学性能，其晶胞为立方晶胞（如图），晶胞参数（边长）为。设阿伏加德罗常数的值为，下列说法错误的是 （ ） A．化学式为 B．的配位数为6 C．位于的八面体空隙 D．晶体的密度为 3．硫和氢气在低温高压下形成一种新型超导材料，晶胞如图，下列说法错误的是 （ ） A．该化合物中存在离子键 B．S位于H构成的八面体空隙中 C．晶胞中S与H的配位数之比为 D．基态S原子核外不同自旋状态的电子数之比为 4．锂硒电池是一种能量密度很高的新型可充电电池，其正极材料的晶胞结构如图。已知晶胞参数为a pm，下列说法不正确的是 （ ） A．Se位于元素周期表中的p区 B．基态最外层电子的电子云轮廓图为哑铃型 C．每个周围距离相等且最近的有4个 D．与之间最近的距离为pm 5．氟化钾镁是一种具有优良光学性能的材料，主要应用于激光领域，其立方晶胞结构如图。表示阿伏加德罗常数的值。下列说法不正确的是 （ ） A．的配位数为8 B．氟化钾镁晶体的化学式为 C．每个位于距其最近且等距的构成的正八面体空隙中 D．若位于晶胞的体心，则位于晶胞的面心 6．砷化镓（）的晶胞结构如图甲所示，将掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料，其晶胞结构如图乙所示，下列说法错误的是 （ ） A．、均属于区元素 B．图甲中，原子位于原子构成的正四面体空隙中 C．图甲中，若的键长为，则晶胞边长为 D．稀磁性半导体材料中，、的原子个数比为 7．硒化锌的晶胞结构如图I所示，晶胞参数为，A点的分数坐标为，C点的分数坐标为，该晶胞沿z轴方向在xy平面的投影如图Ⅱ所示，为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 （ ） A．硒化锌的密度为 B．Se原子的配位数为4 C．B点的分数坐标为 D．Zn与Zn之间的最近距离为 8．干冰晶体的晶胞如图1所示，形状是边长为的立方体，沿连线方向的投影图如图2所示。下列说法错误的是 （ ） A．该晶体为分子晶体 B．晶胞沿连线旋转可与旋转前重合 C．该晶体中每个分子周围有12个紧邻分子 D．该晶体的密度为 9．的结构如图1所示，晶胞为立方体，棱长为a nm，如图2所示，设阿伏加德罗常数的值为，下列说法错误的是 （ ） A．图1与图2中的的配位数都是6 B．相邻两个的最短距离为nm C．晶胞的密度为g/cm3 D．中存在配位键、极性键、氢键等化学键 10．钙钛矿类杂化材料(CH3NH3)PbI3在太阳能电池领域具有重要的应用价值，其晶胞结构如图1所示，B代表Pb2＋，A的原子分数坐标为(0，0，0)，B的为()。设NA为阿伏加德罗常数的值，下列说法中不正确的是 （ ） A．N、I、Pb均属于p区元素 B．C的原子分数坐标为(1，) C．若沿z轴向xy平面投影，则其投影图如图2所示 D．该晶体的密度为g·cm-3 11．叠氮化合物是重要的有机合成试剂，化学兴趣小组的同学在实验室制备了一种叠氮化合物，结构如图。下列说法正确的是 （ ） A．该晶体中每个周围距离最近且相等的共有12个 B．该叠氮化合物的密度为 C．测定该晶体结构的方法是红外光谱法 D．与相比，的熔点低于的熔点 12．可用于玻璃雕刻，作杀虫剂、催化剂等，其晶胞结构如图甲所示。晶胞边长为为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 （ ） A．位于形成的正八面体空隙中 B．晶体中与最近且等距离的有4个 C．点的截面如图乙所示 D．该晶体的密度为 13．砷化镓是一种重要的半导体材料，熔点为。它在以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓晶胞结构如图。下列说法正确的是 （ ） A．砷化镓是一种离子晶体 B．距离砷原子最近的砷原子数为6 C．若晶胞参数为apm，则Ga原子与As原子 的最短距离为 D．晶胞中与Ga等距且最近的As形成的空间 结构为正四面体 14．一种由Cu、In、Te组成的晶体属四方晶系，晶胞棱边夹角均为90°，其晶胞结构如图。晶体中Te原子填充在Cu、In围成的四面体空隙中。已知：A点、B点原子的分数坐标分别为、。下列说法错误的是 （ ） A．该晶体的化学式为之 B．In原子的配位数为2 C．晶胞中四面体空隙的占有率为50% D．C点原子的分数坐标为 15．某晶体立方晶胞如图。已知图中微粒1的分数坐标是(0，，)，阿伏加德罗常数的值为NA．下列说法正确的是 （ ） A．Ag+周围距离最近且相等的个数是6 B．微粒2的分数坐标是(，，) C．已知银与铜位于同一族，银位于元素周期表的d区 D．若晶胞边长为apm，则相邻Ag+之间的最短距离为a pm 16．图1为γ-AgI立方晶胞结构（Ag+未画出），晶胞中I-处于顶点和面心；γ-AgI晶胞沿x、y、z轴方向的投影均如图2所示，已知NA表示阿伏加德罗常数的值。