第一章 安培力与洛伦兹力（基础必刷卷）2021-2022学年高二物理精讲与精练高分突破考点专题系列（人教版2019选择性必修第二册）

第一章《安培力与洛伦兹力》高分必刷巩固达标检测卷（基础版） 一、单选题 1．（2020·四川·东辰国际学校高二月考）关于安培力和洛伦兹力，下列说法正确的是（　　） A．运动电荷在磁场中一定受到洛伦兹力作用 B．通电导线在磁场中一定受到安培力作用 C．洛伦兹力一定对运动电荷不做功 D．安培力一定对通电导线不做功 2．（2020·全国·高二单元测试）电磁炮是利用电磁发射技术制成的新型武器，如图所示为电磁炮的原理结构示意图。若某水平发射轨道长 ，宽 ，发射的炮弹质量为50g，炮弹被发射时从轨道左端由静止开始加速。当电路中的电流恒为20A时，炮弹被发射后的最大速度可达 ，轨道间磁场为匀强磁场，不计空气及摩擦阻力。下列说法正确的是（ ） A．磁场方向为竖直向下 B．磁场方向为水平向右 C．磁场的磁感应强度大小为 D．炮弹的加速度大小为 3．（2020·全国·高二单元测试）如图所示，一条形磁铁放在粗糙水平面上，在其N极上方有一根长直导线，当导线中通有垂直纸面向里的电流时，下列有关磁铁（始终静止）所受支持力的大小和所受摩擦力的方向判断正确的是（　　） A．磁铁所受支持力变大，所受摩擦力方向向左 B．磁铁所受支持力变大，所受摩擦力方向向右 C．磁铁所受支持力变小，所受摩擦力方向向左 D．磁铁所受支持力变小，所受摩擦力方向向右 4．（2020·全国·高二单元测试）如图所示为速度选择器，场强为E的匀强电场与磁感应强度为B的匀强磁场互相垂直。一带电荷量为+q、质量为m的粒子（不计重力）以速度 水平向右射入，粒子恰沿直线穿过，则下列说法正确的是（　　） A．若只将带电粒子带电荷量变为+2q，粒子将向下偏转 B．若只将带电粒子带电荷量变为-2q，粒子将向上偏转 C．若只将带电粒子速度变为 ，粒子一定偏转 D．若带电粒子从右侧水平射入，其他条件不变，粒子仍能沿直线穿过 5．（2020·全国·高二单元测试）如图所示，ab上方存在垂直纸面向里的匀强磁场，两比荷之比为 的带正电粒子A、B均由ab边上的o点以与ab边成 角斜向右上方射入磁场，经过一段时间两粒子分别从ab边上的c、d两点射出。已知两粒子射入磁场的速度大小相等， ，忽略粒子的重力以及粒子间的相互作用。则下列说法正确的是（ ） A．粒子A从c点射出 B．粒子A、B在磁场中运动的半径之比为 C．粒子A、B在磁场中运动的速度偏转角之比为 D．粒子A、B在磁场中运动的时间之比为 6．（2020·全国·高二单元测试）回旋加速器是加速带电粒子的装置其核心部分是分别与高频交流电极相连接的两个D形金属盒，两盒间的狭缝中形成的周期性变化的电场，使粒子在通过狭缝时都能得到加速，两D形金属盒处于垂直于盒底的匀强磁场中，如图所示。现要增大带电粒子从回旋加速器射出时的动能，下列方法可行的是（　　） A．减小磁场的磁感应强度 B．减小狭缝间的距离 C．增大高频交流电压 D．增大金属盒的半径 7．（2020·全国·高二单元测试）如图所示为一种质谱仪的工作原理示意图。静电分析器通道中心线半径为R，通道内电场沿半径方向，在通道中心线处的电场强度大小为E。磁分析器中分布着方向垂直于纸面、磁感应强度大小为B的匀强磁场，其左边界与静电分析器的右边界平行。由离子源发出的一个质量为m、带电荷量为q的正离子（初速度为零，重力不计），经加速电场加速后进入静电分析器，沿中心线MN做匀速圆周运动，而后由P点进入磁分析器中，最终经过Q点进入收集器。下列说法正确的是（ ） A．磁分析器中匀强磁场方向垂直纸面向里 B．加速电场的加速电压 C．磁分析器中圆心 到Q点的距离 D．比荷与该离子不同的离子既不能到达P点，也不能进入收集器 8．（2021·辽宁·高三月考）静置于桌面上的水平螺线管中通有如图所示的恒定电流，螺线管正上方固定一通电直导线M，M中通有垂直纸面向里的恒定电流，导线恰与螺线管中轴线垂直。纸面内，螺线管正上方以直导线M为圆心的圆上有a、b、c、d四点，其中a、c连线恰为圆的竖直直径，b、d连线为圆的水平直径。已知a点的磁感应强度方向水平向左，忽略地磁场的影响，下列说法正确的是（　　） A．a点的磁感应强度大于c点的磁感应强度 B．b、c两点的磁应强度相同 C．导线在图示位置时，通电螺线管所受的安培力竖直向上 D．若将通电直导线M竖直向下移动到a点的过程中，螺线管所受安培力逐渐减小 9．（2020·全国·高二单元测试）如图所示，在屏MN的上方有磁感应强度为B的匀强磁场，磁场方向垂直纸面向里。P为屏上的一小孔，PC与MN垂直。一群质量为m、带电荷量为－q（q>0）的粒子（不计重力），以相同的速率v，从P处沿垂直于磁场的方向射入磁场区域。粒子入射方向在与磁场B垂直的平面内，且散开在与PC夹角为θ的范围内。则在屏MN上被粒子打中的区