热点题型07 晶胞计算-2025年高考化学【热点·重点·难点】专练（黑吉辽蒙专用）

热点07 晶胞计算 一．掌握晶胞中粒子数目的计算方法——均摊法 （1）长方体(包括立方体)晶胞中不同位置的粒子数的计算 （2）非长方体晶胞中粒子视具体情况而定，如石墨晶胞每一层内碳原子排成六边形，其顶点(1个碳原子)被三个六边形共有，每个六边形占。 （3）当晶胞为六棱柱时，顶点、侧棱、底面上的棱、面心的微粒依次被6、3、4、2个六棱柱所共有，即顶点、侧棱、底面上的棱、面心的微粒分别有、、、属于该六棱柱。 （4）审题时一定要注意是“分子结构”还是“晶胞结构”，若是分子结构，其化学式由图中所有实际存在的原子个数决定，且原子个数可以不互质(即原子个数比可以不约简)。 二．掌握坐标参数、晶胞参数的分析与计算 （1）原子坐标参数——表示晶胞内部各微粒的相对位置 原子坐标参数是晶胞的基本要素之一，用于表示晶胞内部各原子的相对位置。通过原子坐标的确定既能确定晶胞中原子的相对位置，又可以计算各原子间的距离，进而可以计算晶胞的体积及晶体的密度。根据晶体结构的特点，通常确定原子坐标参数的晶体主要有铜型(面心立方最密堆积)和镁型(六方最密堆积)两种晶体类型。 （2）晶胞参数——描述晶胞的大小和形状 ①金属晶体中体心立方堆积、面心立方最密堆积中的几组公式(设棱长为a) 面对角线长＝a。 4r＝a (r为原子半径)。 体对角线长＝a。 4r＝a (r为原子半径)。 ②宏观晶体密度与微观晶胞参数的关系 ③晶体中粒子间距离的计算 （3）立方体晶胞中微粒周围其他微粒个数的判断 判断某种粒子周围等距且紧邻的粒子数目时，要注意运用三维想象法。如NaCl晶体中，Na＋周围的Na＋数目(Na＋用“”表示)： 每个面上有4个，共计12个。 三．熟记常见晶体结构特征及分析方法 1．常见分子晶体结构分析 晶体 晶体结构 结构分析 干冰 （1）每8个CO2构成1个立方体且在6个面的面心又各有1个CO2 （2）每个CO2分子周围紧邻的CO2分子有12个 （3）密度＝(a为晶胞边长，NA为阿伏加德罗常数) 白磷 （1）面心立方最密堆积 （2）密度＝(a为晶胞边长，NA为阿伏加德罗常数) 2．常见原子晶体结构分析 晶体 晶体结构 结构分析 金刚石 （1）每个C与相邻4个C以共价键结合，形成正四面体结构 （2）键角均为109°28′ （3）最小碳环由6个C组成且6个C不在同一平面内 （4）每个C参与4个C—C键的形成，C原子数与C—C键数之比为1∶2 （5）密度＝(a为晶胞边长，NA为阿伏加德罗常数) SiO2 （1）每个Si与4个O以共价键结合，形成正四面体结构 （2）每个正四面体占有1个Si,4个“O”，因此二氧化硅晶体中Si与O的个数比为1∶2 （3）最小环上有12个原子，即6个O,6个Si （4）密度＝(a为晶胞边长，NA为阿伏加德罗常数) SiC、BP、AlN （1）每个原子与另外4个不同种类的原子形成正四面体结构 （2）密度：ρ(SiC)＝；ρ(BP)＝；ρ(AlN)＝(a为晶胞边长，NA为阿伏加德罗常数) 3．常见离子晶体结构分析 （1）典型离子晶体模型 NaCl型 CsCl型 ZnS型 CaF2型 晶胞 配位数及影响因素 配位数 6 8 4 F－：4；Ca2＋：8 影响 因素 阳离子与阴离子的半径比值越大，配位数越多，另外配位数还与阴、阳离子的电荷比有关等 密度的计算(a为晶胞边长，NA为阿伏加德罗常数) （2）晶格能 ①定义：气态离子形成1摩离子晶体释放的能量。晶格能是反映离子晶体稳定性的数据，可以用来衡量离子键的强弱，晶格能越大，离子键越强。 ②影响因素：晶格能的大小与阴阳离子所带电荷、阴阳离子间的距离、离子晶体的结构类型有关。离子所带电荷越多，半径越小，晶格能越大。 ③对离子晶体性质的影响：晶格能越大，形成的离子晶体越稳定，而且熔点越高，硬度越大。 4．常见金属晶体结构分析 （1）金属晶体的四种堆积模型分析 堆积模型 简单立方堆积 体心立方堆积 六方最密堆积 面心立方最密堆积 晶胞 配位数 6 8 12 12 原子半径(r)和晶胞边长(a)的关系 2r＝a 2r＝ 2r＝ 一个晶胞内原子数目 1 2 2 4 原子空间利用率 52% 68% 74% 74% （2）金属晶胞中原子空间利用率计算 空间利用率＝×100%，球体积为金属原子的总体积。 ①简单立方堆积 如图所示，原子的半径为r，立方体的棱长为2r，则V球＝πr3，V晶胞＝(2r)3＝8r3，空间利用率＝×100%＝×100%≈52%。 ②体心立方堆积 如图所示，原子的半径为r，体对角线c为4r，面对角线b为a，由(4r)2＝a2＋b2得a＝r。1个晶胞中有2个原子，故空间利用率＝×100%＝×100%＝×100%≈68%。 ③六方最密堆积 如图所示，原子的半径为r，底面为菱形(棱长为2r，其中一个角为60°)，则底面面积S＝2r×r＝2r2，h＝r，V晶胞＝S×2h＝2r2×2×r＝8r3,1个晶胞中有2个原子，则空间利用率＝×100%＝×100%≈74%。 ④面心立方最密堆积 如图所示，原子的半径为r，面对角线为4r，a＝2r，V晶胞＝a3＝(2r)3＝16r3,1个晶胞中有4个原子，则空间利用率＝×100%＝×100%≈74%。 （3）晶体微粒与M、ρ之间的关系 若1个晶胞中含有x个微粒，则1 mol该晶胞中含有x mol 微粒，其质量为xM g(M为微粒的相对分子质量)；若该晶胞的质量为ρa3 g(a3为晶胞的体积)，则1 mol晶胞的质量为ρa3NA g，因此有xM＝ρa3NA。 5．过渡晶体与混合型晶体 （1）过渡晶体 纯粹的典型晶体是不多的，大多数晶体是四类典型晶体之间的过渡晶体。