精品解析：江苏省无锡市锡山区天一高级中学2025-2026学年高一下学期期中考试化学试题

江苏省天一中学2025—2026学年第二学期期中考试 高一化学试卷(平行班) 满分100分，考试用时75分钟 第Ⅰ卷(选择题共39分) 一、选择题：本题包括13小题，每小题3分，共计39分。每小题只有一个选项符合题意。 1. 化学与生产、生活和科技密切相关，下列说法正确的是 A. “雨过天晴云破处”所描述的瓷器青色，来自氧化铁 B. 闻名世界的秦兵马俑是陶制品，由黏土经高温烧结而成 C. 制造5G芯片的氮化镓属于金属材料 D. 石英玻璃属于传统非金属材料 【答案】B 【解析】 【详解】A．氧化铁（）为红棕色固体，常用作红色颜料，瓷器的青色不可能来自氧化铁，A错误； B．秦兵马俑属于陶制品，以黏土为主要原料经高温烧结而成，B正确； C．氮化镓属于无机非金属半导体材料，金属材料指金属单质或合金，氮化镓为化合物，不属于金属材料，C错误； D．传统非金属材料一般指硅酸盐类材料（普通玻璃、水泥、陶瓷），石英玻璃的主要成分为，属于新型无机非金属材料，D错误； 故选B。 2. 高纯度HF刻蚀芯片的反应为：4HF+Si=SiF4↑+2H2O。下列有关说法正确的是 A. (HF)2的结构式：H—F—F—H B. H2O的比例模型： C. Si原子的结构示意图： D. SiF4的电子式： 【答案】C 【解析】 【详解】A．HF间存在氢键，(HF)2的结构式：H-F···H-F，故A错误； B ．H2O分子结构是V型，所以其比例模型为： ，故B错误； C ．Si是14号元素，其原子结构示意图： ，故C正确； D ．F原子最外层7个电子，SiF4的电子式：，故D错误； 故答案为：C。 3. 氮化硅常用于制造耐高温管、切削工具。某小组以石英砂为原料制备氮化硅的微型流程如图1所示： 下列叙述正确的是 A. 反应①的氧化产物为CO2 B. 粗硅中可能含有金刚砂 C. 反应③中的NH3可通过加热NH4Cl制备 D. 反应③的尾气可用图2所示装置吸收 【答案】B 【解析】 【详解】A. 反应①中焦炭是还原剂，被氧化，生成氧化产物CO，A错误； B. 金刚砂是SiC，焦炭与二氧化硅在高温下发生副反应生成SiC和CO，B正确； C. 加热NH4Cl分解生成NH3和HCl，两者在温度降低时又重新化合成NH4Cl，制取NH3不能通过加热NH4Cl制备，C错误； D. 反应③的尾气用图2所示装置吸收容易产生倒吸现象，D错误； 故答案为：B。 4. 我国科研人员设计并合成了一种可检测的化合物M，其结合时发出荧光，所得产物结构如图所示。下列说法不正确的是 A. 电离能： B. 电负性： C. 发出荧光可能与电子从高能级跃迁至低能级有关 D. M中C、N的杂化方式只有一种 【答案】D 【解析】 【详解】A．同周期第二周期元素第一电离能呈总体增大趋势，N的2p轨道为半充满稳定结构，第一电离能大于O，故，A正确； B．同周期元素电负性从左到右逐渐增大，O的原子序数大于N，故电负性，B正确； C．荧光产生的机理是处于激发态的电子从高能级向低能级跃迁时以光的形式释放能量，因此发出荧光可能与该过程有关，C正确； D．化合物M中，苯环及含双键杂环上的C为杂化，冠醚结构中的饱和C为杂化；成双键的N为杂化，与配位的单键N为杂化，故C、N的杂化方式均不止一种，D错误； 故选D。 阅读以下材料，完成下面小题： 周期表中IVA族元素及其化合物应用广泛。石墨烯、碳纳米管、富勒烯等单质是常见的碳纳米材料。硅晶体表面能与氢氟酸(HF，弱酸)反应生成(在水中完全电离为和)；将硫化锗()与共热可制得门捷列夫预言的类硅——锗；还原性比强，与浓盐酸反应生成。 