内容正文:
热点题型07 晶胞计算
一、晶体中微粒数或化学式的计算
1.晶胞中微粒数目的计算方法——均摊法
(1)原则:晶胞中任意位置上的一个原子如果是被n个晶胞所共有,那么,每个晶胞对这个原子分得的份额就是。
(2)方法
A.长方体(包括立方体)晶胞中不同位置的微粒数的计算方法如图所示:
B.非长方体晶胞中粒子视具体情况而定:
a.三棱柱 b.六棱柱
熟记几种常见的晶胞结构及晶胞含有的粒子数目。当题中信息给出的某种晶胞空间结构与常见晶胞的空间结构相同时,可以直接套用该种结构。A.NaCl(含4个Na,4个Cl-)
B.干冰(含4个CO2)
C.CaF2(含4个Ca2+,8个F-)
D.金刚石(含8个C)
E.体心立方(含2个原子)
F.面心立方(含4个原子)
2.“均摊法”在晶胞组成计算中的应用
(1)计算一个晶胞中微粒的数目
非平行六面体形晶胞中微粒数目的计算同样可用“均摊法”,其关键仍是确定一个微粒为几个晶胞所共有。例如,石墨晶胞:
每一层内碳原子排成六边形,其顶点(1个碳原子)对六边形的贡献为,那么一个六边形实际有6×=2个碳原子。
又如,六棱柱晶胞(MgB2晶胞)如图: 。顶点上的原子为6个晶胞(同层3个,上层或下层3个)共有,面上的原子为2个晶胞共有,因此镁原子个数为12×+2×=3个,硼原子个数为6。
(2)计算化学式
(3)①单位换算:1 nm=10-7 cm、1 pm=10-10 cm
②金属晶体中体心立方、面心立方堆积中的几组公式(设棱长为a)
a.面对角线长:a b.体对角线长:a c.体心立方堆积:4r=a(r为原子半径)
d.面心立方堆积:4r=a(r为原子半径)
3.常见的晶胞结构及晶胞含有的粒子数目
(1)分子晶体和原子晶体
物质
晶胞结构
所含微粒数目
干冰
4个CO2分子
金刚石或晶体硅
8个碳原子或硅原子
(2)离子晶体
晶体类型
晶胞类型
晶胞结构示意图
配位数
紧邻等距相同离子
每个晶胞含有离子数
AB
NaCl
Na+:6
Cl-:6
Na+:12
Cl-:12
Na+:4
Cl-:4
CsCl
Cs+:8
Cl-:8
Cs+:6
Cl-:6
Cs+:1
Cl-:1
AB2
CaF2
Ca2+:8
F-:4
—
Ca2+:4
F-:8
(3)金属晶体
堆积模型
晶胞类型
空间利用率
配位数
简单立方堆积
立方体
52%
6
体心立方堆积
体心立方
68%
8
六方最密堆积
平行六面体
74%
12
面心立方最密堆积
面心立方
74%
12
4.晶体化学式的确定
晶体的化学式表示的是晶体(也可以说是晶胞)中各类原子或离子数目的最简整数比
团簇分子或纳米颗粒与晶胞不同,这两类物质是独立的分子,所有原子均为该分子所有。与晶体中多个晶胞共用原子不相同
二、晶胞中的原子坐标
1.原子分数坐标
原子分数坐标概念:原子分数坐标参数表示晶胞内部各原子的相对位置。
2.原子分数坐标的确定方法
(1)依据已知原子的分数坐标确定坐标系取向和坐标原点。
(2)一般以坐标轴所在立体图形的棱长为1个单位(长、宽、高可以不同,但都为1个单位)。
(3)从原子所在位置分别向x、y、z轴作垂线,所得坐标轴上的截距即为该原子的分数坐标。
以立方体的三个棱延长线构建坐标轴,以晶胞边长为1个单位长度,O为坐标原点,其分数坐标规定为(0,0,0)、A的坐标为(1,0,0)、B的坐标为(1,1,0)、C的坐标为(1,1,1)。
3.常见坐标系的构建
(1)立方晶胞坐标系建立方法
“立方晶胞”x轴、y轴、z轴均以晶胞参数长度为1个单位。
1 简单立方晶胞
1点坐标(0,0,0);2点坐标(0,1,0);3点坐标(1,1,0);4点坐标(1,0,0);5点坐标(0,0,1);6点坐标(0,1,1);7点坐标(1,1,1);8点坐标(1,0,1)。
②体心立方晶胞如图 体心坐标为(,,)
③面心立方晶胞如图 面心坐标为1/2
1点坐标(0,1/2,1/2);2点坐标(1/2,1/2,1);
3点坐标(1/2,1,1/2);4点坐标(1,1/2,1/2);
5点坐标(1/2,0,1/2);6点坐标(1/2,1/2,0)。
④金刚石体内心坐标:1/4或3/4
左上、左下、右上、右下的坐标为:(1/4,3/4,3/4)、(1/4,1/4,1/4)、(3/4,1/4,3/4)、(3/4,3/4,1/4)
⑤棱心坐标:有一个1/2,其余为0或1
1点坐标(1/2,0,1);2点坐标(0,1/2,1);3点坐标(1/2,1,1);4点坐标(1,1/2,1);5点坐标(1/2,0,0);6点坐标(0,1/2,0);7点坐标(1/2,1,0);8点坐标(1,1/2,0)
(2)拉长的晶胞坐标系建立方法
“拉长的晶胞”x轴:a pm为1个单位,y轴:a pm为1个单位,z轴:2a pm为1个单位。
三、晶体密度的相关计算
1.晶体密度的计算
(1)计算晶胞的质量,进而计算晶体的密度
计算公式:ρ=。
式中N与晶胞的组成有关,M为晶体的摩尔质量,NA为阿伏加德罗常数的值,V为晶胞的体积,其单位为cm3,ρ为晶体的密度,其单位为g·cm-3。
四、晶胞利用率的计算
空间利用率(η)
(1)概念:指构成晶体的原子、离子或分子总体积在整个晶体空间中所占有的体积百分比。
(2)金属晶体空间利用率
空间利用率=×100%,球体积为金属原子的总体积。
(3)空间利用率的计算
①简单立方堆积
设原子半径为R,由于原子在晶胞棱的方向上相切,可以计算出晶胞参数:a=b=c=2R,α=β=γ=90°。每个晶胞中包含一个原子。
η=×100%=×100%≈52.36%。
②体心立方堆积
设原子半径为R,由于原子在晶胞体对角线方向上相切,可以计算出晶胞参数:a=b=c=R,α=β=γ=90°。每个晶胞中包含两个原子。
η=×100%=×100%≈68.02%。
③面心立方最密堆积
设原子半径为R,由于原子在晶胞面对角线方向上相切,可以计算出晶胞参数:a=b=c=2R,α=β=γ=90°。每个晶胞中包含四个原子。
η=×100%=×100%≈74.05%。
④六方最密堆积
设原子半径为R,根据原子在晶胞中的相切关系,可以计算出晶胞参数:a=b=2R,c=a≈1.633a,α=β=90°,γ=120°。每个晶胞中包含两个原子。
η=×100%=×100%≈74.05%。