γ-AgI晶胞的密度为ρg⋅cm-³，下列说法正确的是 （ ） A．Ag与Cu同族，Ag在元素周期表中位于d区 B．Ag+填充在I-构成的正四面体空隙中 C．与I-等距离且最近的I-有6个 D．晶胞中两个最近的Ag+之间的距离为 17．磷化硼(BP)是一种半导体材料，熔点：1 100 ℃，其结构与氮化硼相似，晶胞结构如图1，下列说法正确的是 （ ） A．熔点：BP>BN B．晶体中P周围距离最近且相等的P有8个 C．若图中①处磷原子坐标为(0，0，0)，则②处的B原子坐标为(，，) D．磷化硼晶胞在y轴方向的投影图为图2 18．六方ZnS的晶胞结构如图甲所示(高为cnm)，其晶胞的上表面如图乙所示，已知、半径分别为、，且，下列说法错误的是 （ ） A．ZnS的熔点低于ZnO B．晶胞的空间利用率为 C．该晶体中占据了构成的正四面体空隙 D．在晶体中离最近且等距的有12个 19．我国古代四大发明之一的黑火药爆炸时发生的反应为2KNO3+S+3C=K2S+N2↑+3CO2↑。生成物K2S的晶体结构如图。下列有关说法错误的是 （ ） A．反应产物中有两种非极性分子 B．1mol CO2和1mol N2含有的π键数目之比为1:1 C．K2S晶体中阴离子周围最近的阳离子有4个 D．若K2S晶体的晶胞边长为a nm，则该晶体的密度为g·cm-3 20．某立方晶系的锑钾（Sb－K）合金可作为钾离子电池的电极材料，其晶胞如图1所示（图2为晶胞中的一部分），已知，为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 （ ） A．该晶体是离子晶体 B．该合金的组成可表示为K2Sb C．与每个Sb原子距离最近的Sb原子有6个 D．该晶体的密度为 21．已知气态通常以二聚体的形式存在，其分子结构如图1所示。属于立方晶系，其熔点为1090℃，远高于的192℃，其晶胞结构如图2所示。下列说法错误的是 （ ） A．晶胞中的配位数为2 B．与中化学键类型相同 C．二聚体中Al原子的轨道杂化类型为 D．若的晶胞参数为，则晶体密度 22．黄金按质量分数分级，纯金为。合金的三种晶胞结构如图，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列说法错误的是 （ ） A．I为金 B．Ⅱ中的配位数是12 C．Ⅲ中最小核间距 D．I、Ⅱ、Ⅲ中，与原子个数比依次为、、 23．砷化硼的晶胞结构如图1所示，晶胞边长为，为阿伏加德罗常数的值，图2中矩形AA'C'C是沿着晶胞对角面取得的截图，下列说法错误的是 （ ） A．1个砷化硼的晶胞结构中含有4个B原子 B．离硼原子最近的硼原子有6个，且最近距离为 C．该晶体密度可表示为 D．晶胞中各原子在矩形AA'C'C的位置为 24．某种由Cu、Fe、S三种元素组成的物质具有如图中图1所示的晶胞结构，其中铁原子的投影位置如图2，铜原子全部位于楞和面上，设NA为阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是 （ ） A．该晶体的化学式为 B．该晶体中两个Fe原子之间的最近距离为a pm C．若1号S原子的分数坐标为，则2号Fe原子的分数坐标为 D．该晶体的密度为 25．硼氢化钠在室温下是α型的立方晶体，晶胞如图甲所示，在一定条件下转变为四方晶体，晶胞结构和晶胞参数如图乙所示，下列说法错误的是 （ ） A．硼氢化钠α型的立方晶体中离最近的有12个 B．α型的立方晶体中填充在围成的正八面体的空隙中 C．若A点的坐标为，则B点坐标为 D．硼氢化钠四方晶体的晶胞中A和B之间的距离为 26．铋合金可用于自动喷水器的安全塞，一旦发生火灾时，安全塞会“自动”熔化，喷出水来灭火。铋的晶胞结构如图乙所示，下列有关铋的说法错误的是 （ ） A．金属铋的原子堆积方式为体心立方堆积 B．铋与氮同主族，Bi的第一电离能小于N C．配合物中Bi的化合价为+3价，内界为 D．已知铋位于第六周期第ⅤA族，其价电子排布式为 27．中国科学院物理研究所合成了基于铁基超导体系掺杂调控的新型稀磁半导体LiZnqMnpAs(图乙)，该材料是LiZnAs晶体(如图甲所示立方晶胞)中部分Zn原子被Mn原子代替后制成的。已知a点原子的分数坐标为()，图甲晶体的密度为dg·cm-3，晶胞参数为cpm。下列说法错误的是 （ ） A．b点As原子的分数坐标为() B．图乙晶体的最简化学式为LiZn0.75Mn0.25As C．图乙晶胞结构中的As位于Zn、Mn形成的正四面体空隙中 D．阿伏加德罗常数 28．一种由Cu、In、Te组成的晶体如图，晶胞参数和晶胞中各原子的投影位置如图所示，晶胞棱边夹角均为90°。 已知：A点、B点原子的分数坐标分别为、，下列叙述不正确的是 （ ） A．In原子的配位数为2 B．该晶体的化学式为 C．C点原子的分数坐标为 D．晶胞中A、D原子间距离为 29．硒化锌是一种重要的半导体材料；其晶胞结构如图甲所示，已知晶胞参数为pnm，乙图为晶胞的俯视图，下列说法正确的是 （ ） A．