第11练 晶体结构与性质-【小题突破·大题攻略】2026年高考化学培优限时练

2024-11-24
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培优限时练小题突破·化学 德华力,所以PH,的沸点低于NH沸,点,C不正确:D.P与 (CH,CH),AIC1品体中的范德华力较小,熔,点较低,B错误 N属于同主族元素,P的非金属性比N弱,P一H能的键能 故B不符合题意:产物中A]原子形成了5个共价键,其中铝 比N一H能的键能弱,所以PH分子稳定性低于NH,分 与氮原子通过配位键相结合,氯原予提供孤对电子,铝原子 子,D正确。 提供空轨道,C正确,故C符合题意:产物属于共价化合物, 6.DA.分子是中性粒,所以HO、CC1,均不常电荷,故A 只含有共价键,D错误,故D不符合题意:故选C 错误:B,H)为V形结构,含有极性能,正负电荷的中心不 11.C1个单键即1个g键,1个双键含有1个c键和1个π 重合,电荷分布不均匀,为极性分子,当摩擦带电的玻璃棒接 健,根据DHA的结构式,含有o键数日为11N,A错误: 近水流时,水流方向会偏移,故B错误:C该实脸只能脸证 DHA中sp杂化的原子为2个亚甲基中的C,2个羟基中 CCI,是非极性分子,不能判断其分予构型,故C错误;D,该 的O,共四个原子,即4V,B错误:根据图示转化,过程② 实脸能脸证了CCI,是非极胜分子,所以分子中正负电荷的 中1mol甲醇氧化为甲醛,断裂1molC一H键和1molO 中心是重合的,故D正确。 一H键,共2mol极性共价键,即2N,故C正确:CH,OH 7.BA.由两种或两种以上的分子通过分子间相互作用形成 分子中,以碳为中心的结构为四面休结构,碳原子、氧原子 的分子聚集体称为超分子,超分子定义中的分子是广义的, 均采取sp杂化,其之间的共价键为sp一spg键,D错误: 包括离子,故A正确;B.在配位离子[Cu(NH),门中,Cu 故答案选C。 提供空轨道,NH,给出孤电子对,故B错误:C,乙块的结构 小题·真题真练 式为H一C=C一H,则1mol乙块中含2molπ键,1mol冰 1,DNH,分子的空间结构呈三角雏形,键角为107.3°,NO 中存在2mol氢键,标况下22.4LCH的物质的量为1 的空间结构呈平面三角形,键角为120°,A错误:NHOH为 mol,18g冰的物质的量也为1mol,则标况下22.4LC,H 分子品体,[NHOH]CI为离子品体·熔点:NHOH< 中所含的π键数和18g冰中所含的氢键数均为2V,故C [NH,OH]CI,B错误:由题给信息可知,K.(NHOH)<K 正确:D.等离子体是由部分电子被剥夺后的原子及原子被 (NH。·HO),即NH,OH]水解程度大于NH,因此 电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质,等离子体 [NH,OH]CI水溶液酸性更强,pH更小,C错误:半径小且 在我们的生活中是无处不在的,如蜡烛微弱的火焰,花花绿 电负性大的原子与氢原子结合形成的氢键更强,因此氢健的 绿的霓虹灯、耀眼的电孤焊,还有自然界中的太阳,雷电,极 强弱:()H…O>N一H…N,D正确。 光等等,故D正确。 2.A中心原子含有弧电子对的分子,其空间结构与VSEPR 8.D①N:H,分子中既含N一H极性键又含N一N非极性 模型不同,A错误。 键,故①正确:②R和M的电子层结构相同,则离子的核 第11练晶体结构与性质 外电子数相等,且M处于R相邻的下一周期,则原子序数: 小题·分层分练 MDR,故②错误:③F:,CL、Br,l是组成和结构相似的分 1.DSCL,A1CI,的嫁,沸点低,都是分子晶体,AC1,的沸点 子,熔,点随相对分子质量增大而升高,故③正确:①AB型 低于其8点,即在来熔化的温度下它就能汽化,故AC1,加 分子,A的族序数十成健数一8,则满足所有原子均达到8e 热能升华,A,C正确:品体硼的熔、沸,点高,所以晶体硼是共 稳定结构,NCL(5十3=8),PC1,(5+3=8)、C(O2(4十4=8)、 价品体,B正确:由金刚石与品体硅的熔,沸点相对高低可 CS,(4十4=8)分子中各原子均达到8e稳定结构,故④正 知:金刚石中的CC键比晶体硅中的Si一Si键强。 