2024届高三化学一轮复习 专项训练 晶胞中正四面体空隙的判断

专项训练 晶胞中正四面体空隙的判断（解析版） 一、单选题 1．几种离子晶体的晶胞如图所示，下列说法正确的是 A．熔沸点：NaCl<CsCl B．NaCl晶胞中，做面心立方最密堆积，填充正四面体空隙 C．若ZnS的晶胞边长为a pm，则与之间的最近距离为 D．上述三种晶胞中，阳离子的配位数：ZnS<NaCl<CsCl 2．金刚砂与金刚石具有相似的晶体结构，硬度为9.5，熔点为2700℃，其晶胞结构如图所示。下列说法正确的是 A．该晶体属于共价晶体，熔点比金刚石高 B．C位于Si构成的正四面体空隙中 C．C—Si的键长为apm，则晶胞边长为2apm D．金刚砂中C原子周围等距且最近的C原子数为6 3．某种离子型铁的氧化物晶胞如图所示，它由A、B方块组成。已知该晶体的密度为，阿伏加德罗常数的值为，下列说法中错误的是 A．该铁的氧化物化学式为 B．距离Fe3+最近的有6个 C．晶体中的只能构成正四面体空隙 D．晶胞的边长为 4．某离子品体中品体结构最小的重复单元如图所示，其中白色大球为A，灰色小球为B，分别在顶点和面心，则下列说法错误的是 A．B离子采取了面心立方密堆积 B．A填入B形成的四面体空隙中 C．B离子的配位数是4 D．一个晶胞中有4个B离子 5．钠元素和硒元素可组成一种对蛋白质的合成和糖代谢有保护作用的无机化合物，其晶胞结构如图所示。已知和的半径分别为anm和bnm，晶胞参数为cnm。下列有关说法错误的是 A．该晶体的化学式为 B．与距离最近且相等的数目为8 C．该晶胞的空间利用率为 D．位于由构成的四面体空隙中，位于由构成的六面体空隙中 6．Cu、Au能形成多种组成固定的合金，其中一种晶体的晶胞结构(立方体)如图所示，下列说法正确的是 A．该晶体的化学组成可表示为CuAu B．与1个Cu原子距离最近的Au原子是4个 C．Au填充了由与之距离最近的Cu原子构成的正四面体空隙 D．根据图中信息，铜原子a的分数坐标为(0.5，0.5，0.5) 7．某铜的氯化物常作工业催化剂，其晶胞结构如图所示，晶胞中C、D两原子核间距为298pm。设阿伏加德罗常数的值为，则下列说法正确的是 A．Cu的+2价比+1价稳定，是因为最外层电子达到半充满结构 B．此氯化物的化学式为 C．晶胞中Cu位于Cl形成的四面体空隙 D．Cu与Cl的核间距为棱长的倍 8．已知γ-AgI晶体属立方晶系，其晶胞截面如图所示(晶胞参数为620pm，设阿伏伽德罗常数的值为NA)，则下列关于γ-AgI晶胞的描述错误的是    A．与的配位数均为4 B．与距离最近且相等的有12个 C．填充在构成的四面体空隙中，其空隙填充率为50% D．该晶体的摩尔体积 9．氧化铈(CeO2)是一种重要的光催化材料，光催化过程中立方晶胞的组成变化如图所示。下列说法错误的是 A．氧元素位于元素周期表中的p区 B．CeO2晶体中与Ce4+相邻且最近的Ce4+有12个 C．O2-占据所有四面体空隙 D．每个CeO2-x晶胞中Ce4+个数为1-2x 10．磷青铜晶体的立方晶胞结构如图所示，若晶体密度为，下列说法正确的是 A．磷青铜晶体化学式为 B．磷原子位于由铜原子形成的四面体空隙中 C．与铜原子距离相等且最近的锡原子有4个 D．相邻铜原子间的最短距离为 nm 11．有关晶体的结构如图所示。下列说法错误的是 A．NaCl与CsCl均为离子晶体，晶格能：NaCl＜CsCl B．NaCl晶体中，Na+位于最近的Cl-形成的正八面体空隙中 C．金刚砂晶体中，Si、C的杂化方式均为sp3杂化 D．CuS晶胞中，Cu2+填充在S2-形成的四面体空隙中，其填充率为50% 12．钠离子电池充电时，从正极脱嵌，经过电解质嵌入负极，放电时则相反。是一种钠离子电池正极材料，充放电过程中正极材料立方晶胞(示意图)的组成变化如图所示，晶胞内未标出因放电产生的0价Cu原子。下列说法错误的是 A．当转化为NaCuSe时，产生 B．1 mol NaCuSe晶胞完全转化为晶胞时，伴随着脱嵌 C．每个晶胞完全转化为晶胞，转移的电子数为 D．晶胞中处于四面体空隙的有8 mol 13．一种光催化材料的晶胞如图，属于立方晶系，其晶胞参数为anm。下列说法错误的是 A．晶体的化学式为CeO2 B．晶体中与Ce距离最近且相等的O有6个 C．氧原子位于Ce构成的四面体空隙中 D．晶体密度为g•cm-3 14．AlN具有耐高温、抗冲击等优良品质，广泛应用于电子工业、陶瓷工业，其晶胞结构如下图所示。下列说法错误的是 A．AlN晶体中N原子的杂化类型为 B．Al原子位于N原子形成的四面体空隙 C．AlN晶体中含有配位键 D．AlN晶体属于离子晶体 15．一种光催化材料的晶胞如图，属于立方晶系，其晶胞参数为。下列说法错误的是 A．晶体的化学式为 B