5. 下列说法正确的是 A. 金刚石、石墨、为碳元素的同素异形体 B. 和中心原子轨道杂化类型均为sp C. 中H元素化合价为+1和-1 D. 1个分子中含有7个键 6. 下列有关硅及其化合物转化关系正确的是 A. B. C. D. 7. 下列化学反应表示正确的是 A. 与HF溶液反应： B. 高温下还原 C. 强酸溶液中，与反应： D. 与浓盐酸反应： 【答案】5. A 6. D 7. C 【解析】 【5题详解】 A．金刚石、石墨、均为碳元素形成的不同单质，互为同素异形体，A正确； B．中心C原子价层电子对数为2，杂化类型为sp；中心C原子价层电子对数为3，杂化类型为，B错误； C．中O为-2价，C为-2价，所有H元素化合价均为+1，C错误； D．1个分子中含5个键、1个键、1个键、1个键，共8个σ键，D错误； 故选A。 【6题详解】 A．与反应生成，不能直接得到，A错误； B．与反应生成，不与水反应，两步转化均错误，B错误； C．为酸性氧化物，不与反应，最后一步转化错误，C错误； D．分解生成和，与反应生成，转化均正确，D正确； 故选D。 【7题详解】 A．HF为弱酸，离子方程式中不能拆分为和，正确离子方程式为，A错误； B．反应未配平，前系数应为2，正确反应方程式为，B错误； C．还原性强于，可氧化为，自身被还原为，离子方程式电荷、原子均守恒，C正确； D．方程式未配平，前系数应为4，前系数应为2，正确化学方程式为，D错误； 故选C。 8. 三种氮氧化物的结构如下所示： 下列说法正确的是 A. 氮氮键的键能： B. 熔点： C. 分子的极性： D. 的键角： 【答案】A 【解析】 【详解】A．中氮氮键键长为113 pm，短于中的氮氮键，键长越短键能越大，故氮氮键键能，A正确； B．和均为分子晶体，相对分子质量，分子间作用力，故熔点，B错误； C．为结构不对称的极性分子，正负电荷中心不重合；为对称结构，正负电荷中心重合，极性极弱，故分子极性，C错误； D．中形成键角的中心原子孤对电子数为，孤对电子对成键电子对斥力更大，键角被压缩；中对应中心原子孤对电子数为，故键角，D错误； 故本题选A。 9. 周期表中第四周期元素Ge、As、Se常用于制造半导体材料。下列说法正确的是 A. 原子半径：r(Se)>r(As)>r(Ge) B. 电负性：χ(Se)>χ(As)>χ(Ge) C. 第一电离能：I1(Se)>I1(As)>I1(Ge) D. 基态原子中未成对电子数：Se>As>Ge 【答案】B 【解析】 【详解】A．同周期元素从左到右半径依次减小，原子半径：r(Se)<r(As)< r(Ge)，故A错误； B．同周期元素从左到右电负性依次增强，电负性：χ(Se)>χ(As)>χ(Ge)，故B正确； C．As原子4p能级半充满，结构稳定，第一电离能大于同周期相邻元素，第一电离能：I1(As)>I1(Se)>I1(Ge)，故C错误； D．Ge未成对电子数为2，As未成对电子数为3，Se未成对电子数为2，基态原子中未成对电子数： As>Ge =Se，故D错误； 选B。 10. 有关晶体的结构如图所示，下列说法中不正确的是 A. 在NaCl晶体中，距最近且等距的共12个 B. 在晶体中，每个晶胞平均占有4个，的配位数是4 C. 24g金刚石晶体中含有键 D. 该气态团簇分子的分子式为EF或FE 【答案】D 【解析】 【详解】A．在晶体中，以顶点为例，与其最近且等距的位于相邻面的面心，共12个，A正确； B．晶胞中，位于顶点和面心，个数为，每个周围最近且等距的有4个，即配位数为4，B正确； C．24g金刚石中的物质的量为，每个形成4个键，每个键为2个共有，故键物质的量为，C正确； D．