第二部分 月考滚动检测卷第三次月考滚动检测卷-【课堂百分百】 2023-2024高中化学选择性必修二单元培优双测卷（人教版）

第三次月考滚动检测卷 [范围：1~3章] (时间：75分钟满分：100分) 一、选择题：本题共14小题，每小题3分，共42分。在每小题给出的四个选项中，只有一项符合题目要求。 1.前四周期元素中，基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有 ( A.3种 B.4种 C.5种 D.6种 2.同周期的三种元素X、Y,Z,已知其最高价氧化物对应水化物的酸性强弱为HXO,>H2Y()1>H3Z):, 则下列判断错误的是 ( A.原子半径：Z>Y>X B.气态氢化物的稳定性：HX>H2Y>ZH C.电负性：X>Y>Z D.第一电离能：X>Y>Z 3.CO2在低压条件下能与H2合成甲醇：CO2十3H2→CHOH+H2O,该反应所涉及的4种物质中，沸 忠 点从高到低的顺序为 A.CH:OH>H2O>CO2>H2 B.H2O>CH:OH>CO2>H2 C.H2O>CO2>CH:OH>H2 D.CH:OH>CO2>H2O>H2 4.下列对sp3、sp、sp杂化轨道的夹角的比较，得出结论正确的是 A,sp杂化轨道的夹角最大 B.sp2杂化轨道的夹角最大 C.sp3杂化轨道的夹角最大 D.sp3,sp2,sp杂化轨道的夹角相等 5.对于钠的卤化物(NaX)和硅的卤化物分子(SX:),下列叙述正确的是 A.SX呈空间网状结构，硬度大 B.NaX的熔点一般高于SiX 北 C.NaX易水解 D,SiX,由原子构成，熔化时破坏共价键 6.A2(O3、Mg(O和SiO2都可以制耐火材料。下列有关说法错误的是 A.Al2O3、MgO和SiO2都不溶于水 B.A12(O3是两性氧化物，MgO是碱性氧化物，SiO2是酸性氧化物 C.Al2(O3,MgO和SiO2都是离子晶体，具有很高的熔点 D.在SiO2晶体中，并不存在单个“SiO2”分子 年 7.T一carbon(又名T一碳)，是中国科学院大学苏刚教授研究团队于2011年通过理论计算预 毁 言的一种新型三维碳结构，经过不懈的努力探索，2017年终于被西安交大和新加坡南洋理 工大学联合研究团队在实验上成功合成，证实了理论预言。T一碳的结构是将立方金刚石 中的每个碳原子用一个由4个碳原子组成的正四面体结构单元取代形成碳的一种新型三维 立方晶体晶胞结构，如图。下列说法错误的是 A.每个T一碳晶胞中含32个碳原子 B.T一碳密度比金刚石小 C.T一碳中碳与碳的最小夹角为109.5° 黄 D.由于T一碳是一种蓬松的碳材料，其内部有很大空间可供利用，可能可以用作储氢材料 8.下列关于物质熔、沸点的比较正确的是 和 A.CCl,MgCl2,SigN,的榕点依次升高 B.Rb、K、Na、Li的沸点依次降低 C.品体硅、碳化硅、金刚石的熔点依次降低 D.HF、HCI、HBr的沸点依次升高 9.下列叙述中正确的是 A.共价晶体、离子晶体、金属晶体、分子晶体中都一定存在化学键 B.同素异形体之间的转化都是物理变化 C.共价晶体的熔点不一定比金属品体的高，分子品体的熔点不一定比金属品体的低 D.已知12g金刚石中含有2NA个C—C键，则60gSiO2中也含有2NA个Si一O键 33 10.下列说法中错误的是 ( A.从CH4、NH时，SO-为正四面体结构，可推测PH时、PO也为正四面体结构 B.1mol金刚石晶体中，平均含有2molC-C C.水的沸点比硫化氢的高，是因为H2O分子间存在氢键，H2S分子间不能形成 氢键 中E原子和F原子构成 的气态切簇分子流 D.某气态团簇分子结构如图所示，该气态团簇分子的分子式为EF或FE 11.CaF2的晶胞结构和部分离子的投影位置如图所示，下列说法错误的是 Caof A.CaF2属于离子晶体 B.Ca2+的配位数为8 C.图甲为F一沿y轴投影图 D.图乙为Ca2+沿面对角线投影图 12.化学式为Ni(CN).(NH3),(CsHg).的笼形包合物基本结构如图所示(H原子 ●一0 未画出)。N+与CN连接形成平面层，两个平面层通过NH3分子连接，中间 的空隙填充苯分子。下列说法正确的是 A.x:yx=2:2:1 ○N ON B.该结构不是晶胞结构单元 C.结构中N原子均参与形成配位键 D.半数N+与C原子配位，且所有的N+配位数相同 13.K2[Cu(C2O1)2]可用于功能材料的制备。下列说法正确的是 A.第二周期元素中，第一电离能大于氧的元素有2种 B.钾品体中1个K+只与I个价电子存在强烈的相互作用 C.碳原子与氮原子形成的(CN)2属于非极性分子 D.基态铜原子的4s电子能量较高，总是在比3s电子离核更远的地方运动 14.VA为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A.0.2 mol 0 N、 中含有的o键数目为0.8NA B.3.0gSiO2晶体中含有的Si一O键数日为0.2VA C