内容正文:
半导体的霍尔效应
半导体的霍尔效应
一、P型半导体霍尔效应
1. P型半导体霍耳效应的形成过程
Bz
d
b
VH
I
l
B
A
z
y
x
○
+
_
fεx
fL
f
εy
电场力:fε=qεx
磁场力:fL=qVxBz
y方向的电场强度为:εy
平衡后:
fεx
fL
qεy
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第二级
第三级
第四级
第五级
令:
(RH)P为P型材料的霍尔系数
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第二级
第三级
第四级
第五级
考虑样品的尺寸:宽度b;厚度d
VH为霍尔电压 :
霍尔系数为:
在一定的外加磁场与电流下,测定霍尔电压,可得到
霍尔系数,从而可得到载流子浓度。
2. 霍尔角θ及空穴迁移率μ和电导率σ
横向霍尔电场的存在,使得在有垂直磁场下电场和电流
方向不在同一个方向上,两者之间有个夹角,即霍尔角。
εx
εy
qεy
fL
ε
θ
J
迁移率为:
电导率
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第二级
第三级
第四级
第五级
假设对N型半导体加的磁场、电场与P型相同,达到稳态,
y方向无净电荷流动
N型材料的霍尔系数
可以从霍尔系数的符号判断半导体材料的极性
三、两种载流子同时存在时霍尔效应
1.霍尔效应的形成过程及霍尔系数RH
Note:霍尔系数的推导不能从受力平
衡推导,而是横向电流为零作为前提!
有三种横向电流:
● 空穴在磁场力作用下,漂移
运动发生偏转,使电流产生横
向分量,形成的横向电流
● 电子在磁场力作用下,漂移运动发生偏转,使电流产
生横向分量,形成的横向电流
● 电子和空穴在y方向霍尔场作用下形成的电流
-y方向
+y方向
二、N型半导体的霍尔效应
1.霍尔效应的形成过程
电场力:
又
(1) y方向的空穴电流密度(Jp)y
假设稳定后,横向电场沿+y方向
洛仑磁力:
(2) y方向上的电子电流密度(Jn)y
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