第三章 晶体结构与性质 测试题 2022-2023学年高二下学期化学人教版(2019)选择性必修2

2023-07-03
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第三章 晶体结构与性质 测试题 一、选择题 1.下列说法不正确的是 A.拟卤素(SCN)2对应的酸有两种,理论上异硫氰酸(H-N=C=S)的沸点高于硫氰酸(H-S-C≡N) B.硫酸铜溶液中加入过量氨水生成[Cu(NH3)4]2+,NF3与NH3结构相似,NF3更易与Cu2+形成配离子 C.1mol的三种微粒、OCN-和N2O,含有的π键数目均为2NA D.直链多磷酸盐的阴离子有多种,焦磷酸根离子、三磷酸根离子的结构如图所示,这类磷酸根离子可用通式(PnO3n+1)(n+2)-表示 2.许多过渡金属离子对多种配位体有很强的结合力,能形成种类繁多的配合物.下列说法正确的 A.向配合物的溶液中加入足量的溶液,所有的均被完全沉淀 B.和中其中心离子的化合价都是+2价 C.配合物的配体为和 D.配合物的配位数为6 3.下列有关晶体的叙述中,正确的是 A.离子晶体中只含有离子键,不含有共价键 B.共价晶体都是单质,很多共价晶体可以用来作耐磨耐高温材料 C.分子晶体中,共价键键能越大,该分子晶体的熔点越高 D.固态时可导电的不一定是金属晶体 4.下列关于化学键的说法正确的是 A.晶体中的化学键是共价键 B.中只存在离子键 C.是由金属元素和非金属元素形成的共价化合物 D.是一种共价化合物 5.下列各种物质的晶体中,化学键类型和晶体类型均完全相同的是 A.和 B.和 C.和SiC D.和 6.下列说法正确的是( ) A.干冰与NH4Cl都属于分子晶体 B.MgCl2中既有离子键又有共价键 C.冰熔化时,H—O键发生断裂 D.熔沸点由高到低的顺序:金刚石>NaCl>H2O 7.科学家探测了催化和制备双氧水和水的过程,如图所示。 下列叙述错误的是 A.催化剂能提高氧气中活化分子百分率 B.制备等物质的量的和时转移电子数之比为1:1 C.沸点: D.上述合成过程中存在非极性键的断裂和极性键、非极性键的形成 8.下列说法正确的是 A.SO2与CO2的分子立体构型均为直线形 B.H2O和NH3中的中心原子杂化方式相同 C.SiH4的键长大于CH4的键长,所以SiH4的熔点比CH4高 D.分子晶体中只存在分子间作用力,不含有其它化学键 9.拟晶是一种具有凸多面体规则外形的固体,具有优良的性能。下列有关拟晶的说法正确的是 A.可通过射线衍射实验检测是否属于晶体 B.铁元素与铜元素均位于元素周期表区 C.等质量的分别溶于过量盐酸和溶液,生成的物质的量相等 D.溶于过量的后溶液中大量存在的离子有、、、 10.在一定条件下,与甲醛发生如下反应: 已知:i、HCN为剧毒、易挥发的气体,其水溶液有极弱的酸性 ii、 ; 下列说法不正确的是 A.与中均形成4个配位键 B.中键角小于 C.依据与甲醛反应可以生成,可推测: D.上述反应必须在碱性条件下进行,既保证安全性,也能提高反应物转化率 11.H+离子与NH3分子反应生成NH4+离子,它们之间的相互作用是 A.离子键 B.分子间的作用 C.配位键 D.非极性共价键 12.下列叙述中正确的是 A.干冰升华时碳氧键发生断裂 B.CaO和SiO2晶体中都不存在单个小分子 C.Na2O与Na2O2所含的化学键类型完全相同 D.Br2蒸气被木炭吸附时共价键被破坏 13.NH3是重要的化工原料,可用于某些配合物的制备,如NiSO4溶于氨水形成[Ni(NH3)6]SO4。工业上常采用氨氧化法制硝酸,其流程是将氨和空气混合后通入灼热的铂铑合金网,反应生成NO(g),生成的一氧化氮与残余的氧气继续反应生成二氧化氮:2NO(g)+O2(g)=2NO2(g) △H=-116.4kJ·mol-1。随后将二氧化氮通入水中制取硝酸。工业上一般用石灰乳吸收硝酸工业尾气(NO和NO2),由于NO不能被碱吸收,一般控制NO和NO2约为1:1通入石灰乳,净化尾气的同时又可制得混凝土添加剂Ca(NO2)2。电解法脱硝一般先用稀硝酸吸收氮氧化合物生成亚硝酸,再用电解法生成硝酸。下列有关[Ni(NH3)6]SO4的说法正确的是 A.Ni的核外电子排布式为[Ar]3d64s2 B.1mol[Ni(NH3)6]2+中σ键的数目为18mol C.[Ni(NH3)6]2+中H-N-H的键角大于NH3中的键角 D.VA族元素单质的晶体类型相同 14.下列物质,按其晶体的熔点由高到低排列正确的是 A.MgO、NaCl、KCl 、AlCl3 B.CF4、 CCl4 、CBr4、CI4 C.金刚石、碳化硅、晶体硅、石墨 D.冰、冰醋酸、干冰、固体氩 15.下列叙述中,正确的是 A.硅酸盐玻璃能加工成一定的形状,具有自范性 B.晶体具有各向异性 C.晶体与非晶体的根本区别在于是否具有规则的几何外形 D.区分晶体与非晶体最可靠的科学方法是红外光谱法 二、填空

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