偏向离子晶体的过渡晶体在许多性质上与纯粹的离子晶体接近，因而通常当作离子晶体来处理，偏向共价晶体的过渡晶体则当作共价晶体来处理。 （2）混合型晶体 像石墨这样的晶体是一种混合型晶体，既有共价键，又有金属键和范德华力。石墨晶体是层状结构，层与层之间靠范德华力维系。石墨的二维结构中，每个碳原子的配位数是3，平均每个正六边形拥有的碳原子个数是2，呈sp2杂化，有一个未参与杂化的2p电子，它的原子轨道垂直于碳原子平面。由于所有的p轨道相互平行而且相互重叠，使p轨道中的电子可在整个碳原子平面中运动，因此石墨有类似金属晶体的导电性。 四．晶体熔点高低的比较 　 　类型 比较　 　 分子晶体 共价晶体 金属晶体 离子晶体 构成粒子 分子 原子 金属阳离子、自由电子 阴、阳离子 粒子间的相互作用力 范德华力 (某些含氢键) 共价键 金属键 离子键 硬度 较小 很大 有的很大，有的很小 较大 熔、沸点 较低 很高 有的很高，有的很低 较高 溶解性 相似相溶 难溶于任何溶剂 难溶于常见溶剂 大多易溶于水等极性溶剂 导电、导热性 一般不导电，溶于水后有的导电 一般不具有导电性 电和热的良导体 晶体不导电，水溶液或熔融态导电 物质类别及举例 大多数非金属单质、气态氢化物、酸、非金属氧化物(SiO2除外)、绝大多数有机物(有机盐除外) 部分非金属单质(如金刚石、硅、晶体硼)、部分非金属化合物(如SiC、SiO2) 金属单质与合金(如Na、Al、Fe、青铜) 金属氧化物(如K2O、 Na2O)、强碱 (如KOH、NaOH)、 绝大部分盐(如NaCl) （1）共价晶体一定含有共价键，而分子晶体可能不含共价键。 （2）含阴离子的晶体中一定含有阳离子，但含阳离子的晶体中不一定含阴离子，如金属晶体。 （3）共价晶体的熔点不一定比离子晶体高，如石英的熔点为1710 ℃，MgO的熔点为2852 ℃。 （4）金属晶体的熔点不一定比分子晶体的熔点高，如Na的熔点为97 ℃，尿素的熔点为132.7 ℃。 （5）石墨属于混合型晶体，但因层内原子之间碳碳共价键的键长为1.42×10－10 m，比金刚石中碳碳共价键的键长(1.54×10－10 m)短，所以熔、沸点高于金刚石。 （6）由原子形成的晶体不一定是共价晶体，如由稀有气体原子形成的晶体是分子晶体。 （1）不同类型晶体熔、沸点的比较 ①不同类型晶体的熔、沸点高低一般规律：共价晶体>离子晶体>分子晶体。 ②金属晶体的熔、沸点差别很大，如钨、铂等熔、沸点很高，汞、铯等熔、沸点很低。 （2）同种类型晶体熔、沸点的比较 ①共价晶体 →→→ 如熔点：金刚石>碳化硅>硅。 ②离子晶体 一般地说，阴、阳离子所带的电荷数越多，离子半径越小，则离子间的作用力就越强，其离子晶体的熔、沸点就越高，如熔点：MgO>MgCl2>NaCl>CsCl。衡量离子晶体稳定性的物理量是晶格能。晶格能越大，形成的离子晶体越稳定，熔点越高，硬度越大。 ③分子晶体 a．分子间作用力越大，物质的熔、沸点越高；具有氢键的分子晶体熔、沸点反常地高，如熔、沸点：H2O>H2Te>H2Se>H2S。 b．组成和结构相似的分子晶体，相对分子质量越大，熔、沸点越高，如熔、沸点：SnH4>GeH4>SiH4>CH4。 c．组成和结构不相似的物质(相对分子质量接近)，分子的极性越大，其熔、沸点越高，如熔、沸点：CO>N2，CH3OH>CH3CH3。 d．同分异构体，支链越多，熔、沸点越低，如熔、沸点： ④金属晶体 金属离子半径越小，离子所带电荷数越多，其金属键越强，金属熔、沸点就越高，如熔、沸点：Na＜Mg＜Al。 五．掌握晶体的有关计算 1．确定晶胞中原子坐标与投影图 晶胞中的任意一个原子的中心位置均可用3个分别≤1的数在立体坐标系中表示出来。 注意：在确定各原子的坐标时，要注意x、y、z轴的单位标准不一定相同。 （1）钾型晶胞结构模型的原子坐标与投影图 ①粒子坐标：若1(0，0，0)，3(1，1，0)，5(0，0，1)，则6的原子坐标为(0，1，1)，7为(1，1，1)，9为。 ②x、y平面上的投影图： （2）铜型晶胞结构模型的原子坐标和投影图 ①粒子坐标：若1(0，0，0)，13，12，则15的原子坐标为，11为。 ②x、y平面上的投影图： （3）金刚石晶胞结构模型的原子坐标和投影图 ①若a原子为坐标原点，晶胞边长的单位为1，则原子1、2、3、4的坐标分别为、、、。 ②x、y平面上的投影图： （4）沿体对角线投影 ①钾型晶胞 ②铜型晶胞 2．空间利用率的计算方法 （1）空间利用率：指构成晶体的原子、离子或分子在整个晶体空间中所占有的体积百分比。 空间利用率＝×100%。 （2）空间利用率的计算步骤：首先计算晶胞中的粒子数；再计算晶胞的体积。 如：六方晶胞(如图)。 S＝2r×r＝2r2 h＝r V(球)＝2×πr3 V(晶胞)＝S×2h＝2r2×2×r＝8r3 空间利用率＝×100%＝×100%≈74% （建议用时：40分钟） 1．（2024·吉林·高考真题）某锂离子电池电极材料结构如图。结构1是钴硫化物晶胞的一部分，可代表其组成和结构；晶胞2是充电后的晶胞结构；所有晶胞均为立方晶胞。下列说法错误的是 A．结构1钴硫化物的化学式为 B．晶胞2中S与S的最短距离为 C．晶胞2中距最近的S有4个 D．晶胞2和晶胞3表示同一晶体 2．（2025·重庆巴蜀中学·月考）二氧化铈()可作脱硝催化剂，其理想晶胞如图甲所示。催化脱硝时，能在和之间改变氧化状态，将氧化为，并引起氧空位的形成，得到新的铈氧化物()。该催化脱硝时可能的变化如图乙所示。 下列有关说法不正确的是 A．理想晶胞中，的配位数为8 B．若理想晶胞边长为，则晶体密度为(其中为阿伏加德罗常数的值) C．中和个数比为 D．每氧化标准状况下气体，则生成 3．