7.分子晶体与共价晶体-【满分金卷·衡水优选题】2023-2024学年高中化学选择性必修2物质结构与性质同步周测卷（人教版2019）

高中同步周测卷 6.北京2022华冬奥会采用C0箭界直冷技术，实境“水立方”"变为“冰立方” 干冰昌能知图所示，下列说法情限的是 化学人数版选草性必修2物质结构与性质 A冰，干冰品体类型不同 7,舟于4体与装价昌体 我“水立方”变为冰立方”，密度诚个 (时同：40分钟满分：70分) C.用干注目冷比用氟科昂制冷环保 176 可能用到的相对原子质量：H1B1C1gN14016Nm别528P3引 以.1个干冰品图的质墙约为云.02入10产” 超 一，选择哪：本题共12小题，每小露3分，共36分，每小题只有一个选项蒋合题日要求。 7.蛋化硅《S)俗移金南砂.与金围石其有相权的品体结梅，硬度为9.5， 1,下列各组物质所形成的晶体均属于分子晶体的化合物是 掉点为27阳℃，其晶胞结构如图所示。下列说法精读的是( A.NH .HD.CH. BPCL.CO.H,sO AC昌体中架原子和硅原子均采用p紫化 .5h、5i0、P0 C1..NS、H) 我距离硅原子最近且距离相等的目原子数为12 2.下列关于共价品体.分子晶体的叙述中，正确的是 C金喇石的婚点岳下2？0℃ 10 A金刚石为其价健三维骨架结构，晶体中的最小乐上有6个便原了 D若晶胞参煮为：m,则该格体的密度为队2X。g·四 队分子昌体中一定存在共价健 8.下列有关金网石品体和二氧化硅昌体《如图所示的叙述正编的是 CHI的相对分子质量大于HF,所以H1的佛点离于HF D.在S)品体中，1个能原子和2个氧原子形成2个共价键 154 中 长 54 3.晶彩是品体站构中可重复出凳的最小的销构单元，C晶飞结构如图所 示，下列说法正确的是 是 A.降尔质量是720 金州石及其品图 氧化 乱C与苯豆为同素片形体 入金刚石品体和二氧化硅品体均国于共价品体 五金刚石品鞋中含有后个统原子 毁 CC晶体中仅存在范德甲力 且个C分子周围与它最登且等距离的C分子有1g个 C,和g5(3品体中所含共价错数目为N(设N,为阿伏相整梦常数的值) D.金附石品体蜂化时酸坏共价健，二氧化硅晶体博化时酸坏分子间作用力 4,下到叙送正确的是 ,下列说法正确的是 入日)的津点比HS的高与氢健无关 A分子品体中一定存在分子间作用力，不一定存在共价量 取月中价电予戏互斥理论模型名移与肉子的空同结构名称不一数 我木加热列很高的温度都库以分解，与氢键有关 心由于乳限[CH.CCOO州》中存在一个子惟碳原子，缺玫该物质存在反为镜像的两个 C,,晶体是分子晶体，分子列通过我价健结合 H B,HF,HC,H物，H的佛点随看相对分千盾量的增大质次升高 银 下性异构体 1.限有多种同分异构体，其中石影场与金附石的高体站构如图所希，下列说法不正输的是 D,浓和州体减品棒中相直作用力类型相同 示，下列说法正确的是 A.HF和分子中均含有npa建 我常点：HOHS<HSe<HT 心，硬度晶体硅>碳化硅>金相石 石里烯品作 金别石品体 D腹性，CF COOHC1CX日>C1H:C)H ·25 ·26· A在石墨烯晶体中，每个正水元环再有的共价健和暖原子数之比为器·2 ①将O分子阀作质点，设品形边长为：，期距离最近的两个，分子的距离为 县石里稀中含碳碳双锥 C.金郴石晶体中，威额子紧用甲杂北 也C0C5品体的浦点高纸为 【填可相度物质的化学式) D,全附石备体中最小的读环上有8个要原子 干冰常压下极易升华，在工业上用作科冷莉，其原同是 1.下列关于物质增点爱淹点的比权中，不正确的是 A牌点1a< 14.(1含分)请授警求填空： 我熔友：金附石碳化硅硅福体 C.满点，CHCI<CHCH,C<CH.CH.CH 山CN元素形戒的新材料具有如图所示的结构，该昌体的化学式为 D.沸点，邻羟基苯甲聚>对及基米印履 o0位于顶 1以，根据量子力学计算，氯化线有五种结构，其中一种产复化餐段度盟过金刚石八 品体，成为首钢一指的超硬新材料，已包该氢北碳的二推品体结构如图新 承，下列有关该氯化碳的说法不正确的是 (2)氯化碳和氢化硅品体销构相就，是新翠的非金国高温则烧材料，它钉的硬度大.细点 A该品体中的碳，氮氯原千核外最外层那闲是8电子稳定结构 .N 高，化学性质定 帝 其氯化候中暖元素显十4价，氨元素朵一3价 C二举个碳原子与四个氯原子相连，单个氢原子和三个我原子相连 ①氨化硅的使度 《填”大于“境“小于“)氯化碳的便度，原因是 几.氢化碳的分子式为CN 进择题菩毯栏 已知氯化硅的晶体结构中，原子阀霜以单键相连，且刻原子与氯夏千不直挨相连、硅 校 原子与硅短子不直接相连，同时料个顿子富阔足最外层书电子稳定结胸，请写出氯化 号 1 10 11 12 硅的化学式： 客案 ()嘉重A,VA族元素阻成的北合物GmN:GaP,GaA,等是人T合成的新型半导体材料， 二，非选释题