气态团簇分子无需均摊，1个分子中含4个和4个，分子式应为或，D错误； 故本题选D。 11. X、Y、Z、W都属于前4周期主族元素，基态X原子核外有7种运动状态不同的电子，基态Y原子的最外层电子数是其电子层数的3倍，Z是短周期金属性最强的元素，基态W原子的4p原子轨道上有5个电子。下列说法正确的是 A. 第一电离能：I1(Z)<I1(X)<I1(Y) B. 原子半径由小到大的顺序：r(X)<r(Y)<r(Z) C. W元素在周期表中位于第四周期VIIA族 D. X的简单气态氢化物的热稳定性比Y的强 【答案】C 【解析】 【分析】基态X原子核外有7种运动状态不同的电子，核外的电子没有1个运动状态相同，所以X核外有7个电子，即X为N元素；基态Y原子的最外层电子数是其电子层数的3倍，则Y为O元素；Z是短周期金属性最强的元素，则Z为Na元素；基态W原子的4p原子轨道上有5个电子，则W的核外电子排布式为：1s22s22p63s23p63d104s24p5，则W为Br元素。 【详解】A．N的2p轨道中的电子数为稳定的半满状态，则N的第一电离能比O的大，故A错误； B．电子层越多，原子半径越大，同周期从左到右原子半径逐渐减小，则原子半径由小到大的顺序：r(O)<r(N)<r(Na)，故B错误； C．Br为35号元素，原子核外有4个电子层，最外层电子数为7，则位于第四周期VIIA族，故C正确； D．同一周期从左到右元素的非金属性逐渐增强，N的非金属性比O弱，则NH3的热稳定性比H2O弱，故D错误； 答案选C。 12. 和均可发生水解反应，其中的水解机理示意图如下： 下列说法正确的是 A. 和均为极性分子 B. 和中的均为杂化 C. 和的水解反应机理相同 D. 和均能与形成氢键 【答案】D 【解析】 【详解】A．中中心原子N周围的价层电子对数为：3+=4，故空间构型为三角锥形，其分子中正、负电荷中心不重合，为极性分子，而中中心原子周围的价层电子对数为：4+=4，是正四面体形结构，为非极性分子，A错误； B．和中中心原子N周围的价层电子对数均为：3+=4，故二者均为杂化，B错误； C．由题干NCl3反应历程图可知，NCl3水解时首先H2O中的H原子与NCl3上的孤电子对结合，O与Cl结合形成HClO，而SiCl4上无孤电子对，故SiCl4的水解反应机理与之不相同，C错误； D．和分子中均存在N-H键和孤电子对，故均能与形成氢键，D正确； 故答案为：D。 【点睛】 13. 铁镁合金是目前已发现的储氢密度较高的储氢材料之一，其晶胞结构如图所示(黑球代表Fe，白球代表)。下列说法不正确的是 A. 铁镁合金的化学式为 B. 晶体中存在的化学键类型为金属键 C. 熔点： D. 每个原子周围距离最近且相等的原子有4个 【答案】D 【解析】 【详解】A．根据均摊法，该晶胞中原子个数为：、原子位于晶胞内，个数为8，则原子个数之比，所以其化学式为，A正确； B．金属晶体中存在金属键，该晶体属于合金，所以只含金属键，B正确； C．晶格能与离子半径成反比，与电荷成正比，阴离子相同，阳离子半径：镁离子半径小于钙离子半径，所以晶格能：氧化钙<氧化镁，则熔点：，C正确； D．根据晶胞结构，每个原子周围距离最近且相等的原子有个，D错误； 故选D。 第II卷(非选择题共61分) 14. 钙霞石是一种生产玻璃陶瓷的原料，所含为原子序数依次增大的前20号主族元素，M是原子半径最小的元素，Q是形成物质种类最多的元素，R是地壳中含量最高的元素，同周期，Q、X均与Y相邻，Z的原子序数等于M、R和T的原子序数之和，请按要求完成下列填空。 （1）写出Y元素基态原子的电子排布式________________，其核外电子的空间运动状态共有_____种。 （2）请写出M、Z形成的化合物的电子式_____________。 （3）R、T、X离子半径由大到小的顺序为：_____________(用离子符号表示) （4）Q、R、Y元素电负性由小到大的顺序为：_____________(用元素符号表示) （5）Q、Y形成的氧化物中熔点：____＞____，理由是：_________________________。 【答案】（1） ①. （或 ） ②. 8 （2） （3） （4） （5） ①. ②. ③. 为共价晶体（或原子晶体），为分子晶体，破坏共价键需要的能量远大于破坏分子间作用力需要的能量 【解析】 【分析】M是原子半径最小的元素，M为H；Q是形成物质种类最多的元素，Q为C（有机物均含碳）；R是地壳中含量最高的元素，R为O；T、X、Y原子序数大于O且同周期，Q(C)、X均与Y相邻，结合原子序数递增关系，可知Y是Si、X是Al，T是第三周期原子序数小于Si的主族元素，可能为Na也可能 为Mg；Z的原子序数等于M、R、T之和，即1+8+T的原子序数=20，故T的原子序数为11，T为Na，Z为Ca，据此分析； 【小问1详解】 Y是Si，原子序数14，基态电子按构造原理排布为；核外电子的空间运动状态对应原子轨道数：1+1+3+1+2=8(3p轨道只有2个电子，占据2个3p轨道)，合计8种； 【小问2详解】 M(H)和Z(Ca)形成离子化合物，由和两个构成，电子式：； 【小问3详解】 三种离子均为10电子的电子层结构，电子层结构相同时，核电荷数越大，原子核对核外电子吸引作用越强，离子半径越小，离子半径顺序：； 【小问4详解】 电负性变化规律为同周期从左到右递增，同主族从上到下递减，Si的电负性小于C，C小于O。电负性由小到大的顺序为：； 【小问5详解】 Q、Y的氧化物分别为和，为共价晶体（原子晶体），为分子晶体，破坏共价键需要的能量远大于破坏分子间作用力需要的能量，故氧化物中熔点：>。 15. 铁氮化合物()在磁记录材料领域有着广泛的应用前景。某的制备需铁、氮气、丙酮和乙醇参与。 （1）基态核外电子排布式为____________。 （2）丙酮()分子中碳原子轨道的杂化类型是_____，1mol丙酮分子中含有σ键的数目为________。 （3）C、H、O三种元素的电负性由小到大的顺序为____________。 （4）乙醇的沸点高于丙酮，这是因为____________。 （5）某的晶胞如图1所示，Cu可以完全替代该晶体中a位置Fe或者b位置Fe，形成Cu替代型产物，转化为两种Cu替代型产物的能量变化如图2所示，其中更稳定的Cu替代型产物的化学式为____________。 （6）经研究，如图所示，往ZnS晶体中掺入少量CuCl后，会出现能量不同的“正电”区域、“负电”区域，然后在光照下发出特定波长的光。 区域A“”中的离子为________(填离子符号)，区域B带________(填“正电”或“负电”)。 【答案】（1） 或 （2） ①. 和 ②. （或 ） （3） （4） 乙醇分子间存在氢键，而丙酮分子间不能形成氢键 （5） （6） ①. ②. 正电 【解析】 【小问1详解】 铁（）是26号元素，其基态原子的核外电子排布式为。失去最外层的2个电子形成，故 的基态核外电子排布式为或。 【小问2详解】 丙酮（）分子中，甲基（）上的碳原子形成4个键，无孤电子对，杂化类型为；羰基（）上的碳原子形成3个键和1个键，无孤电子对，杂化类型为。1个丙酮分子中含有6个键、2个键和1个中的键，共9个键。因此丙酮分子中含有键的数目为。 