内容正文:
B卷等级考提升卷
(时间:90分钟满分:100分)
一、单项选择题(本题共8小题,每小题3分,共24分.每小题只有一个选项符合题目要求)
超
1.电路中有一电阻,通过电阻的电流为5A,当通电5分钟时,通过电阻横截面的电子数为
)
A.1500个
B.9.375×101°个
C.9.375×1021个
D.9.375×1020个
2.安培提出了著名的分子电流假说,根据这一假说,电子绕核的运动可等效为环形电流.设电荷量为的电
子以速率v绕原子核沿顺时针方向做半径为r的匀速圆周运动,关于该环形电流的说法,正确的是()
种
A电流大小为器,电流方向为顺时针
B.电流大小为,电流方向为顺时针
C电流大小为器,电流方向为逆时针
D.电流大小为,电流方向为逆时针
3.一位同学将变阻器与一只6V、6~8W的小灯泡L及开关S串联后接在6V的电
源E上,当S闭合时,发现灯泡发光.按图中所示的接法,当滑片P向右滑动时,灯
塑
泡将
(
A.变暗
B.变亮
皇
C.亮度不变
APR
觉
D.可能烧坏灯泡
李
4.已知通过三个并联支路的电流之比I1:I2:I3=1:2:3,则三个并联支路的电阻之比R,:R,:R3为
A.6:3:2
B.2:3:6
C.1:2:3
D.2:3:1
5.如图所示,一段长为a、宽为b、高为c(a>b>c)的长方体金属导体,将其中的两
个对立面接入电路中时,最大的电阻为R,则最小的电阻为
栽
B.C'R
b
C.aR
D.R
bc
6.铜的摩尔质量为m,密度为p,每摩尔铜原子有n个自由电子,每个自由电子的电荷量为e,今有一根横
罗
截面积为S的铜导线,通过的电流为I时,电子定向移动的平均速率为
(
A.光速c
B.
neS
C.el
D.mI
neSm
neSp
架
超
7.如图所示,电路中电阻R1、R2、R的阻值相等,电池的电阻不计.那么开关S接通
后,通过R2的电流是S接通前的
(
1
A.2
B.
2
c
e
8.如图所示,R2=R,理想电压表⑦的示数为70V,理想电压表②的示数为50V,则A、B间的电压为
☒
A.140V
B.120V
C.100V
D.无法计算
25
二、多项选择题(本题共4小题,每小题4分,共16分.每小题有多个选项符合题目要求,全部选对的得4
分,选对但不全的得2分,错选和不选的得0分)
9.如图所示,R1和R2是同种材料、厚度相同、表面为正方形的导体,但R,的尺
电流方向
电流方向
寸比R2的尺寸大.在两导体上加相同的电压,通过两导体的电流方向如图
R入刀
所示,则下列说法中正确的是
(
A.R:中的电流小于R2中的电流
B.R1中的电流等于R2中的电流
C.R,中自由电荷定向移动的速率大于R2中自由电荷定向移动的速率
D.R中自由电荷定向移动的速率小于R2中自由电荷定向移动的速率
10.一横截面积为S的铜导线,通过的电流为I,设每单位体积的导线中有个自由电子,电子的电
荷量为q,此时电子的定向移动速率为v,在△t时间内,通过导线横截面的自由电子数目可表示
为
()
A.nvS△t
B.nv△t
C.IA
n
11.温度能影响金属导体和半导体材料的导电性能,在如图所示的图象中分别为某金R
属和某半导体的电阻随温度变化的关系曲线,则
()
A.图线甲反映半导体材料的电阻随温度的变化
B.图线乙反映金属导体的电阻随温度的变化
C.图线甲反映金属导体的电阻随温度的变化
D.图线乙反映半导体材料的电阻随温度的变化
12.四个相同的小量程电流表(表头)分别改装成两个电流表④①和两个电压表
A
⑨.已知电流表④的量程大于①©的量程,电压表的量程大于©的量程,改
装好后把它们按如图所示接人电路,则
()
A2)
(Vi)V)
A.电流表④的读数大于电流表①的读数
B.电流表@指针的偏转角小于电流表①指针的偏转角
C.电压表⑦的读数小于电压表©的读数
D.电压表⑦指针的偏转角等于电压表四指针的偏转角
三、非选择题(本题共6小题,共60分)
13.(6分)用如图所示的多用电表测量电阻,要用到选择开关K和两个部件S、T.请根据下列步骤完成电
阻测量
2505P
A-V-0
OFF-
25
K
25
00
251050250
500Y
(1)旋动部件
,使指针对准电流的“0”刻线,
(2)将K旋转到欧姆挡“×100”的位置,
(3)将插入“十”“一”插孔的两表笔短接,旋动部件
使指针对准电阻的
(填“0”刻线或“∞”刻线).
(4)将两表笔分别与待测电阻相接,发现指针偏转角度过小.为了得到比较准确的测量结果,请从下列
选项中挑出合理的步骤,并按
的顺序进行操作,再完成读数测量.
26
A.将K旋转到电阻挡“×1k”的位置
B.将K旋转到电阻挡“×10”的位置
C.将两表笔的金属部分分别与被测电阻的两根引线相接
D