专题02 电磁学版块大题综合-【冲刺双一流之大题必刷】备战2024年高考物理冲刺双一流之大题必刷满分冲刺(新高考福建专用)

2023-07-20
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专题02 电磁学版块大题综合 一、解答题 1.(2023·福建·模拟预测)某种粒子分析器由偏转电场和偏转磁场组成,其示意图如图所示,整个装置处于真空中。偏转电场的极板均水平放置,偏转电场两极板长度和间距均为,两极板间加电压为的正弦式交流电。在偏转电场右侧适当位置有一夹角,半径为R的扇形区域OPQ,该区域内分布着方向垂直于纸面的匀强磁场,OP边与偏转极板中心轴线MN垂直,扇形圆心O点与轴线MN的距离为。现有大量质量为m、电荷量为q的正离子连续不断地以初速度沿轴线MN射入偏转电场,所有离子均进入磁场且垂直OQ边离开磁场。已知离子在电场中运动的时间远小于两极板间所加交流电的周期,不计离子的重力和离子间的相互作用,。求: (1)磁场区域的磁感应强度B的大小与方向; (2)离子经过OQ时,与O点的距离的范围; (3)偏转电场两极板的右端到OP边的距离d。    2.(2023·福建厦门·统考二模)如图甲所示,某直线加速器由金属圆板和4个金属圆筒依次排列组成,圆筒左右底面中心开有小孔,其中心轴线在同一水平线上,圆板及相邻金属圆筒分别接在周期性交变电源的两极.粒子自金属圆板中心无初速度释放,在间隙中被电场加速(穿过间隙的时间忽略不计),在圆筒内做匀速直线运动.粒子在每个金属圆筒内运动时间恰好等于交变电压周期的一半,这样粒子就能在间隙处一直被加速。电荷量为q、质量为m的质子通过此加速器加速,交变电压如图乙所示(、未知),粒子飞出4号圆筒即关闭交变电源.加速后的质子从P点沿半径射入圆形匀强磁场区域,经过磁场偏转后从Q点射出。已知匀强磁场区域半径为R,磁感应强度大小为B,方向垂直纸面向里,不计一切阻力,忽略磁场的边缘效应,求: (1)质子在圆形磁场中运动的时间; (2)直线加速器所加交变电场的电压; (3)若交变电压周期不变,粒子换成氚核,为使氚核在每个金属圆筒内运动时间仍等于交变电压周期的一半,需将交变电压调为的多少倍? 3.(2023·福建福州·福建省福州第一中学校考二模)如图所示,垂直纸面向里的匀强磁场中有一固定竖直挡板,挡板足够长,P处有一粒子源,PO连线垂直挡板,P到O的距离为L。粒子源能垂直磁场沿纸面向各个方向发射速度大小均为v的带正电粒子。粒子质量均为m,电荷量均为q,到达挡板的粒子都被吸收,不计粒子的重力及粒子间的相互作用。 (1)若有粒子能到达挡板,求磁感应强度大小B应满足的条件; (2)若粒子到达挡板上侧最远处为M点,下侧最远处为N点,且,求磁感应强度的大小B。    4.(2023·福建福州·统考三模)如图所示,间距为的水平导轨右端接有的定值电阻。虚线与导轨垂直,其左侧有方向竖直向上、大小为的匀强磁场。一质量的金属棒垂直于导轨放置在距右侧处,一重物通过绕过轻质定滑轮的绝缘轻绳与金属棒连接。时,将金属棒由静止释放,在时,金属棒恰好经过边界进入磁场。已知导轨足够长,不计导轨与金属棒电阻,金属棒始终垂直导轨且与导轨接触良好,重物始终未落地,重力加速度g取,不计一切摩擦,求: (1)金属棒进入磁场前的加速度大小及重物的质量; (2)金属棒刚进入磁场时,电阻的热功率P; (3)时金属棒速度为,求此时金属棒与的距离。 5.(2023·福建厦门·厦门一中校考三模)如图所示,在xOy平面的第I象限中有垂直纸面向里的匀强磁场,磁感应强度大小为B;第II象限中有垂直纸面向外的匀强磁场,磁感应强度大小为2B。在M与N连线上的各点,有相同带电粒子沿y轴正方向不连续地射入磁场,粒子质量为m,电量为;进入第I象限时运动半径都为d。已知,,粒子重力不计、不会相碰,不考虑粒子间的相互作用。求 (1)粒子射入磁场的速度大小; (2)粒子从x轴上射出磁场的横坐标范围; (3)从M点射入磁场的粒子第5次经过y轴时所经历的时间t以及第5次经过y轴时的点到O点的距离s 6.(2023·福建南平·统考模拟预测)如图甲,倾角的足够长光滑导轨,导轨间距,该端接有的定值电阻,导轨处在磁感应强度大小,方向垂直导轨平面向上的匀强磁场中。质量、阻值的金属棒,在平行于导轨的拉力F作用下,由静止开始从CD处沿导轨向上加速运动,金属棒的速度—位移图像如图乙所示,金属棒始终与导轨垂直并接触良好,导轨电阻忽略不计,重力加速度,求: (1)通过金属棒的电荷量为1C时,金属棒的位移大小; (2)速度时,电阻R的发热功率; (3)金属棒从CD处沿导轨向上运动的过程中,外力F做的功。 7.(2023·福建泉州·统考模拟预测)在芯片领域,人们通过离子注入的方式优化半导体。其原理简化如图所示,Ⅰ区域为速度选择器,存在着互相垂直的匀强电场和匀强磁场,电场强度大小为,磁感应强度大小为;Ⅱ区域为磁感应强度大小可调的匀强磁场,其边界是边长为的正方形。一长度为的半导体材料放在边上,下端与点重合,上端为点。一

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