⑤金刚石型堆积
设原子半径为R,由于原子在晶胞体对角线方向上相切(相邻两个碳原子之间的距离为晶胞体对角线的四分之一),可以计算出晶胞参数:a=b=c=R,α=β=γ=90°。每个晶胞中包含八个原子。
η=×100%=×100%≈34.01%。
五、晶胞中特定位置微粒间距的计算
1.常见晶胞所含微粒的数目(n),晶胞边长(a)与原子半径(r)的关系
晶胞
模型
粒子数(n)
a与r的关系
简单
立方
1
a=2r
体心
立方
2
面心
立方
4
2.金属晶体中体心立方堆积、面心立方最密堆积中的几组公式(设棱长为a)
(1)面对角线长=a。
(2)体对角线长=a。
(3)体心立方堆积4r=a(r为原子半径)。
(4)面心立方最密堆积4r=a(r为原子半径)。
(5)晶体微粒与M、ρ之间的关系
若1个晶胞中含有x个微粒,则1 mol该晶胞中含有x mol微粒,其质量为xM g(M为微粒的相对“分子”质量);1个晶胞的质量为ρa3 g(a3为晶胞的体积),则
1 mol晶胞的质量为ρa3 NA g,因此有xM=ρa3NA。
(6)计算晶胞中微粒间的距离或晶胞参数
立方晶胞参数a=。
(7)长度算关系式:1 nm=1×10-7 cm;1 pm=1×10-10 cm
六、晶胞中投影问题
1.概念:用一组光线将物体的形状投射到一个平面上去,称为投影。在该平面上得到的图像,也称为投影。
2.分类:
(1)正投影:投射线的中心线垂直于投影的平面。
(2)斜投影:投射线的中心线不垂直于投影的平面。
3.常见晶胞结构模型图的坐标轴方向(俯视图)和对角线方向投影图总结
(1)体心立方晶胞
体心立方晶胞 俯视图 对角线方向投影图
俯视图:8个顶点投影在正方形4个顶点上(上下两个黑球两两重合),体心投影在正方形中心。
对角线方向投影图:6个顶点投影在正六边形顶点上,另外2个顶点和体心重叠在正六边形中心。
(2)面心立方晶胞
面心立方晶胞 俯视图 对角线方向投影图
俯视图:8个顶点投影在正方形4个顶点上,前后左右4个面心投影在正方形4个边的中点,上下2个面心投影在正方形中心。
对角线方向投影图:6个顶点投影在大正六边形顶点上,6个面心投影在小正六边形顶点上,另外2个顶点重叠在正六边形中心。
(3)金刚石晶胞
金刚石晶胞 俯视图 对角线方向投影图
俯视图:8个顶点投影在正方形4个顶点上,前后左右4个面心投影在正方形4个边的中点,上下2个面心投影在正方形中心,左上右上左下右下四个小体心投影在4个小正方形中心。
对角线方向投影图:6个顶点投影在大正六边形顶点上,3个面心和3个小体心(另3个面心在3个小体心背后遮挡)投影在小正六边形顶点上,另外2个顶点和1个小体心重叠在正六边形中心。
4.晶胞投影图
(1)简单立方模型投影图
x、y平面上的投影图:
(2)体心立方模型投影图
x、y平面上的投影图:
(3)面心立方模型投影图
x、y平面上的投影图:
(4)金刚石晶胞模型投影图
x、y平面上的投影图:
(5)沿体对角线投影(以体心立方和面心立方为例)
(1)体心立方堆积
(2)面心立方最密堆积
5.几种常见的典型晶胞在不同情况下的投影,如
晶胞类型
三维图
二维图
正视图
沿体对角线切开的剖面图
沿体对角线的投影
简单立方堆积
体心立方堆积
面心立方堆积
晶胞
金刚石晶胞
或
晶胞
七、晶胞中的配位数的计算
1.概念:在晶体中某一个原子(离子)周围所接触到的同种原子(异性离子)的数目。如NaCl的晶胞模型如图,Na+配位数为6,Cl-配位数为6。
金属Po为简单立方堆积,Po的配位数为6
金属Na、K、Fe为体心立方堆积,配位数为8
2.晶胞中微粒配位数的确定方法
(建议用时:40分钟)
考向01 晶体中微粒数或化学式的计算
1.(2025·四川自贡·一模)氢气的安全贮存和运输是氢能应用的关键,铁镁合金是已发现的储氢密度最高的储氢材料之一,若该晶胞边长为dnm,其晶胞结构如图所示。下列说法正确的是
A.铁镁合金的化学式为Mg8Fe4
B.Fe原子与最近的Mg原子的距离是
C.若该晶体储氢时,H2填充在Fe原子组成的八面体空隙中心位置,则含Mg 96g的该储氢合金可储存标准状况下H2的体积约为22.4L
D.若NA为阿伏加德罗常数的值,则该合金的密度为
【答案】D
【解析】A.在晶胞中,Fe原子位于顶点和面心,个数为:8×+6×=4,Mg原子在晶胞内,个数为8,Mg:Fe=4:8=1:2,铁镁合金的化学式为Mg2Fe,A错误;
B.由题干晶胞示意图可知,Fe原子与最近的Mg原子的距离是晶胞的体对角线的,即,B错误;
C.晶胞中Mg原子为8,若该晶体储氢时,H2填充在Fe原子组成的八面体空隙中心位置,相当于H2分子位于体心和棱心上,则H2为1+12×=4,96gMg物质的量为4mol,储存的H2物质的量为2mol,在标准状况下,体积为2mol×22.4L/mol=44.8L,C错误;
D.由A项分析可知,晶胞质量为,晶胞体积为(d×10-7)3cm3,该合金的密度ρ===,D正确;
故答案为:D。
2.(2025·全国·模拟预测)金铜合金在低于395℃时形成图a所示的晶胞结构,在低于380℃时形成图b所示的晶胞结构,晶胞参数均为a nm,设为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是
A.图a中
B.图b所示晶胞对应合金的化学式为Cu2Au
C.图a、b中与Cu距离最近且相等的Au的数目均为4
D.图b晶体的密度为
【答案】D
【解析】A.题图a晶胞中含有的Au原子的数目为,Cu原子的数目为,则题图a中晶胞的化学式为Cu3Au,根据,可得,A错误;
B.题图b晶胞中含有的Au原子的数目为,Cu原子的数目为,原子个数之比为,则题图b晶胞的化学式为CuAu,B错误;
C.题图a中与Cu距离最近且相等的Au的数目为4,题图b中与Cu距离最近且相等的Au的数目为8,C错误;
D.题图b晶体的密度,D正确;
故答案为:D。
3.(2025·全国·模拟预测)钛具有十分优异的性能,因而得到了广泛应用。其应用领域主要有航空航天、舰船制造等。钛晶体的堆积方式属于密堆积,晶胞结构及参数如图所示。下列说法错误的是
A.晶胞中含2个Ti B.钛原子的配位数为12
C.沿z轴的投影图为 D.
