内容正文:
参照机密级管理★启用前
八省适应性联考模拟演练考试(二)
物理试题
命题:四川省新高考教研联盟试题研究中心
审题:四川省新高考教研联盟试题研究中心
注意事项:
1、答卷前,考生务必将自己的姓名、准考证号填写在答题卡上。
2、回答选择题时,选出每小题答案后,用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑。如需改动,用橡皮擦
干净后,再选涂其他答案标号。回答非选择题时,将答案写在答题卡上。写在本试卷上无效。
3、考试结束后,将本试卷和答题卡一并交回。
一、单选题:本大题共7小题,每小题4分,共28分,每小题给出的4个选项中只有一个答案符合要求。
1.一质点做直线运动,当t-to时,心0,>0,a>0,以后加速度a均匀减小,则以下说法正确的是()
A.位移开始减小,直到加速度等于零B.位移继续增大,直到加速度等于零
C.速度继续增大,直到加速度等于零D.速度开始减小,直到加速度等于零
2.在建筑工地上有时需要将一些建筑材料由高处送到低处,为此工人们设计了一种如图所示的简易滑轨:两根
圆柱形木杆AB和CD相互平行,斜靠在竖直墙壁上,把一摞瓦放在两木杆构成的滑轨上,瓦将沿滑轨滑到低处。
在实际操作中发现瓦滑到底端时速度较大,有可能摔破,为了防止瓦被损坏,下列措施中可行的是()
D
A.减少每次运送瓦的块数
B.增多每次运送瓦的块数
C.减小两杆之间的距离
D,增大两杆之间的距离
3.如图所示,竖直平面内有一固定半圆环,AB为其直径且AB水平,O为圆心,一质量m=0.5kg的小球套在圆
环上的P点,小球受到三个拉力F、F2、F作用保持静止状态,三个拉力的方向如图所示。己知F4N,F:F2:F3=
PA:P0:PB,sin37°=0.6,cos37°=0.8,g10m/s2,则圆环对小球的支持力为()
0
B
A.8N
B.10N
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C.12N
D.15N
4.一个动能为2.0V的电子从很远处向一个固定的质子飞去。电子接近质子时被俘获,同时放出一个光子,电
子和质子形成一个处于基态的静止氢原子.已知氢原子的基态能量为-13.6eV,光在真空中的速度为3.0×108m/s,
电子电量的大小和普朗克常量分别为1.6×10-19℃和6.6×10-34kg·m2/s.所放出的光子的波长最接近的值是()
A.79nm
B.9Inm
C.107nm
D.620nm
5.如图所示,在竖直平面内正方形Oabc区域内有沿x轴正方向的匀强电场,在等腰直角三角形cd区域内存在
沿y轴正方向的匀强电场,且两个区域内的电场强度大小相等。在正方形Obc区域内的某些位置由静止释放电
子后,这些电子均可到达x轴上的e点,已知Oa=O,不计电子的重力作用,则这些位置的横坐标x与纵坐标y
之间的函数关系式为()
0
A.y-2x
B.y=4x
C.y=x2
D.y-2x
6.如图所示,水平面内的等边三角形BCD的边长为L,顶点C恰好位于光滑绝缘直轨道AC的最低点,A点到
B、D两点的距离均为L,A点在BD边上的竖直投影点为O。y轴上B、D两点固定两个等量的正点电荷,在z
轴两电荷连线的中垂线上必定有两个场强最强的点,这两个点关于原点O对称。在A点将质量为m、电荷量为一q
的小球套在轨道AC上(忽略它对原电场的影响)将小球由静止释放,已知静电力常量为k,重力加速度为g,
且k哭=号mg,忽略空气阻力,下列说法正确的是()
2
A.图中的A点是z轴上场强最强的点
B.轨道上A点的电场强度大小为
9
C.小球刚到达C点时的加速度为V2g
D.小球刚到达C点时的动能为mgL
7.mol理想气体经过一个缓慢的过程,从状态P沿抛物线到达状态Q,其V(体积)-T(绝对温度)图如图所
示。已知此过程中当V=%时,温度达到最大值了mx=?P必(其中p和V,分别是状态P的压强和体积,R是普
4 nR
适气体常量)。若状态P和Q的温度T和T都等于P,则该过程的p(压强)V图为()
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Ty=To
0
C.