确:⑤氯化镁熔化,发生电离,则熔化破坏离予键,故⑤错误; 2,BC(金刚石)和C0都只含有共价键,但前者为共价品体, ⑥氯键决定HF的沸点,HF分子稳定是因为H一F键键能 后者为分子品体,A不合题意:CH,和HO都形成分子品 大,故⑥错误:)不能利用非金属性来比较氨化物的水溶液 体,且分子内原子间都形成共价健,B符合题意:NBr形成 酸性,故⑦错误,综上所述不正确的为②⑤⑥⑦①。 离子品体,离子间形成离子键,HB形成分子品体,分子内 9.C结合孩分子的皓构简式可以看出,其分子式为C,H 原子间形成共价健,C不符合题意:C,形成分予品体,分子 NO2,故A正确:该分子中含一C=N(氰基)、一C一C 内原子间形成共价键,KC1形成离子品体,离子间形成离子 (碳碳双键)以及碳碳单键,它们采用的杂化类型分别是即 键,D不符合题意:故选:B。 杂化,sp杂化和sp杂化共3种杂化方式,故B正确:碳碳 3,B面心立方最密推积配位数为12,故A错误:该品胞中最 双键,碳氧双键中碳原子共平面、一C=N(氧基)共直线,O 近的相邻两个CO,分子间距为apm,即晶胞面心上的二氧 原子采用s杂化,为V形结构,链状的碳碳单键中最多有 化碳分子和其同一面上顶,点上的二氧化碳之间的距离为 两个C原子共平面,则该分子中可能共平面的C原子可表 apm,则晶胞棱长=√2apm=√2aX10lcm,晶胞体积=(√② 3 CN aX10"am,该品胞中二氧化瑰分子个数=8×号十6× 0 示为 6 ,故C错误:该分子中的不饱和度为4,含 NXN-VXN =4,品胞密度=p==V 4M 0 苯环的同分异构体中,等效氨原子种类最少的应具有对称结 4X44 g/mol 4×44 g·cm,故 OH (W2a×10cm)'XN、(2√2a×10")×N CH, B正确:该晶胞中二氧化残分子个教=8×号十6X号=4, 构,其同分异枸体之一的皓构简式知HO 故C错误:二氧化碳分子是直线形分子,C原子价层电子对 NH. 个数是2,根据价层电子对互斥理论判断C原子杂化类型为 CH sp,故D错误。 分子的等效氨为4种。 4.DA.采用沿X、Y、Z三轴切割的方法判断二氧化碳分子的 10.C反应物中,碳原子最外层的四个电子中有3个用于形成 个数为12,所以在C0:品体中,与每个CO:分子周国紧邻 σ键,有1个参与形成大π健,没有孤电子对,碳原子的杂化 的有12个CO,分子,故A正确:B.原子品体在熔化时破坏 方式为s即,氯原子最外层的五个电子中有2个用于形成© 键,有1个参与形成大π键,孤电子对数为1,氩原子的杂化 方式为sp,氧原子最外层的六个电子中有2个用于形成a 键,孤电子对数为2,氧原子的杂化方式为s即,A错误,故A 不符合题意:(CHCH):ACI与AICL的品体都是分子品 了共价能,故B正确:C,CsC1的品胞图为心 体,(CH,CH),AICI比AIC,的相对分子质量小,因此 在CsCI品体中每个Cs周固都紧你8个CI,每个Cs等 102 参考答案 距离紧邻的有6个Cs,故C正确;D.石墨中,每个C原子 则1个Au周图有12个Cu,Au的配位数是12,B正确:Ⅲ中 被3个C一C键共用,则每个C原子含有C一C共价键数目 Au一Cu和Au-Au的最小核间距均为面对角线长度的立: =z×3=1.5,C原子与C-C键数目之比为1:1,5=2: 故最小核间距Au一Cu=Au一Au,C错误:站合上述分析可 3,故D错误。 知·I中Au、Cu原子个数比为1t1,Ⅱ中AuCu原子个数 5.CA.四种分子品体的组成和结构相似,相对分子质量越 大,分子间作用力越大,则品体的熔沸,点越高,则品体熔点由 比为1:3,Ⅲ中Au位于面心,个教为6×号=3,C位于顶 低到高:CF,<CCl,<CB,<Cl,故A正确:B离子电荷数 多的离子健强,如果电荷数一样多则比较核间距,核间距小 点,个数为8×日=1,Au,Cu原子个数比为31.D正确。 