【答案】C
【解析】A.由题图可知,晶胞中含个Ti,A正确;
B.由题给钛晶体为密堆积和晶胞图可知,钛原子的配位数为12,B正确;
C.由题图可知,晶胞内的Ti原子不位于体心,则沿z轴的投影图应为,C错误;
D.晶胞中四个相邻的Ti形成正四面体,为正四面体顶点到底面的距离,可得如图:,由几何关系可算得:,D正确;
故选C。
考向02 晶胞中的原子坐标
1.(2025·湖北·阶段练习)半导体光催化可以将太阳能直接转化为化学能,在解决能源危机方面具有广阔的发展前景。硫化镉是一种新型半导体材料,其晶胞的结构如图所示。已知该晶胞参数为a pm,以晶胞参数建立分数坐标系,1号原子的坐标为,3号原子的坐标为,下列说法错误的是。
A.的配位数为4
B.2号原子的坐标为
C.与之间最近的距离
D.设为阿伏加德罗常数的值,该晶体的密度为
【答案】D
【解析】A.一个周围等距离且最近的有4个,所以的配位数为4,故A正确;
B.根据1号原子的坐标为和3号原子的坐标为,可知2号原子的坐标为,故B正确;
C.与之间最近的距离为晶胞体对角线的四分之一,故为,故C正确;
D.晶胞中位于顶点和面心,个数为:,位于体内有4个,所以晶体的密度为,故D错误;
故选:D。
2.(2025·黑龙江哈尔滨·期中)GaN是新型半导体材料,该晶体的一种晶胞结构可看作金刚石晶胞(图1)内部的碳原子被N原子替代,顶点和面心的碳原子被Ga原子替代,晶胞参数为anm,沿z轴从上往下俯视的晶胞投影图如图2所示,设阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法正确的是
A.若图2中原子1的分数坐标是则原子4的分数坐标是
B.N的配位数为6
C.晶胞中原子2、5之间的距离为
D.Ga原子位于N原子形成的八面体空隙中
【答案】C
【解析】A.原子1的分数坐标是,原子4则位于晶胞的右前上方的体内,分数坐标为,故A错误;
B.由图1可知,体内的为N,N周围相连的Ga原子有4个,配位数为4,故B错误;
C.原子2分数坐标为,原子5的分数坐标为,即2和5原子的距离为体对角线的,故两者的距离为,故C正确;
D.Ga位于N原子形成的四面体空隙中,故D错误。
答案选C。
3.(2025·湖南长沙·阶段练习)硫化汞的立方晶系型晶胞如图所示,晶胞参数为,P原子的分数坐标为,阿伏加德罗常数的值用表示。下列说法正确的是
A.基态S原子核外有4个未成对电子 B.M原子的分数坐标为
C.晶体密度 D.S与之间的最短距离为
【答案】D
【解析】A.S为16号元素,基态原子的价电子排布为,核外未成对电子数为2,A错误;
B.由P原子的分数坐标为,结合投影图知,晶胞中M原子的分数坐标为,B错误;
C.由晶胞图知,位于顶点和面心,共有个,S位于晶胞体内,共有4个,则晶体密度为,C错误;
D.由晶胞图知,S与之间的最短距离为体对角线的四分之一,即为,D正确;
故答案:D。
考向03 晶体密度的相关计算
1.(2025·河南·阶段练习)硒化锌的晶胞结构如图I所示,晶胞参数为,A点的分数坐标为,C点的分数坐标为,该晶胞沿z轴方向在xy平面的投影如图Ⅱ所示,为阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是
A.硒化锌的密度为 B.Se原子的配位数为4
C.B点的分数坐标为 D.Zn与Zn之间的最近距离为
【答案】D
【解析】A.由晶胞结构可知,晶胞中位于体内的锌原子个数为4,位于顶点和面心的硒原子个数为8×+6×=4,设晶体的密度为dg/cm3,由晶胞的质量公式可得:=(10—10 a)3d,解得d=,故A正确;
B.由晶胞结构可知,晶胞中与锌原子距离最近的硒原子个数为4,则锌原子的配位数为4,由硒化锌的化学式为ZnSe可知,硒原子的配位数也为4,故B正确;
C.由位于顶点的A、C的分数坐标为、可知,晶胞的边长为1,则位于体对角线处B的分数坐标为,故C正确;
D.若把图I所示的晶胞切分为八个小正方体,距离最近的两个锌原子在同一层对角相邻的两个小正方体的中心,其距离为晶胞每个面对角线的,则最近的两个锌原子的距离为,故D错误;
故选D。
2.(2025·全国·模拟预测)方解石的六方晶胞结构如下:
设为阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是
A.的空间结构为平面三角形 B.晶体中存在离子键、大π键
C.方解石的化学式为CaCO3 D.晶体密度为
【答案】D
【解析】A.中,C原子孤电子对数,连接原子数为3,价层电子对数为3,的空间结构为平面三角形,A正确;
B.该晶体中,与之间的作用力为离子键,为平面结构,存在大π键,B正确;
C.,则,方解石的化学式为CaCO3,C正确;
D.晶胞的质量,晶胞体积,晶体密度,D错误;
故选:D。
3.(2025·湖北·阶段练习)铁的一种硫化物的晶胞如下图。已知晶胞的边长为n pm,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是。
A.的配位数为6 B.在中,
C.ef的距离为 D.该晶体的密度为
【答案】D
【分析】在晶胞中,含Fe2+的数目为=4,含的数目为=4,则硫化物的化学式为FeS2。
【解析】A.晶胞中,体心Fe2+周围距离最近且相等的(上下左右前后的面心)有6个,则Fe2+的配位数为6,A正确;
B.由分析可知,硫化物的化学式为FeS2,则在中,(+2)+(-x)=0,,B正确;
C.在晶胞中,ed间的距离为pm,df间的距离为pm,则ef的距离为pm=,C正确;
D.该晶体的密度为=,D不正确;
故选D。
考向04 晶胞利用率的计算
1.(2025·重庆·阶段练习)的晶胞结构如图所示,已知该晶胞的密度为,阿伏加德罗常数的值为,的相对分子质量为M,Ti和O原子半径分别为x和y(单位:pm),则晶胞中原子的空间利用率为 (列出计算表达式)。(空间利用率=)
【答案】
【解析】由晶胞结构图,晶胞中Ti位于定点和体心,个数为+1=2,O位于体内和上下底面,个数为+2=4,由晶胞密度为ρg⋅cm−3,,解得V晶胞=,晶胞中均摊有2个Ti原子和4个O原子,总体积为V=,故晶胞中原子的空间利用率为。
2.(2025·重庆沙坪坝·阶段练习)金属镍的晶胞结构如图(a)所示,晶胞中镍原子可看作刚性圆球,位于面对角线上的镍原子彼此相切如图(b)所示。晶胞中,每个Ni原子周围紧邻的Ni原子数为 ;若Ni的原子半径为,晶胞中Ni原子空间利用率的计算表达式为 (空间利用率)。
【答案】 12
