2022-2023学年高二物理竞赛课件：晶体管的共射特性曲线

晶体管的共射特性曲线 晶体管的共射特性曲线 IC mA A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 输入特性曲线IB=f(UBE) |UCE=常数 输出特性曲线IC=f(UCE) |IB=常数 继续 ICN与IBN之比称为直流电流放大倍数 交流放大倍数：电流的变化量之比 电流放大系数 继续 定义：α ≈ △iC/△iE ──共基极电流放大系数 仍然有重要公式： IE=IC+IB， △ iE= △ iC+ △ iB 对于：共基极电路 α与β的关系： 一、输入特性 UCE 1V IB(A) UBE(V) 20 40 60 80 0 0.8 工作压降： 硅管UBE0.7V。 UCE=0V UCE =0V 死区电压，硅管0V。 继续 （3）有一门限电压──晶体管开始导通时的基极电压（硅管0V，锗管0.1V）。 （4）晶体管正常工作时，发射结的压降变化不大（硅管0.7V，锗管0V）。 （5）输入特性是非线性的。 IB(A) UBE(V) 20 40 60 80 0 0.8 输入特性曲线的特点： （1）UCE=0，相当于两个二极管并联运用。 （2）UCE≠0时，整个曲线往右移。当UCE＞1V后，曲线几乎重合 继续 输出特性（重要！） IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A 此区域中 : IB=0, UBE< 死区电压，称为截止区 继续 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A 此区域满足IC=IB称为线性区（放大区） 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。 继续 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A 此区域中IC<IB，UCE0V称为饱和区。 继续 输出特性三个区域的特点: (2) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 UCE>UBE 即： IC=IB , 且 IC =   IB (3) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCEUBE ， IB>IC，UCE0V (1) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A 继续 临界条件？ 晶体管的三个工作区域：列表 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 状态 uBE iC uCE 截止 ＜Uon ICEO VCC 放大 ≥ Uon βiB ≥ uBE 饱和 ≥ Uon ＜βiB ≤ uBE 参数 11 根据什么判断晶体管的工作状态？ 2. 共基交流电流放大系数α 3. 特征频率fT 由于晶体管中PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数是所加信号频率的函数。当频率升高，β会下降，且产生相移。 继续 $