内容正文:
杂质半导体载流子浓度和费米能级
电中性条件:
no + pA- = po + nD+
分析不同温度范围,确定费米能级EF
导带
价带
pA-
p0
n0
nD+
杂质半导体载流子浓度和费米能级
● ED-EF>>kT
nD→0,nD+→ND,施主杂质几乎全部电离
● EF = ED gD=2
● EF-ED>>kT
nD→ND,nD+→0,施主杂质几乎没有电离
施主杂质只有1/3电离
没有电离的受主浓度pA为:
电离的受主浓度pA-为:
若受主浓度为NA
gA
● EF-EA>>kT
● EA-EF>>kT
pA→0,pA-→NA,受主杂质几乎全部电离
● EF=EA gA=4
pA→NA,pA-→0,受主杂质几乎没有电离
受主杂质只有1/5电离
1. 低温弱电离区
温度很低,kT<△ED<<Eg,本征激发忽略
本征激发很小,po=0 可忽略
电中性条件
no = nD+
以只含有ND一种施主杂质为例
A. n 型半导体载流子浓度和费米能级
no + pA- = po + nD+
可简化为:
T
杂质离化区
本征激发区
过渡区
低温弱电离区
中间电离区
强电离区
载流子由杂质电离提供
杂质部分电离
杂质全部电离
载流子由杂质电离和本征激发提供
载流子主要由本征激发提供
将 n0、nD+ 代入,得:
温度很低时,nD+<<ND, ∴
∴
取对数并化简得:
● EF ~ T 的关系
T → 0K时
∴ EF→(EC+ED)/2
T↑,NC↑,dEF/dT↓
dEF/dT → +∞
T→0K时
>3/2,dEF/dT>0,EF↑;
当
当T↑↑,达到 dEF/dT=0 :
EF达到最大值
当T>Tmax后,
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