晶胞中硒原子的配位数为12 B．晶胞中d点原子分数坐标为 C．相邻两个Zn原子的最短距离为nm D．电负性：Zn>Se 30．某镁镍合金储氢后所得晶体的立方晶胞如图，晶胞边长为位于相邻4个所围合的正四面体的体心。下列说法不正确的是 （ ） A．储氢过程中被还原 B．晶体的化学式为 C．每个周围有12个紧邻的H D．与的原子核间距为 第1页，共2页 第1页，共2页 学科网（北京）股份有限公司 $$ 2025年高考二轮专练16-晶体结构与性质单选【困难30题】【解析版】 一、单选题 1．萤石主要成分的晶胞结构及坐标如图所示，已知：晶体密度为，阿伏加德罗常数为，下列说法错误的是 （ ） A．的配位数为4 B．晶胞中的个数是4 C．B点的原子分数坐标为 D．晶胞中与最近的之间的距离为 2．某晶体具有良好的电学性能，其晶胞为立方晶胞（如图），晶胞参数（边长）为。设阿伏加德罗常数的值为，下列说法错误的是 （ ） A．化学式为 B．的配位数为6 C．位于的八面体空隙 D．晶体的密度为 3．硫和氢气在低温高压下形成一种新型超导材料，晶胞如图，下列说法错误的是 （ ） A．该化合物中存在离子键 B．S位于H构成的八面体空隙中 C．晶胞中S与H的配位数之比为 D．基态S原子核外不同自旋状态的电子数之比为 4．锂硒电池是一种能量密度很高的新型可充电电池，其正极材料的晶胞结构如图。已知晶胞参数为a pm，下列说法不正确的是 （ ） A．Se位于元素周期表中的p区 B．基态最外层电子的电子云轮廓图为哑铃型 C．每个周围距离相等且最近的有4个 D．与之间最近的距离为pm 5．氟化钾镁是一种具有优良光学性能的材料，主要应用于激光领域，其立方晶胞结构如图。表示阿伏加德罗常数的值。下列说法不正确的是 （ ） A．的配位数为8 B．氟化钾镁晶体的化学式为 C．每个位于距其最近且等距的构成的正八面体空隙中 D．若位于晶胞的体心，则位于晶胞的面心 6．砷化镓（）的晶胞结构如图甲所示，将掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料，其晶胞结构如图乙所示，下列说法错误的是 （ ） A．、均属于区元素 B．图甲中，原子位于原子构成的正四面体空隙中 C．图甲中，若的键长为，则晶胞边长为 D．稀磁性半导体材料中，、的原子个数比为 7．硒化锌的晶胞结构如图I所示，晶胞参数为，A点的分数坐标为，C点的分数坐标为，该晶胞沿z轴方向在xy平面的投影如图Ⅱ所示，为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 （ ） A．硒化锌的密度为 B．Se原子的配位数为4 C．B点的分数坐标为 D．Zn与Zn之间的最近距离为 8．干冰晶体的晶胞如图1所示，形状是边长为的立方体，沿连线方向的投影图如图2所示。下列说法错误的是 （ ） A．该晶体为分子晶体 B．晶胞沿连线旋转可与旋转前重合 C．该晶体中每个分子周围有12个紧邻分子 D．该晶体的密度为 9．的结构如图1所示，晶胞为立方体，棱长为a nm，如图2所示，设阿伏加德罗常数的值为，下列说法错误的是 （ ） A．图1与图2中的的配位数都是6 B．相邻两个的最短距离为nm C．晶胞的密度为g/cm3 D．中存在配位键、极性键、氢键等化学键 10．钙钛矿类杂化材料(CH3NH3)PbI3在太阳能电池领域具有重要的应用价值，其晶胞结构如图1所示，B代表Pb2＋，A的原子分数坐标为(0，0，0)，B的为()。设NA为阿伏加德罗常数的值，下列说法中不正确的是 （ ） A．N、I、Pb均属于p区元素 B．C的原子分数坐标为(1，) C．若沿z轴向xy平面投影，则其投影图如图2所示 D．该晶体的密度为g·cm-3 11．叠氮化合物是重要的有机合成试剂，化学兴趣小组的同学在实验室制备了一种叠氮化合物，结构如图。下列说法正确的是 （ ） A．该晶体中每个周围距离最近且相等的共有12个 B．该叠氮化合物的密度为 C．测定该晶体结构的方法是红外光谱法 D．与相比，的熔点低于的熔点 12．可用于玻璃雕刻，作杀虫剂、催化剂等，其晶胞结构如图甲所示。晶胞边长为为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 （ ） A．位于形成的正八面体空隙中 B．晶体中与最近且等距离的有4个 C．点的截面如图乙所示 D．该晶体的密度为 13．砷化镓是一种重要的半导体材料，熔点为。它在以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓晶胞结构如图。下列说法正确的是 （ ） A．砷化镓是一种离子晶体 B．距离砷原子最近的砷原子数为6 C．若晶胞参数为apm，则Ga原子与As原子 的最短距离为 D．晶胞中与Ga等距且最近的As形成的空间 结构为正四面体 14．