的,离子键强,即离子半径小的离子键强,则离子键由大到 2,D根据題给品胞结构,由均摊法可知,每个品胞中含有1十 小:NaF>NaC>NaBr,故B正确:C.Na,Mg、Al原子半径 依次减小,金属离子电荷逐渐增多·金属键逐渐增强,则熔点 12x=4个B,含有8+8×号+6×号=12个F,故该秘 由高到低:Al>Mg>Na,故C错误:D.原子半径S>C,三 氯化物的化学式为BF,,A正确:将品胞均分为8个小立方 者都为原子品体,原子半径越大,共价健的键能越小,则硬度 体,则品胞体内的8个F位于8个小立方体的体心,以M为 越小,即硬度由大到小:金刚石>碳化硅>品体硅,故D 原点建立坐标系,设N的原子分数坐标为(0,0,1),与Q、M 正确。 均在同一条棱上的F的原子分数坐标为(1,0,0),则T的原 6.BA.Cu原子的价电子排布式为3d4s,失去一个电子达 到较稳定的3d°,所以Cu原子的第一电离能小于Zn原子 子分数坐标为(1,受,号)与Q,M均在网一条棱上的F的 的第一电离能,A正确:B.由图知C山O晶胞中黑球的个致 原子分数坐标为(1,0,0),S的原子分数坐标为(, 11 为日×8+1=2个,白球的个数为4个,所以黑球与白球的 个数比为1:2,故黑球代表的是氧原子,白球代表的是铜原 是)人故粒子S、T之间的距离为 子,B错误:C,Cu)和CuS都属于离子晶体,离子半径越 小,熔点越高,离子半径:O<$,所以嫁点较高的是 √(1-)+(合-)+(合-)×am=年。 Cu:O,C正确:D.黑球代表的是氧原子,白球代表的是钢原 pm,B正确;由A项分析可知,每个品胞中有4个BF,单 子,根据品胞结构可以判断Cu的配位数是2,D正确。 元,品胞体积为a×100cm,则品体密度为 7.D由氧化镍原子分数坐标参数A为(0,0,0)和B为(1,1, 4×266 1064 1)可知,品胞的边长为1,由品胞结构可知,C点位于右侧正 NXai0g·em'=NXaX107g·em'.C正 方形的面心,则C的坐标参数为1,立,立)。 确:以晶胞体心处铋离子为分析对象,距离其最近且等距的 8.DA.由图可知:Ba原子在上面小正方体中心,O原子在小 氧离子位于品胞体内,有8个,D错误。 正方体棱边的中心,则B阳原子在4个(O原子形成的正方形 阶段滚动练(二) 的对角线中心上,对角线为√2acm,则Ba和O之间的最短 1.BNHC1O是正盐而不是酸式盐,故A错误:硫酸钙 铝氢化钠是离子化合物,HⅡ是强酸,所以三者都是强电解 距离为cm,A错误B.用均掉方法计算,Y原子为1个, 质,故B正确:盐胶是氯化氨气体的水溶液,不是纯净物而 2 是混合物,故C错误:硝酸锌是离子化合物,不是共价化合 Ba原子为2个,Cu原子个数为:8×是十8×=3:含有0 8 4 物,故D错误。 原子数为:8×号+12X=7,则滨品体中Y,Ba,Cu.0原 2.D氧化还原反应的本质是有电子的转移或电子对的偏移 故合理选项是D。 子个数比是1:2:3:7,所以晶体的化学式为YBaCu O, 3.D①将BSO,放入水中不能导电,但其熔融状态下能导 B错误:C,根据晶胞中Y原子的位置可知,在Y的上、下、 电,所以BSO,是电解质,故①错误:②氨溶于水得到的氨 前、后、左、右六个方向都存在一个配位休,故其配位数为6, 水能导电,氨水是溶液,不是电解质也不是非电解质,故②错 C错误:D.根据选项B分析可知该品体化学式是 误:③HSO,固态不导电,液态时也不导电,其水溶液才导 电,故③错误:①A山2O,因态不导电,但这融态导电,故① YB组CuO,·则晶体密度p= 错误。 (89+137×2+64×3+16×7)g/m0l= 3a'N g/em',D 667 4.CA.()与S),互为等电子体,空间结构为V形,而不是 NA/molX (a em Xa cmX 3a cm) 平面三角形结构,A错误:B.S,C1结构与过氧化氢相似,分 正确。 