周末仿真·自主评价——第一周检测卷（word版)-【新高考方案】2024年高考化学二轮复习专题增分方略（新教材 江苏专用）

周末仿真·自主评价——第一周检测卷 一、选择题：本题共13小题，每题3分，共39分，每小题只有一个选项最符合题意。 1．党的二十大报告指出“推动绿色发展，促进人与自然和谐共生”。下列做法不合理的是(　 ) A．研制可降解塑料，控制白色污染产生 B．研发新能源汽车，降低汽油柴油消耗 C．开发利用天然纤维，停止使用合成材料 D．研究开发生物农药，减少农作物农药残留 解析：选C　研制可降解塑料，可以有效降低普通塑料在土壤中的残留，从而控制白色污染的产生，A正确；研发新能源汽车，可替代燃油车的使用，从而降低燃油消耗，B正确；天然纤维的生成难以满足人类对材料的需求，合成材料的合理使用可以弥补天然材料的不足，C错误；生物农药的开发使用，可减少农作物中农药的残留，D正确。 2．对于反应CF3I＋H2O===CF3H＋HIO，下列说法正确的是(　 ) A．氧原子的结构示意图为 B．HIO的电子式为H C．CF3I中I元素的化合价为＋1 D．CF3H的空间结构为正四面体 解析：选C　氧原子的结构示意图为，A错误；HIO的电子式为，B错误；CF3I水解生成CF3H和HIO，HIO中I元素为＋1价，所以CF3I中I元素的化合价为＋1，C正确；CF3H即CH4中3个H原子被F原子代替，类比CH4的空间结构可知CF3H的空间结构为四面体，D错误。 阅读下列资料，完成3～5题。 周期表中ⅢA族单质及其化合物应用广泛。 BF3极易水解生成HBF4(HBF4在水中完全电离为H＋和BF)和硼酸(H3BO3)，硼酸是一元弱酸，能溶于水。硼酸和甲醇在浓硫酸存在下生成挥发性的硼酸甲酯[B(OCH3)3]，硼酸甲酯主要用作热稳定剂、木材防腐剂等。高温下Al2O3和焦炭在氯气的氛围中获得AlCl3。 GaN的结构与晶体硅类似，是第三代半导体研究的热点。铊(Tl)位于元素周期表中第6周期，于1861年发现。 3．下列物质性质与用途具有对应关系的是(　 ) A．BF3极易水解，可用作催化剂 B．硼酸甲酯具有挥发性，可用作木材防腐剂 C．GaN硬度大，可用作半导体材料 D．Al2O3熔点高，可用作耐火材料 解析：选D　BF3极易水解生成 HBF4和硼酸，与用作催化剂无关，A不符合题意；硼酸甲酯可用作木材防腐剂应该与杀菌、稳定等性质有关，与具有挥发性无关，B不符合题意；GaN的结构与晶体硅类似可用作半导体材料；GaN硬度大不是导电性的体现，与可用作半导体材料无关，C不符合题意；Al2O3熔点高耐高温，可用作耐火材料，与性质有关，D符合题意。 4．下列说法正确的是(　 ) A．BF中存在配位键 B．B(OCH3)3分子间能形成氢键 C．Tl原子基态价层电子排布式为6s26p3 D．GaN属于离子晶体 解析：选A　硼原子与3个氟原子之间是共价键，第四个硼氟键是硼原子提供空轨道，氟离子提供共用电子对是配位键，A正确；B(OCH3)3中的氢原子没有与电负性较大的元素形成共价键，所以B(OCH3)3分子间不能形成氢键，B错误；Tl原子基态价层电子排布式为6s26p1，C错误；GaN的结构与晶体硅类似，是共价晶体，D错误。 5．下列化学反应表示正确的是(　 ) A．制备B(OCH3)3：H3BO3＋3CH3OHB(OCH3)3 B．BF3和水反应：4BF3＋3H2O===6H＋＋3BF＋BO C．高温下Al2O3、焦炭在氯气中反应： Al2O3＋3C＋3Cl22AlCl3＋3CO D．用石墨作电极电解Al2O3制备Al的阴极反应式：Al3＋－3e－===Al 解析：选C　硼酸与甲醇在浓硫酸存在下反应生成挥发性的硼酸甲酯和水，反应的化学方程式为H3BO3＋3CH3OHB(OCH3)3＋3H2O，A错误；三氟化硼在水中发生水解反应生成强酸四氟合硼酸和弱酸硼酸，反应的离子方程式为4BF3＋3H2O===3H＋＋3BF＋H3BO3，B错误；高温条件下氧化铝、焦炭在氯气中反应生成氯化铝和一氧化碳，C正确；用石墨作电极电解氧化铝制备铝时，铝离子在阴极得到电子发生还原反应生成铝，电极反应式为Al3＋＋3e－===Al，D错误。 6．X、Y、Z、W是原子序数依次增大的短周期元素。X和Y基态原子的s能级电子总数均等于其p能级电子总数，Z的原子最外层电子数是Y原子最外层电子数的2倍，W和X位于同一主族。下列说法正确的是(　 ) A．第一电离能：I1(X)<I1(W) B．最高价氧化物对应水化物的酸性：Z>W C．原子半径：r(W)>r(Y)>r(X) D．简单气态氢化物的热稳定性：X>Z 解析：选D　X、Y、Z、W是原子序数依次增大的短周期元素。X和Y基态原子的s能级电子总数均等于其p能级电子总数，则X是O元素、Y是Mg元素；Z的原子最外层电子数是Y原子最外层电子数的2倍，Z是Si元素；W和X位于