第三章 晶体结构与性质 测试题 2022-2023学年高二下学期化学人教版（2019）选择性必修2

第三章《晶体结构与性质》测试题 一、单选题（共12题） 1．下列说法不正确的是 A．丙烯的结构简式：CH2CHCH3 B．以双聚分子形式存在的FeCl3中Fe的配位数为4 C．2－甲基丁烷的键线式： D．基态钠原子的轨道表示式： 2．某二次电池电解质结构如图，X、Y、Z、W、Q为原子序数依次增大的短周期元素，其中Y和Q的杂化方式相同。下列说法错误的是 A．第一电离能：Y＞Z B．简单离子半径：Z＞W C．最简单氢化物稳定性：Y＞W D．与X形成的化合物熔点：Z＞Q 3．向CuSO4溶液中滴加氨水至过量，得到深蓝色透明溶液。下列叙述不正确的是 A．反应过程中先生成蓝色沉淀，后沉淀溶解 B．溶液呈深蓝色是由于生成了[Cu(NH3)4]2+ C．反应的离子方程式为Cu2++4NH3·H2O=[Cu(NH3)4]2++4H2O D．若继续向深蓝色溶液中加入乙醇，将析出深蓝色晶体CuSO4·5H2O 4．K3[Fe(CN)6]俗称赤血盐、赤血盐钾，化学上常用于检验亚铁离子。下列关于K3[Fe(CN)6]的说法错误的是 A．该化合物中的Fe为+3价 B．铁离子提供空轨道 C．配体是CN-，配位数为6 D．1 mol K3[Fe(CN)6]中含有的σ键数目为6NA 5．碳铂(结构简式如图)是一种广谱抗癌药物。下列关于碳铂的说法错误的是 A．中心原子的配位数为4 B．分子中σ键与π键数目之比为10：1 C．sp3和sp2杂化的碳原子数之比为2：1 D．分子中含有极性键、非极性键和配位键 6．GaN是研制微电子器件、光电子器件的第三代半导体材料，其晶胞结构如下。 已知：GaN、GaP、GaAs的熔点高，且熔融状态均不导电；晶胞参数为a cm。 下列说法正确的是 A．GaN为离子晶体 B．熔点：GaN<GaP<GaAs C．N原子与Ga原子的最短距离为cm D．与N原子相连的Ga原子构成的几何体为正方体 7．检验灼热的碳投入浓硫酸中产生的气体的成分，实验步骤如下： 步骤1：先将该气体通入品红溶液中，观察现象； 步骤2：将步骤1中的气体通入酸性高锰酸钾溶液后再通过品红溶液，观察现象； 步骤3：再将步骤2中的气体通入澄清石灰水中，观察现象。 下列说法错误的是 A．步骤1中品红溶液褪色，说明产生气体中含 B．步骤2的目的是除去并证明已除尽 C．步骤3持续时间过长现象会消失，原因是生成了配合物 D．一种碳-铁合金结构如图所示，该合金化学式是FeC 8．下列的排序不正确的是 A．晶体熔点由低到高：CF4 ＜ CCl4 ＜ CBr4 ＜ CI4 B．沸点由高到低：Na＞Mg＞Al C．硬度由大到小：金刚石 ＞ SiC ＞晶体硅 D．晶格能由大到小： MgF2＞ NaCl ＞ NaBr 9．金晶体采取面心立方最密堆积。设金原子的直径为d，用NA表示阿伏加德罗常数，M表示金的摩尔质量。则下列说法正确的是 A．金晶体每个晶胞中含有2个金原子 B．金属键无方向性，金属原子尽可能采取紧密堆积 C．一个晶胞的体积是 D．金晶体的密度是2 10．有关晶体的结构如图所示，下列说法中错误的是 A．在晶体中，距最近的有6个，距最近且等距的共12个 B．在晶体中，每个晶胞平均占有4个，的配位数是4 C．在金刚石晶体中，每个碳原子被12个六元环共同占有，每个六元环最多有4个碳原子共面 D．该气态团簇分子的分子式为或，其晶体不导电 11．下列固体熔化时破坏共价键的是 A．冰 B．铝 C．二氧化硅 D．烧碱 12．一种由构成的晶体结构如图所示。下列说法正确的是 A．晶体的化学式为 B．与Fe原子配位的S的个数为6个 C．根据晶胞的结构特点可以判断晶胞的高是底边的2倍 D．该晶体应该具有较高的熔沸点和硬度 二、非选择题（共10题） 13．(1)如图a所示的是金红石的晶胞，则每个晶胞拥有_______个、_______个。 (2)如图b所示的是硫化锌的晶胞，则、的数目之比是_______。 (3)如图c所示的是钙钛矿的晶胞，则其化学式是_______。 14．以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称作原子分数坐标。某氮化铁的晶胞结构如图所示： (1)在晶胞中，原子分数坐标A为(0，0，0)；B为( )，，)；C为(0，1，1)，则D为____________。 (2)若该晶体的密度是ρ g·cm-3，则晶胞中两个最近的Fe的核间距为__________(用含NA、ρ的代数式表示，不必化简)。 (3)在该晶胞结构中，Cu可以完全替代a位置Fe或者b位置Fe(见图1)，形成Cu替代型产物Fe(x-n)CunNy。FexNy转化为两种Cu替代型产物的能量变化如图2所示，其中更稳定的是______(填“Cu替代a位置Fe型”或“Cu替代b位置Fe型”)，替代后不稳定