一种由Cu、In、Te组成的晶体属四方晶系，晶胞棱边夹角均为90°，其晶胞结构如图。晶体中Te原子填充在Cu、In围成的四面体空隙中。已知：A点、B点原子的分数坐标分别为、。下列说法错误的是 （ ） A．该晶体的化学式为之 B．In原子的配位数为2 C．晶胞中四面体空隙的占有率为50% D．C点原子的分数坐标为 15．某晶体立方晶胞如图。已知图中微粒1的分数坐标是(0，，)，阿伏加德罗常数的值为NA．下列说法正确的是 （ ） A．Ag+周围距离最近且相等的个数是6 B．微粒2的分数坐标是(，，) C．已知银与铜位于同一族，银位于元素周期表的d区 D．若晶胞边长为apm，则相邻Ag+之间的最短距离为a pm 16．图1为γ-AgI立方晶胞结构（Ag+未画出），晶胞中I-处于顶点和面心；γ-AgI晶胞沿x、y、z轴方向的投影均如图2所示，已知NA表示阿伏加德罗常数的值。γ-AgI晶胞的密度为ρg⋅cm-³，下列说法正确的是 （ ） A．Ag与Cu同族，Ag在元素周期表中位于d区 B．Ag+填充在I-构成的正四面体空隙中 C．与I-等距离且最近的I-有6个 D．晶胞中两个最近的Ag+之间的距离为 17．磷化硼(BP)是一种半导体材料，熔点：1 100 ℃，其结构与氮化硼相似，晶胞结构如图1，下列说法正确的是 （ ） A．熔点：BP>BN B．晶体中P周围距离最近且相等的P有8个 C．若图中①处磷原子坐标为(0，0，0)，则②处的B原子坐标为(，，) D．磷化硼晶胞在y轴方向的投影图为图2 18．六方ZnS的晶胞结构如图甲所示(高为cnm)，其晶胞的上表面如图乙所示，已知、半径分别为、，且，下列说法错误的是 （ ） A．ZnS的熔点低于ZnO B．晶胞的空间利用率为 C．该晶体中占据了构成的正四面体空隙 D．在晶体中离最近且等距的有12个 19．我国古代四大发明之一的黑火药爆炸时发生的反应为2KNO3+S+3C=K2S+N2↑+3CO2↑。生成物K2S的晶体结构如图。下列有关说法错误的是 （ ） A．反应产物中有两种非极性分子 B．1mol CO2和1mol N2含有的π键数目之比为1:1 C．K2S晶体中阴离子周围最近的阳离子有4个 D．若K2S晶体的晶胞边长为a nm，则该晶体的密度为g·cm-3 20．某立方晶系的锑钾（Sb－K）合金可作为钾离子电池的电极材料，其晶胞如图1所示（图2为晶胞中的一部分），已知，为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 （ ） A．该晶体是离子晶体 B．该合金的组成可表示为K2Sb C．与每个Sb原子距离最近的Sb原子有6个 D．该晶体的密度为 21．已知气态通常以二聚体的形式存在，其分子结构如图1所示。属于立方晶系，其熔点为1090℃，远高于的192℃，其晶胞结构如图2所示。下列说法错误的是 （ ） A．晶胞中的配位数为2 B．与中化学键类型相同 C．二聚体中Al原子的轨道杂化类型为 D．若的晶胞参数为，则晶体密度 22．黄金按质量分数分级，纯金为。合金的三种晶胞结构如图，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列说法错误的是 （ ） A．I为金 B．Ⅱ中的配位数是12 C．Ⅲ中最小核间距 D．I、Ⅱ、Ⅲ中，与原子个数比依次为、、 23．砷化硼的晶胞结构如图1所示，晶胞边长为，为阿伏加德罗常数的值，图2中矩形AA'C'C是沿着晶胞对角面取得的截图，下列说法错误的是 （ ） A．1个砷化硼的晶胞结构中含有4个B原子 B．离硼原子最近的硼原子有6个，且最近距离为 C．该晶体密度可表示为 D．晶胞中各原子在矩形AA'C'C的位置为 24．某种由Cu、Fe、S三种元素组成的物质具有如图中图1所示的晶胞结构，其中铁原子的投影位置如图2，铜原子全部位于楞和面上，设NA为阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是 （ ） A．该晶体的化学式为 B．该晶体中两个Fe原子之间的最近距离为a pm C．若1号S原子的分数坐标为，则2号Fe原子的分数坐标为 D．该晶体的密度为 25．硼氢化钠在室温下是α型的立方晶体，晶胞如图甲所示，在一定条件下转变为四方晶体，晶胞结构和晶胞参数如图乙所示，下列说法错误的是 （ ） A．硼氢化钠α型的立方晶体中离最近的有12个 B．α型的立方晶体中填充在围成的正八面体的空隙中 C．若A点的坐标为，则B点坐标为 D．硼氢化钠四方晶体的晶胞中A和B之间的距离为 26．铋合金可用于自动喷水器的安全塞，一旦发生火灾时，安全塞会“自动”熔化，喷出水来灭火。铋的晶胞结构如图乙所示，下列有关铋的说法错误的是 （ ） A．金属铋的原子堆积方式为体心立方堆积 B．铋与氮同主族，Bi的第一电离能小于N C．配合物中Bi的化合价为+3价，内界为 D．已知铋位于第六周期第ⅤA族，其价电子排布式为 27．