卷3 第一章原子结构与性质单元自测-【学习帮】2021-2022学年高中化学选修3夺冠金考卷（人教版）

F,电负性F>N>S>P,最高正化合价S>N=P(F无正价)。 14.(1) 10.B基态钾原子的电子排布式为1s2s2p3s23p°4s,则电子占据6个能级,共10个轨道,有两种能级,s能级有 1个伸展方向,p能级有3个伸展方向,共4个伸展方向。 (2)ns2np3VA族元素的np能级电子达到半充满稳定结构 11.B符合条件的元素有氢、锂、钠、钾、铬、铜,其中,铬、铜为剧族元素,其他4种为主族元素 (3)A(每空2分) 12.BC、N、O属于同一周期元素,其电负性随着原子序数增大而增大,所以其电负性大小顺序是O>N>C,故A 15.(1)第二周期ⅡA族(1分) 错误;同一周期元素,元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势,但同一周期中第ⅡA族元素比第 (2)Si3N4(2分) ⅢA族元素的第一电离能大,第ⅤA族比第ⅥA族第一电离能大,Be、B、C、N、O属于同一周期且其原子序数依 (3)Na[:S:S:]2Na有淡黄色沉淀产生并有臭鸡蛋气味的气体放出Na2S2+2HCl=2NaCl+S↓ 次增大,但Be属于第ⅡA元素,B属于第ⅢA族,N属于第VA元素,O属于第ⅥA族,所以Be、B、C、N、O几种 H2S↑(每空2分) 元素的第一电离能的大小顺序是N、O、C、Be、B,所以第一电离能处于Be和O之间的元素有1种为碳元素,故 (4)Be(OH)2+2OH=[Be(OH)4]2(2分) B正确;卤素中,最外层含有7个电子,最高价为+7,但F无正价,故C错误;Ti的原子序数为22,基态Ti原子 【解析】(1)B为Be元素,原子序数为4,位于周期表中第二周期ⅡA族; 的电子排布式为[Ar]3d24s2,价电子排布式为3d4s2,故D错误 (2)C为Si、D为N,Si、N可形成一种硬度很大的新型结构材料,其化学式为SiN1; 13.(1)O (3)同主族元素对应的单质或化合物在结构性质上体现相似性和递变性,A2E2为Na2S2,Na2S2与Na2O2结构 (2)1s 25 2p'3s 3p'3d4s ds (3)O>H>C 相似,则Na2S2的电子式为Na[:S:S:]2Na;向NaS溶液中滴加稀盐酸,发生反应为:Na2S2+2HCl (4)离子键 2NaCl+S↓+H2S↑,则反应中有淡黄色沉淀产生并有臭鸡蛋气味的气体放出 (5)原子核外电子发生跃迁释放能量(每空2分) (4)A的最高价氧化物对应的水化物为NaOH,B的最高价氧化物对应的水化物为Be(OH)2,Be与Al处于对 14.(1)HF 角线位置,则Be(OH)2与氢氧化铝性质类似,所以Be(OH)2与NaOH反应的离子方程式为:Be(OH)2+ (2)3d54s 2OH- Be(OH), (3)H:N:H 16.(1)N、P5 (2)Na[:F:] (4)Na (3)Li、Be(每空2分) (5)Cr2O+6C1+14 Cr3++3Cl2↑+7H2O(每空2分) (1)ds(2分 15.(1:[ (2)O::C∴:O(2分) (2)①ls2s2p3s23p3d24s2②第四周期Ⅷ族5:4③Na与Li同主族,Na的电子层数更多,原子半径更 (3)S2->O2->Mg2+(3分) 大,原子核对核外电子吸引力减弱,易失电子,故第一电离能更 (4)Mg<C<O(3分) (3)①NSi②N>H>B(每空1分) (5)品红溶液(3分) 【解析】据分析,a是Cl元素,b为S元素,c为P元素,d是Al元素,e为Na 卷3第一章原子结构与性质单元自测 (1)①氯原子价电子排布式为33p,价电子轨道表示式为[什H什 1.B该基态原子核外有18+2=20个电子,它的阳离子是Ca2+,B项正确 2.A每个轨道最多容纳2个电子,6个轨道最多容纳12个电子,故该元素为Mg,属于s区 ②同周期自左而右电负性增大,P的电负性介于A与硫之间,即介于1.5~2.5之间, 3.A根据分析可知,X为H,Y为C,Z为N,Q为O,W为Na元素,该化合物中与碳原子单键相连的氧原子得到1 故答案为:1.5~2.5; 个电子,达到8电子稳定结构,故∧正确;NaH溶于水生成氢氧化钠和氢气,其水溶液呈碱性,故B错误;同一周 ③上表中五种元素是同周期元素,同周期第一电离能依次增大趋势,第ⅡΔ、ⅤA主族元素原子第一电离能电 期从左向右非金属性逐渐增强,则非金属性:Y<Z<Q,故￠错误;N的最高价氧化物对应水化物为硝酸,硝酸为 能大于同周期相邻元素原子,五种元素的第一电离能由大到小的顺序是:CD>P>S>AD>Na 元强酸,故D错误 故答案为:C|>P>S>A|>Na 4.B根据原子的电子排布式,可知选项中的元素原子分别是A:P,B:N,C:C,D:S。根据原子半径的变化规律:同 (2)①Ti是22号元素,根据能量最低原理,