（2025·安徽·联考）某钾离子电池负极材料的晶胞结构如图1所示，该晶体沿垂直石墨层方向的部分投影如图2所示，下列说法正确的是 A．图1晶胞是一个立方体 B．该负极材料的组成可表示为KC6 C．晶体中与K+紧邻的C的数目为8 D．晶胞底面棱长等于碳碳键长的倍 4．（2025·西南大学附中·月考）我国科研人员通过注入自旋和电荷调控制备出兼具自旋特性和电荷属性的稀磁半导体(图2)，该材料为(图1)的部分原子被原子取代所得。二者晶胞体积近似相等。下列说法正确的是 A．位于元素周期表ds区 B．图1晶胞的密度为 C．图2晶体中和原子个数最简比为 D．若图1中的分数坐标为，则的分数坐标为 5．（2025·江西·期末月考）Cu2O主要用于制造船底防污漆、杀虫剂，可溶于浓氨水形成无色配离子[Cu(NH3)2]+[铜(I)氨离子]，其在空气中被氧化为蓝色的[Cu(NH3)4]2+(空间结构为平面正方形)。Cu2O的立方晶胞结构如图所示。 已知：①Cu、O的原子半径分别为r1pm、r2pm； ②a、b的原子坐标分别为、； ③Cu2O晶体的密度为，NA是阿伏加德罗常数的值； ④原子空间利用率。 下列说法错误的是 A．Cu2O晶胞中Cu的配位数为2 B．d的原子坐标为 C．[Cu(NH3)4]2+中Cu2+采用的是sp3杂化 D．该晶胞中原子空间利用率为 6．（2025·辽宁点石联考·期中）砷化镓是一种重要的半导体材料，熔点为。它在以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓晶胞结构如图。下列说法正确的是 A．砷化镓是一种离子晶体 B．距离砷原子最近的砷原子数为6 C．若晶胞参数为apm，则Ga原子与As原子的最短距离为 D．晶胞中与Ga等距且最近的As形成的空间结构为正四面体 7．（2025·长春二中·四调）嫦娥三号卫星上的元件（热敏电阻）的主要成分——钡钛矿的晶胞结构如图所示。若该晶体的密度为，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．位于围成的正八面体的中心 B．周围距离最近的数目为12 C．两个的最短距离为 D．若的分数坐标为，则的分数坐标为 8．（2025·辽宁点石联考·期中）硒化锌()是一种重要的半导体材料，其晶胞结构如图所示，已知该晶体密度为，设阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．位于元素周期表的p区 B．基态原子核外有18种不同空间运动状态的电子 C．该晶胞中与之间的最短距离为 D．若A、C两原子的原子坐标分别为和，则B原子的坐标为 9．（2025·湖北·联考）半导体材料砷化镓的晶胞如图所示。下列叙述错误的是 已知：为阿伏加德罗常数的值，砷化镓晶体密度为。 A．基态As原子有3个未成对电子 B．砷化镓的化学式为GaAs C．砷原子的配位数为4 D．xy原子间的距离为 10．（2025·辽宁点石联考·期末）某铁的氧化物立方晶胞如图所示，它由A、B两种单元组成。已知晶胞边长为。 下列有关说法错误的是 A．该晶胞的最简式为 B．A单元沿轴的投影图为 C．中M微粒的原子分数坐标为，则中微粒（即）的原子分数坐标为 D．A单元中相邻间的最近距离为 11．（2025·辽宁大连·期中）砷化镓()的晶胞结构如图甲所示。将掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料，其晶胞结构如图乙所示。下列说法错误的是 A．属于区元素 B．图甲中，原子位于原子构成的正四面体空隙中 C．图甲中，若的键长为，则晶胞边长为 D．稀磁性半导体材料中，、的原子个数比为 12．（2025·东北育才学校·三模）一种稀磁半导体晶体的晶胞结构如下（部分原子的分数坐标已给出），有关说法正确的是 A．该晶体属于金属晶体，一定条件下可以导电 B．a处原子的分数坐标为 C．该晶体的化学式为 D．与距离最近且等距的原子有4个 1．（2025·云南·适应性考试）是一种铁电材料，掺杂可提高其光电转化性能，取代部分后的晶胞结构示意图(氧原子未画出)如下。下列说法错误的是 A．填充在形成的六面体空隙中 B．该晶体的化学式为 C．该晶胞在平面的投影为 D．若p点平移至晶胞体心，则位于晶胞顶点 2．（2025·重庆·质检）一种由三种元素形成的晶体结构的基本单元如图所示。下列说法不正确的是 A．该物质中的化合价为价 B．每个O周围距离相等且最近的有4个 C．通过X射线衍射实验图谱能计算该晶体中离子间的距离 D．该物质的一种晶胞表示方法中，若顶点位置是F，则O仅位于棱心位置 3．（2025·哈尔滨师大附中·期中）GaN是新型半导体材料，该晶体的一种晶胞结构可看作金刚石晶胞(图1)内部的碳原子被N原子替代，顶点和面心的碳原子被Ga原子替代，晶胞参数为anm，沿z轴从上往下俯视的晶胞投影图如图2所示，设阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法正确的是 A．若图2中原子1的分数坐标是则原子4的分数坐标是 B．N的配位数为6 C．晶胞中原子2、5之间的距离为 D．Ga原子位于N原子形成的八面体空隙中 4．（2025·黑龙江·一模）某立方晶系的硫锰矿晶胞，沿c轴将原子投影到ab平面，投影图如下(设代表阿伏加德罗常数的值，括号中数据为原子在轴方向的原子坐标)。下列说法错误的是 A．基态的价电子排布式为 B．晶体中S的配位数是6 C．位于晶胞的顶角和面心 D．若晶体密度为，则最近的两个硫原子之间的距离为 5．（2025·辽宁省实验中学·期末）CdTe的晶胞属立方晶系，晶胞参数如图1所示。下列说法错误的是 A．