【解析】晶胞中,根据均摊原则,每个Ni原子周围紧邻的Ni原子数为;设晶胞的边长为,若Ni的原子半径为,则,则,晶胞中所含Ni原子个数为,则晶胞中Ni原子空间利用率的计算表达式为。
3.(2025·四川绵阳·期中)铁存在三种类型的晶胞
①体心立方的空间利用率 ;
②计算三种晶体的密度之比为 。
【答案】
68% 34:37:26
【解析】
①体心立方堆积方式,8个原子在顶点位置,1个在体心位置,设晶胞参数为a,原子半径为r,则有,,晶胞中有两个原子,两个原子的体积为,晶胞的体积为,则体心立方的空间利用率为,故答案为:68%;
②晶体的密度之比等于空间利用率之比,体心立方的空间利用率为68%,面心立方的空间利用率为74%,简单立方的空间利用率为52%,则三种晶体的密度之比为68%:74%:52%=34:37:26,故答案为:34:37:26。
考向05 晶胞中特定位置微粒间距的计算
1.(2025·广西·模拟预测)合成某种脱氢催化剂的主要成分之一为立方ZnO,其晶胞结构如图,已知晶体密度为,a的分数坐标为,设阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是
A.与最近的有12个
B.若以为顶点重新取晶胞,位于晶胞的面心和体心
C.之间的最短距离为
D.b的分数坐标为
【答案】B
【解析】A.顶点上的与3个面心上的最近,顶点上的被八个晶胞共用,每个晶胞有三个面心上的与顶点上的最近,面心上的被两个晶胞共用,所以与最近的为有3×8÷2=12个,故A正确;
B.若以为顶点重新取晶胞,根据晶胞均摊锌一个晶胞中个数8×1/8=1个,若位于晶胞的面心和体心个数为6×1/2+1=4,和个数比不是1:1,故B错误;
C.晶胞内部下方的两个距离最近,是晶胞下表面对角线的1/2,根据晶胞均摊计算可得,该晶胞含有8×1/8+6×1/2=4个,晶胞的边长为,晶胞下表面对角线为,下方的两个距离最近,故C正确;
D.a点的坐标为,b点在一个顶点三个面心上构成的四面体中心,的b点在x轴的1/4处,在y轴的3/4处,z轴的3/4处,b的分数坐标为,故D正确;
故选:B。
2.(2025·重庆·期中)某含钙化合物的晶胞结构如图甲所示,沿x轴方向的投影为图乙,晶胞底面显示为图丙,晶胞参数,。已知该含钙化合物的摩尔质量为,阿伏加德罗常数的值是。下列说法正确的是
A.元素电负性:
B.该含钙化合物的化学式是
C.晶体密度的计算式为
D.图丙中和N的间距为
【答案】C
【解析】A.元素非金属性越强,电负性越大,N的电负性大于B,故A错误;
B.由均推法可知,晶胞中Ca的数目为,N的数目为,B的数目为,则该含钙化合物的化学式为,故B错误;
C.的摩尔质量为M,阿伏加德罗常数的值是,晶胞体积为,则晶体的密度,故C正确;
D.图丙中,Ca位于正方形顶点,N位于正方形中心,故Ca与N的距离为正方形对角线的一半:,故D错误;
故选C。
3.(2025·湖北·阶段练习)半导体材料砷化镓的晶胞如图所示。下列叙述错误的是
已知:为阿伏加德罗常数的值,砷化镓晶体密度为。
A.基态As原子有3个未成对电子 B.砷化镓的化学式为GaAs
C.砷原子的配位数为4 D.xy原子间的距离为
【答案】D
【解析】A.As为33号元素,原子核外有33个电子,核外电子排布式为,因此有3个未成对电子,A正确;
B.根据均摊法,晶胞中Ga原子的个数为4,As原子的个数为,所以化学式为GaAs,B正确;
C.砷化镓晶胞中与镓原子最近的As原子个数是4个,则配位数为4,C正确;
D.假设晶胞参数为apm,由晶胞结构可知,晶胞中x与y原子的最近距离为体对角线的,则最近距离为,晶胞中As和Ga的原子个数均是4个,则砷化镓的密度则,代入可得距离为,D错误;
故选D。
考向06 晶胞中投影问题
1.(2025·广西河池·阶段练习)硒化锌是一种重要的半导体材料,其立方晶胞结构如图甲所示。已知晶胞参数为,图乙为晶胞沿z轴的俯视图,a点的原子分数坐标为。
下列说法错误的是
A.基态原子核外电子排布式: B.晶体中,与最近的原子有12个
C.晶胞中d点的原子分数坐标为 D.相邻两个原子间的最短距离为
【答案】C
【解析】A.Zn的原子序数为30,基态Zn原子的核外电子排布式为[Ar]3d104s2,A正确;
B.由图甲可知Se位于晶胞的顶点和面心上,故晶体中每个Se周围紧邻且距离相等(即最近)的Se共有12个,B正确;
C.根据晶胞结构示意图和俯视图可知,若将该晶胞均分为8个小立方体,则d点位于晶胞的右下后方小立方体的体心,结合a点的坐标可知,d点的坐标为(),C错误;
D.根据图乙可知,晶体中相邻两个Zn原子间的最短距离为面对角线长度的一半,即,D正确;
答案选C。
2.(2025·江西赣州·期中)金属铜晶胞沿体对角线方向投影如图所示,下列有关说法正确的是
A.1号原子的分数坐标可为
B.2号原子处于棱中心
C.1、2号原子的距离为
D.晶体密度的计算式为
【答案】A
【解析】A.金属铜为面心立方最密堆积,1号原子处于晶体对角的两个顶角,分数坐标为,A正确;
B.2号原子处于晶体的面中心,不是棱中心,B错误;
C.1、2号原子的距离为面对角线的一半,即,C错误;
D.晶胞所含铜原子数为4,晶体密度=,D错误;
答案选A。
3.(2025·湖南长沙·阶段练习)Cu的化合物种类繁多,在人类的生产生活中有着广泛的应用,实验测得一种Cu与Br形成的化合物沸点为1345℃,晶胞结构如图所示(晶胞的密度为ρ g·cm-3,设NA为阿伏加德罗常数的值)。下列说法正确的是
A.该化合物为共价晶体,其化学式为CuBr2
B.晶体中与Br最近且距离相等的Br有6个
C.Cu与Br之间的最短距离为
D.该晶胞沿z轴方向上的投影图为
【答案】C
【解析】A.根据均摊法可知,晶胞中白球和黑球的数目均为4,故化学式为CuBr,且溴化亚铜为离子晶体,A项错误;
B.由图可知,晶胞平移后,溴位于晶胞顶角,其周围最近且距离相等的溴位于面心,有12个,B项错误;
C.晶胞的质量为,设晶胞参数为a cm,则晶体的密度为,,Cu与Br之间的最短距离为体对角线长的,即Cu与Br之间的最短距离为,C项正确;
D.该晶胞沿z轴方向上的投影图为,D项错误;
答案选C。
考向07 晶胞中的配位数
1.(2025·河北石家庄·阶段练习)嫦娥三号卫星上的PIC元件(热敏电阻)的主要成分——钡钛矿的晶胞结构如图所示。若该晶体的密度为ρg/cm3,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是
A.Ti4+位于O2-围成的正八面体的中心
B.Ba2+周围距离最近的O2-数目为12
C.两个O2-的最短距离为cm
D.Ba2+与Ti4+之间的最短距离为×10-10pm
【答案】D