【小问3详解】 同一周期从左到右，元素的电负性逐渐增大，故电负性；中C为-4价，H为+1价，则电负性，故三种元素的电负性由小到大的顺序为。 【小问4详解】 乙醇分子中含有，分子间能够形成氢键，使得分子间作用力显著增强；而丙酮分子中没有与电负性大的氧原子直接相连的氢原子，分子间只能形成范德华力。氢键的作用力大于范德华力，故乙醇的沸点高于丙酮。 【小问5详解】 根据均摊法计算晶胞中的原子个数：原子位于体心，个数为；位置的位于8个顶点，个数为；位置的位于6个面心，个数为。晶胞中与的原子个数比为。由图-2的能量变化可知，替代位置型产物的能量低于原，能量越低越稳定，因此替代位置的1个原子，形成的更稳定产物的化学式为。 【小问6详解】 晶体中掺入，即用和替代原晶格中的离子。观察图示，区域A的虚线框位于原（黑球）的位置，故掺入的阳离子为；区域B的虚线框位于原（白球）的位置，掺入的阴离子为。由于带1个单位负电荷，而原位置的带2个单位负电荷，相对相当于多出了1个单位的正电荷，因此区域B相对原晶格带“正电”。 16. 钛及其化合物在化工、医药、材料等领域有着广泛的应用。回答下列问题： （1）在基态Ti原子中，核外电子占据最高能层的符号是________，占据该能层电子的电子云轮廓图形状为________。 （2）半夹心结构催化剂M的结构简式如图所示： ①组成该物质的元素中，电负性最大的是________(填元素名称)。 ②M中不含________(填字母)。 A．键 B．键 C．配位键 D．离子键 （3）金红石( )的晶胞结构如图： ①区分晶态和非晶态最可靠的科学方法是___________。 ②O原子距离最近且等距的Ti原子有______个。 ③的空间构型为_______，其熔沸点均高于结构与其相似的，主要原因是____________。 【答案】（1） ①. N ②. 球形 （2） ①. 氧 ②. D （3） ①. X射线衍射实验 ②. 3 ③. 正四面体形 ④. 和均为分子晶体且结构相似，的相对分子质量大于，分子间作用力（范德华力）更强 【解析】 【小问1详解】 钛（Ti）的原子序数为22，其基态原子的核外电子排布式为。其核外电子占据的最高能层为第四层，对应的能层符号为N；占据该能层的电子为4s电子，s轨道的电子云轮廓图形状为球形； 【小问2详解】 ①组成催化剂M的元素有Ti、C、H、O、Cl，根据元素周期律可知，非金属性越强的元素电负性越大，这些元素中电负性最大的是氧元素； ②M分子中，苯环和环戊二烯基中含有键；分子中的共价单键均为键；Ti与O之间（箭头所示）以及Ti与环戊二烯基之间存在配位键；该物质属于共价化合物，整个分子中不含离子键，故选D； 【小问3详解】 ①在科学上，区分晶体（晶态）和非晶体（非晶态）最可靠的方法是X射线衍射实验； ②由金红石的晶胞结构图可知，位于体心的Ti原子周围距离最近且等距的O原子有6个（即Ti的配位数为6）。根据化学式 中Ti与O的原子个数比为，可推知O原子的配位数为，即每个O原子距离最近且等距的Ti原子有3个； ③分子中中心Ti原子形成4个键，孤电子对数为，价层电子对数为，故其空间构型为正四面体形。和均属于分子晶体，且空间结构相似，由于的相对分子质量大于，其分子间作用力（范德华力）更强，克服分子间作用力需要的能量更多，因此的熔沸点更高。 17. 太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。 I．第一代电池的光电转换材料是单晶硅。某单晶硅制备工艺中涉及的主要物质转化如下： （1）下列事实能作为“非金属性C比Si强”的证据的是________(填字母)： a．步骤i中，C做还原剂 b．