已知原子M的坐标为(0，0，0)，则原子N的坐标为 B．该晶胞在面ABCD上的投影如图2所示，则代表Te原子的位置是9，10，11 C．晶胞中原子6和11之间的距离为 D．距离最近的原子有12个 6．（2025·北京二中·月考）某镁镍合金储氢后所得晶体的立方晶胞如图，晶胞边长为位于相邻4个所围合的正四面体的体心。下列说法不正确的是 A．储氢过程中被还原 B．晶体的化学式为 C．每个周围有12个紧邻的H D．与的原子核间距为 1 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$ 热点07 晶胞计算 一．掌握晶胞中粒子数目的计算方法——均摊法 （1）长方体(包括立方体)晶胞中不同位置的粒子数的计算 （2）非长方体晶胞中粒子视具体情况而定，如石墨晶胞每一层内碳原子排成六边形，其顶点(1个碳原子)被三个六边形共有，每个六边形占。 （3）当晶胞为六棱柱时，顶点、侧棱、底面上的棱、面心的微粒依次被6、3、4、2个六棱柱所共有，即顶点、侧棱、底面上的棱、面心的微粒分别有、、、属于该六棱柱。 （4）审题时一定要注意是“分子结构”还是“晶胞结构”，若是分子结构，其化学式由图中所有实际存在的原子个数决定，且原子个数可以不互质(即原子个数比可以不约简)。 二．掌握坐标参数、晶胞参数的分析与计算 （1）原子坐标参数——表示晶胞内部各微粒的相对位置 原子坐标参数是晶胞的基本要素之一，用于表示晶胞内部各原子的相对位置。通过原子坐标的确定既能确定晶胞中原子的相对位置，又可以计算各原子间的距离，进而可以计算晶胞的体积及晶体的密度。根据晶体结构的特点，通常确定原子坐标参数的晶体主要有铜型(面心立方最密堆积)和镁型(六方最密堆积)两种晶体类型。 （2）晶胞参数——描述晶胞的大小和形状 ①金属晶体中体心立方堆积、面心立方最密堆积中的几组公式(设棱长为a) 面对角线长＝a。 4r＝a (r为原子半径)。 体对角线长＝a。 4r＝a (r为原子半径)。 ②宏观晶体密度与微观晶胞参数的关系 ③晶体中粒子间距离的计算 （3）立方体晶胞中微粒周围其他微粒个数的判断 判断某种粒子周围等距且紧邻的粒子数目时，要注意运用三维想象法。如NaCl晶体中，Na＋周围的Na＋数目(Na＋用“”表示)： 每个面上有4个，共计12个。 三．熟记常见晶体结构特征及分析方法 1．常见分子晶体结构分析 晶体 晶体结构 结构分析 干冰 （1）每8个CO2构成1个立方体且在6个面的面心又各有1个CO2 （2）每个CO2分子周围紧邻的CO2分子有12个 （3）密度＝(a为晶胞边长，NA为阿伏加德罗常数) 白磷 （1）面心立方最密堆积 （2）密度＝(a为晶胞边长，NA为阿伏加德罗常数) 2．常见原子晶体结构分析 晶体 晶体结构 结构分析 金刚石 （1）每个C与相邻4个C以共价键结合，形成正四面体结构 （2）键角均为109°28′ （3）最小碳环由6个C组成且6个C不在同一平面内 （4）每个C参与4个C—C键的形成，C原子数与C—C键数之比为1∶2 （5）密度＝(a为晶胞边长，NA为阿伏加德罗常数) SiO2 （1）每个Si与4个O以共价键结合，形成正四面体结构 （2）每个正四面体占有1个Si,4个“O”，因此二氧化硅晶体中Si与O的个数比为1∶2 （3）最小环上有12个原子，即6个O,6个Si （4）密度＝(a为晶胞边长，NA为阿伏加德罗常数) SiC、BP、AlN （1）每个原子与另外4个不同种类的原子形成正四面体结构 （2）密度：ρ(SiC)＝；ρ(BP)＝；ρ(AlN)＝(a为晶胞边长，NA为阿伏加德罗常数) 3．常见离子晶体结构分析 （1）典型离子晶体模型 NaCl型 CsCl型 ZnS型 CaF2型 晶胞 配位数及影响因素 配位数 6 8 4 F－：4；Ca2＋：8 影响 因素 阳离子与阴离子的半径比值越大，配位数越多，另外配位数还与阴、阳离子的电荷比有关等 密度的计算(a为晶胞边长，NA为阿伏加德罗常数) （2）晶格能 ①定义：气态离子形成1摩离子晶体释放的能量。晶格能是反映离子晶体稳定性的数据，可以用来衡量离子键的强弱，晶格能越大，离子键越强。 ②影响因素：晶格能的大小与阴阳离子所带电荷、阴阳离子间的距离、离子晶体的结构类型有关。离子所带电荷越多，半径越小，晶格能越大。 ③对离子晶体性质的影响：晶格能越大，形成的离子晶体越稳定，而且熔点越高，硬度越大。 4．常见金属晶体结构分析 （1）金属晶体的四种堆积模型分析 堆积模型 简单立方堆积 体心立方堆积 六方最密堆积 面心立方最密堆积 晶胞 配位数 6 8 12 12 原子半径(r)和晶胞边长(a)的关系 2r＝a 2r＝ 2r＝ 一个晶胞内原子数目 1 2 2 4 原子空间利用率 52% 68% 74% 74% （2）金属晶胞中原子空间利用率计算 空间利用率＝×100%，球体积为金属原子的总体积。 ①简单立方堆积 如图所示，原子的半径为r，立方体的棱长为2r，则V球＝πr3，V晶胞＝(2r)3＝8r3，空间利用率＝×100%＝×100%≈52%。 ②体心立方堆积 如图所示，原子的半径为r，体对角线c为4r，面对角线b为a，由(4r)2＝a2＋b2得a＝r。1个晶胞中有2个原子，故空间利用率＝×100%＝×100%＝×100%≈68%。 ③六方最密堆积 如图所示，原子的半径为r，底面为菱形(棱长为2r，其中一个角为60°)，则底面面积S＝2r×r＝2r2，h＝r，V晶胞＝S×2h＝2r2×2×r＝8r3,1个晶胞中有2个原子，则空间利用率＝×100%＝×100%≈74%。 ④面心立方最密堆积 如图所示，原子的半径为r，面对角线为4r，a＝2r，V晶胞＝a3＝(2r)3＝16r3,1个晶胞中有4个原子，则空间利用率＝×100%＝×100%≈74%。 （3）晶体微粒与M、ρ之间的关系 若1个晶胞中含有x个微粒，则1 mol该晶胞中含有x mol 微粒，其质量为xM g(M为微粒的相对分子质量)；若该晶胞的质量为ρa3 g(a3为晶胞的体积)，则1 mol晶胞的质量为ρa3NA g，因此有xM＝ρa3NA。 5．过渡晶体与混合型晶体 （1）过渡晶体 纯粹的典型晶体是不多的，大多数晶体是四类典型晶体之间的过渡晶体。偏向离子晶体的过渡晶体在许多性质上与纯粹的离子晶体接近，因而通常当作离子晶体来处理，偏向共价晶体的过渡晶体则当作共价晶体来处理。 （2）混合型晶体 像石墨这样的晶体是一种混合型晶体，既有共价键，又有金属键和范德华力。石墨晶体是层状结构，层与层之间靠范德华力维系。石墨的二维结构中，每个碳原子的配位数是3，平均每个正六边形拥有的碳原子个数是2，呈sp2杂化，有一个未参与杂化的2p电子，它的原子轨道垂直于碳原子平面。由于所有的p轨道相互平行而且相互重叠，使p轨道中的电子可在整个碳原子平面中运动，因此石墨有类似金属晶体的导电性。 四．晶体熔点高低的比较 　 　类型 比较　 　 分子晶体 共价晶体 金属晶体 离子晶体 构成粒子 分子 原子 金属阳离子、自由电子 阴、阳离子 粒子间的相互作用力 范德华力 (某些含氢键) 共价键 金属键 离子键 硬度 较小 很大 有的很大，有的很小 较大 熔、沸点 较低 很高 有的很高，有的很低 较高 溶解性 相似相溶 难溶于任何溶剂 难溶于常见溶剂 大多易溶于水等极性溶剂 导电、导热性 一般不导电，溶于水后有的导电 一般不具有导电性 电和热的良导体 晶体不导电，水溶液或熔融态导电 物质类别及举例 大多数非金属单质、气态氢化物、酸、非金属氧化物(SiO2除外)、绝大多数有机物(有机盐除外) 部分非金属单质(如金刚石、硅、晶体硼)、部分非金属化合物(如SiC、SiO2) 金属单质与合金(如Na、Al、Fe、青铜) 金属氧化物(如K2O、 Na2O)、强碱 (如KOH、NaOH)、 绝大部分盐(如NaCl) （1）共价晶体一定含有共价键，而分子晶体可能不含共价键。 （2）含阴离子的晶体中一定含有阳离子，但含阳离子的晶体中不一定含阴离子，如金属晶体。 （3）共价晶体的熔点不一定比离子晶体高，如石英的熔点为1710 ℃，MgO的熔点为2852 ℃。 （4）金属晶体的熔点不一定比分子晶体的熔点高，如Na的熔点为97 ℃，尿素的熔点为132.7 ℃。 （5）石墨属于混合型晶体，但因层内原子之间碳碳共价键的键长为1.42×10－10 m，比金刚石中碳碳共价键的键长(1.54×10－10 m)短，所以熔、沸点高于金刚石。 （6）由原子形成的晶体不一定是共价晶体，如由稀有气体原子形成的晶体是分子晶体。 （1）不同类型晶体熔、沸点的比较 ①不同类型晶体的熔、沸点高低一般规律：共价晶体>离子晶体>分子晶体。 ②金属晶体的熔、沸点差别很大，如钨、铂等熔、沸点很高，汞、铯等熔、沸点很低。 （2）同种类型晶体熔、沸点的比较 ①共价晶体 →→→ 如熔点：金刚石>碳化硅>硅。 ②离子晶体 一般地说，阴、阳离子所带的电荷数越多，离子半径越小，则离子间的作用力就越强，其离子晶体的熔、沸点就越高，如熔点：MgO>MgCl2>NaCl>CsCl。衡量离子晶体稳定性的物理量是晶格能。晶格能越大，形成的离子晶体越稳定，熔点越高，硬度越大。 ③分子晶体 a．分子间作用力越大，物质的熔、沸点越高；具有氢键的分子晶体熔、沸点反常地高，如熔、沸点：H2O>H2Te>H2Se>H2S。 b．组成和结构相似的分子晶体，相对分子质量越大，熔、沸点越高，如熔、沸点：SnH4>GeH4>SiH4>CH4。 c．组成和结构不相似的物质(相对分子质量接近)，分子的极性越大，其熔、沸点越高，如熔、沸点：CO>N2，CH3OH>CH3CH3。 d．同分异构体，支链越多，熔、沸点越低，如熔、沸点： ④金属晶体 金属离子半径越小，离子所带电荷数越多，其金属键越强，金属熔、沸点就越高，如熔、沸点：Na＜Mg＜Al。 五．掌握晶体的有关计算 1．确定晶胞中原子坐标与投影图 晶胞中的任意一个原子的中心位置均可用3个分别≤1的数在立体坐标系中表示出来。 注意：在确定各原子的坐标时，要注意x、y、z轴的单位标准不一定相同。 （1）钾型晶胞结构模型的原子坐标与投影图 ①粒子坐标：若1(0，0，0)，3(1，1，0)，5(0，0，1)，则6的原子坐标为(0，1，1)，7为(1，1，1)，9为。 ②x、y平面上的投影图： （2）铜型晶胞结构模型的原子坐标和投影图 ①粒子坐标：若1(0，0，0)，13，12，则15的原子坐标为，11为。 ②x、y平面上的投影图： （3）金刚石晶胞结构模型的原子坐标和投影图 ①若a原子为坐标原点，晶胞边长的单位为1，则原子1、2、3、4的坐标分别为、、、。 ②x、y平面上的投影图： （4）沿体对角线投影 ①钾型晶胞 ②铜型晶胞 2．空间利用率的计算方法 （1）空间利用率：指构成晶体的原子、离子或分子在整个晶体空间中所占有的体积百分比。 空间利用率＝×100%。 （2）空间利用率的计算步骤：首先计算晶胞中的粒子数；再计算晶胞的体积。 如：六方晶胞(如图)。 S＝2r×r＝2r2 h＝r V(球)＝2×πr3 V(晶胞)＝S×2h＝2r2×2×r＝8r3 空间利用率＝×100%＝×100%≈74% （建议用时：40分钟） 1．（2024·吉林·高考真题）某锂离子电池电极材料结构如图。结构1是钴硫化物晶胞的一部分，可代表其组成和结构；晶胞2是充电后的晶胞结构；所有晶胞均为立方晶胞。下列说法错误的是 A．结构1钴硫化物的化学式为 B．晶胞2中S与S的最短距离为 C．晶胞2中距最近的S有4个 D．