【分析】根据晶胞结构图可知,晶胞中Ti4+位于正方体中心,故每个晶胞中Ti4+个数为1个,Ba2+位于正方体8个顶点,故每个晶胞Ba2+个数为,O2-位于6个面心,每个晶胞中O2-个数为,故钡钛矿每个晶胞中Ba2+、Ti4+、O2-个数比为1∶1∶3,化学式可简写为BaTiO3,其摩尔质量M=233g/mol,晶体的密度为g/cm3,体积V=cm3,其晶胞边长为,据此解答。
【解析】A.O2-位于6个面心正好可围成正八面体,Ti4+位于体心,则Ti4+位于O2-围成的正八面体的中心,A正确;
B.Ba2+位于正方体8个顶点,O2-位于6个面心,一个Ba2+周围等距的O2-共计个,B正确;
C.O2-位于正方体6个面的面心,故两个O2-的最短距离为,即,C正确;
D.Ba2+位于正方体顶点,Ti4+位于体心,则Ba2+与Ti4+的最短距离为,即=,D错误;
故选D。
2.(2025·广西·阶段练习)已知:金晶胞为立方晶胞,晶胞结构如图所示。设晶胞边长为,为阿伏加德罗常数的值。下列叙述正确的是
A.每个晶胞含14个Au B.Au的配位数为8
C.两个Au的最近距离为 D.晶体密度为
【答案】D
【解析】A.根据均摊法可知每个晶胞中含Au原子个数为,A错误;
B.以面心原子为观察对象,距离其最近且等距的Au原子位于顶点和面心,共12个,则Au原子的配位数为12,B错误;
C.立方晶胞中,位于面对角线上的3个原子相切,2个原子的最近距离为,C错误;
D.由晶胞的结构可知Au位于顶点和面心,个数为,晶胞的质量为,体积为a3×10-21cm3,晶胞密度为:,D正确;
故选:D。
3.(2025·云南昆明·阶段练习)氧化铈(CeO2)是一种重要的催化剂,在其立方晶胞中掺杂Y2O3,Y3+占据原来Ce4+的位置,可以得到更稳定的结构(过程如下图),这种稳定的结构使得氧化铈具有许多独特的性能。下列说法正确的是
[已知:O2-的空缺率=×100%]
A.CeO2晶胞中Ce4+的配位数为6
B.若CeO2晶胞中两个Ce4+间的最小距离为apm,则Ce4+与O2-的最小核间距为pm
C.已知M点原子的分数坐标为(0,0,0),则N点原子的分数坐标为(,,)
D.若掺杂Y2O3后得到n(CeO2):n(Y2O3)=3:1的晶体,则此晶体中O2-的空缺率为10%
【答案】D
【解析】A.据图分析,O2-的配位数为4,根据CeO2的化学式可知Ce4+的配位数为8,故A错误;
B.由晶胞结构示意图可知,CeO2晶胞中两个Ce4+间的最小距离应为面对角线的二分之一,由此可得晶胞参数为apm,Ce4+与O2-的最小核间距离为晶胞体对角线长的,即为pm,B错误;
C.根据晶胞中N点的位置可以看出,N点原子的分数坐标为(,,),C错误;
D.氧化铈(CeO2)晶胞中掺杂Y2O3,Y3+占据原来Ce4+的位置,未掺杂之前,每个晶胞中有4个Ce,8个O,若掺杂Y2O3后得到n(CeO2):n(Y2O3)=3:1的晶体,每个晶胞中Ce和Y共4个时,分别含有2.4个Ce4+和1.6个Y3+,则含有2.4×2+0.8×3=7.2个O2-,则此晶体中O2-的空缺率为×100%=10%,D正确;
选D
1.(2025·陕西·一模)磷化硼是一种半导体材料,其晶胞结构如下图所示。已知阿伏加德罗常数的值为NA,下列说法错误的是
A.晶胞结构中,硼原子的配位数为4
B.磷化硼为分子晶体
C.硼原子与磷原子间的最短距离为nm
D.磷化硼晶体g·cm-3
【答案】B
【解析】A.根据磷化硼的晶胞结构图可知,每个B原子与4个P原子形成4个共价键,故晶胞结构中,硼原子的配位数为4,A项正确;
B.磷化硼是一种半导体材料,其晶体的微观空间里没有分子,不是分子晶体,而是共价晶体,B项错误;
C.晶胞中P原子和B原子之间最短的距离为体对角线长度的,而体对角线长度等于晶胞棱长的倍,则P原子与B原子的最短距离为nm,C项正确;
D.根据磷化硼的晶胞结构图可知,该晶胞中B原子位于立方体内,个数为4,P原子位于顶点和面心,个数为8×+6×=4,则磷化硼的化学式为BP,晶胞质量为g,晶胞体积为(a×10-7)3cm3,晶胞密度g·cm-3,D项正确;
答案选B。
2.(2025·黑龙江大庆·期中)砷化镓(GaAs)的晶胞结构如左图所示。将Mn参杂到晶体中得到稀磁性半导体材料,其晶胞结构如右图所示。下列说法错误的是
A.左图中,与Ga原子直接连接的As原子构成的几何形状为正四面体形
B.1 molGaAs晶体中的配位键数目为NA
C.左图中,若Ga-As键的键长为a pm,则晶胞边长为
D.稀磁性半导体材料中,Mn、As的原子个数比为1:2
【答案】D
【解析】A.与Ga原子直接连接的As原子有4个,这四个As原子构成的几何形状为正四面体形,A正确;
B.在GaAs晶体中,砷原子提供孤对电子,镓原子提供空轨道,两者形成配位键,1个GaAs中配位键数目为l,则1 molGaAs中配位键的数目是NA,B正确;
C.由砷化镓晶胞结构可知:Ga和As的最近距离为晶胞体对角线长度的,假设晶胞边长为L,则晶胞体对角线为L,若Ga-As键的键长为a pm,则=a pm,所以晶胞边长为L=,C正确;
D.由图乙可知:掺杂Mn之后,1个晶胞中Mn的数目为:l×+l×=,含有的As的数目是4个,故稀磁性半导体材料中,Mn、As的原子个数比为:4=5:32。D错误;
故合理选项是D。
3(2025·江苏·模拟预测)阅读下列材料,完成下面小题:
氯元素及其化合物具有重要应用。、是氯元素的2种核素,氯元素能形成NaCl、MgCl2、AlCl3、S2Cl2、Cl2O、ClO2、NaClO、NaClO2、NaClO3等重要化合物。电解饱和食盐水是氯碱工业的基础;ClO2可用于自来水消毒,在稀硫酸和NaClO3的混合溶液中通入SO2气体可制得ClO2;SO2Cl2是生产医药、农药的重要原料,在催化剂作用下合成SO2Cl2的反应为SO2(g)+Cl2(g)=SO2Cl2(g) ∆H= a kJ·mol-1(a<0)。
(1)下列说法不正确的是
A.、都属于氯元素
B.ClO的键角比ClO的键角小
C.Cl2O、SO2的中心原子轨道杂化类型均为sp2
D.上图所示的NaCl晶胞中含有4个Na+和4个Cl-
(2)下列化学反应表示正确的是
A.反应SO2(g)+Cl2(g)=SO2Cl2(l) ∆H>a kJ·mol-1
B.在稀硫酸和NaClO3的混合溶液中通入SO2气体生成ClO2的反应:2NaClO3+SO2+H2SO4=2ClO2+2NaHSO4
C.常温下Cl2与NaOH溶液反应:Cl2+OH-=Cl-+HClO
D.氯碱工业电解饱和食盐水的阳极反应:2H2O-2e-=H2↑+2OH-