中国科学院物理研究所合成了基于铁基超导体系掺杂调控的新型稀磁半导体LiZnqMnpAs(图乙)，该材料是LiZnAs晶体(如图甲所示立方晶胞)中部分Zn原子被Mn原子代替后制成的。已知a点原子的分数坐标为()，图甲晶体的密度为dg·cm-3，晶胞参数为cpm。下列说法错误的是 （ ） A．b点As原子的分数坐标为() B．图乙晶体的最简化学式为LiZn0.75Mn0.25As C．图乙晶胞结构中的As位于Zn、Mn形成的正四面体空隙中 D．阿伏加德罗常数 28．一种由Cu、In、Te组成的晶体如图，晶胞参数和晶胞中各原子的投影位置如图所示，晶胞棱边夹角均为90°。 已知：A点、B点原子的分数坐标分别为、，下列叙述不正确的是 （ ） A．In原子的配位数为2 B．该晶体的化学式为 C．C点原子的分数坐标为 D．晶胞中A、D原子间距离为 29．硒化锌是一种重要的半导体材料；其晶胞结构如图甲所示，已知晶胞参数为pnm，乙图为晶胞的俯视图，下列说法正确的是 （ ） A．晶胞中硒原子的配位数为12 B．晶胞中d点原子分数坐标为 C．相邻两个Zn原子的最短距离为nm D．电负性：Zn>Se 30．某镁镍合金储氢后所得晶体的立方晶胞如图，晶胞边长为位于相邻4个所围合的正四面体的体心。下列说法不正确的是 （ ） A．储氢过程中被还原 B．晶体的化学式为 C．每个周围有12个紧邻的H D．与的原子核间距为 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 2025年高考二轮专练16-晶体结构与性质单选【困难30题】参考答案 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 D D C B A D D D D D 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案 B B D B D B D B C D 题号 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 答案 B C B D D A C A B D 1．D 【详解】A．晶体中距离最近且相等的有4个，配位数为4，A正确； B．晶胞中，离子的个数为8×+6×=4，，B正确； C．由图可知，B的原子分数坐标为，C正确； D．设晶胞参数为a nm，晶胞的密度为，a=，Ca2+与 F-的最小核间距为体对角线的四分之一，即，D错误； 故选D。 2．D 【详解】A．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点的钡离子个数为8×=1、位于体心的钛离子个数为1、位于面心的氧离子个数为6×=3，则晶胞的化学式为BaTiO3，故A正确； B．由晶胞结构可知，晶胞中位于体心的钛离子与位于面心的氧离子距离最近，则钛离子的配位数为6，故B正确； C．由晶胞结构可知，晶胞中钛离子位于氧离子的八面体空隙中，故C正确； D．设晶体的密度为dg/cm3，由晶胞的质量公式可得：=(10-10a)3d，解得d=，故D错误； 故选D。 3．C 【详解】A．该化合物有超导性质，晶体的类型为离子晶体，存在离子键，故A正确； B．以体心上的S原子为例，S原子位于H构成的八面体空隙中，如图，故B正确； C．晶胞中S的配位数为6，H的配位数为2，S与H的配位数之比为，故C错误； D．基态S原子核外电子排布式为，共16个电子，不同自旋状态的电子数分别为9、7，即不同自旋状态的电子比为，故D正确； 答案选C。 4．B 【详解】A．Se位于第4周期第Ⅵ族,位于周期表P区，A正确; B．锂离子电子排布式1S2,最外层电子位于S轨道，球形，B错误； C．根据晶胞结构以及均摊法计算出：Se2-位于顶点及面心，Li+位于体心，则距Li+最近的Se2-位于顶点及3个面心，共4个，C正确； D． Li+位于体对角线处，且与顶点处Se2-距离最近，二者距离为，D正确; 故答案选B。 5．A 【详解】A．由图可知，离等距离且最近的F-位于棱心，即K+的配位数为12，故A错误； B．由均摊法可知，一个晶胞中Mg2+个数为8×=1，F-个数为12×=3，K+个数为1，所以氟化钾镁晶体的化学式为，故B正确； C．距最近且等距的个数为6，6个F-构成正八面体，在构成的正八面体的体心，故C正确； D．由图可知，位于顶点，位于棱心，所以若位于晶胞的体心，则位于晶胞的面心，故D正确； 故答案为：A。 6．D 【详解】A．镓元素、砷元素的原子序数分别为4s23p2、4s23p3，均处于元素周期表p区，故A正确； B．由晶胞结构可知，砷化镓晶胞中距离Ga原子最近且等距离的As原子数是4个，且4个As原子构成正四面体结构，所以Ga位于As原子构成的正四面体空隙中，故B正确； C．由晶胞结构可知，砷化镓晶胞中Ga-As的键长为晶胞体对角线长度的，则晶胞边长为，故C正确； D．