晶胞2和晶胞3表示同一晶体 【答案】B 【解析】A．由均摊法得，结构1中含有Co的数目为，含有S的数目为，Co与S的原子个数比为9：8，因此结构1的化学式为Co9S8，故A正确； B．由图可知，晶胞2中S与S的最短距离为面对角线的，晶胞边长为a，即S与S的最短距离为：，故B错误； C．如图：，以图中的Li为例，与其最近的S共4个，故C正确； D．如图，当2个晶胞2放在一起时，图中红框截取的部分就是晶胞3，晶胞2和晶胞3表示同一晶体，故D正确； 故选B。 2．（2025·重庆巴蜀中学·月考）二氧化铈()可作脱硝催化剂，其理想晶胞如图甲所示。催化脱硝时，能在和之间改变氧化状态，将氧化为，并引起氧空位的形成，得到新的铈氧化物()。该催化脱硝时可能的变化如图乙所示。 下列有关说法不正确的是 A．理想晶胞中，的配位数为8 B．若理想晶胞边长为，则晶体密度为(其中为阿伏加德罗常数的值) C．中和个数比为 D．每氧化标准状况下气体，则生成 【答案】D 【解析】A．根据理想晶胞图，与距离最近且相等的O2-数为8，的配位数为8，故A正确； B．根据均摊原则，理想晶胞中含有个数为 、O2-个数为8，若理想晶胞边长为，则晶体密度为，故B正确； C．中和个数分别为x和8-x，则4x+3(8-x)=30，x=6，和个数比为，故C正确； D．根据Ce元素守恒8~，生成1mol提供1molO原子，氧化为，每氧化标准状况下气体，需要0.5molO原子，所以生成0.5mol，故D错误； 选D。 3．（2025·安徽·联考）某钾离子电池负极材料的晶胞结构如图1所示，该晶体沿垂直石墨层方向的部分投影如图2所示，下列说法正确的是 A．图1晶胞是一个立方体 B．该负极材料的组成可表示为KC6 C．晶体中与K+紧邻的C的数目为8 D．晶胞底面棱长等于碳碳键长的倍 【答案】D 【解析】A．由图2可知，4个距离最近的钾离子形成的结构棱形，则图1晶胞不是一个立方体，故A错误； B．由图可知，晶胞中位于顶点的钾离子个数为8×=1，位于体内的碳原子个数为8，则负极材料的组成为KC8，故B错误； C．由晶胞结构和图2可知，则晶体中与钾离子紧邻的碳原子的数目为12，故C错误； D．晶胞底面棱长为d、碳碳键长为a，由图可知，棱形的夹角为60º、面对角线为4a，则d=4a×=a，故D正确； 故选D。 4．（2025·西南大学附中·月考）我国科研人员通过注入自旋和电荷调控制备出兼具自旋特性和电荷属性的稀磁半导体(图2)，该材料为(图1)的部分原子被原子取代所得。二者晶胞体积近似相等。下列说法正确的是 A．位于元素周期表ds区 B．图1晶胞的密度为 C．图2晶体中和原子个数最简比为 D．若图1中的分数坐标为，则的分数坐标为 【答案】C 【解析】A．Mn的原子序数为25，为四周期VIIB族元素，位于元素周期表d区，A错误； B．图1晶胞参数为a pm，晶胞中Zn个数为，As个数为4，Li个数为，晶胞的密度为，B错误； C．图2晶胞中Mn和Zn原子的个数分别为、4-，则图2晶体中和原子个数最简比为，C正确； D．图1中A位于体心，若图1中A分数坐标为，B位于体对角线，则B的分数坐标为，D错误； 故答案为：C。 5．（2025·江西·期末月考）Cu2O主要用于制造船底防污漆、杀虫剂，可溶于浓氨水形成无色配离子[Cu(NH3)2]+[铜(I)氨离子]，其在空气中被氧化为蓝色的[Cu(NH3)4]2+(空间结构为平面正方形)。Cu2O的立方晶胞结构如图所示。 已知：①Cu、O的原子半径分别为r1pm、r2pm； ②a、b的原子坐标分别为、； ③Cu2O晶体的密度为，NA是阿伏加德罗常数的值； ④原子空间利用率。 下列说法错误的是 A．Cu2O晶胞中Cu的配位数为2 B．d的原子坐标为 C．[Cu(NH3)4]2+中Cu2+采用的是sp3杂化 D．该晶胞中原子空间利用率为 【答案】C 【解析】A．由晶胞的结构可知，灰色圆球为O，O原子的个数为，白色圆球为Cu，Cu原子的个数为4，由图可知Cu2O晶胞中Cu的配位数为2，A项正确； B．由晶胞的结构可知d点为Cu，Cu与距离最近的O将体对角线分为4份，由此可知，d的原子坐标为，B项正确； C．根据题干信息可知，[Cu(NH3)4]2+为平面正方形结构，则Cu2+采用的是sp2杂化，C项错误； D．晶胞的体积为Vcm3，由晶胞的质量公式可得：，解得，晶胞中铜原子和氧原子的体积之和为，则晶胞中原子的空间利用率为，D项正确； 答案选C。 6．（2025·辽宁点石联考·期中）砷化镓是一种重要的半导体材料，熔点为。它在以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓晶胞结构如图。下列说法正确的是 A．砷化镓是一种离子晶体 B．距离砷原子最近的砷原子数为6 C．若晶胞参数为apm，则Ga原子与As原子的最短距离为 D．晶胞中与Ga等距且最近的As形成的空间结构为正四面体 【答案】D 【解析】A．砷化镓是一种重要的半导体材料，熔点为，熔沸点较高，为共价晶体，A错误； B．由图可知，该晶胞中Ga原子位于顶角和面心，Ga的原子个数为，As位于体内，个数为4，化学式为GaAs，则距离砷原子最近的砷原子数等同于距离镓原子最近的镓原子数，镓原子位于顶角和面心，距离镓原子最近的镓原子数为12，距离砷原子最近的砷原子数为12，故B错误； C．体对角线上的2个Ga原子、2个As原子共线，且Ga、As原子之间的距离最短，该晶胞的体对角线长度为，则Ga原子与As原子的最短距离为，C错误； D．由图可知，面心上的Ga原子与上下两层体内的As等距且最近，形成的空间构型为正四面体，D正确； 答案选D。 7．