(3)下列物质性质与用途或结构与性质具有对应关系的是
A.SO2具有氧化性,可用于漂白纸浆
B.ClO2具有还原性,可用于自来水杀菌消毒
C.NaClO中含有ClO-,NaClO溶液呈碱性
D.NaCl中含有离子键、AlCl3中含有共价键,NaCl的熔点比AlCl3高
【答案】(1)C (2).B (3).C
【解析】(1)A.、是氯元素的两种核素,都属于氯元素,A项正确;
B.有一对孤电子对,有两对孤电子对,中孤电子对对成键电子对的排斥力更大,键角小,B项正确;
C.Cl2O的中心原子轨道杂化类型为sp3,SO2的中心原子轨道杂化类型为sp2,C项错误;
D.根据均摊法,1个NaCl晶胞中含有4个Na+和4个Cl-,D项正确;
故答案为C;
(2)A.反应SO2(g)+Cl2(g)=SO2Cl2(g) ∆H=a kJ·mol-1(a<0),SO2Cl2(g)=SO2Cl2(l)是放热过程,所以反应SO2(g)+Cl2(g)=SO2Cl2(l) ∆H<a kJ·mol-1,A项错误;
B.NaClO3作氧化剂,氯元素的化合价由+5价降低为+4价,SO2作还原剂,S的化合价由+4升高为+6价,参加反应的NaClO3和SO2的物质的量之比为2∶1,化学方程式为2NaClO3+SO2+H2SO4=2ClO2+2NaHSO4,B项正确;
C.常温下Cl2与NaOH溶液反应为Cl2+2OH-=Cl-+ClO-+H2O,C项错误;
D.氯碱工业电解饱和食盐水的阳极反应:2Cl--2e-=Cl2↑,D项错误;
故答案为B;
(3)A.SO2具有漂白性,可用于漂白纸浆,A项错误;
B.ClO2具有氧化性,可用于自来水杀菌消毒,B项错误;
C.NaClO中含有ClO-,ClO-是弱酸根离子,水解使NaClO溶液呈碱性,C项正确;
D.NaCl的熔点比AlCl3高,是因为NaCl形成离子晶体、AlCl3形成分子晶体,D项错误;
故答案为C。
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热点题型07 晶胞计算
一、晶体中微粒数或化学式的计算
1.晶胞中微粒数目的计算方法——均摊法
(1)原则:晶胞中任意位置上的一个原子如果是被n个晶胞所共有,那么,每个晶胞对这个原子分得的份额就是。
(2)方法
A.长方体(包括立方体)晶胞中不同位置的微粒数的计算方法如图所示:
B.非长方体晶胞中粒子视具体情况而定:
a.三棱柱 b.六棱柱
熟记几种常见的晶胞结构及晶胞含有的粒子数目。当题中信息给出的某种晶胞空间结构与常见晶胞的空间结构相同时,可以直接套用该种结构。A.NaCl(含4个Na,4个Cl-)
B.干冰(含4个CO2)
C.CaF2(含4个Ca2+,8个F-)
D.金刚石(含8个C)
E.体心立方(含2个原子)
F.面心立方(含4个原子)
2.“均摊法”在晶胞组成计算中的应用
(1)计算一个晶胞中微粒的数目
非平行六面体形晶胞中微粒数目的计算同样可用“均摊法”,其关键仍是确定一个微粒为几个晶胞所共有。例如,石墨晶胞:
每一层内碳原子排成六边形,其顶点(1个碳原子)对六边形的贡献为,那么一个六边形实际有6×=2个碳原子。
又如,六棱柱晶胞(MgB2晶胞)如图: 。顶点上的原子为6个晶胞(同层3个,上层或下层3个)共有,面上的原子为2个晶胞共有,因此镁原子个数为12×+2×=3个,硼原子个数为6。
(2)计算化学式
(3)①单位换算:1 nm=10-7 cm、1 pm=10-10 cm
②金属晶体中体心立方、面心立方堆积中的几组公式(设棱长为a)
a.面对角线长:a b.体对角线长:a c.体心立方堆积:4r=a(r为原子半径)
d.面心立方堆积:4r=a(r为原子半径)
3.常见的晶胞结构及晶胞含有的粒子数目
(1)分子晶体和原子晶体
物质
晶胞结构
所含微粒数目
干冰
4个CO2分子
金刚石或晶体硅
8个碳原子或硅原子
(2)离子晶体
晶体类型
晶胞类型
晶胞结构示意图
配位数
紧邻等距相同离子
每个晶胞含有离子数
AB
NaCl
Na+:6
Cl-:6
Na+:12
Cl-:12
Na+:4
Cl-:4
CsCl
Cs+:8
Cl-:8
Cs+:6
Cl-:6
Cs+:1
Cl-:1
AB2
CaF2
Ca2+:8
F-:4
—
Ca2+:4
F-:8
(3)金属晶体
堆积模型
晶胞类型
空间利用率
配位数
简单立方堆积
立方体
52%
6
体心立方堆积
体心立方
68%
8
六方最密堆积
平行六面体
74%
12
面心立方最密堆积
面心立方
74%
12
4.晶体化学式的确定
晶体的化学式表示的是晶体(也可以说是晶胞)中各类原子或离子数目的最简整数比
团簇分子或纳米颗粒与晶胞不同,这两类物质是独立的分子,所有原子均为该分子所有。与晶体中多个晶胞共用原子不相同
二、晶胞中的原子坐标
1.原子分数坐标
原子分数坐标概念:原子分数坐标参数表示晶胞内部各原子的相对位置。
2.原子分数坐标的确定方法
(1)依据已知原子的分数坐标确定坐标系取向和坐标原点。
(2)一般以坐标轴所在立体图形的棱长为1个单位(长、宽、高可以不同,但都为1个单位)。
(3)从原子所在位置分别向x、y、z轴作垂线,所得坐标轴上的截距即为该原子的分数坐标。
以立方体的三个棱延长线构建坐标轴,以晶胞边长为1个单位长度,O为坐标原点,其分数坐标规定为(0,0,0)、A的坐标为(1,0,0)、B的坐标为(1,1,0)、C的坐标为(1,1,1)。
3.常见坐标系的构建
(1)立方晶胞坐标系建立方法
“立方晶胞”x轴、y轴、z轴均以晶胞参数长度为1个单位。
1 简单立方晶胞
1点坐标(0,0,0);2点坐标(0,1,0);3点坐标(1,1,0);4点坐标(1,0,0);5点坐标(0,0,1);6点坐标(0,1,1);7点坐标(1,1,1);8点坐标(1,0,1)。
②体心立方晶胞如图 体心坐标为(,,)
③面心立方晶胞如图 面心坐标为1/2
1点坐标(0,1/2,1/2);2点坐标(1/2,1/2,1);
3点坐标(1/2,1,1/2);4点坐标(1,1/2,1/2);
5点坐标(1/2,0,1/2);6点坐标(1/2,1/2,0)。
④金刚石体内心坐标:1/4或3/4
左上、左下、右上、右下的坐标为:(1/4,3/4,3/4)、(1/4,1/4,1/4)、(3/4,1/4,3/4)、(3/4,3/4,1/4)
⑤棱心坐标:有一个1/2,其余为0或1
1点坐标(1/2,0,1);2点坐标(0,1/2,1);3点坐标(1/2,1,1);4点坐标(1,1/2,1);5点坐标(1/2,0,0);6点坐标(0,1/2,0);7点坐标(1/2,1,0);8点坐标(1,1/2,0)