碳酸的酸性强于硅酸 c．碳酸的热稳定性弱于硅酸 （2）步骤ii中，与反应转移4mol电子： ①该反应的化学方程式为________________________________。 ②中，H的化合价为________________________________。 （3）粗硅与HCl反应完全后，经冷凝得到的(沸点33.0℃)中含有少量(沸点57.6℃)和HCl(沸点-84.7℃)，提纯采用的方法为_________________。 （4）为鉴定产品硅中是否含微量铁单质，将试样用稀盐酸溶解，取上层清液后需再加入的试剂是__________(填写字母代号)。 a．碘水 b．氯水 c．NaOH溶液 d．KSCN溶液 e．溶液 Ⅱ．第二代电池的光电转换材料是一种无机物薄膜，其光电转化率高于单晶硅。科学家在元素周期表中Si的附近寻找到元素A和D，并制成化合物AD的薄膜，其晶体结构类似单晶硅。Si、A、D在元素周期表中的位置关系如图。 Si A D （5）A元素的符号为__________。 （6）D的第一电离能比Se的大，从原子结构角度说明理由：___________________。 【答案】（1）b （2） ①. ②. （3）分馏（或蒸馏） （4）bd （5） （6）原子的价电子排布式为，轨道处于半充满的稳定状态，较难失去电子 【解析】 【分析】石英砂在2000℃下用C单质进行还原，得到粗硅，粗硅在300℃与HCl发生反应得到，用在1100℃进行还原得到高纯硅。 【小问1详解】 a．元素非金属性越强，其单质氧化性越强，i中C做还原剂，不能说明非金属性C比Si强，a错误； b．元素非金属性越强，最高价含氧酸的酸性越强，碳酸的酸性强于硅酸，说明非金属性C比Si强，b正确； c．最高价含氧酸的稳定性与元素非金属性无关，碳酸的热稳定性弱于硅酸，不能说明非金属性C比Si强，c错误； 故答案选b； 【小问2详解】 ①粗硅在300℃与HCl发生反应，②根据题干信息“与反应转移4mol电子”可知，反应中硅元素化合价由0价升高到+4价，在中，Cl元素为-1价，设H元素的化合价为x，根据化合物中各元素化合价代数和为0，有（+4）+x+3×（-1）=0，解得x=-1，； 【小问3详解】 由于(沸点33.0℃)中含有少量(沸点57.6℃)和HCl(沸点-84.7℃)，提纯采用的方法为蒸馏或分馏； 【小问4详解】 铁与稀盐酸反应生成，可先加氯水将氧化为，再用KSCN溶液检验，故答案选bd； 【小问5详解】 由Si、A、D在元素周期表中的位置关系可知，A为Ga、D为As。 【小问6详解】 同周期元素中，价电子排布为半满/全满的稳定结构时，第一电离能大于相邻元素；D为As，价电子排布为，4p轨道为半充满稳定结构，比Se（价电子排布）更难失去电子，因此第一电离能大于Se。 第1页/共1页 学科网（北京）股份有限公司 $ 江苏省天一中学2025—2026学年第二学期期中考试 高一化学试卷(平行班) 满分100分，考试用时75分钟 第Ⅰ卷(选择题共39分) 一、选择题：本题包括13小题，每小题3分，共计39分。每小题只有一个选项符合题意。 1. 化学与生产、生活和科技密切相关，下列说法正确的是 A. “雨过天晴云破处”所描述的瓷器青色，来自氧化铁 B. 闻名世界的秦兵马俑是陶制品，由黏土经高温烧结而成 C. 制造5G芯片的氮化镓属于金属材料 D. 石英玻璃属于传统非金属材料 2. 高纯度HF刻蚀芯片的反应为：4HF+Si=SiF4↑+2H2O。下列有关说法正确的是 A. (HF)2的结构式：H—F—F—H B. H2O的比例模型： C. Si原子的结构示意图： D. SiF4的电子式： 3. 