子中各个化学键的空间排列不对称,因此物质S:C1:分子为 9.C由图知X位于顶点与面上,Y位于品胞内,由均摊法可 极性分子,B错误:C.P:分子中含有6个P-P共价键,124 求出一个晶胞中含有4个X、4个Y,化学式为XY(或YX), gP,的物质的量是1mol,故其中含有的P一P键数目是 选项A错误:根据题中信息不能确定W是离子品体,选项B 6N、,C正确:D.SO2品体中每个Si原子与相邻的4个O原 错误:品胞中n(XY)三mol,故m(XY)=选项C正 子形成4个Si一O共价键,60gSiO,的物质的量是1mol, 则其中含有的Si一O键的个数为4NA,D错误。 确:由品胞图知,每个Y周围存在四个等距离且最近的X, 5.DA.离子品体一般炫点高、硬度大,A错误;B同一周期 脚Y的配位数是4,故X的配位数也是4,选项D错误:答案 随着原子序数变大,第一电离能变大,P的3p轨道为半充满 选C。 稳定状态,第一电离能大于同周期相邻元素,与最外层电子 小题·真题真练 数依次增多没有必然关系,B错误:C,嫁沸,点不能体现非金 1.C纯金为24K,则18K金中金的质量分数为75%,I中 属性,金属性强弱,C错误:D.在HS品体中,每个HS分 Au位于体心,个数为1,Cu位于顶点,个数为8X号=1, 子周围紧邻的分子有12个:在冰晶体中,每个H0分子周 国紧邻的分子有4个:因为H:S品体中,分子间只存在范德 197 Au的质量分数为197+6X100%≈75%,为18K金,A正 华力:冰品体中氧的电负性校强,分子间存在氨键,氢键具有 方向性,D正确:故选D。 确:Ⅱ中Au位于顶点,个数为8X8=1,Cu位于面心,个数 6,CA,在电场作用下,水分子间更易形成氢键,因而可以制 为6×号=3,品体化学式为Cu,Au,1个Cu周国有4个Au, 得“暖冰”,“暖冰"的成分是水,是纯净物,故A错误:B.20℃ 时,水疑固形成的“暖冰“,没有新物质生成,没有发生化学变 103第一部分 专题四 物质结构与性质 ------ 第11练 品体结构与性质 [小题·精讲精练 [例题讲坛] 2),可知晶胞边长为1.C位于体心,则C点的原 【例1】根据表中数据,下列说法错误的是( 子坐标参数为(,),故C正确;由晶胞结 111 Na A1Cl3 NaCl MgO W(铭) 2852 3410 构可知,Ti* 位于项点,Co②}位于体心,O}位于 熔点/C 190 801 98 面心,个数比为(8× 沸点/C 182.71412 883 3600 5927 该物质的化学式为TiCoO。,故D错误。 A.金属晶体的熔沸点比离子晶体低 [答案]D B. MgO的晶格能高于NaC 【规律归纳】本题考查晶胞计算,为高频考点,把 交 C. AlCl。是分子晶体,加热能升华 握晶胞结构、原子的位置、均摊法计算为解答的 D.铭的金属键强于钢导致其熔点高于钟 关键,侧重分析与计算能力的考查,注意选项B [解析] 不同金属的熔沸点差别较大,有的金属 为解答的难点。 晶体的熔沸点很高,鹅的熔沸点比NaCl的高,则 金属晶体的熔沸点不一定比离子晶体低,故A [小题·分层分练] 时 错误;离子半径越小,电荷越多,晶格能越大,则 [一层·打基础] MgO的晶格能高于NaCl,故B正确;AlCl。的熔 寸 知识点一 晶体及其类型、结构与性质 沸点较低,则AlCl。是分子晶体,熔点高于沸点, 1.根据下表中给出的有关数据,判断下列说法错误 - 所以加热能升华,故C正确;金属键越强,金属晶 的是 体的熔点越高,鹅的金属键强于钟导致其熔点高 AlCl SiCl; 品体确 金刚石 于纳,故D正确。 晶体硅 此 熔点/C [答案]A 190 -68 2300 >3550 1415 【规律归纳】 本题考查了晶体的分类、晶体的物理 178 沸点/C 2550 4827 2355 性质,侧重考查基础知识综合运用能力,明确晶 体类型与熔沸点关系是解本题关键,会判断常见 A.SiCL是分子晶体 物质晶体类型。 B.品体砌是共价晶体 【例2】钴的一种化合物的晶胞结构如图所示,已 C.AlCl;是分子晶体,加热能升华 知A点的原子坐标参数为(0,0,0),B点为 D.