(2)拉长的晶胞坐标系建立方法
“拉长的晶胞”x轴:a pm为1个单位,y轴:a pm为1个单位,z轴:2a pm为1个单位。
三、晶体密度的相关计算
1.晶体密度的计算
(1)计算晶胞的质量,进而计算晶体的密度
计算公式:ρ=。
式中N与晶胞的组成有关,M为晶体的摩尔质量,NA为阿伏加德罗常数的值,V为晶胞的体积,其单位为cm3,ρ为晶体的密度,其单位为g·cm-3。
四、晶胞利用率的计算
空间利用率(η)
(1)概念:指构成晶体的原子、离子或分子总体积在整个晶体空间中所占有的体积百分比。
(2)金属晶体空间利用率
空间利用率=×100%,球体积为金属原子的总体积。
(3)空间利用率的计算
①简单立方堆积
设原子半径为R,由于原子在晶胞棱的方向上相切,可以计算出晶胞参数:a=b=c=2R,α=β=γ=90°。每个晶胞中包含一个原子。
η=×100%=×100%≈52.36%。
②体心立方堆积
设原子半径为R,由于原子在晶胞体对角线方向上相切,可以计算出晶胞参数:a=b=c=R,α=β=γ=90°。每个晶胞中包含两个原子。
η=×100%=×100%≈68.02%。
③面心立方最密堆积
设原子半径为R,由于原子在晶胞面对角线方向上相切,可以计算出晶胞参数:a=b=c=2R,α=β=γ=90°。每个晶胞中包含四个原子。
η=×100%=×100%≈74.05%。
④六方最密堆积
设原子半径为R,根据原子在晶胞中的相切关系,可以计算出晶胞参数:a=b=2R,c=a≈1.633a,α=β=90°,γ=120°。每个晶胞中包含两个原子。
η=×100%=×100%≈74.05%。
⑤金刚石型堆积
设原子半径为R,由于原子在晶胞体对角线方向上相切(相邻两个碳原子之间的距离为晶胞体对角线的四分之一),可以计算出晶胞参数:a=b=c=R,α=β=γ=90°。每个晶胞中包含八个原子。
η=×100%=×100%≈34.01%。
五、晶胞中特定位置微粒间距的计算
1.常见晶胞所含微粒的数目(n),晶胞边长(a)与原子半径(r)的关系
晶胞
模型
粒子数(n)
a与r的关系
简单
立方
1
a=2r
体心
立方
2
面心
立方
4
2.金属晶体中体心立方堆积、面心立方最密堆积中的几组公式(设棱长为a)
(1)面对角线长=a。
(2)体对角线长=a。
(3)体心立方堆积4r=a(r为原子半径)。
(4)面心立方最密堆积4r=a(r为原子半径)。
(5)晶体微粒与M、ρ之间的关系
若1个晶胞中含有x个微粒,则1 mol该晶胞中含有x mol微粒,其质量为xM g(M为微粒的相对“分子”质量);1个晶胞的质量为ρa3 g(a3为晶胞的体积),则
1 mol晶胞的质量为ρa3 NA g,因此有xM=ρa3NA。
(6)计算晶胞中微粒间的距离或晶胞参数
立方晶胞参数a=。
(7)长度算关系式:1 nm=1×10-7 cm;1 pm=1×10-10 cm
六、晶胞中投影问题
1.概念:用一组光线将物体的形状投射到一个平面上去,称为投影。在该平面上得到的图像,也称为投影。
2.分类:
(1)正投影:投射线的中心线垂直于投影的平面。
(2)斜投影:投射线的中心线不垂直于投影的平面。
3.常见晶胞结构模型图的坐标轴方向(俯视图)和对角线方向投影图总结
(1)体心立方晶胞
体心立方晶胞 俯视图 对角线方向投影图
俯视图:8个顶点投影在正方形4个顶点上(上下两个黑球两两重合),体心投影在正方形中心。
对角线方向投影图:6个顶点投影在正六边形顶点上,另外2个顶点和体心重叠在正六边形中心。
(2)面心立方晶胞
面心立方晶胞 俯视图 对角线方向投影图
俯视图:8个顶点投影在正方形4个顶点上,前后左右4个面心投影在正方形4个边的中点,上下2个面心投影在正方形中心。
对角线方向投影图:6个顶点投影在大正六边形顶点上,6个面心投影在小正六边形顶点上,另外2个顶点重叠在正六边形中心。
(3)金刚石晶胞
金刚石晶胞 俯视图 对角线方向投影图
俯视图:8个顶点投影在正方形4个顶点上,前后左右4个面心投影在正方形4个边的中点,上下2个面心投影在正方形中心,左上右上左下右下四个小体心投影在4个小正方形中心。
对角线方向投影图:6个顶点投影在大正六边形顶点上,3个面心和3个小体心(另3个面心在3个小体心背后遮挡)投影在小正六边形顶点上,另外2个顶点和1个小体心重叠在正六边形中心。
4.晶胞投影图
(1)简单立方模型投影图
x、y平面上的投影图:
(2)体心立方模型投影图
x、y平面上的投影图:
(3)面心立方模型投影图
x、y平面上的投影图:
(4)金刚石晶胞模型投影图
x、y平面上的投影图:
(5)沿体对角线投影(以体心立方和面心立方为例)
(1)体心立方堆积
(2)面心立方最密堆积
5.几种常见的典型晶胞在不同情况下的投影,如
晶胞类型
三维图
二维图
正视图
沿体对角线切开的剖面图
沿体对角线的投影
简单立方堆积
体心立方堆积
面心立方堆积
晶胞
金刚石晶胞
或
晶胞
七、晶胞中的配位数的计算
1.概念:在晶体中某一个原子(离子)周围所接触到的同种原子(异性离子)的数目。如NaCl的晶胞模型如图,Na+配位数为6,Cl-配位数为6。
金属Po为简单立方堆积,Po的配位数为6
金属Na、K、Fe为体心立方堆积,配位数为8
2.晶胞中微粒配位数的确定方法
(建议用时:40分钟)
考向01 晶体中微粒数或化学式的计算
1.(2025·四川自贡·一模)氢气的安全贮存和运输是氢能应用的关键,铁镁合金是已发现的储氢密度最高的储氢材料之一,若该晶胞边长为dnm,其晶胞结构如图所示。下列说法正确的是
A.铁镁合金的化学式为Mg8Fe4
B.Fe原子与最近的Mg原子的距离是
C.若该晶体储氢时,H2填充在Fe原子组成的八面体空隙中心位置,则含Mg 96g的该储氢合金可储存标准状况下H2的体积约为22.4L
D.若NA为阿伏加德罗常数的值,则该合金的密度为
2.(2025·全国·模拟预测)金铜合金在低于395℃时形成图a所示的晶胞结构,在低于380℃时形成图b所示的晶胞结构,晶胞参数均为a nm,设为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是
A.图a中
B.图b所示晶胞对应合金的化学式为Cu2Au
C.图a、b中与Cu距离最近且相等的Au的数目均为4
D.图b晶体的密度为
3.(2025·全国·模拟预测)钛具有十分优异的性能,因而得到了广泛应用。其应用领域主要有航空航天、舰船制造等。钛晶体的堆积方式属于密堆积,晶胞结构及参数如图所示。下列说法错误的是
A.晶胞中含2个Ti B.钛原子的配位数为12
C.沿z轴的投影图为 D.