2'a
D
27
二、多选题:本大题共3小题,每小题5分,共15分。每小题给出的4个选项中,有多项符合题目要求,全部
选对得5分,选对但不全得部分分,有选错得0分。
8。如图所示电路中,电源的电动势、内阻及各电阻的阻值都标记在了图中,电压表和电流表均为理想电表,当
滑动变阻器R3的滑片P向a端移动时,电压表V、V,和V2的示数分别为U、U1和U2,三个电压表示数变化量的绝
对值分别为△U,△U1和△U2,电流表A的示数为1,电流表示数变化量的绝对值为△1,以下说法中正确的是()
A.增大,如不变
AI
B.电源的总功率和效率均增大
C.△U2>△U1+AU
D.如果设流过电阻R2的电流变化量的绝对值为△12,流过滑动变阻器R3的电流变化量的绝对值为△3,则△2<
△13
9.如图所示,半径为R的圆形区域内有垂直于纸面向里的匀强磁场,磁感应强度为B,M为磁场边界上一点,有
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无数个带电量为9(q心0)、质量为m的相同粒子在纸面内向各个方向以相同的速率通过M点进入磁场,这些粒子
射出边界的位置均处于边界的某一段圆弧上,这段圆弧的弧长是圆周长的不计粒子的重力,不计粒子间的相互
作用,下列说法正确的是
R
X
XX
XX
+
+
XX
t
XXXX
M
A.
粒子从M点进入磁场时的速率v=B
2m
B.粒子从M点进入磁场时的速率=2BqR
2m
C.若将磁感应强度的大小变为
2
,则粒子射出边界的圆弧长度变为原来的v2
D。若将磁感应强度的大小变为,则粒子射出边界的圆弧长度变为原来的
10.如图,两竖直墙面的间距为l,一个质量为m、边长为的正方形木块被一轻直弹簧顶在左侧墙面上,弹簧右
端固定在右侧墙面上,且弹簧与墙面垂直。已知木块与墙面之间的最大静摩擦因数为μ,弹簧原长为,劲度系数
为k,重力加速度大小为g。下列说法正确的是()
000000000000
A.如果k=晋则木块不处于平衡状态
B.如果k=贤
则墙面对木块的正压力为2m9
C.如果k=m,则木块受到的静摩擦力大小为m四
d
D。为使木块在此位置保持平衡状态,k最小为温
三、实验题
11(6分)某同学用如图甲所示的装置验证机械能守恒定律。A点距光电门B的高度为。
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2 cm
游标尺
10
乙
(1)用十分度游标卡尺测量小球的直径,若测量结果如图乙所示,则小球的直径d=
mm。
(2)将小球从A点由静止释放,若小球通过光电门B的时间为1,则小球通过光电门B时的速度大小v=
(用d、t表示).
(3)已知h》d,当地的重力加速度大小为g,若满足关系式2gh=
(用d、1表示),则说明在误差
允许的范围内,小球下落过程中机械能守恒。
12(9分)某同学为了测量电源的电动势和内阻,根据元件的不同,分别设计了以下两种不同的电路。
甲
实验室提供的器材有:
两个相同的待测电源E,辅助电源E':
电阻箱R1、R2,滑动变阻器R、R':
电压表V,电流表A:
灵敏电流计G,两个开关S1、S2。
主要实验步骤如下:
①按图连接好电路,闭合开关S1和S2,再反复调节R和R2,或者滑动变阻器R、R',使电流计G的示数为O,读出
电流表A、电压表V示数分别为11、U1
②反复调节电阻箱R,和R2(与①中的电阻值不同),或者滑动变阻器R、R',使电流计G的示数再次为0,读出电
流表A、电压表V的示数分别为2、U2
回答下列问题:
(1)哪套方案可以更容易得到实验结果(填“甲”或“乙”)。
(2)电源的电动势E的表达式为一,内阻r为一。
(③)若不计偶然误差因素的影响,考虑电流、电压表内阻,经理论分析可得,E得一(填大于“小于”或等于”)
ET器一(填大于小于或等于”)T
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四.解答题:本大题共3小题,共44分,解答应写出文字说明,证明过程及步骤。
