第1篇 专题3 大题突破2 无机化学工艺流程-【导与练】2023高考化学二轮复习教学课件PPT（新教材）

导与练 大题突破二无机化学工艺流程 250→ 22， N0.1 重温经典明确考向 入题型1 物质制备型 1.(2022湖南卷，17)钛(Ti)及其合金是理想的高强度、低密度结构材料。以钛渣（主要成分为Ti02,含少量V、 Si和1的氧化物杂质)为原料，制备金属钛的工艺流程如图： C、Cl2 Mg 已知“降温收尘”后，粗TiC14中含有的几种物质的沸点： 沸腾氯化 除 粗TiCl4 除 纯TiCl Ti 物质 TiCl4 V0C13 SiCla A1C13 铝 沸点/℃ 136 127 57 180 V0C12渣 尾气处理 回答下列问题： 含Si、Al杂质 (1)已知△G△H-T△S,△G的值只决定于反应体系的始态和终态，忽略△H、△S随温度的变化。若△G<0,则该反 应可以自发进行。根据下图判断：600℃时，下列反应不能自发进行的是 300 200 Tio,(s)+2Cl(g)=TiCL(g)+0:(g) A.C(s）)+02(g）—C02(g) 100 B.2C(s)+02(g)—2C0(g) 00 C9+0=G0 C.Ti02(s)+2C12(g)—TiC1(g)+02(g) 40 -500 2C⊙+0：a=2C0R D.TiO2(s)+C(s)+2CI2(g)-TiCla(g)+COz(g) 500600 70080090010001100 洱度℃ 解析：钛渣中加入C、C引2进行“沸腾氯化”，转化为相应的氯化物，“降温收尘”后 得到粗TiCl4,加入单质Al除钒，再除硅、铝得到纯TiCl4,加入Mg还原得到Ti。 (1)记①C(s)+02(g)—C02(g),②2C(s)+02(g)—2C0(g),③Ti02(s)+2Cl2(g)— TiCl4(g)+02(g),④Ti02(s)+C(s)+2C2(g)一TiCl4(g)+C02(g)。由题图可知，600℃ 时，反应①②的△G<0,反应能自发进行，反应③的△G>0,反应不能自发进行，故A、B 不符合题意，C符合题意；根据盖斯定律，Ti02(s)+C(s)+2Cl2(g)一TiCl4(g)+C02(g) 可由①+③得到，则600℃时其△G<0,反应能自发进行，故D不符合题意。 答案：(1)C 1.(2022湖南卷，17)钛(Ti)及其合金是理想的高强度、低密度结构材料。以钛渣（主 要成分为TiO2,含少量V、Si和A1的氧化物杂质)为原料，制备金属钛的工艺流程如图： 己知“降温收尘”后，粗TiC14中含有的几种物质的沸点： C、Cl2 Al Mg 物质 TiCl4 V0C13 SiCl4 A1C13 粗TiCL, 除 除 纯TiCL4冶 沸点/℃ 136 127 57 180 腾氯化 薹 T 铝 V0Cl2渣 尾气处理 含Si、A1杂质 回答下列问题： (2)Ti02与C、C12在600℃的沸腾炉中充分反应后，混合气体中各组分的分压如下表： 物质 TiCl4 CO C02 C12 分压/NPa 4.59×102 1.84×102 3.70×102 5.98×109 ①该温度下，Ti02与C、C12反应的总化学方程式为 解析：(2)①根据表中数据可知，600℃时C主要生成C0和C02,根据相同条件下 气体的压强之比等于物质的量之比，可知TiCl4、C0和C02的物质的量之比约是 5:2:4,所以Ti02与C、Cl2反应的总化学方程式为5Ti02+6C+10C12 600℃ 5TiC14+2C0+4C02。 答案：(2)①5Ti02+6C+10C12 600℃ 5TiC14+2C0+4C0 1.(2022湖南卷，17)钛(Ti)及其合金是理想的高强度、低密度结构材料。以钛渣（主 要成分为TiO2,含少量V、Si和A1的氧化物杂质)为原料，制备金属钛的工艺流程如图： 己知“降温收尘”后，粗TiC14中含有的几种物质的沸点： C、Cl2 Al Mg 物质 TiC14 V0C13 SiCl4 A1C13 粗TiCL, 除 除 纯TiCL4冶 沸点/℃ 136 127 57 180 腾氯化 薹 T 铝 V0Cl2渣 尾气处理 含Si、A1杂质 回答下列问题： (2)Ti02与C、C12在600℃的沸腾炉中充分反应后，混合气体中各组分的分压如下表： 物质 TiCl4 CO C02 C12 分压/NMPa 4.59×102 1.84×102 3.70×10-2 5.98×109 ②随着温度升高，尾气中C0的含量升高，原因是 解析：②随着温度升高，C02与C发生反应C+C02 高温 C0,导致C0含量升高。 答案：②随着温度升高，C0与C发生反应C+C0,高温2C0 1.(2022湖南卷，17)钛(T)及其合金是理想的高强度、低密度结构材料。以 钛渣（主要成分为Ti02,含少量V、Si和A