由晶胞结构可知，稀磁性半导体材料中位于顶点和面心的锰原子个数为1×+1×=，位于体内的砷原子个数为4，则锰、砷的原子个数比为5：32，故D错误； 故选D。 7．D 【详解】A．由晶胞结构可知，晶胞中位于体内的锌原子个数为4，位于顶点和面心的硒原子个数为8×+6×=4，设晶体的密度为dg/cm3，由晶胞的质量公式可得：=(10—10 a)3d，解得d=，故A正确； B．由晶胞结构可知，晶胞中与锌原子距离最近的硒原子个数为4，则锌原子的配位数为4，由硒化锌的化学式为ZnSe可知，硒原子的配位数也为4，故B正确； C．由位于顶点的A、C的分数坐标为、可知，晶胞的边长为1，则位于体对角线处B的分数坐标为，故C正确； D．若把图I所示的晶胞切分为八个小正方体，距离最近的两个锌原子在同一层对角相邻的两个小正方体的中心，其距离为晶胞每个面对角线的，则最近的两个锌原子的距离为，故D错误； 故选D。 8．D 【详解】A．干冰晶体通过分子间作用力结合，属于分子晶体，A正确； B．由AB的连线投影图可知，旋转120°后，可与旋转前重合，B正确； C．以顶点的分子为对象，分子周围最近的分子位于与之相邻的3个面的面心，顶点的分子被8个晶胞共用，则分子周围有个紧邻分子，C正确； D．根据均摊法，分子位于顶点和面心，每个晶胞含有分子个数是，则晶胞质量是，晶胞体积为a3×10-21cm3，则晶胞密度为，D错误； 故选D。 9．D 【详解】A．图1中与6个水分子形成配位键，图2中距离最近且相等的共6个，故配位数是6，故A正确； B．由晶胞结构图可知，相邻两个的最短距离为面对角线的一半，为nm，故B正确； C．由晶胞结构图可知，一个晶胞中有个，个，即一个晶胞中有4个，则晶胞的密度为，故C正确； D．氢键不是化学键，故D错误； 故选D。 10．D 【详解】A．N、I、Pb分别为VA、VIIA、IVA族元素，均属于p区元素，故A正确； B．结合坐标轴及C原子位置可知C的原子分数坐标为 (1，，)，故B正确； C．若沿Z轴向xy平面投影，则其投影图如图2所示，中心为面心和体心的投影重叠，故C正确； D．A有8个在顶点，个数为：；B位于体心个数为1；C位于面心，个数为：；结合化学式可知C代表碘离子，A为(CH3NH3)+，晶胞质量为 g，晶胞体积(a×10－10)3 cm3，该晶体的密度为，D项错误。 故答案选D。 11．B 【详解】A．由图可知，晶体中左侧底角的钾离子为例，在xy平面有4个、在xz平面由4个，故每个周围距离最近且相等的共有8个，故A错误； B．每个晶胞中含有=2个K+，=2个，则该叠氮化物的密度为=，故B正确； C．测定晶体结构的方法是X射线衍射法，故C错误； D．与结构相似，均为离子晶体，钠离子半径小于钾离子半径，离子键键能更大，的晶格能大于的晶格能，故的熔点大于的熔点，故D错误； 故选B。 12．B 【详解】A．由图甲可知，该晶胞中位于6个面心的K+形成正八面体结构，F-位于正八面空隙中，A正确，不符合题意； B．由图甲可知，晶体中K+与F-的最近距离为，与K+最近且等距离的F−有6个，B错误，符合题意； C．由图甲可知，MNQP切面即晶胞的对角线切面，该切面还有9个离子，分别是4个顶点和2个面心的K+，2个棱心和1个体心的F-，图乙正确，C正确，不符合题意； D．由图甲可知，该晶胞中，K+个数为：，F-个数为：，故单个晶胞质量m=，密度为，D正确，不符合题意； 本题选B。 13．D 【详解】A．砷化镓是一种重要的半导体材料，熔点为，熔沸点较高，为共价晶体，A错误； B．由图可知，该晶胞中Ga原子位于顶角和面心，Ga的原子个数为，As位于体内，个数为4，化学式为GaAs，则距离砷原子最近的砷原子数等同于距离镓原子最近的镓原子数，镓原子位于顶角和面心，距离镓原子最近的镓原子数为12，距离砷原子最近的砷原子数为12，故B错误； C．体对角线上的2个Ga原子、2个As原子共线，且Ga、As原子之间的距离最短，该晶胞的体对角线长度为，则Ga原子与As原子的最短距离为，C错误； D．由图可知，面心上的Ga原子与上下两层体内的As等距且最近，形成的空间构型为正四面体，D正确； 答案选D。 14．B 【详解】A．晶胞中位于顶点、面上和体内的Cu原子个数=8×+4×+1=4，位于面上、棱上的In原子个数=6×+4×=4，位于体内的Te原子个数=8×1=8，则Cu、In、Te的原子个数比为4:4:8=1:1:2，晶体的化学式为CuInTe2，故A正确； B． In原子位于面上、棱上，均有4个Te与之相连，配位数为4，故B错误； C．由晶胞结构可知，In原子形成的四面体空隙有8个，形成的八面体空隙也有8个，则四面体空隙的占有率为=50%，故C正确； D． 由位于顶点A点和体心B点原子的分数坐标分别为(0,0,0)、可知，晶胞边长为1，则位于体对角线处，面对角线处的C原子的分数坐标分别为，故D正确； 故选B。 15．D 【详解】A．Ag+位于晶胞内，可知，Ag+周围距离最近且相等的个数是4，故A错误； B．