13(10分)如图,中空的水平圆形转盘内径=0.6m,外径足够大,沿转盘某条直径有两条光滑凹槽,凹槽内有
A、B、D、E四个物块,D、E两物块分别被锁定在距离竖直转轴R=1.0m处,A、B分别紧靠D、E放置。两根
不可伸长的轻绳,每根绳长L=1.4m,一端系在C物块上,另一端分别绕过转盘内侧的光滑小滑轮,穿过D、E
两物块中间的光滑圆孔,系在A、B两个物块上,A、B、D、E四个物块的质量均为m=1.0kg,C物块的质量m=2.0kg,
所有物块均可视为质点,(取重力加速度g10m/s2),计算结果可用最简的分式与根号表示)
()启动转盘,转速缓慢增大,求A、D以及B、E之间恰好无压力时的细绳的拉力及转盘的角速度:
(2)停下转盘后,将C物块置于圆心O处,并将A、B向外测移动使轻绳水平拉直,然后无初速度释放A、B、C
物块构成的系统,求A、D以及B、E相碰前瞬间C物块的速度:
(3)碰前瞬间解除对D、E物块的锁定,若A、D以及B、E一经碰撞就会粘在一起,且碰撞时间极短,求碰后C
物块的速度。
幽
14(14分)半导体摻杂是集成电路生产中最基础的工作,某公司开发的第一代晶圆掺杂机主要由三部分组成:
离子发生器,控制器和标靶。简化模型如图所示,离子发生器产生电量为+?,质量为m的离子,以足够大速度
沿电场的中央轴线飞入电场:控制器由靠得很近的平行金属板A、B和相互靠近的两个电磁线圈构成(忽略边
缘效应),极板A、B长为L1,间距为d,加上电压时两板间的电场可当作匀强电场,两电磁线圈间的圆柱形磁
场可以当作匀强磁场,磁感应强度与电流的关系B-从,k为常数,匀强电场与(柱形)匀强磁场的中轴线互相垂
直相交,磁场横截面的半径为:标靶是半径为R的单品硅品圆,并以晶圆圆心为坐标原点,建立O正交坐标
系。晶圆与匀强电场的中轴线垂直,与匀强磁场的中轴线平行,且与匀强电场中心和柱形匀强磁场中轴线的距离
分别为L2和L3,其中R=V3L3。UB=0,0时,离子恰好打到晶圆的(0,0)点。
(1)当1=0,UB=U1时,离子恰好能打到(0,R)点,求U的值。
(2)当UAB=0,I=,时,离子能打到点(R,0),求1的值。
(3)试导出离子打到晶圆上位置(x,y)与UB和I的关系式。(提示:磁场中运动时间很短,可以不考虑x方
向的影响an0=
1-tan22
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晶圆
15(18分)一小型风洞实验室内水平桌面上放两根足够长的平行导轨,导轨间距为L,如图甲(俯视)所示。虚
线MN左侧区域I有竖直向下的匀强磁场B,虚线PQ右侧区域Ⅲ有竖直向下的匀强磁场B,中间区域知有水平
向左的匀强磁场B2,B=B=B,B=2B。中间区域处于一向上的风洞中,当棒经过此区域时会受到竖直向上的恒
定风力F=mg的作用。长度均为L的导体棒ab、cd与导轨接触良好,两棒质量均为m,棒ab电阻为,棒cd
电阻为R,其余电阻不计。两棒最初静止,现给棒b一个水平向右的瞬间冲量使得其获得初速度%,已知棒cd
到达MN前两棒不相碰且均已匀速。当棒cd刚进入区域时,对棒ab施加一水平向右的外力使棒ab向右做匀加
速直线运动,外力随时间变化的图像如图乙所示。已知直线斜率为k,1o时刻棒cd恰好进入区域Ⅲ,棒cd进入
区域Ⅲ后瞬间撒去棒ab上的外力。区域1、I导轨光滑,中间区域导轨粗糙且与棒cd的动摩擦因数为4,两棒在
运动过程中始终与导轨垂直且接触良好,棒6始终在区域运动.已知,=股,μ=重力加速度为g,
求:
(1)棒ab刚开始运动时,棒两端的电势差U:
(2)图乙中0时刻外力Fo多大,1o时刻棒ab的速度多大:
(3)棒cd进入区域Ⅲ后的过程中闭合回路产生的焦耳热多大。
M
P
XXX
N
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