考向02 晶胞中的原子坐标
1.(2025·湖北·阶段练习)半导体光催化可以将太阳能直接转化为化学能,在解决能源危机方面具有广阔的发展前景。硫化镉是一种新型半导体材料,其晶胞的结构如图所示。已知该晶胞参数为a pm,以晶胞参数建立分数坐标系,1号原子的坐标为,3号原子的坐标为,下列说法错误的是。
A.的配位数为4
B.2号原子的坐标为
C.与之间最近的距离
D.设为阿伏加德罗常数的值,该晶体的密度为
2.(2025·黑龙江哈尔滨·期中)GaN是新型半导体材料,该晶体的一种晶胞结构可看作金刚石晶胞(图1)内部的碳原子被N原子替代,顶点和面心的碳原子被Ga原子替代,晶胞参数为anm,沿z轴从上往下俯视的晶胞投影图如图2所示,设阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法正确的是
A.若图2中原子1的分数坐标是则原子4的分数坐标是
B.N的配位数为6
C.晶胞中原子2、5之间的距离为
D.Ga原子位于N原子形成的八面体空隙中
3.(2025·湖南长沙·阶段练习)硫化汞的立方晶系型晶胞如图所示,晶胞参数为,P原子的分数坐标为,阿伏加德罗常数的值用表示。下列说法正确的是
A.基态S原子核外有4个未成对电子 B.M原子的分数坐标为
C.晶体密度 D.S与之间的最短距离为
考向03 晶体密度的相关计算
1.(2025·河南·阶段练习)硒化锌的晶胞结构如图I所示,晶胞参数为,A点的分数坐标为,C点的分数坐标为,该晶胞沿z轴方向在xy平面的投影如图Ⅱ所示,为阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是
A.硒化锌的密度为 B.Se原子的配位数为4
C.B点的分数坐标为 D.Zn与Zn之间的最近距离为
2.(2025·全国·模拟预测)方解石的六方晶胞结构如下:
设为阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是
A.的空间结构为平面三角形 B.晶体中存在离子键、大π键
C.方解石的化学式为CaCO3 D.晶体密度为
3.(2025·湖北·阶段练习)铁的一种硫化物的晶胞如下图。已知晶胞的边长为n pm,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是。
A.的配位数为6 B.在中,
C.ef的距离为 D.该晶体的密度为
考向04 晶胞利用率的计算
1.(2025·重庆·阶段练习)的晶胞结构如图所示,已知该晶胞的密度为,阿伏加德罗常数的值为,的相对分子质量为M,Ti和O原子半径分别为x和y(单位:pm),则晶胞中原子的空间利用率为 (列出计算表达式)。(空间利用率=)
2.(2025·重庆沙坪坝·阶段练习)金属镍的晶胞结构如图(a)所示,晶胞中镍原子可看作刚性圆球,位于面对角线上的镍原子彼此相切如图(b)所示。晶胞中,每个Ni原子周围紧邻的Ni原子数为 ;若Ni的原子半径为,晶胞中Ni原子空间利用率的计算表达式为 (空间利用率)。
3.(2025·四川绵阳·期中)铁存在三种类型的晶胞
①体心立方的空间利用率 ;
②计算三种晶体的密度之比为 。
考向05 晶胞中特定位置微粒间距的计算
1.(2025·广西·模拟预测)合成某种脱氢催化剂的主要成分之一为立方ZnO,其晶胞结构如图,已知晶体密度为,a的分数坐标为,设阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是
A.与最近的有12个
B.若以为顶点重新取晶胞,位于晶胞的面心和体心
C.之间的最短距离为
D.b的分数坐标为
2.(2025·重庆·期中)某含钙化合物的晶胞结构如图甲所示,沿x轴方向的投影为图乙,晶胞底面显示为图丙,晶胞参数,。已知该含钙化合物的摩尔质量为,阿伏加德罗常数的值是。下列说法正确的是
A.元素电负性:
B.该含钙化合物的化学式是
C.晶体密度的计算式为
D.图丙中和N的间距为
3.(2025·湖北·阶段练习)半导体材料砷化镓的晶胞如图所示。下列叙述错误的是
已知:为阿伏加德罗常数的值,砷化镓晶体密度为。
A.基态As原子有3个未成对电子 B.砷化镓的化学式为GaAs
C.砷原子的配位数为4 D.xy原子间的距离为
考向06 晶胞中投影问题
1.(2025·广西河池·阶段练习)硒化锌是一种重要的半导体材料,其立方晶胞结构如图甲所示。已知晶胞参数为,图乙为晶胞沿z轴的俯视图,a点的原子分数坐标为。
下列说法错误的是
A.基态原子核外电子排布式: B.晶体中,与最近的原子有12个
C.晶胞中d点的原子分数坐标为 D.相邻两个原子间的最短距离为
2.(2025·江西赣州·期中)金属铜晶胞沿体对角线方向投影如图所示,下列有关说法正确的是
A.1号原子的分数坐标可为
B.2号原子处于棱中心
C.1、2号原子的距离为
D.晶体密度的计算式为
3.(2025·湖南长沙·阶段练习)Cu的化合物种类繁多,在人类的生产生活中有着广泛的应用,实验测得一种Cu与Br形成的化合物沸点为1345℃,晶胞结构如图所示(晶胞的密度为ρ g·cm-3,设NA为阿伏加德罗常数的值)。下列说法正确的是
A.该化合物为共价晶体,其化学式为CuBr2
B.晶体中与Br最近且距离相等的Br有6个
C.Cu与Br之间的最短距离为
D.该晶胞沿z轴方向上的投影图为
考向07 晶胞中的配位数
1.(2025·河北石家庄·阶段练习)嫦娥三号卫星上的PIC元件(热敏电阻)的主要成分——钡钛矿的晶胞结构如图所示。若该晶体的密度为ρg/cm3,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是
A.Ti4+位于O2-围成的正八面体的中心
B.Ba2+周围距离最近的O2-数目为12
C.两个O2-的最短距离为cm
D.Ba2+与Ti4+之间的最短距离为×10-10pm
2.(2025·广西·阶段练习)已知:金晶胞为立方晶胞,晶胞结构如图所示。设晶胞边长为,为阿伏加德罗常数的值。下列叙述正确的是
A.每个晶胞含14个Au B.Au的配位数为8
C.两个Au的最近距离为 D.晶体密度为
3.(2025·云南昆明·阶段练习)氧化铈(CeO2)是一种重要的催化剂,在其立方晶胞中掺杂Y2O3,Y3+占据原来Ce4+的位置,可以得到更稳定的结构(过程如下图),这种稳定的结构使得氧化铈具有许多独特的性能。下列说法正确的是
[已知:O2-的空缺率=×100%]
A.CeO2晶胞中Ce4+的配位数为6
B.若CeO2晶胞中两个Ce4+间的最小距离为apm,则Ce4+与O2-的最小核间距为pm
C.已知M点原子的分数坐标为(0,0,0),则N点原子的分数坐标为(,,)
D.若掺杂Y2O3后得到n(CeO2):n(Y2O3)=3:1的晶体,则此晶体中O2-的空缺率为10%
1.(2025·陕西·一模)磷化硼是一种半导体材料,其晶胞结构如下图所示。已知阿伏加德罗常数的值为NA,下列说法错误的是
A.晶胞结构中,硼原子的配位数为4
B.磷化硼为分子晶体
C.硼原子与磷原子间的最短距离为nm
D.磷化硼晶体g·cm-3
2.(2025·黑龙江大庆·期中)砷化镓(GaAs)的晶胞结构如左图所示。将Mn参杂到晶体中得到稀磁性半导体材料,其晶胞结构如右图所示。下列说法错误的是
A.左图中,与Ga原子直接连接的As原子构成的几何形状为正四面体形
B.1 molGaAs晶体中的配位键数目为NA
C.左图中,若Ga-As键的键长为a pm,则晶胞边长为
D.稀磁性半导体材料中,Mn、As的原子个数比为1:2
3(2025·江苏·模拟预测)阅读下列材料,完成下面小题:
氯元素及其化合物具有重要应用。、是氯元素的2种核素,氯元素能形成NaCl、MgCl2、AlCl3、S2Cl2、Cl2O、ClO2、NaClO、NaClO2、NaClO3等重要化合物。电解饱和食盐水是氯碱工业的基础;ClO2可用于自来水消毒,在稀硫酸和NaClO3的混合溶液中通入SO2气体可制得ClO2;SO2Cl2是生产医药、农药的重要原料,在催化剂作用下合成SO2Cl2的反应为SO2(g)+Cl2(g)=SO2Cl2(g) ∆H= a kJ·mol-1(a<0)。
(1)下列说法不正确的是
A.、都属于氯元素
B.ClO的键角比ClO的键角小
C.Cl2O、SO2的中心原子轨道杂化类型均为sp2
D.上图所示的NaCl晶胞中含有4个Na+和4个Cl-
(2)下列化学反应表示正确的是
A.反应SO2(g)+Cl2(g)=SO2Cl2(l) ∆H>a kJ·mol-1
B.在稀硫酸和NaClO3的混合溶液中通入SO2气体生成ClO2的反应:2NaClO3+SO2+H2SO4=2ClO2+2NaHSO4
C.常温下Cl2与NaOH溶液反应:Cl2+OH-=Cl-+HClO
D.氯碱工业电解饱和食盐水的阳极反应:2H2O-2e-=H2↑+2OH-
(3)下列物质性质与用途或结构与性质具有对应关系的是
A.SO2具有氧化性,可用于漂白纸浆
B.ClO2具有还原性,可用于自来水杀菌消毒
C.NaClO中含有ClO-,NaClO溶液呈碱性
D.NaCl中含有离子键、AlCl3中含有共价键,NaCl的熔点比AlCl3高
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