根据晶胞结构可知，图中微粒1的分数坐标是，微粒2的分数坐标是(，，)，故B错误； C．铜(29Cu)元素，银(47Ag)元素位于元素周期表的第ⅠB族，属于ds区，故C错误； D．根据晶胞结构可知，相邻Ag+之间的最短距离是面对角线的一半，晶胞边长为apm，则面对角线为，因此相邻Ag+之间的最短距离是a pm，故D正确； 故选：D。 16．B 【详解】A．第IB和IIB族为ds区，Ag与Cu位于同一族，属于第IB族，所以属于ds区，A错误； B．由图2可知，填充在晶胞平分切割成的8个小立方体的体心且交错分布在其中4个小立方体的体心，则填充在构成的正四面体空隙中，B正确； B．由图1可知，与等距离且最近的有12个，C错误； D．由图1可知，晶胞中两个最近的之间的距离为面对角线的，即，D错误； 故选B。 17．D 【详解】A．磷化硼(BP)结构与氮化硼相似，均为原子晶体，N原子半径小，B-N键键长短，键能大，故BN熔点高，A错误； B．根据图1可以看出晶体中P周围距离最近且相等的P有4个，B错误； C．若图中①处磷原子坐标为(0，0，0)，将晶胞均分为8个小立方体，则②处的B原子在前左下角小立方体体心的位置，坐标为，C错误； D．磷化硼晶胞中顶点和面心全部为P原子，在y轴方向的投影落在顶点和棱心；4个小立方体体心位置为B原子，在y轴方向的投影均匀落在内部，在y轴方向的投影图为图2，D正确； 故选D。 18．B 【详解】A．ZnS和ZnO均为离子晶体，离子半径，A正确； B．由均摊法可知，一个晶胞含有两个和两个，空间利用率为，B错误； C．由晶胞结构可知，离等距且最近的数为4，这4个构成正四面体，位于正四面体的体心，C正确； D．与之间间隔，每个均连接4个，所以最近且等距的有个，D正确； 故选：B。 19．C 【分析】在K2S晶胞中，K+分别位于8个小立方体的体心，与周围的4个S2-相连，则K+周围距离最近的S2-有4个。晶胞中所含K+的数目为8，所含S2-的数目为=4。 【详解】A．反应产物中，K2S为离子化合物，CO2、N2为共价化合物，其中CO2是由极性键形成的非极性分子，N2是由非极性键形成的非极性分子，所以有两种非极性分子，A正确； B．CO2的结构式为O=C=O，N2的结构式为N≡N，分子中都含有2个π键，则1mol CO2和1mol N2含有的π键数目之比为2:2=1:1，B正确； C．K2S晶体中，K+周围距离最近的S2-有4个，则S2-周围最近的K+有8个，C错误； D．若K2S晶体的晶胞边长为a nm，则该晶体的密度为=g·cm-3，D正确； 故选C。 20．D 【详解】A．该晶体是合金，属于金属晶体，A错误； B．由均推原理知，该晶胞中的K个数为，Sb的个数为，故K和Sb原子数之比为3：1，该合金的组成可表示为 K3Sb，B错误； C．根据晶胞的结构可知，与每个Sb原子距离最近的Sb原子有12个，C错误； D．一个晶胞中含有4个“K3Sb”，晶胞质量为，晶胞的密度为，D正确； 故选D。 21．B 【详解】A．由的晶胞结构可知，其中含黑色大球的个数为，黑色小球的个数为，则黑色大球为，黑色小球为，距最近且等距的有2个，则的配位数为2，故A正确； B．的熔点为1090℃，远高于的192℃，由于F的电负性最大，其吸引电子的能力最强，因此，可以判断铝氟之间的化学键为离子键，铝氯之间的化学键为共价键，二者不相同，故B错误； C．由的空间结构结合相关元素的原子结构可知，Al的价层电子对数是4，与其周围的4个氯原子形成四面体结构，因此，二聚体中Al的杂化轨道类型为，故C正确； D．若晶胞参数为a pm，则晶胞的体积为，有1个，有4个，，则其晶体密度，故D正确； 故答案选B。 22．C 【详解】A．由24K金的质量分数为100%，则18K金的质量分数为：   ，I中Au和Cu原子个数比值为1:1，则Au的质量分数为：   ，A正确； B．Ⅱ中Au处于立方体的八个顶点，Au的配位数指距离最近的Cu，Cu处于面心处，类似于二氧化碳晶胞结构，二氧化碳分子周围距离最近的二氧化碳有12个，则Au的配位数为12，B正确； C． 设Ⅲ的晶胞参数为a，的核间距为，的最小核间距也为 ，最小核间距，C错误； D． I中，处于内部，处于晶胞的八个顶点，其原子个数比为1:1；Ⅱ中，处于立方体的八个顶点， 处于面心，其原子个数比为：；Ⅲ中，处于立方体的面心，处于顶点，其原子个数比为；D正确； 故选C。 23．B 【详解】A．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点和面心的硼原子个数为8×+6×=4，故A正确； B．由晶胞结构可知，晶胞中位于的硼原子顶点与位于面心的硼原子距离最近，最近距离为面对角线的，则离硼原子最近的硼原子有12个，最近距离为，故B错误； C．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点和面心的硼原子个数为8×+6×=4，位于体内的砷原子个数为4，设晶体的密度为dg/cm3，由晶胞的质量公式可得：=(10—7a)3d，解得d=，故C正确； D．