2022-2023学年高二物理竞赛课件：电路动态记忆单元

电路动态记忆单元 动态记忆单元示意图 电路动态记忆单元 寄生电容 内部电路图 动态RAM： 记忆单元为MOS管上的极间电容，电容上有一定的电荷时为“1”，否则为“0”。无触发时，电路有漏电流，信息会丢失，因此要不断刷新。动态RAM特点： 容量大，但速度慢。 读/写控制电路示意图 读出 1 0 写入 0 0 隔离 × 1 操作 R/W CS 静态记忆单元示意图 内部结构 RAM中的记忆单元分类：静态记忆单元；动态记忆单元。 静态RAM：由静态记忆单元构成，简称为SRAM。静态记忆单元为双稳态电路，无触发时状态不变。特点：速度快，但容量小。 静态RAM读/写操作时序图 常用的静态RAM芯片 快闪存储器（ Flash Memory ） 是一种非易失性存储器，即切断供电电源之后仍然保持所有数据。它既具有半导体存储器读取速度快、存储容量大的优点，又克服了RAM的易失性。其存储单元的尺寸比DRAM的更小且存储信息容易改写，价格相对便宜。 快闪存储器的存储单元 2114的逻辑符号及框图 4K×1动态RAM框图 动态RAM读写及刷新操作时序图 常用的动态RAM芯片 RAM的扩展 RAM的扩展 RAM的扩展 快闪存储器读出矩阵 NM29N16快闪存储器的存储结构图 栅氧化层 浮栅 漏极 源极 控制栅 有源负载 位线0 D0 比较器 ＋VD 列选线0 ＋VREF 有源负载 Dm 比较器 ＋VD 列选线m ＋VREF 位线m 行选线0 行选线1 行选线n 第2页 第1页 第16页 第15页 每块16页 （256＋8）个字节 第1块 第2块 第3块 第512块 $