氮化硅常用于制造耐高温管、切削工具。某小组以石英砂为原料制备氮化硅的微型流程如图1所示： 下列叙述正确的是 A. 反应①的氧化产物为CO2 B. 粗硅中可能含有金刚砂 C. 反应③中的NH3可通过加热NH4Cl制备 D. 反应③的尾气可用图2所示装置吸收 4. 我国科研人员设计并合成了一种可检测的化合物M，其结合时发出荧光，所得产物结构如图所示。下列说法不正确的是 A. 电离能： B. 电负性： C. 发出荧光可能与电子从高能级跃迁至低能级有关 D. M中C、N的杂化方式只有一种 阅读以下材料，完成下面小题： 周期表中IVA族元素及其化合物应用广泛。石墨烯、碳纳米管、富勒烯等单质是常见的碳纳米材料。硅晶体表面能与氢氟酸(HF，弱酸)反应生成(在水中完全电离为和)；将硫化锗()与共热可制得门捷列夫预言的类硅——锗；还原性比强，与浓盐酸反应生成。 5. 下列说法正确的是 A. 金刚石、石墨、为碳元素的同素异形体 B. 和中心原子轨道杂化类型均为sp C. 中H元素化合价为+1和-1 D. 1个分子中含有7个键 6. 下列有关硅及其化合物转化关系正确的是 A. B. C. D. 7. 下列化学反应表示正确的是 A. 与HF溶液反应： B. 高温下还原 C. 强酸溶液中，与反应： D. 与浓盐酸反应： 8. 三种氮氧化物的结构如下所示： 下列说法正确的是 A. 氮氮键的键能： B. 熔点： C. 分子的极性： D. 的键角： 9. 周期表中第四周期元素Ge、As、Se常用于制造半导体材料。下列说法正确的是 A. 原子半径：r(Se)>r(As)>r(Ge) B. 电负性：χ(Se)>χ(As)>χ(Ge) C. 第一电离能：I1(Se)>I1(As)>I1(Ge) D. 基态原子中未成对电子数：Se>As>Ge 10. 有关晶体的结构如图所示，下列说法中不正确的是 A. 在NaCl晶体中，距最近且等距的共12个 B. 在晶体中，每个晶胞平均占有4个，的配位数是4 C. 24g金刚石晶体中含有键 D. 该气态团簇分子的分子式为EF或FE 11. X、Y、Z、W都属于前4周期主族元素，基态X原子核外有7种运动状态不同的电子，基态Y原子的最外层电子数是其电子层数的3倍，Z是短周期金属性最强的元素，基态W原子的4p原子轨道上有5个电子。下列说法正确的是 A. 第一电离能：I1(Z)<I1(X)<I1(Y) B. 原子半径由小到大的顺序：r(X)<r(Y)<r(Z) C. W元素在周期表中位于第四周期VIIA族 D. X的简单气态氢化物的热稳定性比Y的强 12. 和均可发生水解反应，其中的水解机理示意图如下： 下列说法正确的是 A. 和均为极性分子 B. 和中的均为杂化 C. 和的水解反应机理相同 D. 和均能与形成氢键 13. 铁镁合金是目前已发现的储氢密度较高的储氢材料之一，其晶胞结构如图所示(黑球代表Fe，白球代表)。下列说法不正确的是 A. 铁镁合金的化学式为 B. 晶体中存在的化学键类型为金属键 C. 熔点： D. 每个原子周围距离最近且相等的原子有4个 第II卷(非选择题共61分) 14. 钙霞石是一种生产玻璃陶瓷的原料，所含为原子序数依次增大的前20号主族元素，M是原子半径最小的元素，Q是形成物质种类最多的元素，R是地壳中含量最高的元素，同周期，Q、X均与Y相邻，Z的原子序数等于M、R和T的原子序数之和，请按要求完成下列填空。 （1）写出Y元素基态原子的电子排布式________________，其核外电子的空间运动状态共有_____种。 （2）请写出M、Z形成的化合物的电子式_____________。 （3）R、T、X离子半径由大到小的顺序为：_____________(用离子符号表示) （4）Q、R、Y元素电负性由小到大的顺序为：_____________(用元素符号表示) （5）Q、Y形成的氧化物中熔点：____＞____，理由是：_________________________。 15. 铁氮化合物()在磁记录材料领域有着广泛的应用前景。某的制备需铁、氮气、丙酮和乙醇参与。 （1）基态核外电子排布式为____________。 （2）丙酮()分子中碳原子轨道的杂化类型是_____，1mol丙酮分子中含有σ键的数目为________。 （3）C、H、O三种元素的电负性由小到大的顺序为____________。 （4）乙醇的沸点高于丙酮，这是因为____________。 （5）某的晶胞如图1所示，Cu可以完全替代该晶体中a位置Fe或者b位置Fe，形成Cu替代型产物，转化为两种Cu替代型产物的能量变化如图2所示，其中更稳定的Cu替代型产物的化学式为____________。 （6）经研究，如图所示，往ZnS晶体中掺入少量CuCl后，会出现能量不同的“正电”区域、“负电”区域，然后在光照下发出特定波长的光。 区域A“”中的离子为________(填离子符号)，区域B带________(填“正电”或“负电”)。 16. 钛及其化合物在化工、医药、材料等领域有着广泛的应用。回答下列问题： （1）在基态Ti原子中，核外电子占据最高能层的符号是________，占据该能层电子的电子云轮廓图形状为________。 （2）半夹心结构催化剂M的结构简式如图所示： ①组成该物质的元素中，电负性最大的是________(填元素名称)。 ②M中不含________(填字母)。 A．键 B．键 C．配位键 D．离子键 （3）金红石( )的晶胞结构如图： ①区分晶态和非晶态最可靠的科学方法是___________。 ②O原子距离最近且等距的Ti原子有______个。 ③的空间构型为_______，其熔沸点均高于结构与其相似的，主要原因是____________。 17. 太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。 I．第一代电池的光电转换材料是单晶硅。某单晶硅制备工艺中涉及的主要物质转化如下： （1）下列事实能作为“非金属性C比Si强”的证据的是________(填字母)： a．步骤i中，C做还原剂 b．碳酸的酸性强于硅酸 c．碳酸的热稳定性弱于硅酸 （2）步骤ii中，与反应转移4mol电子： ①该反应的化学方程式为________________________________。 ②中，H的化合价为________________________________。 （3）粗硅与HCl反应完全后，经冷凝得到的(沸点33.0℃)中含有少量(沸点57.6℃)和HCl(沸点-84.7℃)，提纯采用的方法为_________________。 （4）为鉴定产品硅中是否含微量铁单质，将试样用稀盐酸溶解，取上层清液后需再加入的试剂是__________(填写字母代号)。 a．碘水 b．氯水 c．NaOH溶液 d．KSCN溶液 e．溶液 Ⅱ．第二代电池的光电转换材料是一种无机物薄膜，其光电转化率高于单晶硅。科学家在元素周期表中Si的附近寻找到元素A和D，并制成化合物AD的薄膜，其晶体结构类似单晶硅。Si、A、D在元素周期表中的位置关系如图。 Si A D （5）A元素的符号为__________。 （6）D的第一电离能比Se的大，从原子结构角度说明理由：___________________。 第1页/共1页 学科网（北京）股份有限公司 $