金刚石中的C一C键比晶体硅中的Si一Si 键弱 _ ) 2. 下列各组物质中,化学键类型相同,晶体类型也 相同的是 ( ) Or A.C(金刚石)和CO。 B.CH和H。O 。c C. NaBr和HBr D.Cl。和KCl □o- 知识点二 晶胞及其相关计算 3.已知干冰晶胞属于面心立方最密堆 A.配合物中Co②价电子排布式为3d 积,品胞中相邻最近的两个CO。分子 B.钻的配位数为6 间距为apm,阿伏加德罗常数为N, C.C点的原子坐标参数为(,,) 下列说法正确的是 A.晶胞中一个CO。分子的配位数是8 D.该物质的化学式为TiCoO。 4X44 B.晶胞的密度表达式是 -g.cm~3 [解析]基态Co原子的价电子排布为3d4s^{}, (2v2a3×10-30)×N 则配合物中Co{}价电子排布式为3d,故A正 C.一个晶胞中平均含6个C0。分子 确;O可提供孤对电子,且晶胞中O位于面心, D.CO。分子的立体构型是直线形,中心C原子 由体心和面心位置可知钻的配位数为6,故B正 的杂化类型是sp{}杂化 23 培优限时练小题突破·化学 [二层·提考能 A.Ba和O之间的最短距离为v2acm 4.下列有关晶体的叙述中错误的是 ( ) B.该晶体的化学式为YBa。CuO A.干冰晶体中,每个二氧化碳分子周围紧邻的 C.Y的配位数为4 有12个二氧化碳分子 667 B.固体加热熔化时可能破坏化学键 C.CsC1晶体中每个Cs 周围紧邻的有8个C1, 9.某物质W(摩尔质量为Mg·mol-J)的晶胞结 每个Cs 周围等距离紧邻的有6个Cs 构如图所示。下列有关说法中正确的是( ) D.石墨的层状结构中,碳原子个数与C一C键个 数之比为3:2 - X 5.下面的排序不正确的是 ( A.晶体沸点由低到高:CF.<CCl<CBr<Cl Cr B.离子键由大到小:NaF NaCl>NaBi C.熔点由高到低:Na>Mg>A D.硬度由大到小:金刚石>碳化硅>晶体硅 A.W的化学式为X。Y 6.黄铜矿(CuFeS。)是炼铜的最主 B.熔融状态下W一定能导电 C.每个晶胞的质量为NA 要矿物,火法冶炼黄铜矿的过程 4M 中,其中一步反应是2Cu0+ D.X、Y配位数分别为2、4 [小题·真题真练 Cu。O晶胞如图所示,下列说法错误的是( 1.(2024·湖北卷)黄金按质量分数分级,纯金为 A.Cu原子的第一电离能小于Zn原子的第一电 24 K。Au-Cu合金的三种晶胞结构如图,II和III 离能 是立方晶胞。下列说法错误的是 B.该晶胞中黑球代表铜原子、自球代表氧原子 C.CuO和CuS熔点较高的是Cu0 ,u D.Cu。O的品胞中Cu 的配位数是2 oCu 7.以晶胞参数为单位 - 长度建立的坐标系 o A.I为18K金 可以表示晶胞中各 B. II中Au的配位数是12 原子的位置,称作原 C. III中最小核间距Au-Cu<Au-Au 子分数坐标。氧化 D. I、II、III中,Au与Cu原子个数比依次为1; 锦原子分数坐标参数A为(0,0,0),B为(1,1,1). 1.1:3,3:1 ) 则C的坐标参数为 ( 2.金属秘及其化合物广泛应用于电子设备、医药等 ##) B.(1.) 领域。如图是秘的一种氛化物的立方晶胞及晶 胞中MNPQ点的截面图,晶胞的边长为apm. D.(1.1 N. 为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的 是 ( ) [三层·早拔尖 8.一种具有超导性的材料由Y、Cu、Ba、O构成,其 _趁。。 。。 晶胞结构如图所示,已知a=③-v-90{,下列说 )B 。。。。 oF 。 ( 法正确的是 。。 0 M , ·B A.该秘辄化物的化学式为BiF OY :C 3 cm . Cu 。o 1064 C.该晶体的密度为 Nxax10-30g·cm-3 D.晶体中与秘离子最近且等距的氧离子有6个 2f

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