全册验收评价（三）(Word练习)-【新课程学案】新教材2023-2024学年高中化学选择性必修2（鲁科版2019 SHD版）

全册验收评价(三) 　　　　　　　　　　　　　　　　 一、选择题(本题共15小题，每小题3分，共45分) 1．化学让生活更美好。下列叙述不正确的是(　 ) A．肥皂含有表面活性剂，具有去污能力 B．日光灯的灯管里存在具有良好流动性和导电能力的等离子体 C．液晶材料属于晶体，但不能体现晶体的各向异性 D．由于氢键的存在，玻璃瓶装啤酒放冰箱冰冻室易炸裂 解析：选C　表面活性剂在水中会形成亲水基团向外、疏水基团向内的胶束，由于油污等污垢是疏水的，全被包裹在胶束内，从而达到去污效果，故A正确；等离子体由电子、阳离子和电中性粒子组成，存在于日光灯和霓虹灯的灯管里、蜡烛火焰里、极光和雷电里等，具有良好流动性和导电能力，故B正确；液晶分子的空间排列是不稳定的，但具有类似晶体的各向异性，介于晶态和非晶态之间，故C错误；由于氢键的存在，会使冰的密度变小，导致体积膨胀，玻璃瓶装啤酒放冰箱冰冻室易炸裂，故D正确。 2．一个价电子排布式为2s22p5的原子，下列有关它的描述正确的是(　 ) A．原子序数为7 B．第一电离能最大 C．原子半径最大 D．电负性最大 解析：选D　价电子排布式为2s22p5的元素是氟元素，其原子序数为9。第一电离能较大，但不是最大的，第一电离能最大的是氦元素；原子半径较小，是最活泼的非金属元素，故其电负性最大。 3．据报道，大气中存在一种潜在的温室气体SF5—CF3，虽然其数量有限，但它是已知气体中吸热最高的气体。关于SF5—CF3的说法正确的是(　 ) A．分子中有σ键也有π键 B．所有原子在同一平面内 C．CF4与CH4都是正四面体结构 D．0.1 mol SF5—CF3分子中电子数为8 mol 解析：选C　A项，分子中都是σ键，无π键，错误；B项，碳原子与其相连的四个原子形成四面体结构，不可能所有原子共平面，错误；D项，一个SF5—CF3分子中有94个电子，错误。 4．下列化学用语的描述正确的是(　 ) A．SO2的VSEPR模型： B．锂原子最外层原子轨道示意图： C．铬原子价电子排布式：3d54s1 D. 违反了洪特规则 解析：选C　二氧化硫的价电子对数为3，VSEPR 模型为平面三角形，A错误；锂原子最外层原子轨道为2s轨道，为球形，B错误；铬原子价电子排布式为3d54s1，C正确；图示轨道表示式违反了泡利原理，D错误。 5．下列各项叙述中正确的是(　 ) A．电子层序数越大，s原子轨道的形状相同，半径越小 B．在同一轨道上运动的电子，其自旋方向肯定不同 C．镁原子由1s22s22p63s2→1s22s22p63p2时，释放能量，由基态转化成激发态 D．杂化轨道可用于形成σ键、π键或用于容纳未参与成键的孤电子对 解析：选B　s原子轨道是球形的，电子层序数越大，其半径越大，A项错误；根据洪特规则，对于基态原子，电子在同一轨道上排布时，自旋方向相反，B项正确；由于3s轨道的能量低于3p轨道的能量，基态镁原子应是吸收能量，C项错误；杂化轨道可用于形成σ键和容纳未参与成键的孤电子对，不能形成π键，D项错误。 6．下列说法中错误的是(　 ) A．在NH和Fe(CO)5中都存在配位键 B．SO2、SO3都是极性分子 C．元素电负性越大，原子吸引电子的能力越强 D．离子晶体的晶格能随着离子间距的减小而增大，晶格能越大，晶体的熔点越高 解析：选B　NH中氮原子提供孤电子对，氢原子提供空轨道，形成配位键，Fe(CO)5中铁原子提供空轨道，碳原子提供孤电子对，形成配位键，A正确；SO2是极性分子，SO3是非极性分子，B错误；元素电负性用来描述原子对键合电子的吸引力的大小，电负性越大，该元素的原子对键合电子的吸引力越大，C正确；离子键的强弱可以用来衡量离子晶体的晶格能，晶格能随着离子间距的减小而增大，晶格能越大，离子晶体的熔点越高，D正确。 7．光谱证实单质铝与强碱溶液反应有[Al(OH)4]－生成，则[Al(OH)4]－中不存在的是(　 ) A．共价键 B．非极性键 C．配位键 D．σ键 解析：选B　光谱证实单质Al与强碱性溶液反应有[Al(OH)4]－生成，可看作铝原子和三个羟基形成三对共用电子对，形成三个极性共价键，形成Al(OH)3，Al(OH)3溶解在强碱性溶液中，和OH－结合形成[Al(OH)4]－，利用的是铝原子的空轨道和OH－的孤电子对形成的配位键；由两个原子轨道“头碰头”相互重叠而形成的共价键，叫σ键，所以[Al(OH)4]－中也形成了σ键。 8．砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作太阳能电池。AsCl3是合成GaAs的原料之一，其中Ga与Al同族，As与N同族。下列叙述正确的是(　 ) A．电负性：Cl>Ga>As B．AsCl3中含有σ键 C．AsCl3分子为平面三角形 D．基态Ga和