辽宁省沈阳市皇姑区翔宇中学2024-2025学年高三上学期12月月考化学试题

2024年12月高三化学月考试题 可能用到的相对原千质量：0：16S:32C1:35.3Mn:55 一、选择题：本题共15小题，每小题3分，共45分。在每小题给出的四个选项中，只有一项 符合题目要求的。 1,2024年7月，第33届夏季奥林匹克运动会在法国巴黎举办。我国运动健儿取得了40块金牌的优异成 绩，运动会上许多“化学元素”发挥着重要作用。下列说法错误的是() A.开幕式上的烟花表演利用了焰色试验原理 B,场馆消毒使用的过氧类消毒剂，其消杀原理与漂白液相同 C.领奖的金牌为铁质表面镀一层薄金，这是一种新型合金材料 D.部分运动场馆建筑材料使用了新型碲化镉发电材料，碲属于主族元素 2.下列化学用语或表述正确的是() A,中子数为1的氨核素：He B.SO2的晶体类型：分子晶体 C.F2的共价键类型：Ppo键 D.PCI,的空间结构：平面三角形 3.下列各组离子在指定的环境中一定能大量共存的是() A.滴加石蕊试液显红色的溶液：Fe3、NH、CI、SCN B.含有大量HCO,的溶液：NH、Na、Mg2、 C.加入铝粉能产生H2的溶液：NH、Fe2、SO、NO D.含有大量C1O的溶液：H、Mg2+、1、SO 4,过碳酸钠(2NaCO,3H2O)具有优良的漂白活性和杀菌性能，具有Na2CO1和HO,的双重性质。过谈酸 钠的制备为2Na2(O,+3HzOh=2Na2CO,3HO,下列说法正确的是( A,过碳酸钠在火焰上灼烧的焰色为紫色B,过碳酸钠具有的襟白活性和杀菌性能是利用其具有赋性 C.过碳酸钠宜采用低温的方法干燥D.过碳酸钠与氧化性强的KMO:混用，杀菌及漂白效果会更佳 5.合成氨工业中，原料气(N,、H,及少量CO、NH,)在进入合成塔前需经过铜氨液处理，其反应为： [Cu(NH,),]+CO+NH,己[Cu(NH,),CO]'△H<0.下列说法错误的是() A,处理的主要目的是除去CO,防止催化剂中指 B.[Cu(NH,),CO了中的c键与m键数目之比为7：1 C,铜氨液吸收CO适宜生产杀件是低温加压 D,吸收CO后的铜氨液丝过高温高压下冉生处理可循环使用 1 6.超年化钟(K0)可用作潜水可字航装☒的CC吸收剂和供氧剂，反应为4K0,+2C0,=2K,C0,+30, N,为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是() A.44gCO2中o键的数目为2N, B.1 molKO,品体中离子的数目为3N, C.1L1noLK,CO,溶液中CO的数目为N,D.该反应中每转移Imol电子生成O,的数目为1.SN ?.一种除草剂的结构如下图，X、Y、乙、W、R为原子序数依次增大的短周期主族元素，X原子核外电 于只有一种运动状态，Y、Z、W为同周期相邻主族元素，乙与R同主族，Z的单质在空气成分中体积分 数占比最大。下列有关说法正确的是() A.Y、Z、W的电负性由大到小的顺序为W>Z>Y W-X B.最简单氢化物的稳定性：Z<R C.X与W形成的化合物为非极性分子 D.该分子不能与碱反应 8.三甲肢N(CH),是重要的化工原料。我国科学家利用(CH),NCHO(简称DMF)在铜催化作用下转化得 到(CH,),下图是计算机模拟单个DM作分子在铜催化剂表面的反应历程，如图所示（表示物质吸附在 挥催化剂上)，下列说法错误的是( (CHNCHO(K)+2H(g) 00 -0.5 N(CH)(g+H:O(g) -1.0 (CH)NCHOH*+3H* -12 (CH])NCH:+OH*+2H* -1.02 -l55 -177 -2.0 -2.16 (CPNCH OH+21* 221 (CHhNCHO*+4H* N(CH+OH++H* A,该反应为放热反应，降温可提高DMF的平衡转化串 B.该历程包含6个基元反应 C,若1 mol DMF完全转化为三甲肢，则会吸收1.02eV.V的能量 D.由图可知该反应历程的敏大能垒为l.I9处V 9,在给定条件下，下列选项所示的物质问转化均能实现的地〔） A.FeFeClNFc(OH) B.Mg(OH)(s)-HCk)MgClx(aq)Mg(s) C.AiS)-_No2→NaAIO(aq)一u&is一→Al(OH)() D.NaHCOa(s)一里n+Na,COS)-sa本→NaOH(aq) 2 2 10,为满足Z一C0,电池实际应用的要求，可以设计开放的不对称流动系统，并使用双极膜（可将水解离成 H*和OH分别向两极迁移)来维持两侧电解质不同的pH,其装置如图所示。下列说法错误的是( 政 A,放电时，电子从Zn电极流出 B.放电时，正极的电极反应式为 C02+2e+2H*=HC00H C.充电时，每生成ImolCO,时双极膜中解离1mol水 U函 D.充电时，阴极区pH增大 11.下列方程式与所给事实不相符的是() A,海水提溴过程中，用氯气氧化苦卤得到溴单质：2B+Cl,=Br+2CI B.用绿矾(FSO。·7H,O)将酸性工业废水中的C2o号转化为 Cr*:6Fe2*+Cr+14H*=6Fe"+2Cr*+7H,O C.