内容正文:
二极管的基本电路及其分析方法
二极管的基本电路及其分析方法
简单二极管电路的图解分析方法
二极管电路的简化模型分析方法
华中科技大学 张林
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二极管电路的简化模型分析方法
(4)小信号模型
vs =Vmsint 时(Vm<<VDD)
Q点称为静态工作点 ,反映直流时的工作状态。
将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化,得到小信号模型,即以Q点为切点的一条直线。
1. 二极管I-V 特性的建模
+
vs
-
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二极管电路的简化模型分析方法
过Q点的切线可以等效成一个微变电阻
即
根据
得Q点处的微变电导
则
常温下(T=300K)
1. 二极管I-V 特性的建模
(4)小信号模型
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华中科技大学 张林
二极管电路的简化模型分析方法
特别注意:
小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。
该模型用于二极管处于正向偏置条件下,且vD>>VT 。
(a)I-V 特性 (b)电路模型
1. 二极管I-V 特性的建模
(4)小信号模型
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二极管电路的简化模型分析方法
2.模型分析法应用举例
(1)整流电路(理想模型)
当vs为正半周时,二极管导通,且导通压降为0V,vo = vs
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华中科技大学 张林
2.模型分析法应用举例
(2)静态工作情况分析
理想模型
(R=10k)
当VDD=10V 时,
恒压模型
(硅二极管典型值)
折线模型
(硅二极管典型值)
设
当VDD=1V 时,
(自学)
(a)简单二极管电路 (b)习惯画法
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(3)限幅与钳位电路
电路如图,R = 1kΩ,VREF = 3V,二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解,当vI = 6sint V时,绘出相应的输出电压vO的波形。
2.模型分析法应用举例
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华中科技大学 张林
电路如图,二极管为硅二极管,VD=0.7V, vs = Vm sint V,且Vm >>VD ,绘出相应的输出电压vO的波形。
vs的负半周,D导通,C充电,但无放电回路,最后(稳态)
VC = Vm - VD = Vm– 0.7V (Vm是振幅值)
此后输出电压为
vO = vs +VC = vs +Vm - 0.7V
将输入波形的底部钳位在了-0.7V的直流电平上。
若颠倒二极管的方向,vO的波形将怎样变化?
(3)限幅与钳位电路
2.模型分析法应用举例
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(4)开关电路
电路如图所示,求AO的电压值
解:
先断开D,以O为基准电位,
即O点为0V。
则接D阳极的电位为-6V,接阴极的电位为-12V。
阳极电位高于阴极电位,D接入时正向导通。
导通后,D的压降等于零,即A点的电位就是D阳极的电位。
所以,AO的电压值为-6V。
2.模型分析法应用举例
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(6)小信号工作情况分析
图示电路中,VDD = 5V,R = 5k,恒压降模型的VD=0.7V,vs = 0sinwt V。(1)求输出电压vO的交流量和总量;(2)绘出vO的波形。
解得:
vO = VO + vo = 4 + 0.0994sinwt (V)
直流通路(静态)
小信号模型的交流通路(动态)
直流通路、交流通路、静态、动态等概念,在放大电路的分析中非常重要。
解:
2.模型分析法应用举例
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齐纳二极管
1. 符号及稳压特性
利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。
(a)符号
(b) 伏安特性
(c)反向击穿时的模型
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iD
+
vD
-
R
VDD
D
rd
vD
(
Q
iD
vD
(b)
iD
+
iD
(a)
vD
O
rd
vD
(
Q
iD
vD
(b)
iD
+
iD
(a)
vD
O
O
(t
vs
(
2(
3(
4(
O
(t
vo
(
2(
3(
4(
(a)
D
-
vs
+
R
-
vo
+