专题11根据投影推断晶胞结构

专题11 根据投影推断晶胞结构 专题10  根据投影推断晶体结构 几种常见的典型晶胞在不同情况下的投影，如 晶胞类型 三维图 二维图 正视图 沿体对角线切开的剖面图 沿体对角线的投影 简单立方堆积 体心立方堆积 面心立方堆积 晶胞 金刚石晶胞 或 晶胞 1．金的晶胞结构如图所示(假设晶胞参数为anm)，下列说法错误的是 A．金原子在晶胞中的空间利用率约为74% B．c原子的坐标为 (，0，) C．该晶体的密度为 D．金晶胞沿z轴方向的投影图为 2．硅酸盐是地壳岩石的主要成分，在硅酸盐中，四面体(如图甲为俯视投影图)通过共用顶角氧原子可形成六元环(图乙)、无限单链状(图丙)、无限双链状(图丁)等多种结构。石棉是由钙、镁离子以离子数1：3的比例与单链状硅酸根离子形成的一种硅酸盐，下列说法不正确的是 A．硅氧四面体结构决定了大多数硅酸盐材料硬度高 B．六元环的硅酸盐阴离子化学式 C．石棉的化学式为 D．双链状硅酸盐中硅氧原子数之比为2：5 3．回答下列问题： (1)分别用○、•表示和，晶体的四方晶胞如图(a)所示，图(b)、图(c)分别显示的是、在晶胞面、面上的位置： ①若晶胞底边的边长均为、高为，阿伏伽德罗常数的值为，晶体的密度为_______(写出表达式)。 ②晶胞在轴方向的投影图为_______(填标号)。 A、 B、 C、 D、 (2)硼化钙可用于新型半导体材料，一种硼化钙的晶胞结构及沿z轴方向的投影图如图所示，硼原子形成的正八面体占据顶角位置。若阿伏伽德罗常数的值为NA，则晶体密度ρ=_______g·cm-3。 (3)过渡金属Q与镧形成的合金是一种储氢材料，其中基态Q原子的价电子排布式为，该合金的晶胞结构和z轴方向的投影图如图所示。 若阿伏伽德罗常数的值为，则该合金的密度_______(用含a、c、的代数式表示，列出计算式即可；Q的相对原子质量用M元素符号表示)。 (4)的晶胞结构如图所示： 已知的摩尔质量为，为阿伏伽德罗常数的值，则该晶体的密度为_______。该晶胞沿体对角线方向的投影图_______(填标号)。 a． b． c． d． 4．某钒、镓合金的晶胞结构及其晶胞沿x轴投影图如下，已知：晶胞参数为a pm，为阿伏加德罗常数的值，其中原子坐标参数甲，乙。下列说法错误的是 A．该合金的化学式为 B．丙原子的坐标参数 C．与V距离最近且相等的Ga有4个 D．该合金的密度为 5．的晶胞结构和部分离子的投影位置如图所示，下列说法错误的是    A．属于离子晶体 B．的配位数为8 C．图甲为沿y轴投影图 D．图乙为沿面对角线投影图 6．渗入石墨层间形成的插层化合物既可作乙烷脱氢的催化剂，又作储氢材料，其储氢量与肼相当。一种插层化合物的六方晶胞如图1所示，表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．中大于中 B．同条件下的沸点高于 C．插层化合物的密度为 D．图2可表示插层化合物沿z轴的局部投影图 7．立方砷化硼(BAs)有潜力成为比硅更优良的半导体材料，BAs的晶胞结构如图所示： 若晶胞参数为apm，下列有关说法错误的是 A．该晶胞中所含As的个数与As的配位数相等 B．基态B原子核外电子的空间运动状态有3种 C．晶胞中As原子与B原子的最近距离为 D．晶胞在xy面上的投影图为 8．砷化镓是一种立方晶系如图甲所示，将Mn掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料如图乙所示，砷化镓的晶胞参数为x pm，密度为。下列说法错误的是 A．砷化镓中As的配位数为4 B．Ga和As的最近距离是 C．沿体对角线a→b方向投影图如丙，若c在11处，则As的位置为7、9、11、13 D．Mn掺杂到砷化镓晶体中，和Mn最近且等距离的As的数目为6 9．回答下列问题： (1)“沉钴”产物可用于制备CoO，CoO的晶胞结构如图所示，与距离最近且相等的有_______个；设与的最近的核间距为r nm，CoO晶体的密度为_______(列出计算式，为阿伏伽德罗常数的值)；该晶胞若沿体对角线投影，则的投影图为_______(填字母选项)。 (2)我国科学家在新型二维半导体芯片材料——硒氧化铋的研究中取得突破性进展。硒氧化铋的晶胞结构如图所示，晶胞棱边夹角均为90°，晶胞参数为a pm，a pm，b pm。 ①该晶胞沿z轴方向的投影图为_______ (填标号)。 A．    B．    C．    D． ②该晶体中，每个周围紧邻的共有_______个。 ③该晶体的密度为_______(列出计算式，为阿伏加德罗常数的值)。 (3)(CH3NH3)PbI3晶胞结构如图所示，其中A代表Pb2+。 ①已知(CH3NH3