用5%2NaSO,溶液能有效除去误食的Ba2:S0+Ba4=BaS0,↓ D.用NaCO,溶液将水垢中的CaSO,转化为溶于酸的CaCO3:Ca+CO?=CaCO,↓ 12.下列实验的对应操作中，不合理的是（) 眼睛注视锥形瓶中 溶液 浓硫酸 蒸馏水 A.用HCI标准溶液滴定NaOH溶液 B.稀释浓硫酸 奶9 森馏水 液恤离刻度 线约1cn C,从提纯后的NaCI溶液获得NaCl晶体 D.配制一定物质的量浓度的KCI溶液 A.A B.B C.C D.D 3 铝土矿的主要成分是A60,还含有SiO,和F0,等杂质，以铝土矿为原料制备铝的一种工艺流程如 NaOH溶液 NaHCO,溶液 0 土矿一碱溶 →过滤反应一→过滤 灼烧电解I 滤渣 电解Ⅱ Al 已知：SO2在“碱溶”时转化为铝硅酸钠沉淀。下列说法正确的是（) A.“过滤所得的滤渣除铝硅酸钠外还有F(OH: B.向过滤P"所得滤液中加入NaHCO溶液，同时有沉淀和气体生成 C.“电解”冶炼铝时可选用不锈钢材料做电极 D.通过“电解IT"可实现NaOH和NaHCO,的循环利用 14.一种全锰电池结构如图所示。该电池工作时，下列说法错误的是(） A.正极反应为MnO,+2e+4H=Mn2+2H,0 负截 B.理论上，每转移1mole,两个电极质量改变相差16g MnO石墨电极 C.MnSO,溶液的浓度始终保持不变 MhS0,溶液 HS0,溶液 D.若更换为阳离子交换膜，会造成Mn电极的腐蚀 阴离子交换膜 15.已知298K,101kPa时，CO,(g)+3H,(g)0CH,OH(g)+H,O(g)4H=-49.5kJ:mo,该反应在密闭的 对性容器中分别于T1、T2温度下进行，CO2的初始浓度为04mL,c(C0)-t关系如图所示。下列说法 蹄误的是（) A.T>T2 催化剂1 0.40 B.T1下反应达到平衡时c(CH,OH)=0.15molL 催化剂2 0.25 12 C,使用催化剂1的反应活化能比催化剂2的大 0.18 随化3 D.使用催化剂2和催化剂3的反应历程相同 20 Umin 10 4 二、非选择题：本题共4小题，共55分 16.(11分)化学在人类生产、生活中起者重要的作用。请回答下列问题： 1.铁及其化合物的化合价-物质类别二维图如图所示。 +3 (I)工业上冶炼Fe常用的方法是 (填字母)， +2 ￥ A。电解法 B.还原法 C.热分解法 D.物理方法 单质氧化物贼盐物质类粉 (2)下列有关铁及其化合物的说法正确的是 (填字母) A.纯净的铁是银白色 B.物质A不稳定，在空气中受热能迅速被氧化成物质D C.物质E受热分解生成物质D D.除去C溶液中混有的少量CuCl杂质，可以向混合液中加入NaOH溶液 (3)上述二维图中的B在空气中不能稳定存在，请写出物质B在空气中变化的化学方程式： I.硫化氢的转化是资源利用的研究课题。将H,S和空气的混合气体通入FCL、CuCL,的混合溶液中反应 回收5，其物质转化历程如图所示。 0 HS- +S (4)历程①发生反应的离子方程式为一，历程③中参加反应的n(Fe):n(O:)=_一 (5)酸性KMO。溶液是常用的氧化剂，能将H,S氧化为S。向H,S浴液中滴加酸性高铥酸钾溶液、溶液中 出现浑浊，写出反应的离子方程式： 17。(14分)单质A5可广泛应用于大规模集成电路、航空航天及医疗设备等领域。一种从精炼制的阳校 泥（主要成分为AsS,,Cu(AsO,)2、Cu、Au、Ag等]中回收单质As的工艺流程如图所示， 浓HCl、浓H,SO, NaCI、H,O NaH,PO, 阳极泥常压氯化截设 中选择性还原 过滤和烘干+As 酸没渣 还原后滤液 5 已知：“常压氯化酸浸”时，主要发生的反应有： 1.Cu,(AsO.),+3H,SO,+6NaCl=2Na,AsO,+3CuSO.+6HCI: Ⅱ.AszS,+3CuS0,+4H,O=2HAsO2+3CuS↓+3H,SO4 回答下列问题： (I)“常压氯化酸浸"前，应将阳极泥、浓HCI、浓HSO。、NaC1,H,O等混合，进行浆化"（研磨与搅拌） 处理，目的是 (2)“常压氯化酸浸"时，需不断通入空气，目的是：①充分溶解C1并减少$0，的生成，该反应的离子方程 式为 :②将HAsO,氧化生成更易溶于水的H,AsOs,该反应的化学方程式为 。“酸浸 渣”中除含Au、Ag外，还含有 (3)常压氯化酸浸时，为保证As的浸出率，需调节反应溶液的酸度和初始CI的浓度至一定值。因此， 工业生产时，需加入一定浓度的浓H,SO,,浓HC】和准确称量的NaCI,控制溶液的酸度一定时，测得As 的浸出率随初始C」质量浓度(g儿)的变化关系如图所示。 69100r 90 70 6060901250n020 初始C质处浓度(gL) 由图可知，最佳初始C1质量浓度为」 /L。工业生产时，若加入的浓HCI和NaC过多，可能造 成的后果是 (4)神化镓(GAs)是一种重要的半导体材料，其晶胞结构如图所示。 。神原干 ①晶体中As原子的配位数为 ○综瓜子 ②晶胞中As原子围成的正四面体的个数为 6