（2025·长春二中·四调）嫦娥三号卫星上的元件（热敏电阻）的主要成分——钡钛矿的晶胞结构如图所示。若该晶体的密度为，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．位于围成的正八面体的中心 B．周围距离最近的数目为12 C．两个的最短距离为 D．若的分数坐标为，则的分数坐标为 【答案】D 【分析】根据晶胞结构图可知，晶胞中Ti4+位于正方体中心，故每个晶胞中Ti4+个数为1个，Ba2+位于正方体8个顶点，故每个晶胞Ba2+个数为，O2-位于6个面心，每个晶胞中O2-个数为，故钡钛矿每个晶胞中Ba2+、Ti4+、O2-个数比为1∶1∶3，化学式为BaTiO3，其摩尔质量M=233g/mol，晶体的密度为g/cm3，体积V=cm3，其晶胞棱长为，据此解答。 【解析】A．位于6个面心正好可围成正八面体，位于体心，则位于围成的正八面体的中心，A正确； B．位于正方体8个顶点，位于6个面心，一个周围等距的O2-共计个，B正确； C．位于正方体6个面的面心，故两个的最短距离为，即，C正确； D．位于顶点处的分数坐标为，则晶胞的参数为1，位于面心的原子的分数坐标为，D错误； 故选D。 8．（2025·辽宁点石联考·期中）硒化锌()是一种重要的半导体材料，其晶胞结构如图所示，已知该晶体密度为，设阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．位于元素周期表的p区 B．基态原子核外有18种不同空间运动状态的电子 C．该晶胞中与之间的最短距离为 D．若A、C两原子的原子坐标分别为和，则B原子的坐标为 【答案】D 【解析】A．的价层电子排布式为，位于元素周期表的p区，故A正确； B．基态原子核外电子排布式为，电子的空间运动状态数=电子所占原子轨道数，所以基态原子核外有18种不同空间运动状态的电子，故B正确； C．设该晶胞的边长为，该晶胞中，位于晶胞内部的原子个数为4，位于晶胞顶点和面心的原子个数为，则，则晶胞边长为，与之间的最短距离为体对角线的四分之一，故为，故C正确； D．A原子坐标为，由B原子的投影图可知，B原子坐标为，故D错误； 故选D。 9．（2025·湖北·联考）半导体材料砷化镓的晶胞如图所示。下列叙述错误的是 已知：为阿伏加德罗常数的值，砷化镓晶体密度为。 A．基态As原子有3个未成对电子 B．砷化镓的化学式为GaAs C．砷原子的配位数为4 D．xy原子间的距离为 【答案】D 【解析】A．As为33号元素，原子核外有33个电子，核外电子排布式为，因此有3个未成对电子，A正确； B．根据均摊法，晶胞中Ga原子的个数为4，As原子的个数为，所以化学式为GaAs，B正确； C．砷化镓晶胞中与镓原子最近的As原子个数是4个，则配位数为4，C正确； D．假设晶胞参数为apm，由晶胞结构可知，晶胞中x与y原子的最近距离为体对角线的，则最近距离为，晶胞中As和Ga的原子个数均是4个，则砷化镓的密度则，代入可得距离为，D错误； 故选D。 10．（2025·辽宁点石联考·期末）某铁的氧化物立方晶胞如图所示，它由A、B两种单元组成。已知晶胞边长为。 下列有关说法错误的是 A．该晶胞的最简式为 B．A单元沿轴的投影图为 C．中M微粒的原子分数坐标为，则中微粒（即）的原子分数坐标为 D．A单元中相邻间的最近距离为 【答案】C 【解析】A．该晶胞含有4个单元和4个单元，单元化学式为，单元化学式为，1个晶胞中含有24个、32个，最简式为，A正确； B．单元沿轴的投影图为，B正确； C．由立方晶胞结构可知，A、B两种单元的边长相等，中微粒的原子分数坐标为，则中微粒（位于单元体心）的原子分数坐标为，C错误； D．单元的边长为，相邻间的最近距离为单元面对角线的一半，即，D正确； 答案选C。 11．（2025·辽宁大连·期中）砷化镓()的晶胞结构如图甲所示。将掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料，其晶胞结构如图乙所示。下列说法错误的是 A．属于区元素 B．图甲中，原子位于原子构成的正四面体空隙中 C．图甲中，若的键长为，则晶胞边长为 D．稀磁性半导体材料中，、的原子个数比为 【答案】D 【解析】A．位于第四周期ⅤA族，属于区元素，A正确； B．图甲中，原子与周围四个Ga相连，四个Ga构成正四面体结构，As位于原子构成的正四面体空隙中，B正确； C．图甲中，若的键长为，等于晶胞体对角线的四分之一，则晶胞边长为，C正确； D．稀磁性半导体材料中，有4个位于体内，一个位于顶点，一个位于面心，个数为：，、的原子个数比为，D错误； 故选：D。 12．（2025·东北育才学校·三模）一种稀磁半导体晶体的晶胞结构如下（部分原子的分数坐标已给出），有关说法正确的是 A．该晶体属于金属晶体，一定条件下可以导电 B．a处原子的分数坐标为 C．该晶体的化学式为 D．与距离最近且等距的原子有4个 【答案】D 【解析】A．已知该晶体是一种稀磁半导体晶体，不属于金属晶体，A项错误； B．a处原子的分数坐标为，B项错误； C．该晶胞结构中，有个，有个，有个，化学式为，C项错误； D．与Zn距离最近且等距的As原子有4个，分别位于原子所在的侧平面的2条棱上的最近的As原子和该侧平面所属的2个晶胞体内最近的As原子，D项正确； 答案选D。 1．（2025·云南·适应性考试）是一种铁电材料，掺杂可提高其光电转化性能，取代部分后的晶胞结构示意图(氧原子未画出)如下。下列说法错误的是 A．填充在形成的六面体空隙中 B．该晶体的化学式为 C．该晶胞在平面的投影为 D．若p点平移至晶胞体心，则位于晶胞顶点 【答案】D 【解析】A．