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点的4个硼原子处于矩形AA'C'C的顶点、位于面心的2个硼原子处于矩形上下边的处，位于体内的2个砷原子处于矩形的面上，则晶胞中各原子在矩形AA'C'C的位置为，故D正确； 故选B。 24．D 【详解】A．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点、面上和体心的铁原子个数为8×+4×+1=4，位于楞上和面上的铜原子个数为4×+6×=4，位于体内的硫原子个数为4，则晶体的化学式为CuFeS2，故A错误； B．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点的铁原子与位于面上的铁原子的距离最近，距离为底面对角线的，则晶胞中两个铁原子之间的最近距离为apm，故B错误； C．晶胞中位于体对角线上的硫原子的分数坐标为，则处于面上的2号铁原子的分数坐标为，故C错误； D．设晶体的密度为dg/cm3，由晶胞的质量公式可得：=(a×10—10)2×2a×10—10×d，解得d=，故D正确； 故选D。 25．D 【详解】A．由图甲可知，硼氢化钠α型的立方晶体中离最近的有12个，故A正确； B．α型的立方晶体中Na+在体心和棱心位置，在面心和顶点，围成正八面体空隙，填充在围成的正八面体的空隙中，故B正确； C．若A点的坐标为，B点位于左侧面的上方面心位置，结合坐标系，B点坐标为，故C正确； D．B到底面左侧棱心的距离为pm，A到底面左侧棱心的距离为apm，这两段距离与A与B的距离构成直角三角形，A与B的距离为=，故D错误。 答案选D。 26．A 【详解】A．根据图示可知金属铋的原子堆积方式是六方最密堆积，A错误； B．铋位于氮的下方，同属VA族元素，同主族元素从上到下第一电离能逐渐减小，所以铋的第一电离能小于氮，B正确； C．在配合物中，由于(NH4)+的化合价为+1且有3个(NH4)+，因此内界中Bi的化合价应为+3，C正确； D．铋位于第六周期第VA族，其价电子排布式为，D正确； 故选A。 27．C 【详解】A．由图甲晶胞结构及a点分数坐标可知，4个As位于Zn原子形成的四面体空隙中，则b位于朝向外最近的右上角的四面体空隙中，其分数坐标为()，A项正确； B．由图乙晶胞可知，4个Mn原子位于顶点，1个Mn原子位于面心，平均下来属于1个晶胞的原子数为个，因图甲晶胞中含4个Zn，故LiZnqMnpAs中，则q=0.75，B项正确； C．Zn原子与Mn原子的半径不相等，故其形成的四面体不是正四面体，C项错误； D．图甲晶胞的质量，晶胞的体积，则晶体的密度，则阿伏加德罗常数，D项正确。 故选C。 28．A 【详解】A ．距离In原子最近的原子数为4，配位数为4，A错误； B．晶胞中位于顶点、体心、面心的Cu原子个数=8×+1×1+4×=4，位于面心、棱上的In原子个数=6×+4×=4，位于体内的Te原子个数=8×1=8，Cu、In、Te的原子个数比=4:4:8=1:1:2，因此晶体化学式为CuInTe2，B正确； C．C点位于面对角线的、、体对角线的处，因此C点原子的分数坐标为(,,)，C正确； D．D原子在底面的投影点与A、D构成直角三角形，斜边AD的长d=，D正确； 故选A。 29．B 【详解】A．该晶胞中Zn原子的配位数是4，则ZnSe晶胞中Se原子的配位数也是4，A错误； B．该晶胞中a点坐标为(0，0，0)，b点坐标为B为( ，1，)，则a原子位于坐标原点，b原子在坐标轴正方向空间内，由图乙可知d原子也在坐标轴正方向空间内，且到x轴、y轴、z轴的距离分别为、、，即d原子的坐标为(，，)，B正确； C．面对角线的两个Zn原子距离最短，为nm，C错误； D．Zn、Se为同周期元素，根据非金属性越强，电负性越大，非金属性：Zn<Se，电负性：Zn<Se，D错误； 故选B。 30．D 【详解】A．根据题中晶胞结构可知，H2被吸收后时与Ni结合，而Ni为金属元素，只能为正价，因此H2中氢元素的化合价降低，即H2被还原，故A正确； B．由题干晶胞示意图可知，一个晶胞中Ni的个数为8×+6×=4，每个Ni原子周围有6个H，因此H有24个，Mg都在体内，因此Mg有8个，晶体的化学式为Mg2NiH6，故B正确； C．由题干晶胞示意图可知，Mg均处于晶胞的体内，则如图所示，，取一个Mg观察可知，与之最近的有4个，但是由于方向问题，中只有朝向Mg的与之距离才是最近，因此每个中只有三个H与Mg最近，因此共有12个与之紧邻的H，故C正确； D．由图像可知，晶胞中最近的Mg和Ni分别位于晶胞内和顶点上，即，因此距离为体对角线的四分之一，即apm，故D错误； 故答案选D。 答案第1页，共2页 答案第1页，共2页 学科网（北京）股份有限公司 $$