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第3章《晶体结构与性质》检测题
一、单选题
1.正硼酸()是一种片层状结构的白色晶体,层内的分子通过氢键(如图,用虚线表示)相连。下列有关说法正确的是
A.正硼酸晶体不属于分子晶体 B.分子的稳定性与氢键有关
C.分子中硼原子最外层为8电子稳定结构 D.含1mol 的晶体中有3mol氢键
2.某笼形络合物A[Ni(CN)x(NH3)y(C6H6)z]结构中,金属离子与CN连接形成平面层,两个平面层通过NH3分子连接,中间的空隙填充大小合适的分子(如C6H6),其基本结构如图(H原子未画出)。下列说法错误的是
A.该结构不是晶胞结构单元 B.x:y:z=2:1:1
C.金属离子的配位数为4和6 D.该笼形络合物A的晶胞密度为g/cm3
3.“碳氯法”制备MgCl2的原理:MgO+C+Cl2MgCl2+CO。下列叙述错误的是
A.反应1molCl2,转移电子2NA
B.熔点:MgO>MgCl2
C.等质量的Cl2和CO,CO的分子数更多
D.0.1mol·L-1MgCl2溶液中,阴离子总数大于0.2NA
4.某立方晶系的锑钾(Sb-K)合金可作为钾离子电池的电极材料,图a为该合金的晶胞结构图,图b表示晶胞的一部分。下列说法正确的是
A.该晶胞的体积为a3× 10-36 cm3
B.晶胞中K和Sb原子数之比为1∶3.
C.Sb 最邻近的Sb原子数为12
D.K和Sb之间的最短距离为0.5a pm
5.下列选项中排序不正确的是
A.热稳定性:HF>HCl>HBr>HI B.硬度由大到小:金刚石>碳化硅>晶体硅
C.第一电离能:F>N>O>C D.分子中键角:
6.下列说法正确的是
A.的沸点高于,可推测的沸点高于
B.液晶、等离子体都是物质的聚集体
C.晶体是分子晶体,可推测晶体也是分子晶体
D.是碳链为直线形的非极性分子,可推测也是碳链为直线形的非极性分子
7.在通常条件下,下列各组物质的性质排列正确的是
A.Na、Mg、Al的第一电离能逐渐增大 B.熔点:SiC > NaCl > P4
C.S2﹣、Cl﹣、K+的半径逐渐增大 D.O、F、Ne的电负性逐渐增大
8.高温下,超氧化钾晶体呈立方体结构,晶体中氧的化合价部分为0价,部分为-2价。如图为超氧化钾晶体的一个晶胞(晶体中最小的重复单元)。下列说法正确的是
A.超氧化钾的化学式为K2O2
B.晶体中每个K+周围临近等距的有8个
C.晶体中只含有离子键
D.晶体中,0价氧元素与-2价氧元素的原子个数比为3:1
9.钴的一种化合物的晶胞结构如图所示,已知晶胞边长为apm,A点的原子坐标参数为(0,0,0) ,C点为(,,),下列说法错误的是
A.钴位于元素周期表第四周期第VIII族,属于d区
B.距离Co2+最近且等距的O2-的数目为8
C.B点的原子坐标参数为(,0,)
D.该晶胞中,Ti4+、Co2+、O2-的个数比为1:1:3
10.下列陈述I和陈述II均正确并且存在因果关系的是
选项
陈述I
陈述II
A
某晶体熔点低,硬度小,不导电
该晶体是离子晶体
B
Si、P、S的第一电离能依次增大
Si、P、S的最外层电子数依次增多
C
金刚石、硅、锗的熔点、硬度依次降低
C、Si、Ge的非金属性依次减弱,金属性依次增强
D
在H2S晶体中,每个H2S分子周围紧邻的分子有12个;在冰晶体中,每个H2O分子周围紧邻的分子有4个
H2S晶体中,分子间只存在范德华力;冰晶体中,分子间存在氢键,氢键具有方向性和饱和性
A.A B.B C.C D.D
11.“类推”是一种重要的学习方法,但有时会产生错误,下列类推得到的结论正确的是
A.离子晶体中一定有离子键,分子晶体中也一定有共价键
B.是直线形分子,则也是直线形分子
C.极易溶于水,也极易溶于水
D.中的N原子是杂化,中的B原子也是杂化
12.下列事实不能从原子结构角度解释的是
A.稳定性: B.第一电离能:N>O
C.熔点: D.有机物中碳的化学键以共价键为主
13.下列说法正确的是
A.破损的晶体能够在固态时自动变成规则的多面体
B.分子晶体中,共价键键能越大,该分子晶体的熔、沸点一定越高
C.晶体内部微粒按一定规律周期性地排列
D.CO2晶体是分子晶体,可推测SiO2晶体也是分子晶体
14.德、俄两国化学家共同宣布,在高压下氮气会发生聚合得到一种低熔点物质——高聚氮,这种高聚氮的氮氮键比N2分子中的氮氮三键要弱得多。下列有关高聚氮的说法不正确的是
A.高聚氮晶体属于分子晶体 B.高聚氮是一种单质
C.高聚氮的沸点高于氮气 D.高聚氮转变成氮气是氧化还原反应
15.由铜元素和氯元素组成某物质的晶胞如图所示,下列说法错误的是:
A.该物质的化学式为CuCl
B.的配位数与的配位数相等
C.已知1号离