由图可知，最左/右侧两端，La替代了Bi，Bi在正方体体心，是六面体结构，A正确； B．由均摊法可知，Ti的数目为，Bi的数目为，La的数目为，该晶体的化学式为，B正确； C．该晶胞在平面的投影，棱上为Ti、Bi、La，投在四个角，La、Bi、Ti，投在面心，，C正确； D．若p点平移至晶胞体心，平移后Ti位于晶胞棱上和体内，位置如图，D错误； 故选D。 2．（2025·重庆·质检）一种由三种元素形成的晶体结构的基本单元如图所示。下列说法不正确的是 A．该物质中的化合价为价 B．每个O周围距离相等且最近的有4个 C．通过X射线衍射实验图谱能计算该晶体中离子间的距离 D．该物质的一种晶胞表示方法中，若顶点位置是F，则O仅位于棱心位置 【答案】D 【解析】A．根据均摊法可知，F位于棱上、O位于面上、La位于棱上和体内，故该晶胞中含有F的个数为，含O的个数为，含La的个数为，因此该物质的化学式为LaOF，O为-2价，F为-1价，故La的化合价为+3价，A正确； B．每个O周围距离相等且最近的有两个在棱上，因为面上的O被两个晶胞共用，故O周围距离相等且最近的还有两个在体内，共4个，B正确； C．通过X射线衍射实验图谱能知道晶胞中各离子的位置坐标，根据离子的坐标，可以计算该晶体中离子间的距离，C正确； D．若顶点位置是F，则La位于面上，O位于棱上和体心位置，D错误； 答案选D。 3．（2025·哈尔滨师大附中·期中）GaN是新型半导体材料，该晶体的一种晶胞结构可看作金刚石晶胞(图1)内部的碳原子被N原子替代，顶点和面心的碳原子被Ga原子替代，晶胞参数为anm，沿z轴从上往下俯视的晶胞投影图如图2所示，设阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法正确的是 A．若图2中原子1的分数坐标是则原子4的分数坐标是 B．N的配位数为6 C．晶胞中原子2、5之间的距离为 D．Ga原子位于N原子形成的八面体空隙中 【答案】C 【解析】A．原子1的分数坐标是，原子4则位于晶胞的右前上方的体内，分数坐标为，故A错误； B．由图1可知，体内的为N，N周围相连的Ga原子有4个，配位数为4，故B错误； C．原子2分数坐标为，原子5的分数坐标为，即2和5原子的距离为体对角线的，故两者的距离为，故C正确； D．Ga位于N原子形成的四面体空隙中，故D错误。 答案选C。 4．（2025·黑龙江·一模）某立方晶系的硫锰矿晶胞，沿c轴将原子投影到ab平面，投影图如下(设代表阿伏加德罗常数的值，括号中数据为原子在轴方向的原子坐标)。下列说法错误的是 A．基态的价电子排布式为 B．晶体中S的配位数是6 C．位于晶胞的顶角和面心 D．若晶体密度为，则最近的两个硫原子之间的距离为 【答案】B 【分析】 根据图中信息可知，该硫锰矿的晶胞结构为，每个晶胞中S原子数为4，Mn原子数为4，以此解题。 【解析】A．锰是25号元素，其价电子排布式为，A正确； B．结合分析可知，晶体中S的配位数是4，B错误； C．结合分析可知，位于晶胞的顶角和面心，C正确； D．结合分析可知，两个硫原子之间的距离为面对角线的一半，若晶体密度为，则最近的两个硫原子之间的距离为，D正确； 故选B。 5．（2025·辽宁省实验中学·期末）CdTe的晶胞属立方晶系，晶胞参数如图1所示。下列说法错误的是 A．已知原子M的坐标为(0，0，0)，则原子N的坐标为 B．该晶胞在面ABCD上的投影如图2所示，则代表Te原子的位置是9，10，11 C．晶胞中原子6和11之间的距离为 D．距离最近的原子有12个 【答案】B 【解析】A．由图可知，原子M为坐标原点，原子N为上层的晶胞正四面体的中心，在x轴上位移为，在y轴上位移为，在z轴上位移为，则原子N的坐标为(,,)，故A正确； B．如果沿晶胞面对角线方向上的投影如图2，则球6为原子C，球11为与原子M相接的Te原子，球7为上层的另一个Te原子，球8为原子N即Te原子，球9为左侧面心的Cd原子，球10为右侧面心的Cd原子，则代表Te原子的位置有7、8、11；故B错误； C．另作图（如下），则A为6号原子，AB的长度即是6号原子与11号原子的距离，C为B原子在底面的投影，落在面对角线处，BC的长度即为晶胞边长的，即为apm，CD的距离为面对角线的，即为，AD的长度为面对角线的一半，即为，根据勾股定理，AC的长度的平方为=，AB的长度为=，；故C正确； D．位于晶胞的顶点和面心位置，距离最近的原子有12个，故D正确； 答案选B。 6．（2025·北京二中·月考）某镁镍合金储氢后所得晶体的立方晶胞如图，晶胞边长为位于相邻4个所围合的正四面体的体心。下列说法不正确的是 A．储氢过程中被还原 B．晶体的化学式为 C．每个周围有12个紧邻的H D．与的原子核间距为 【答案】D 【解析】A．根据题中晶胞结构可知，H2被吸收后时与Ni结合，而Ni为金属元素，只能为正价，因此H2中氢元素的化合价降低，即H2被还原，故A正确； B．由题干晶胞示意图可知，一个晶胞中Ni的个数为8×+6×=4，每个Ni原子周围有6个H，因此H有24个，Mg都在体内，因此Mg有8个，晶体的化学式为Mg2NiH6，故B正确； C．由题干晶胞示意图可知，Mg均处于晶胞的体内，则如图所示，，取一个Mg观察可知，与之最近的有4个，但是由于方向问题，中只有朝向Mg的与之距离才是最近，因此每个中只有三个H与Mg最近，因此共有12个与之紧邻的H，故C正确； D．由图像可知，晶胞中最近的Mg和Ni分别位于晶胞内和顶点上，即，因此距离为体对角线的四分之一，即apm，故D错误； 故答案选D。 1 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$