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第3章不同聚集状态的物质与性质综合复习训练
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一、选择题
1.有关晶体的结构如图所示,下列说法中错误的是
A.CaO2晶体中,Ca2+的配位数为6
B.氧化镁晶体中,与Mg2+距离最近且等距的Mg2+有8个
C.碘晶体中,存在非极性共价键和范德华力
D.金刚石晶体中,碳碳键的键角为109°28′
2.近日,中南大学何军团队发表了对新型单元素半导体材料黑砷晶体b-As的研究成果,其三维结构如图所示。下列说法错误的是
A.与石墨相比,黑砷晶体中的As更易结合
B.As原子的杂化方式与石墨中C原子不同
C.与相比,同压下黑砷晶体的沸点更低
D.As原子与键的个数比为
3.六氟磷酸盐离子液体可用于有机合成的溶剂和催化剂,其结构如图所示,下列说法错误的是
A.阳离子中碳原子有sp2和sp3两种杂化方式
B.阴、阳离子体积较大,离子之间作用力较强,晶体的熔点较高
C.该物质中存在的化学键类型:离子键、共价键
D.除H和P原子外,其他原子均符合8电子稳定结构
4.磷化硼是一种超硬耐磨涂层材料,其晶胞结构如下图,其中的每个原子均满足8电子稳定结构。下列有关说法正确的是
A.磷化硼属于混合晶体
B.磷化硼晶体中存在配位键
C.磷化硼晶体在熔融状态下可作离子导体
D.磷化硼晶体中微粒的空间堆积方式与氯化钠相同
5.硒化锌是一种重要的半导体材料,图甲为其立方晶胞结构,图乙是其晶胞的俯视图。已知阿伏加德罗常数的值为NA,a点的坐标为(0,0,0),b点的坐标为(1,1,1),晶胞参数为npm。下列说法错误的是
A.基态Se2-的简化电子排布式为[Ar]3d94s24p6
B.c点Zn2+的坐标为(,,)
C.晶体中相邻两个Zn2+的最短距离为势pm
D.晶体中每个Se2-周围紧邻且距离相等的Se2-共有12个
6.下图是某富锂超离子导体的立方体晶胞,阿伏加德罗常数的值为 下列说法错误的是
A.晶体的化学式为Li3OCl
B.图中氧原子的配位数为6
C.图中Cl-O原子的最近距离与Li-O原子的最近距离相等
D.图中晶体密度为 g/cm3
7.过氧化钙晶体的晶胞结构如下图所示,已知该晶胞的密度是ρg·cm−3(NA表示阿伏伽德罗常数)。下列表述不正确的是
A.基态Ca2+的电子排布式:1s22s22p63s23p6
B.过氧化钙电子式:
C.晶体中Ca2+紧邻6个O
D.晶胞结构中最近的两个Ca2+间的距离为:nm
8.经理论计算预测,一种由汞(Hg)、锗(Ge)、锑(Sb形成的新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料。X的晶体可视为金刚石晶体中的C原子被Hg、Ge和Sb取代后形成。其晶胞如图所示,下列说法正确的
A.、、三种元素都位于周期表的ds区
B.设X的最简式的式量为Mr,则X晶体的密度为
C.晶体中与距离最近的的数目为6
D.X晶体是一种合金,内部有自由电子,是电的良导体
9.物质结构决定物质性质。下列物质性质描述与结构因素都正确的是
选项
物质性质
结构因素
A.
酸性:HCOOH<CH3COOH
甲基推电子效应
B.
沸点:对羟基苯甲醛>邻羟基苯甲醛
相对分子质量
C.
硬度:SiC>Si
晶体类型
D.
溶解度:S在CS2中溶解度高于水中
分子的极性
A.A B.B C.C D.D
10.已知:,晶胞如图所示,晶胞边长为a pm,设为阿伏加德罗常数的值。下列叙述错误的是
A.该晶胞中含有4个
B.离最近的有12个
C.该晶体的密度为
D.上述反应中,每生成,转移电子数为
11.几种晶体的晶胞(或晶体结构)如图所示,下列说法正确的是
A.中的配位数大于干冰中分子的配位数
B.晶胞中,分子的排列方式只有1种方向
C.若金刚石的晶胞边长为,其中两个最近的碳原子之间的距离为
D.石墨晶体层内是共价键,层间是范德华力,所以石墨是一种混合型晶体
12.某锂电池的负极材料由锂原子嵌入石墨烯层间形成,其晶胞结构如图甲,下列说法错误的是
A.该晶体的化学式为LiC6
B.1号、2号Li之间的距离为
C.图乙可表示该化合物沿z轴的局部投影图
D.利用X射线衍射实验可测得晶胞参数α、β、γ
13.是钙钛矿太阳能电池的重要吸光材料,其晶胞结构如图1所示,提出降解的机理如图2所示。
下列说法不正确的是
A.的键角小于的键角 B.1个晶胞含有3个
C.中C和N原子的杂化方式相同 D.可与反应生成和
14.铁有δ、γ、α三种同素异形体,其晶胞结构如图所示,下列判断正确的是
A.δ、γ、α铁晶体中存在金属阳离子和阴离子
B.晶胞中所含有的铁原子数为9
C.δ、α两种晶胞中铁原子周围等距离且最近的铁原子个数之比为3∶1
D.若晶胞棱长为acm,晶胞棱长为bcm,则两种晶体的密度比为
15.碳化硅俗称金刚砂,与金刚石结构相似